Anda di halaman 1dari 39

Wildian

Fisika Instrumentasi
Program Studi Fisika
Universitas Andalas
1 wildian_unand@yahoo.com
FET: Transistor Unipolar
Berdasarkan jenis muatan listrik yang mengalir di dalamnya, transistor dapat
dibedakan atas dua macam: transistor bipolar dan transistor unipolar.
Transistor bipolar (dwikutub) adalah transistor yang bekerja dengan dua
jenis muatan listrik: muatan negatif (elektron) dan muatan positif (lubang).
Contoh: Transistor NPN dan transistor PNP.
Transistor unipolar (satu-kutub), yaitu transistor yang bekerja dengan hanya
satu jenis muatan listrik: muatan negatif (elektron) saja atau muatan positif
(lubang) saja.
Contoh: FET (field effect transistor)


2 wildian_unand@yahoo.com
FET memiliki 3 daerah (regions):
Source (S) Emitor (E)
Gate (G) Basis (B)
Drain (D) Kolektor (C)

FET pada prinsipnya terbuat dari bahan semikonduktor tipe-n atau
tipe-p yang berperan sebagai saluran (channel) ditambah dengan dua
gate dari bahan semikonduktor tipe yang berlawanan. [Artinya, jika
bahan saluran bertipe-n, maka gate-nya bertipe-p, dan sebaliknya].

Jika sambungan antara bahan saluran dan bahan gate pada FET terjadi
secara difusi, maka FET yang terbentuk disebut JFET. Tetapi, jika bahan
gate tersebut terisolasi dari bahan salurannya, maka FET yang
terbentuk disebut MOSFET.

FET bekerja berdasarkan efek medan yang terjadi ketika gate diberi
tegangan panjar (biased).

Pemberian tegangan panjar pada kaki gate berdampak pada lebar
saluran FET, dan itu berarti mempengaruhi besar-kecilnya arus yang
mengalir melalui saluran tersebut.
3 wildian_unand@yahoo.com
Analoginya
dengan
transistor
bipolar
Ragam FET & Simbolnya
wildian_unand@yahoo.com 4


JFET MOSFET
FET
Modus Deplesi Modus Deplesi Modus Pengayaan
Saluran-N Saluran-P Saluran-N Saluran-P Saluran-P Saluran-N
Perbedaan FET (UJT) dan BJT
wildian_unand@yahoo.com 5

Field Effect Transistor (FET) Bipolar Junction Transistor (BJT)
1 Low voltage gain High voltage gain
2 High current gain Low current gain
3 Very input impedance Low input impedance
4 High output impedance Low output impedance
5 Low noise generation Medium noise generation
6 Fast switching time Medium switching time
7 Easily damaged by static Robust
8 Some require an input to turn it "OFF" Requires zero input to turn it "OFF"
9 Voltage controlled device Current controlled device
10 Exhibits the properties of a Resistor
11 More expensive than bipolar Cheap
12 Difficult to bias Easy to bias

Field Effect Transistor (FET) Bipolar Junction Transistor (BJT)
1 Penguatan tegangannya rendah Penguatan tegangannya tinggi
2 Penguatan arusnya tinggi Penguatan arusnya rendah
3 Impedansi masukannya sangat tinggi Impedansi masukannya rendah
4 Impedansi keluarannya tinggi Impedansi keluarannya rendah
5 Pembangkitan noise-nya rendah Pembangkitan noise-nya sedang
6 Waktu switching-nya cepat Waktu switching-nya sedang
7 Mudah rusak oleh muatan statik Tahan terhadap muatan statik
8
Untuk mematikannya (to turn it "OFF)
diperlukan tegangan masukan tertentu
Untuk mematikannya diperlukan
tegangan masukan nol
9 Merupakan piranti yang dikontrol tegangan Merupakan piranti yang dikontrol arus
10 Memperlihatkan sifat-sifat resistor -
11 Lebih mahal Murah
12 Sulit diberi tegangan panjar Mudah diberi tegangan dipanjar
JFET
Jika bahan semikonduktor tipe-n diberi beda
potensial (dihubungkan ke baterai), maka bagian
yang dihubungkan ke kutub positif (+) baterai
disebut drain (D) dan yang dihubungkan ke
kutub negatif (-) disebut source (S).

Jika bahan semikonduktor itu diberi tambahan
berupa dua bahan semikonduktor tipe-p (yang
masing-masing disebut gate) pada kedua sisinya,
dan kedua jenis semikonduktor itu terhubung
secara baur (difusi), maka piranti yang terbentuk
disebut JFET saluran-n.

