Anda di halaman 1dari 18

Perbedaan Transistor FET - JFET dan MOSFET

Transistor Bipolar dinamakan demikian karena bekerja dengan 2 (bi) muatan yang
berbeda yaitu elektron sebagai pembawa muatan negatif dan hole sebagai pembawa
muatan positif. Ada satu jenis transistor lain yang dinamakan FET (Field Efect
Transistor). Berbeda dengan prinsip kerja transistor bipolar transistor FET bekerja
bergantung dari satu pembawa muatan apakah itu elektron atau hole. !arena hanya
bergantung pada satu pembawa muatan saja transistor ini disebut komponen unipolar.
"mumnya untuk aplikasi linear transistor bipolar lebih disukai namun transistor
FET sering digunakan juga karena memiliki impedansi input (input impedan#e) yang
sangat besar. Terutama jika digunakan sebagai switch FET lebih baik karena resistansi
dan disipasi dayanya yang ke#il.
Ada dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction FET) dan MOSFET (metal-
oxide semiconductor FET). $ada dasarnya kedua jenis transistor memiliki prinsip kerja
yang sama namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur dan
karakteristiknya.
TRANSISTOR JFET
%ambar dibawah menunjukkan struktur transistor &FET kanal n dan kanal p. !anal n
dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p.
"jung atas dinamakan 'rain dan ujung bawah dinamakan (our#e. $ada kedua sisi kiri
dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi
implant ini terhubung satu dengan lainnya se#ara internal dan dinamakan %ate.
Gambar 1 : Struktur JFET (a) kanal-n (b) kanal-p
)stilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor
ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion laer). *apisan ini terbentuk antara
semikonduktor tipe n dan tipe p karena bergabungnya elektron dan hole di sekitar daerah
perbatasan. (ama seperti medan listrik lapisan deplesi ini bisa membesar atau menge#il
tergantung dari tegangan antara gate dengan sour#e. $ada gambar di atas lapisan deplesi
ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri dan kanan.
JFET kanal-n
"ntuk menjelaskan prinsip kerja transistor &FET lebih jauh akan ditinjau
transistor &FET kanal+n. 'rain dan (our#e transistor ini dibuat dengan semikonduktor
tipe n dan %ate dengan tipe p. %ambar berikut menunjukkan bagaimana transistor ini di
beri tegangan bias. Tegangan bias antara gate dan sour#e adalah tegangan re!erse bias
atau disebut bias negatif. Tegangan bias negatif berarti tegangan gate lebih negatif
terhadap sour#e $erlu #atatan !edua gate terhubung satu dengan lainnya (tidak tampak
dalam gambar).
Gambar " : #apisan deplesi jika $ate-source biberi bias ne$atif
'ari gambar di atas elektron yang mengalir dari sour#e menuju drain harus
melewati lapisan deplesi. 'i sini lapisan deplesi berfungsi sema#an keran air. Banyaknya
elektron yang mengalir dari sour#e menuju drain tergantung dari ketebalan lapisan
deplesi. *apisan deplesi bisa menyempit melebar atau membuka tergantung dari
tegangan gate terhadap sour#e.
&ika gate semakin negatif terhadap sour#e maka lapisan deplesi akan semakin
menebal. *apisan deplesi bisa saja menutup seluruh kanal transistor bahkan dapat
menyentuh drain dan sour#e. !etika keadaan ini terjadi tidak ada arus yang dapat
mengalir atau sangat ke#il sekali. &adi jika tegangan gate semakin negatif terhadap sour#e
maka semakin ke#il arus yang bisa melewati kanal drain dan sour#e.
Gambar 3 : Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source = 0 volt
&ika misalnya tegangan gate dari nilai negatif perlahan+lahan dinaikkan sampai
sama dengan tegangan (our#e. Ternyata lapisan deplesi menge#il hingga sampai suatu
saat terdapat #elah sempit. Arus elektron mulai mengalir melalui #elah sempit ini dan
terjadilah konduksi 'rain dan (our#e. Arus yang terjadi pada keadaan ini adalah arus
maksimum yang dapat mengalir berapapun tegangan drain terhadap sour#e. ,al ini
karena #elah lapisan deplesi sudah maksimum tidak bisa lebih lebar lagi. Tegangan gate
tidak bisa dinaikkan menjadi positif karena kalau nilainya positif maka gate+sour#e tidak
lain hanya sebagai dioda.
!arena tegangan bias yang negatif maka arus gate yang disebut I

