Anda di halaman 1dari 6

Photo Emissive Cell

Photo emissive cell terdiri dari amplop kaca dengan vakum di dalamnya.
Amplop itu juga berisi katoda dan anoda yang peka cahaya.
Ketika cahaya datang katoda elektron (negative) dipancarkan dan ditarik oleh anoda (positif).
Nilai arusnya sebanding dengan intensitas cahaya yang jatuh pada katoda.
The PEC dapat digunakan sebagai bagian dari rangkaian pembagi potensial.



Sebuah photocell mengubah perubahan intensitas cahaya menjadi perubahan arus listrik. Diagram
menunjukkan sirkuit photocell. Katoda terbuat dari bahan fotosensitif. Sebuah sinar cahaya dibiarkan
jatuh di atasnya. Anoda disimpan di depan katoda dan baterai dihubungkan antara katoda dan anoda
seperti yang ditunjukkan pada gambar. Baterai menciptakan medan listrik dari anoda ke katoda. Sebagai
cahaya jatuh pada katoda, elektron yang dikeluarkan dan tertarik dengan anoda. Sehingga mengirimkan
arus melalui sirkuit yang mengukur oleh galvanometer terhubung dalam rangkaian. Kisaran saat ini
urutan microampere. Ini adalah bagaimana sebuah sel photoemissive bekerja.




Solar Cell (Sel Surya)

Sel surya atau sel photovoltaic, adalah sebuah alat semikonduktor yang terdiri dari sebuah
wilayah-besar diode p-n junction, di mana, dalam hadirnya cahaya matahari mampu
menciptakan energi listrik yang berguna. Pengubahan ini disebut efek photovoltaic. Bidang riset
berhubungan dengan sel surya dikenal sebagai photovoltaics.
Sel surya memiliki banyak aplikasi. Mereka terutama cocok untuk digunakan bila tenaga listrik
dari grid tidak tersedia, seperti di wilayah terpencil, satelit pengorbit bumi, kalkulator genggam, pompa
air, dll. Sel surya (dalam bentuk modul atau panel surya) dapat dipasang di atap gedung di mana mereka
berhubungan dengan inverter ke grid listrik dalam sebuah pengaturan net metering.
Cara kerja sel surya adalah dengan memanfaatkan teori cahaya sebagai partikel. Sebagaimana diketahui
bahwa cahaya baik yang tampak maupun yang tidak tampak memiliki dua buah sifat yaitu dapat sebagai
gelombang dan dapat sebagai partikel yang disebut dengan photon. Penemuan ini pertama kali
diungkapkan oleh Einstein pada tahun 1905. Energi yang dipancarkan oleh sebuah cahaya dengan
kecepatan c dan panjang gelombang dirumuskan dengan persamaan:

c
h E
Dengan h adalah konstanta Plancks (6.62 x 10
-34
J.s) dan c adalah kecepatan cahaya dalam vakum (3.00 x
10
8
m/s). Persamaan di atas juga menunjukkan bahwa photon dapat dilihat sebagai sebuah partikel energi
atau sebagai gelombang dengan panjang gelombang dan frekuensi tertentu. Dengan menggunakan sebuah
divais semikonduktor yang memiliki permukaan yang luas dan terdiri dari rangkaian dioda tipe p dan n,
cahaya yang datang akan mampu dirubah menjadi energi listrik.

Hingga saat ini terdapat beberapa jenis solar sel yang berhasil dikembangkan oleh para peneliti untuk
mendapatkan divais solar sel yang memiliki efisiensi yang tinggi atau untuk mendapatkan divais solar sel
yang murah dan mudah dalam pembuatannya.

Dalam cahaya matahari terkandung energi dalam bentuk foton. Ketika foton ini mengenai
permukaan sel surya, elektron-elektronnya akan tereksitasi dan menimbulkan aliran listrik. Prinsip ini
dikenal sebagai prinsip photoelectric. Sel surya dapat tereksitasi karena terbuat dari material
semikonduktor yang mengandung unsur silikon. Silikon ini terdiri atas dua jenis lapisan sensitif: lapisan
negatif (tipe-n) dan lapisan positif (tipe-p).
Sel surya terbuat dari bahan yang mudah pecah dan berkarat jika terkena air. Karena itu sel ini dibuat
dalam bentuk panel-panel ukuran tertentu yang dilapisi plastic atau kaca bening yang kedap air. Panel ini
dikenal sebagai panel surya.

Ada beberapa jenis panel surya yang dijual dipasaran :

Jenis pertama, yaitu jenis yang terbaik dan yang terbanyak digunakan masyarakat saat ini, adalah jenis
monokristalin. Panel ini memiliki tingkat efisiensi antara 12 sampai 14%.