Jika kedua gate tersebut difungsikan untuk
pemberian tegangan panjar terhadap JFET, maka
JFET ini disebut JFET dua-gerbang (a dual-gate
JFET), seperti ditunjukkan pada Gbr 1.b. Tetapi,
jika hanya satu gate saja yang dipakai untuk
pemberian tegangan panjar, maka JFET-nya
disebut JFET satu-gerbang (a single-gate JFET),
lihat Gbr. 1.c.
(a)
(b)
(c)
Gbr. 1
6 wildian_unand@yahoo.com
Struktur JFET
Transistor JFET-n dibuat di atas satu
lempengan semikonduktor tipe-p
sebagai subtrat (subtrate) atau dasar
(base).

Untuk membuat saluran-n, di atas
subtrat di-implant semikonduktor tipe n
yaitu dengan memberikan doping
elektron. Saluran-n ini akan menjadi
drain dan source.

Kemudian di atas saluran-n dibuat
implant tipe-p, caranya adalah dengan
memberi doping p (hole). Implant tipe p
ini yang menjadi gate.

Gate dan subtrat disambungkan secara
internal.

wildian_unand@yahoo.com 7
Simbol JFET
8 wildian_unand@yahoo.com
Daerah deplesi sudah terbentuk
sejak saluran dari bahan tipe-n
diberi gerbang (gate) dari bahan
tipe-p.

Ketika itu elektron-elektron
bebas dari daerah-n berdifusi ke
daerah-p dan berekombinasi
dengan lubang (hole) yang ada
di bahan gate, sehingga
terbentuk daerah yang bebas
dari elektron-bebas dan lubang
di sekitar sambungan tersebut.
Itulah daerah deplesi.
9 wildian_unand@yahoo.com
Pada transistor bipolar, dioda
basis-emitor-nya dipanjar-
maju (forward-bias), tetapi pada
JFET, dioda gate-source-nya
dipanjar-mundur (reverse-bias).

Oleh karena dioda gate-source
dipanjar-mundur, maka arus gate
(IG) sangatlah kecil. Secara
pendekatan:

Akibatnya, impedansi masukan
JFET sangat besar (dapat
dianggap tak-berhingga):
0 =
G
I
=
in
R
10 wildian_unand@yahoo.com
Gambar di atas
memperlihatkan
pemberian tegangan
panjar (bias) untuk
JFET saluran-n.
Bagaimana
pemberian tegangan
panjar untuk JFET
saluran-p ? (Tugas!)
Cara Memanjar JFET
Sebelum dan setelah
diberi panjar negatif.
wildian_unand@yahoo.com 11
VGG
VDD
Source
Drain
Gate
Sebelum diberi panjar
negatif, daerah deplesi
masih kecil sehingga arus
yang mengalir cukup
besar.
Setelah diberi panjar negatif,
daerah deplesi membesar
sehingga menghambat
arus yang mengalir (arus
menjadi kecil), dan
bahkanpada nilai
tegangan tertentuarus
dapat terhenti sama sekali
(ID = 0).
Efek Medan
Istilah efek medan (field effect)
terkait dengan daerah deplesi yang
muncul di sekitar daerah-p.
Ketika elektron mengalir dari
source ke drain, elektron-elektron
tersebut harus melalui celah di antara
kedua lapisan deplesi ini.
Makin negatif tegangan gate, makin
besar daerah deplesi (dan makin
sempit celah tersebut). Akibatnya,
arus yang mengalir dari drain ke
source makin kecil . Dengan kata
lain, tegangan gate dapat
mengontrol arus yang mengalir
melalui saluran tersebut. (Lihat:
Animasi JFET)
Oleh karena JFET
dipanjar-mundur
(dan bukan dipanjar-
maju), maka JFET
berperilaku sebagai
piranti yang
dikontrol-tegangan
(a voltage controlled
device), bukan
dikontrol-arus.
12 wildian_unand@yahoo.com
Aliran Elektron di dalam JFET

VGG
=
VDD =
13 wildian_unand@yahoo.com
Contoh Spec:
N-Channel JFET (2N3819)
The 2N3819 is a low-cost, all-purpose JFET
which offers good performance at mid-to-high
frequencies. It features low noise and leakage
and guarantees high gain at 100 MHz.

14 wildian_unand@yahoo.com
JFET berperilaku seperti sebuah sumber arus
ketika beroperasi di daerah aktif, yaitu
antara tegangan pinch-off (VP) dan VDS (maks).
Pada saat itu arus drain maksimum dan
konstan, dengan simbol IDSS.
IDSS = arus Drain-Source ketika gate terhubung
singkat (Shorted).