akan sangat
ke#il sekali. 'apat dimengerti resistansi inp!t (input impedance) gate akan sangat
besar. )mpedansi input transistor FET umumnya bisa men#apai satuan -.hm. (ebuah
transistor &FET diketahui arus gate 2 nA pada saat tegangan reverse gate / 0 maka dari
hukum .hm dapat dihitung resistansi input transistor ini adalah 1
2
in
3 /042nA 3 2555 -ohm
Simbol JFET
"ntuk mengambarkan &FET pada skema rangkaian elektronika bisa dipakai
simbol seperti pada gambar di bawah berikut.
Gambar 4 : Simbol komponen (a)JFET-n (b)JFET-p
!arena struktur yang sama terminal drain dan sour#e untuk aplikasi frekuensi
rendah dapat dibolak balik. 6amun biasanya tidak demikian untuk aplikasi frekuensi
tinggi. "mumnya &FET untuk aplikasi frekuensi tinggi memperhitungkan kapasitansi
bahan antara gate dengan drain dan juga antara gate dengan sour#e. 'alam pembuatan
&FET umumnya ada perbedaan kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate dengan
sour#e.
JFET kanal-p
Transistor &FET kanal+p memiliki prinsip yang sama dengan &FET kanal+n hanya
saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. 'engan demikian polaritas
tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor &FET kanal+n.
(imbol rangkaian untuk tipe p juga sama hanya saja dengan arah panah yang
berbeda.

"!r#a $rain
%ambar berikut adalah bagaimana transitor &FET diberi bias. !ali ini digambar
dengan menggunakan simbol &FET. %ambar (a) adalah jika diberi bias negatif dan
gambar (b) jika gate dan sour#e dihubung singkat.
Gambar : Te!an!an bias transistor JFET-n
&ika gate dan sour#e dihubung singkat maka akan diperoleh arus drain
maksimum. )ngat jika %
S
&' lapisan deplesi kiri dan kanan pada posisi yang hampir
membuka. $erhatikan #ontoh kur7a drain pada gambar berikut yang menunjukkan
karakteristik ar!s drain I
$
dan te(an(an drain-so!r)e %$S. Terlihat arus drain )
'
tetap
(konstan) setelah 0
'(
melewati suatu besar tegangan tertentu yang disebut %
p
.
$ada keadaan ini (%
S
&') #elah lapisan deplesi hampir bersingungan dan sedikit
membuka. Arus )
'
bisa konstan karena #elah deplesi yang sempit itu men#egah aliran
arus )
'
yang lebih besar. $erumpamaannya sama seperti selang air plastik yang ditekan
dengan jari air yang mengalir juga tidak bisa lebih banyak lagi. 'ari sinilah dibuat
istilah pinc%off !olta$e (te(an(an *epit) dengan simbol %
p
. Arus )
'
maksimum ini di
sebut I
$SS
yang berarti arus drain+sour#e jika gate dihubung singkat (shorted !ate). )ni
adalah arus maksimum yang bisa dihasilkan oleh suatu transistor &FET dan karakteristik
)
'((
ini ter#antum di datasheet.

Gambar " : k#rva drain $
%S
terhadap &
%S
&FET berlaku sebagai sumber arus konstan sampai pada tengangan tertentu yang
disebut 0
'((ma8)
. Tegangan maksimum ini disebut breakdo&n !olta$e dimana arus tiba+
tiba menjadi tidak terhingga. Tentu transistor tidaklah dimaksudkan untuk bekerja
sampai daerah breakdown. 'aerah antara 0
$
dan 0
'((ma8)
disebut daera+ a)ti#e (acti!e
re$ion). (edangkan 5 7olt sampai tegangan 0p disebut daera+ O+mi) ('%mic re$ion).
$aera+ O+mi)
$ada tegangan 0
'(
antara 5 7olt sampai tegangan pinchoff 0
$
3/ 7olt arus )
'
menaik dengan kemiringan yang tetap. 'aerah ini disebut daerah .hmi#. Tentu sudah
maklum bahwa daerah .hmi# ini tidak lain adalah resistansi drain+sour#e dan termasuk
#elah kanal diantara lapisan deplesi. !etika bekerja pada daerah ohmi# &FET berlaku
seperti resistor dan dapat diketahui besar resistansinya adalah 1
2
'(
3 0
p
4)
'((
2
'(
disebut ohmic resistance sebagai #ontoh di dataseet diketahui 0
$
3 /0 dan )
'((
3 95
mA maka dapat diketahui 1
2
'(
3 /0495mA 3 /55 .hm
Te(an(an cutoff (ate
'ari #ontoh kur7a drain di atas terlihat beberapa garis+garis kur7a untuk
beberapa tegangan 0
%(
yang berbeda. $ertama adalah kur7a paling atas dimana )
'((
395
mA dan kondisi ini ter#apai jika 0
%(
35 dan perhatikan juga tegangan pinchoff 0
$
3/0.
!emudian kur7a berikutnya adalah 0
%(
3 +90 lalu 0
%(
3+20 dan seterusnya. &ika 0
%(
semakin ke#il terlihat arus )
'
juga semakin ke#il.
$erhatikan kur7a yang paling bawah dimana 0
%(
3+/0. $ada kur7a ternyata arus )
'
sangat ke#il sekali dan hampir nol. Tegangan ini dinamakan tegangan cutoff (ate-so!r)e
($ate source cutoff !olta$e) yang ditulis sebagai %
S(off)
. $ada saat ini lapisan deplesi
sudah bersingungan satu sama lain sehingga arus yang bisa melewati ke#il sekali atau
hampir nol.
Bukan suatu kebetulan bahwa kenyataannya bahwa 0
%((off)
3+/0 dan 0
$
3/0.
Ternyata memang pada saat demikian lapisan deplesi bersentuhan atau hampir
bersentuhan. -aka di datasheet biasanya hanya ada satu besaran yang tertera 0
%((off)
atau
0
$
. .leh karena sudah diketahui hubungan persamaan 1
0
%((off)
3 +0
$

