Anda di halaman 1dari 8

5.

DIFUSI
5.1. PENGERTIAN DIFUSI
DIFUSI itu merupakan fenomena pergerakan material akibat gerakan dari
atom. Fenomena ini digambarkan dengan mendekatkan 2 buah batang logam
(contohnya : nikel dan tembaga) sehingga keduanya bersentuhan secara langsung
tanpa ada jarak. Kemudian kedua logam ini dipanaskan selama beberapa waktu
dengan suhu yang terus meningkat tetapi tetap dibawah suhu leleh dari kedua
logam dan kemudian didinginkan pada suhu ruangan. Analisis kimia akan
memperlihatkan hasil bahwa ada daerah yang merupakan murni logam tersebut
dan dipisahkan dengan daerah alloy (padanan logam) antara keduanya. Hal ini
akibat adanya migrasi atau difusi atom diantara keduanya. Atom nikel berdifusi ke
bagian tembaga dan begitu juga sebaliknya. Proses ini disebut sebagai
INTERDIFUSI atau DIFUSI TIDAK MURNI.

Interdifusi mungkin dapat diketahui dari perspektif makro dengan
perubahan konsentrasi tehadap waktu. Difusi juga dapat terjadi pada logam murni
tetapi semua atomnya yang berubah posisi bertipe sama yang disebut sebagai
DIFUSI DIRI.

5.2. MEKANISME DIFUSI
Sebelumnya difusi hanya dipandang seperti perpindahan atom dari satu
tempat ke tempat lain. Kenyataannya, atom di material padat itu bergerak secara
konstan dan berpindah-pindah posisi. Untuk bergerak seperti itu ada 2 kondisi
yaitu 1. Harus ada daerah yang bisa diisi atom tersebut dan 2. Atom harus punya
cukup energi untuk melepaskan ikatan dengan atom tetangganya .
DIFUSI KEKOSONGAN
Difusi ini tejadi akibat pergerakan atom dari tempat asalnya ke tempat
yang mengalami kekosongan. Jadi atom bergerak pada suatu arah tertentu dan
kekosongannya akan bergerak kearah sebaliknya. Difusi diri dan interdifusi
menggunakan mekanisme ini. Yang selanjutnya atom tak murni menggantikan
banyak atom lainnya.

DIFUSI SISIPAN
Difusi ini akibat migrasi atom dari posisi yang menyisip ke tetangganya
yang kosong. Mekanisme ini dapat ditemukan di interdifusi tak murni seperti
hidrogen,oksigen dll yang memiliki bentuk atom yang cukup kecil sehingga bisa
menempati daerah yang menyisip diantara atom-atom lainnya. Di banyak padanan
logam difusi sisipan ini terjadi lebih cepat dibandingkan difusi kekosongan akibat
dari ukuran atom yang lebih kecil sehingga lebih mudah bergerak. Dan juga ruang
kosong yang menyisip atom lainnya lebih banyak dibandingkan tempat kosong
pada difusi kekosongan sehingga kemungkinannya semakin besar.

5.3. DIFUSI ARUS TUNAK
Untuk mengetahui seberapa cepat difusi yang terjadi disebut FLUKS
DIFUSI ( J ).


Dengan : J = fluks difusi (kg/m
2
s atau atoms/ m
2
s)
M = massa atau jumlah atom (kg atau atom)
A = luas daerah terjadinya difusi (m
2
)
Jika J tidak berubah dengan waktu maka kondisi aliran tunak terpenuhi.
Contohnya adalah difusi dari sebuah atom yang melewati sebuah pelat yang
konsentrasinya atau jaraknya untuk spesies difusi nya pada 2 buah permukaan
pelat adalah konstan.
Saat dibuat grafik konsentrasi C terhadap posisi atau jarak maka hasil
kurvanya disebut sebagai profil konsentrasi dan kemiringan pada tiap titik disebut
sebagai gradien konsentrasi.
Konsentrasi gradien


dt
dM
A At
M
J
1

Secara matematis dari difusi aliran tunak untuk 1 arah adalah fluks difusi
yang proporsional terhadap gradien konsentrasi nya atau biasa disebut hukum
fick pertama