Jenis kedua adalah jenis polikristalin atau multi kristalin, yang terbuat dari kristal silikon dengan tingkat
efisiensi antara 10 sampai 12%.


Jenis ketiga adalah silikon jenis amorphous, yang berbentuk film tipis. Efisiensinya sekitar 4-6%. Panel
surya jenis ini banyak dipakai di mainan anak-anak, jam dan kalkulator.

Jenis keempat adalah panel surya yang terbuat dari GaAs (Gallium Arsenide) yang lebih efisien pada
temperatur tinggi.

Listrik yang dihasilkan oleh panel surya dapat langsung digunakan atau disimpan lebih dahulu ke dalam
baterei kering. Arus listrik yang dihasilkan adalah listrik dengan arus searah (DC) sebesar 3.5 A. Besar
tegangan yang dihasilkan adalah 0.4-0.5V. Kita dapat mendesain rangkaian panel-panel surya, secara seri
atau paralel, untuk memperoleh output tegangan dan arus yang diinginkan. Untuk memperoleh arus bolak
balik (AC) diperlukan alat tambahan yang disebut inverter.







Thyristor

Thyristor merupakan devais semikonduktor 4 lapisan berstruktur pnpn dengan tiga pn-junction.
Devais ini memiliki tiga terminal yaitu anode, katode, dan gerbang. Thyristor biasanya digunakan
sebagai saklar/bistabil, beroperasi antara keadaan non konduksi ke konduksi. Pada banyak aplikasi
thyristor dapat diasumsi sebagai saklar ideal, akan tetapi dalam prakteknya thyristor memiliki batasan
dan karakteristik tertentu. Jenis-jenis thyristor yaitu :
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
SCR adalah dioda yang mempunyai fungsi sebagai pengendali. SCR atau Thyristor masih
termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai
pengendalinya adalah gate (G). SCR sering disebutTherystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P
dan N. Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda.
Simbol SCR :
Fast-Switching Thyristor
Biasanya thyristor ini digunakan pada penerapan teknologi pensaklaran kecepatan tinggi dengan
forced-commutation. Thyristor jenis ini memiliki waktu turn off yang cepat, umumnya dalam 5 sampai 50
s bergantung pada daerah tegangannya. Tegangan jatuh forward pada keadaan on bervarasi kira-kira
seperti fungsi invers dari trun off time tq, dikenal juga sebagai thyristor inversi.


Gate-Turn-Off Thyristor (GTO)
Gerbang ini dapat dihidupkan dengan memberikan sinyal gerbang positif dan dapat dimatikan
dengan memberikan gerbang sinyal negative. GTO dihidupkan dengan memberikan sinyal pulsa pendek
positif pada gerbang dan dimatikan dengan memberikan sinyal pulsa pendek negative pada
gerbang. GTO memiliki penguatan rendah selama turn-off dan memerlukan pulsa arus negative yang
relative besar untuk turn-off. Tegangan keadaan on untuk rata-rata GTO 550 A, 1200 V besarnya 3,4 V.
Bidirectional Triode Thyristor (TRI AC)
Triac dapat dianggap sebagai dua buah SCR dalam struktur kristal tunggal, dengan demikian
maka Triac dapat digunakan untuk melakukan pensaklaran dalam dua arah (arus bolak balik, AC).
Reverse-Conducting Thyristor (RCT)
Suatu RCT dapat dipandang sebagai suatu kompromi antara karakteristik devais dan kebutuhan
dari rangkaian RCT dapat dianggap sebagai suatu thyristor dengan built-in diode anti paralel. RCT
juga dikenal sebagai aymmetrical thyristor (ASCR). Tegangan forward blocking berfariasi antara 400
sampai dengan 2000 V dan rating arus bergerak hingga 500 A. Tegangan blocking reverse biasanya
sekitar 30 sampai dengan 40 V. karena rasio arus maju yang melalui thyristor terhadap arus reverse dari
diode tetap untuk suatu devais, aplikasinya dibatasi oleh perancangan rangkaian tertentu.
Static Induction Thyristor (SI TH)
SITH biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif seperti thyristor biasa
dan dimatikan dengan memberikan tegangan negatif pada gerbangnya. SITH merupakan devais dengan
pembawa muatan minoritas. Akibatnya, SITH memiliki resistansi/tegangan jatuh keadaan on yang
rendah dan dapat dibuat dengan rating tegangan dan arus yang lebih tinggi.SITH memiliki kecepatan
switching yang tinggi dengan kemampuan dv/dt dan di/dt yang tinggi. Waktu switchingnya berada pada
orde 1 sampai dengan 6 s. Rating tegangan dapat mencapai 2500 V dan rating arus dibatasi 500 A.
Devais ini sangat sensitive terhadap proses produksi, gangguan kecil pada proses produsi akan
menghasilkan perubahan yang besar pada karakteristik devais.
Light-Activated Silikon-Controlled Rectifier (LASCR)
LASCR digunakan untuk pemakaian arus dan tegangan yang tinggi. LASCR menyediakan isolasi
elektris penuh antara sumber cahaya pen-trigger dan devais switching dari converter daya, dengan
potensial mengambang tinggi hingga beberapa kilovolt. Rating tegangan dari LASCR dapat setinggi 4
kV, 1500 A dengan daya cahaya pen-trigger kurang dari 100 mW. Di/dt yang umum adalah 250 A/s dan
dv/dt dapat setinggi 2000 V/s.