Pabrikasi JFET
!alau sebelumnya sudah dijelaskan bagaimana struktur &FET se#ara teoritis
maka gambar berikut adalah bagaimana sebenarnya transistor &FET+n dibuat.
Gambar ' : Str#kt#r penampan! JFET-n
Transistor &FET+n dibuat di atas satu lempengan semikonduktor tipe+p sebagai
s!btrat (subtrate) atau dasar (base). "ntuk membuat kanal n di atas subtrat di+implant
semikonduktor tipe n yaitu dengan memberikan doping elektron. !anal+n ini akan
menjadi drain dan sour#e. !emudian di atas kanal+n dibuat implant tipe+p #aranya adalah
dengan memberi doping p (hole). )mplant tipe p ini yang menjadi gate. %ate dan subtrat
disambungkan se#ara internal.
TRANSISTOR MOSFET
-irip seperti &FET transistor MOSFET ((etal oxide FET) memiliki drain sour#e dan
gate. 6amun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu ba+an oksida. %ate sendiri terbuat
dari bahan metal seperti aluminium. .leh karena itulah transistor ini dinamakan metal-
o(ide. !arena gate yang terisolasi sering jenis transistor ini disebut juga IFET yaitu
insulated-$ate FET.
Ada dua jenis -.(FET yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua jenis
en%ancement-mode. &enis -.(FET yang kedua adalah komponen utama dari gerbang
logika dalam bentuk ): (inte!rated circ#it) u: (micro controller) dan u$ (micro
processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini.
MOSFET $epletion-mode
%ambar berikut menunjukkan struktur dari transistor jenis ini. $ada sebuah kanal
semikonduktor tipe n terdapat semikonduktor tipe p dengan menyisakan sedikit #elah.
'engan demikian diharapkan elektron akan mengalir dari sour#e menuju drain melalui
#elah sempit ini. %ate terbuat dari metal (seperti aluminium) dan terisolasi oleh bahan
oksida tipis SiO
,
yang tidak lain adalah ka#a.
Gambar ) : str#kt#r *+SFET depletion-mode
(emikonduktor tipe p di sini disebut subtrat p dan biasanya dihubung singkat dengan
sour#e. )ngat seperti pada transistor &FET lapisan deplesi mulai membuka jika 0
%(
3 5.
'engan menghubung singkat subtrat p dengan sour#e diharapkan ketebalan lapisan
deplesi yang terbentuk antara subtrat dengan kanal adalah maksimum. (ehingga
ketebalan lapisan deplesi selanjutnya hanya akan ditentukan oleh tegangan gate terhadap
sour#e. $ada gambar lapisan deplesi yang dimaksud ditunjukkan pada daerah yang
berwarna kuning.
(emakin negatif tegangan gate terhadap sour#e akan semakin ke#il arus drain yang bisa
lewat atau bahkan menjadi 5 pada tegangan negatif tertentu. !arena lapisan deplesi telah
menutup kanal. (elanjutnya jika tegangan gate dinaikkan sama dengan tegangan sour#e
arus akan mengalir. !arena lapisan deplesi muali membuka. (ampai di sini prinsip kerja
transistor -.(FET depletion-mode tidak berbeda dengan transistor &FET.
!arena gate yang terisolasi tegangan kerja %
S
bole+ positif. &ika 0
%(
semakin positif
arus elektron yang mengalir dapat semakin besar. 'i sini letak perbedaannya dengan
&FET transistor -.(FET depletion-mode bisa bekerja sampai tegangan gate positif.
Pabrikasi MOSFET depletion-mode
Gambar , : -enampan! %-*+SFET (depletion-mode)
(truktur ini adalah penampang -.(FET depletion-mode yang dibuat di atas sebuah
lempengan semikonduktor tipe p. )mplant semikonduktor tipe n dibuat sedemikian rupa
sehingga terdapat #elah kanal tipe n. !anal ini menghubungkan drain dengan sour#e dan
tepat berada di bawah gate. %ate terbuat dari metal aluminium yang diisolasi dengan
lapisan (i.
2
(ka#a). 'alam beberapa buku transistor -.(FET depletion-mode disebut
juga dengan nama $-MOSFET.

