Anda di halaman 1dari 6

Materi

Pengantar

Pengantar
Mulai tahun 1949 sampai dengan tahun 1951, Shockley melakukan penelitian tentang transistor
junction. Penemuan transistor berdampak yang luar biasa terhadap perkembangan elektronika
dan telah membuka jalan dimulainya industri semikonduktor , penemuan rangkaian terintegrasi (
IC ), piranti opto-elektronik, dan mikroprosesor.

Apakah Anda ingin mengetahui pembiasan pada transistor ?
Bagaimana karakter bahan pembentuk transisitor ?
Silakan pelajari materi ini !



Karakter P-N Junction
P-N Junction.

P-N Junction
Junction (persambungan) adalah daerah tempat tipe-P dan tipe-N disambung.
Dioda junction adalah nama lain untuk kristal P-N. Pada gambar 1 di bawah ini ditunjukkan
simbol dioda dan dioda junction tanpa bias tegangan. Sisi P mempunyai banyak hole dan
sisi N banyak elektron pita konduksi .



Gambar 1 . Simbol Dioda dan Junction Dioda
Lapisan pengosongan
Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi kecil yang disebut
lapisan kosong (depletion layer). Di daerah tersebut terdapat keseimbangan antara hole dan
elektron.Pada sisi P banyak terbentuk hole-hole yang siap menerima elektron, sedangkan di
sisi N banyak terdapat elektron-elektron yang siap untuk bebas.
Elektron pada sisi N cenderung berdifusi ke segala arah, beberapa elektron berdifusi
melewati junction. Setiap kali elektron berdifusi melalui juction akan menciptakan sepasang
ion.Tanda positif berwarna merah menandakan ion positif dan tanda negatif berwarna merah
menandakan ion negatif.
Tiap pasang ion positif dan ion negatif pada gambar 2 disebut dipole. Penciptaan dipole berarti
satu elektron pita konduksi dan satu hole telah dikeluarkan dari sirkulasi. Jika terbentuk
sejumlah dipole, daerah dekat junction dikosongkan dari muatan-muatan , daerah kosong ini
disebut dengan daerah /lapisan pengosongan yang lebarnya 0,5 µm.

Gambar 2. Dipole pada P-N Junction
Tegangan barrier ( rintangan )
Pembangkitan tegangan barrier bergantung pada suhu junction, suhu yang lebih tinggi
menciptakan banyak pasangan elektron dan hole, sehingga aliran pembawa minoritas
melewati juction bertambah. Pada suhu 25°C Potensial Barier pada dioda germanium (Ge)=
0,3 V dan dioda silikon (Si ) = 0,7 V.Potensial barrier tersebut berkurang 2,5 mV untuk setiap
kenaikan 1 derajat Celcius.

Bias Pada P-N Junction.

BIAS PADA LAPISAN P-N
Forward bias pada lapisan P-N
Gambar ilustrasi di bawah menunjukkan sambungan PN.Terminal negatif sumber/batery
dihubungkan dengan bahan tipe-N dan terminal positif dihubungkan dengan bahan tipe-P,
atau tegangan potensial sisi P lebih besar dari sisi N sehingga elektron dari sisi N akan
bergerak untuk mengisi hole di sisi P. Kalau elektron mengisi hole disisi P, akan terbentuk
hole pada sisi N karena ditinggal elektron. Ini disebut aliran hole dari P menuju N. Kalau
mengunakan terminologi arus listrik, dikatakan terjadi arus listrik dari sisi P ke sisi N. Bias
ini disebut bias maju (foward )

Reverse bias pada lapisan P-N
Pada sambungan reverse bias terminal negatif sumber/battery dihubungkan dengan bahan
tipe-P dan terminal positif dihubungkan dengan bahan tipe-N. Pada kondisi ini hole dan
elektron bergerak menuju ke ujung-ujung kristal (menjauhi junction), dimana elektron akan
meninggalkan ion positif dan hole akan meninggalkan ion negatif oleh sebab itu lapisan
pengosongan akan bertambah lebar.Makin besar bias makin lebar pula lapisan pengosongan
, oleh karena itu arus listrik sulit/tidak bisa mengalir dari sisi P ke N.Bias ini disebut bias
balik (reverse )