Pada prinsipnya, rangkaian pintu otomatis ini bekerja dengan sangat sederhana. Cara kerjanya adalah
Ketika pada komponen LASCR tersebut tidak digunakan, maka sumber cahaya akan memicu unit
LASCR ke arah konduksi. Hal ini tentu akan menyebabkan arus mengalir ke dalam kumparan relay.
Setelah hal tersebut terjadi, tentu saja akan menyebabkan komponen kontak K1 akan menutup sehingga
membuat komponen pada K2 bertenaga yang akan segera menutup kontaknya. Setelah ini akan
mengoperasikan motor pintu garasi atau gerbang untuk membuka dan menutup pintu tersebut.


FET-Controlled Thyristor (FET-CTH)
Devais ini mengkombinasikan MOSFET dan Thyristor secara paralel. Jika tegangan tertentu
diberikan pada pada gerbang dari MOSFET biasanya, 3 V arus pen-trigger dari thyristor akan
dibangkitkan secara internal.
MOS-Controlled Thyristor (MCT)
MOS Controlled Thyristor (MCT) adalah tegangan yang sepenuhnya dikontrol thyristor. MCT
serupa yang beroperasi dengan thyristor GTO, tetapi telah dikendalikan dengan terisolasi tegangan
gerbang.MCT dapat beroperasi sebagai devais yang dikontrol oleh gerbang jika arusnya lebih kecil dari
arus maksimum yang dapat dikontrol. Usaha untuk membuat MCT off pada arus yang melebihi itu akan
mengakibatkan kerusakan devais, untuk arus yang tinggi thyristor harus dimatikan sebagaimana
thyristor biasa.
3. Thyristor ON
Suatu thyristor dihidupkan dengan meningkatan arus anoda. Hal ini dapat dicapai dengan salah satu
langkah berikut.
Panas. Jika suhu thyristor cukup tinggi,akan terjadi peningkatan jumlahpasangan elektron-hole,sehingga
arus bocor meningkat. Peningkatan ini akan menyebabkan 1 dan 2 meningkat.karena aksi regeneratif
akan menuju ke nilai satuan dan thyristor mungkin akan on. Cara ini dapat menyebabkan thermal
runaway dan biasanya dihindari.
Cahaya. Jika cahaya diizinkan mengenai sambungan thyristor, pasangan elektron-hole akan meningkat
dan thyristor mungkin akan on.Cara ini dilakukan dengan membiarkan cahaya mengenai silicon wafer
dari thyristor.
Tegangan Tinggi. Jika tegangan forward anode ke katode lebih besar dari tegangan maju breakdown
VBO, arus bocor yang dihasilkan cukup untuk membuat thyristor on. Cara ini merusak dan harus
dihindari.
dv/dt. Jika kecepatan peningkatan tegangan anode-katode cukup tinggi,arus pengisian sumber kapasitor
mungkin cukup untuk membuat thyristor on.Nilai arus pengisian yang tinggi dapat merusak thyristor,dan
devais harus diproteksi melawan dv/dt yang tinggi.
Arus gerbang. Jika suatu thyristor diberi tegangan bias forward, injeksi arus gerbang dengan
menerapkan tegangan gerbang positif antara terminal gerbangdan katode akan membuat thyeistor on.
Ketika arus gerbang ditingkatkan, tegangan forward blocking akan menurun

4. Thyristor OFF
Thyristor yang berada dalam keadaan on dapat dimatikan dengan mengurangi arus maju ke tingkat di
bawah arus holding IH.Ada beberapa variasi teknik untuk membuat thyristor off.Pada semua teknik
komutasi,arus anode dipertahankan di bawah arus holding cukup lama,sehingga semua kelebihan
pembawa muatan pada keempat layer dapat dikeluarkan.