15 wildian_unand@yahoo.com
Kurva Drain
ketika Gate terhubung-singkat
JFET saluran-n dengan tegangan panjar
negatif (normal)
Arus drain maksimum terjadi ketika
tegangan gate nol. (VGS = 0)
Kurva-kurva Drain
16
wildian_unand@yahoo.com
Kurva I-V (ID versus VDS) JFET
untuk beberapa nilai VGS yang
berbeda.
Kurva paling atas
memperlihatkan arus drain
maksimum (pada contoh ini,
IDSS = 10 mA) yang terjadi
ketika VGS = 0.
Makin negatif nilai VGS,
makin kecil arus ID.
Pada kurva paling bawah
(ketika VGS = - 4 V), arus
drain:



Tegangan VGS yang
menyebabkan

disebut VGS cut-off atau
disingkat: VGS (off).
Perhatikan grafik!
VGS (off) = - VP
VP = tegangan jepit (pinch-off)
Daerah Ohmik
Tegangan jepit (pinch-off
voltage) = tegangan dimana
arus drain tertinggi
(maksimum) berubah dari
hampir vertikal ke
hampir horizontal.
Daerah dimana arus drain
hampir vertikal itu
disebut daerah ohmik
(ohmic region)setara
dengan daerah saturasi
pada transistor bipolar.
Ketika dioperasikan di
daerah ohmik, JFET
berperilaku seperti sebuah
resistor , dengan resistansi:
17 wildian_unand@yahoo.com
DSS
P
DS
I
V
R =
atau (boleh juga):
DS
P
DS
I
V
R
'
=
VP = tegangan jepit
(pinch-off) yang
sebanding dengan IDS.
Contoh Soal
Sebuah data sheet JFET mencantumkan nilai-nilai berikut: IDSS = 20
mA, dan VP = 5 V. Tentukanlah:
a. Arus drain maksimum
b. Tegangan cut-off gate-source
c. Resistansi dc JFET di daerah ohmik.
wildian_unand@yahoo.com 18
Solusi:
a. Arus drain maksimum:
ID maks = IDSS = 20 mA
b. Tegangan cut-off gate-source:
VGS (off ) = -VP VGS (off ) = - 5 V
c. Resistansi dc JFET di daerah ohmik:

DSS
P
DS
I
V
R =
ohm 250
mA 20
V 5
= =
DS
R
Kurva transkonduktansi JFET
adalah grafik arus drain (ID)
versus tegangan gate-source
(VGS).

Semua JFET memiliki bentuk
kurva transkonduktansi yang
serupa (berbentuk parabola);
hanya angka-angkanya (the
numbers) yang akan berbeda.

Arus drain dapat dihitung
dengan rumus:






wildian_unand@yahoo.com 19
Kurva Transkonduktansi JFET
(ID vs. VGS)
Bentuk umum kurva
transkonduktansi
JFET
2
) (
1
|
|
.
|

\
|
=
off GS
GS
DSS D
V
V
I I
Pendekatan pada JFET
Untuk JFET ideal:
Tak ada daerah dadal
(breakdown region).
Semua kurva drain
menumpuk di daerah
ohmik.
Semua kurva drain
merupakan garis
horizontal di daerah
sumber-arus (daerah
aktif ).


wildian_unand@yahoo.com 20
Cara Menganalisis JFET
Jika anda sedang menganalisis suatu rangkaian JFET,
dan anda tidak tahu pasti daerah kerjanya, maka
lakukanlah hal berikut:
1. Anggap JFET tersebut bekerja di daerah sumber-arus
(daerah aktif ).
2. Lakukan perhitungan berdasarkan anggapan itu.
3. Jika hasilnya tidak masuk akal, maka anggapan
tersebut gugur.
4. Ubah penyelesaiannya ke model ohmik.
wildian_unand@yahoo.com 21
Berdasarkan gambar
di samping,
tentukanlah
tegangan drain-
source :
a. ketika VGS = 0
b. ketika VGS = 0, dan
resistansi
resistornya
diganti dengan
3,6 kO.
c. ketika VGS = -2,2 V,
dan resistansi
resistornya 3,6
kO.