Transistor Bipolar
Transistor Junction

Transistor Junction
Transistor merupakan dua dioda dengan dua persambungan ( bi junction ).Dilihat dari susunan
materialnya ada dua jenis transistor, yaitu transistor PNP dan NPN. Ujung-ujung terminal transistor
masing-masing disebut emitor, basis dan kolektor. Pada simbol transistor basis selalu berada di tengah
di antara emitor dan kolektor. Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip
kerjanya bergantung pada perpindahan elektron dari kutub negatif mengisi kekurangan elektron (hole) ke
kutub positif.
Fungsi utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier). Karena sifatnya,
transistor ini dapat digunakan dalam keperluan lain, misalnya sebagai suatu saklar
elektronis.

Susunan fisik transistor merupakan sambungan dari bahan semikonduktor tipe P dan tipe
N, seperti digambarkan pada gambar 1.

Gambar 1. Susunan fisik transistor
Gambar rangkaian pengganti transistor identik dengan dua buah dioda yang dipasang saling
bertolak belakang seperti terlihat pada gambar 2.

Gambar 2. Rangkaian pengganti transistor
Ada dua macam jenis transistor, yaitu jenis PNP dan NPN yang simbolnya diperlihatkan pada gambar 3.

Gambar 3. Simbol transistor
Contoh bentuk-bentuk fisik transistor bipolar

Gambar 4 Bentuk-bentuk fisik transistor bipolar


Pembiasan Pada Transistor NPN.

Pembiasan pada Transistor NPN
Transistor bipolar memiliki dua junction yaitu junction Emitor – Basis dan Junction Basis-Kolektor.
Seperti pada dioda, arus listrik akan mengalir jika material P diberi bias positif, yaitu jika tegangan pada
material P lebih positif dari material N. Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction basis-
emiter diberi bias positif (forward bias) sedangkan basis-kolektor mendapat bias negatif (reverse bias).
Karena basis-emiter mendapat bias foward seperti pada dioda, elektron mengalir dari emiter menuju
basis. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih
positif, aliran elektron bergerak menuju kutub + battery . Bila tidak ada kolektor, seluruh aliran elektron
akan menuju basis, seperti pada dioda. Karena lebar basis yang sangat tipis, maka hanya sebagian kecil
elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada basis. Sebagian besar elektron akan
menembus lapisan basis menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak
dapat menjadi sebuah transistor.Persyaratannya adalah lebar basis harus sangat tipis sehingga dapat
ditembus oleh elektron.
Jika tegangan basis-emitor dibalik (reverse bias), tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor
menuju kolektor. Jika basis – emitor diberi bias maju (forward bias), maka elektron pada emitor
akan mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias basis yang
diberikan. Dengan demikian ternyata, arus basis mengatur banyaknya elektron yang mengalir
dari emitor menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus basis
yang kecil menghasilkan arus emitor-kolektor yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan)
menjadi kurang tepat, karena dengan penjelasan tersebut sebenarnya yang terjadi bukan
penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga
dapat dijelaskan bahwa basis mengatur, membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor
sehingga berfungsi sebagai saklar (switch on/off).




Pembiasan Pada Transistor PNP.

Pembiasan Pada Transistor PNP
Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti
pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole. Karena

emitor-basis mendapat bias foward maka seperti pada dioda,hole mengalir dari emitor menuju
basis. Kolektor pada rangkaian ini lebih negatif sebab mendapat tegangan negatif. Karena
kolektor ini lebih negatif, aliran hole bergerak menuju kutub negatif battery ini. Bila tidak ada
kolektor, seluruh aliran holeakan menuju basis seperti pada dioda. Tetapi karena lebar basis
yang sangat tipis, hanya sebagian kecil hole yang dapat bergabung dengan elektron yang ada
pada basis. Sebagian besar akan menembus lapisan basis menuju kolektor. Inilah alasannya
mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor. Persyaratannya
adalah lebar basis harus sangat tipis sehingga dapat dilalui oleh hole.



Latihan


Tes