Dengan D adalah koefisien difusi (m
2
/s). Tanda negatif menyatakan bahwa arah
dari difusi itu dari konsentrasi yang tinggi ke konsentrasi yang rendah.
5.4. DIFUSI NON TUNAK
Banyak situasi difusi di kehidupan sehari-hari merupakan difusi dengan
aliran yang tak tunak. Dimana difusi yang tejadi berbeda-beda untuk tiap
waktunya. Persamaannya biasa dikenal dengan hukum fick kedua yaitu :

)
Jika koefisien difusinya independen maka dapat disederhanakan menjadi

)

5.5. FAKTOR-FAKTOR YANG MEMPENGARUHI DIFUSI
1. jenis yang berdifusi.
Tiap benda yang melakukan difusi jelas akan berbeda koefisien difusi (D)
nya. Contohnya pada 500
0
C untuk besi nilai D adalah 3 X 10
-21
m
2
/s dan untuk
karbon adalah 2,4 x 10
-12
m
2
/s.
2. Temperatur.
Temperatur memiliki pengaruh yang paling besar pada koefisien difusi.
Contohnya pada besi . Saat temperatur 500
0
C koefisien difusinya 3 X 10
-21
m
2
/s
sedangkan saat 900
0
C koefisiennya bertambah menjadi 1,8 X 10
-15
m
2
/s. Secara
matematis hubungannya adalah


Dimana D
0
= koefisien difusi pre-exponential (m
2
/s)
Q
d
= energi aktivasi untuk difusi (j/mol atau eV/atom)
R = konstanta gas 8,31 J/mol K
T = temperatur absolut (K)
Energi aktivasi dapat dinyatakan sebagai energi yang dibutuhkan untuk
memproduksi gerakan difusi pada 1 mol atom. atau dapat ditulis juga sebagai.


Atau


Karena D
0
, Q
d
, R konstan maka persamaan diatas dapat dianggap sebagai
persamaan garis lurus yaitu :

Dimana y dan x dianalogikan sebagai variabe log D dan 1/T. Sehingga jika
diplotkan maka akan terbentuk garis lurus.

5.6. DIFUSI PADA SEMIKONDUKTOR
Salah satu aplikasi dari teori difusi zat padat adalah pembuatan integrated
circuit atau IC. IC sangat tipis dengan orde milimeter. Walaupun demikian
didalamnya terdiri atas beragam perangkat elektronik. Kristal silikon tunggal
menjadi material dasar untuk banyak IC. Salah satu cara membuat IC adalah
dengan memanfaatkan difusi atom.
Biasanya 2 cara pemanasan digunakan pada proses ini. Pertama tahap
predeposition atau predeposisi. Atom yang tidak murni di difusi kedalam silikon.
Seringkali dalam fase gas. Tekanan sebagian dijaga agar konstan. Jadi komposisi
permukaan yang tidak murni juga tetap konstan. Sehingga konsentrasi
ketidakmurnian tehadap silikon adalah fungsi dari posisi terhadap waktu. Proses
ini biasanya dilakukan pada temperatur 900
0
C sampai 1000
0
C selama kurang
dari 1 jam.
Cara selanjutnya biasanya disebut drive-in diffusion. Untuk transport atom
tidak murni terhadap silikon untuk menyediakan distribusi konsentrasi yang cocok
tanpa kenaikan konten. Cara ini biasa menggunakan pada temperatur yang lebih
tinggi dibandingkan cara yang pertama yaitu lebih darin 1200
0
C. Juga pada
suasana oksidasi akar tercipta lapisan oksida di permukaannya dan menjadi SiO
2
.
Kecepatan difusi di lapisan ini sangat lambat. Karena sangat sedikit atom yang
tidak murni yang bisa keluar dari silikon.

Jika kita asumsikan ketidakmurnian atom ada pada saat proses predeposisi
di lapisan silikon yang sangat tipis sehingga solusi untuk hukum Fick kedua
adalah

)
Dimana Q
0
merepresentasikan jumlah total ketidakmurnian pada bahan padat
yang ada pada proses predeposisi (jumlah atom tidak murni per luas).yang dapat
ditunjukkan dengan


Dimana: C
s
= konsentrasi permukaan untuk proses predeposisi yang konstan
D
p
=koefisien difusi
T
p
= waktu proses predeposisi
Parameter difusi lain yang penting adalah kedalaman sambungan (
junction depth ) x
j
yang menyatakan kedalaman dimana konsentrasi
ketidakmurnian yang bernilai sama dengan konsentrasi latar pada silikon yang
tidak murni (C
B
) pada proses drive-in . Persamaannya adalah

)+