"!r#a drain MOSFET depeletion mode
Analisa kur7a drain dilakukan dengan men#oba beberapa tegangan gate 0
%(
konstan lalu
dibuat grafik hubungan antara arus drain )
'
terhadap tegangan 0
'(
.
Gambar ./ : 0#rva drain transistor *+SFET depletion-mode
'ari kur7a ini terlihat jelas bahwa transistor -.(FET depletion-mode dapat bekerja
(ON) mulai dari tegangan 0
%(
negatif sampai positif. Terdapat dua daerah kerja yang
pertama adalah daera+ o+mi) dimana resistansi drain+sour#e adalah fungsi dari 1
2
'((on)
3 0
'(
4)
'(

&ika tegangan 0
%(
tetap dan 0
'(
terus dinaikkan transistor selanjutnya akan berada pada
daera+ sat!rasi. &ika keadaan ini ter#apai arus )
'(
adalah konstan. Tentu saja ada
tegangan 0
%((ma8)
yang diperbolehkan. !arena jika lebih dari tegangan ini akan dapat
merusak isolasi gate yang tipis alias merusak transistor itu sendiri.

MOSFET En+an)ement-mode
&enis transistor -.(FET yang kedua adalah -.(FET enhancement-mode. Transistor ini
adalah e7olusi jenius berikutnya setelah penemuan -.(FET depletion-mode. %ate
terbuat dari metal aluminium dan terisolasi oleh lapisan (i.
2
sama seperti transistor
-.(FET depletion+mode. Perbedaan struktur yang mendasar adalah subtrat pada
transistor -.(FET enhancement-mode sekarang dibuat sampai men-ent!+ (ate seperti
terlihat pada gambar beritu ini. *alu bagaimana elektron dapat mengalir ;. (ilahkan terus
menyimak tulisan berikut ini.
Gambar .. : Str#kt#r *+SFET enhancement-mode
%ambar atas ini adalah transistor -.(FET enhancement mode kanal n. &ika tegangan
gate 0
%(
dibuat negatif tentu saja arus elektron tidak dapat mengalir. &uga ketika 0
%(
35
ternyata arus belum juga bisa mengalir karena tidak ada lapisan deplesi maupun #elah
yang bisa dialiri elektron. (atu+satunya jalan adalah dengan memberi tegangan %
S
positif. !arena subtrat terhubung dengan sour#e maka jika tegangan gate positif berarti
tegangan gate terhadap subtrat juga positif.
Tegangan positif ini akan menyebabkan elektron tertarik ke arah subtrat p. Elektron+
elektron akan bergabung dengan hole yang ada pada subtrat p. !arena potensial gate
lebih positif maka elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi subtrat yang
berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat mengalir
menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator (i.
2
(ka#a).
&ika tegangan gate #ukup positif maka tumpukan elektron akan menyebabkan
terbentuknya sema)am lapisan n -an( ne(atif dan seketika itulah arus drain dan sour#e
dapat mengalir. *apisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah in!ersion laer. !ira+
kira terjemahannya adalah lapisan dengan tipe yang berbalikan. 'i sini karena subtratnya
tipe p maka lapisan inversion yang terbentuk adalah bermuatan negatif atau tipe n.
Tentu ada tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk. Te(an(an
minim!n ini disebut tegangan t%res%old %
S(t+)
. Tegangan 0
%((th)
oleh pabrik pembuat
tertera di dalam datasheet.
'i sini letak perbedaan utama prinsip kerja transitor -.(FET enhancement-mode
dibandingkan dengan &FET. &ika pada tegangan 0
%(
3 5 transistor &FET sudah bekerja
atau .6 maka transistor -.(FET enhan#ement+mode masih .FF. 'ikatakan bahwa
&FET adalah komponen normall- ON dan -.(FET adalah komponen normall- OFF.