wildian_unand@yahoo.com 22
Contoh Soal
Solusi (a)
Anggap JFET bekerja di daerah
sumber-arus.
Oleh karena VGS = 0, maka ID
bernilai maksimum (ID maks = IDSS
= 10 mA).
Rangkaian setaranya seperti pada
gambar di samping, sehingga:
VDS = VDD ID RD
VDS = 10 V (10 mA)(360 O)
VDS = 6,4 V
Oleh karena VGS (off ) = - 4 V, maka
VP = 4 V.
wildian_unand@yahoo.com 23
Oleh karena
VDS > VP
maka anggapan bahwa
JFET bekerja di daerah
sumber-arus tersebut
adalah benar.
Solusi (b)
Anggap JFET bekerja di daerah sumber-
arus.
Oleh karena VGS = 0, maka ID bernilai
maksimum (ID maks = IDSS = 10 mA).
Beredasarkan gambar rangkaian pada
soal, diperoleh :
VDS = VDD ID RD
VDS = 10 V (10 mA)(3,6 kO)
VDS = - 26 V (Jawaban yang tidak
mungkin. VDS tidak boleh bernilai
negatif!)
Berarti JFET tsb bekerja di daerah ohmik:




Rangkaian setara (the equivalent circuit)
untuk rangkaian drain ditunjukkan pada
gambar di samping.
wildian_unand@yahoo.com 24
Tegangan drain-source
(VDS) diukur pada RDS
dengan prinsip
pembagi tegangan:
DSS
P
DS
I
V
R =
ohm 400
mA 10
V 4
= =
DS
R
DD
D DS
DS
DS
V
R R
R
V
+
=
V 10
k 6 , 3 400
400

O + O
O
=
DS
V
V 1 =
DS
V
Oleh karena VGS diubah dari 0
menjadi 2,2 V, maka daerah
deplesi bertambah besar dan
mengakibatkan arus drain
menjadi berkurang (makin kecil).
Hal ini memungkinkan JFET
tidak lagi bekerja di daerah
ohmik.

Anggaplah JFET berkerja di
daerah sumber-arus, maka arus
drain-nya:



wildian_unand@yahoo.com 25
Solusi (c)
2
) (
1
|
|
.
|

\
|
=
off GS
GS
DSS D
V
V
I I
2
V) 4 (
V) 2 , 2 (
1 mA) 10 (
|
|
.
|

\
|

=
D
I
mA 03 , 2 =
D
I
Tegangan drain-source:





Lalu, hitung tegangan jepit
yang sebanding dengan RDS
(yang disimbolkan dengan VP) :




Oleh karena VDS > VP, maka
anggapan bahwa JFET berkerja
di daerah sumber-arus adalah
benar. Jadi, jawaban akhirnya
adalah
VDS = 2,69 V



D D DD DS
R I V V =
) k ,6 3 mA)( 03 , 2 ( V 10 O =
DS
V
V 69 , 2 =
DS
V
DS D P
R I V = '
V 0,812 ) mA)(400 03 , 2 ( ' = O =
P
V
MOSFET
Seperti halnya JFET, MOSFET (Metal-oxide semiconductor FET)
juga memiliki source (S), gate (G), dan drain (D).

Bedanya, gate pada MOSFET terisolasi dari salurannya (the
channel) oleh bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal
seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-
oxide.

Oleh karena gate terisolasi, transistor ini sering juga disebut IGFET
(insulated-gate FET).

Akibat adanya isolasi tersebut, arus gate menjadi sangat kecil, baik
ketika gate dipanjar positif maupun negatif.

Ada dua jenis MOSFET:
1. MOSFET modus-deplesi (depletion-mode )
2. MOSFET modus-pengayaan (enhancement-mode)

wildian_unand@yahoo.com 26
Gambar di samping memperlihatkan sebuah
MOSFET modus-deplesi tipe saluran-n.

Transistor ini terbuat dari sepotong material
semikonduktor tipe-n dengan substrat (atau
body) dari material tipe-p (disebut daerah-
p) dan gate dari material logam (metal) yang
diisolasi dengan suatu lapisan dari bahan
kaca/pasir kwarsa (SiO2).

Elektron mengalir dari source ke drain
melalui suatu saluran sempit di antara gate
dan daerah-p.
wildian_unand@yahoo.com
27
MOSFET Modus-Deplesi
Simbol MOSFET modus-
deplesi tipe saluran-n.
atau
Pemberian Tegangan Negatif
Terhadap Gate
Catu VDD mendorong
elektron bebas untuk
mengalir dari source ke
drain melalui celah sempit
antara gate dan daerah-p.

Tegangan gate mengontrol
lebar saluran tersebut;
makin negatif tegangan
gate, maka makin kecil
arus drain. Jadi, prinsip
kerja MOSFET serupa
dengan JFET ketika VGS
negatif.

wildian_unand@yahoo.com 28
Pemberian Tegangan Positif
Terhadap Gate
Oleh karena MOSFET
terisolasi secara elektris
dari saluran, maka kita
dapat menerapkan
tegangan positif terhadap
gate.
Tegangan positif terhadap
gate meningkatkan jumlah
elektron bebas yang
mengalir melalui saluran.
Makin positif tegangan
gate, makin besar hantaran
(the conduction) dari
source ke drain.

wildian_unand@yahoo.com 29
Kemampuan untuk menggunakan
tegangan gate positif inilah yang
membedakan MOSFET modus-
deplesi dari JFET.
Simbol MOSFET

Oleh karena gate (yang bersifat logam/metalik)
tersebut terisolasi dari saluran, maka arus gate yang
sangat kecil (sehingga dapat diabaikan) mengalir
meskipun ketika tegangan gate-nya positif.

wildian_unand@yahoo.com 30
Pada sebuah kanal
semikonduktor tipe n terdapat
semikonduktor tipe p dengan
menyisakan sedikit celah.
Dengan demikian diharapkan
elektron akan mengalir dari
source menuju drain melalui
celah sempit ini. Gate terbuat
dari metal (seperti aluminium)
dan terisolasi oleh bahan
oksida tipis SiO
2
yang tidak
lain adalah kaca.

wildian_unand@yahoo.com 31
Semikonduktor tipe p di sini disebut subtrat p dan biasanya
dihubung singkat dengan source. Ingat seperti pada
transistor JFET lapisan deplesi mulai membuka jika V
GS
=
0.
Dengan menghubung singkat subtrat p dengan source
diharapkan ketebalan lapisan deplesi yang terbentuk
antara subtrat dengan kanal adalah maksimum. Sehingga
ketebalan lapisan deplesi selanjutnya hanya akan
ditentukan oleh tegangan gate terhadap source. Pada
gambar, lapisan deplesi yang dimaksud ditunjukkan pada
daerah yang berwarna kuning.
wildian_unand@yahoo.com 32
Semakin negatif tegangan gate terhadap source, akan
semakin kecil arus drain yang bisa lewat atau bahkan
menjadi 0 pada tegangan negatif tertentu. Karena lapisan
deplesi telah menutup kanal. Selanjutnya jika tegangan
gate dinaikkan sama dengan tegangan source, arus akan
mengalir. Karena lapisan deplesi muali membuka. Sampai
di sini prinsip kerja transistor MOSFET depletion-mode
tidak berbeda dengan transistor JFET.


Karena gate yang terisolasi, tegangan kerja V
GS
boleh
positif. Jika V
GS
semakin positif, arus elektron yang
mengalir dapat semakin besar. Di sini letak perbedaannya
dengan JFET, transistor MOSFET depletion-mode bisa
bekerja sampai tegangan gate positif.

wildian_unand@yahoo.com 33

1. MOSFET modus-deplesi (depletion-mode )
2. MOSFET modus-pengayaan (enhancement-mode)
Jenis MOSFET yang kedua merupakan komponen
utama gerbang logika dalam bentuk IC (integrated
circuit), C (micro controller) dan P (micro processor),
yang tidak lain merupakan komponen utama komputer
modern.

wildian_unand@yahoo.com 34
FIGURE 1. Lateral N-Channel MOSFET Cross-Section

35 wildian_unand@yahoo.com
In the region shown with a
green background the drain-
source voltage is small and
the channel behaves like a
fairly ordinary conductor. In
this region the current varies
roughly in proportion to the
drain-source voltage as if the
JFET obeys Ohm's law.
However, as we increase the
drain-source voltage and
move into the region with a
light background we
increase the drain-channel
voltage so much that we
start to squeeze down the
channel. Hence a large
increase in drain-source:-
pulls harder, trying to drag
the electrons more quickly
from source to drain.
squeezes down the channel
making it harder for the
electrons to get through.
These effects tend to cancel
out, leaving the current the
same at all high drain-source
voltage.
36 wildian_unand@yahoo.com
By looking at these curves we
can see that the JFET has two
areas of operation. At low (a
few volts) drain-source
voltages it behaves like a
variable resistance whose value
is controlled by the applied
gate-source voltage. At higher
drain-source voltages it passes
a current whose value depends
on the applied gate-source
voltage. In most circuits it is
used in this high voltage
region and acts as a voltage
controlled current source.

Note that the curves shown
here are for a typical small-
signal JFET. Other fets will
have curves with similar
shapes, but the scales on the
graphs might be different. e.g.
For a power JFET the currents
would be perhaps up to tens of
amps rather than a few tens of
milliamps.
37 wildian_unand@yahoo.com

38 wildian_unand@yahoo.com

39 wildian_unand@yahoo.com