Pabrikasi MOSFET en+an)ement-mode
Transistor -.(FET enhacement mode dalam beberapa literatur disebut juga dengan
nama E-MOSFET.
Gambar .1 : -enampan! E-*+SFET (enhancement-mode)
%ambar diatas adalah bagaimana transistor -.(FET enhancement-mode dibuat. (ama
seperti -.(FET depletion-mode tetapi perbedaannya disini tidak ada kanal yang
menghubungkan drain dengan sour#e. !anal n akan terbentuk (enhanced) dengan
memberi tegangan 0
%(
diatas tegangan threshold tertentu. )nilah struktur transistor yang
paling banyak di terapkan dalam ): digital.

"!r#a $rain MOSFET en+a)ement-mode
-irip seperti kur7a '+-.(FET kur7a drain transistor E+-.(FET adalah seperti yang
ditunjukkan pada gambar berikut. 6amun di sini 0
%(
semua bernilai positif. %aris kur7a
paling bawah adalah garis kur7a dimana transistor mulai .6. Tegangan 0
%(
pada garis
kur7a ini disebut tegangan threshold 0
%((th)
.
Gambar .2 : 0#rva drain E-*+SFET
!arena transistor -.(FET umumnya digunakan sebagai saklar (switch) parameter
yang penting pada transistor E+-.(FET adalah resistansi drain+sour#e. Biasanya yang
ter#antum pada datasheet adalah resistansi pada saat transistor .6. 2esistansi ini
dinamakan 2
'((on)
. Besar resistansi ber7ariasi mulai dari 5.< .hm sampai puluhan .hm.
"ntuk aplikasi power switchin! semakin ke#il resistansi 2
'((on)
maka semakin baik
transistor tersebut. !arena akan memperke#il rugi+rugi disipasi daya dalam bentuk panas.
&uga penting diketahui parameter arus drain maksimum I
$(ma.)
dan disipasi daya
maksimum P
$(ma.)
.

Simbol transistor MOSFET
%aris putus+putus pada simbol transistor -.(FET menunjukkan struktur transistor yang
terdiri drain sour#e dan subtrat serta gate yang terisolasi. Arah panah pada subtrat
menunjukkan type lapisan yang terbentuk pada subtrat ketika transistor .6 sekaligus
menunjukkan type kanal transistor tersebut.
Gambar .4 : Simbol *+SFET3 (a) kanal-n (b) kanal-p
!edua simbol di atas dapat digunakan untuk mengambarkan '+-.(FET maupun E+
-.(FET.
NMOS dan PMOS
Transistor -.(FET dalam berbagai referensi disingkat dengan nama transistor MOS.
'ua jenis tipe n atau p dibedakan dengan nama NMOS dan PMOS. (imbol untuk
menggambarkan -.( tipe depletion+mode dibedakan dengan tipe enhan#ement+mode.
$embedaan ini perlu untuk rangkaian+rangkaian rumit yang terdiri dari kedua jenis
transistor tersebut.
Gambar . : Simbol transistor (a)4*+S (b)-*+S tipe depletion mode
Gambar ." : Simbol transistor (a)4*+S (b)-*+S tipe enhancement mode
Transistor -.( adalah tipe transistor yang paling banyak dipakai untuk membuat
rangkaian gerbang logika. 2atusan bahkan ribuan (erban( lo(ika dirangkai di dalam
sebuah ): (inte!rated circ#it) menjadi komponen yang #anggih seperti mikrokontroler
dan mikroposesor. :ontoh gerbang logika yang paling dasar adalah sebuah in#erter.
Gambar .' : Gerban! 4+T $nverter *+S
%erbang in7erter -.( di atas terdiri dari 2 buah transistor =9 dan =2. Transistor =9
adalah transistor 6-.( depletion-mode yang pada rangkaian ini berlaku sebagai beban
2
*
untuk transistor =2. (eperti yang sudah dimaklumi beban 2* ini tidak lain adalah
resistansi 2
'((on)
dari transistor =9. Transistor =2 adalah transistor 6-.( enhancement-
mode. 'i sini transistor =2 berfungsi sebagai saklar (switch) yang bisa membuka atau
menutup (.64.FF). Transistor .6 atau .FF tergantung dari tegangan input.
&ika tegangan input A 3 5 7olt (logik 5) maka saklar =2 membuka dan tegangan output
> 3 0
''
(logik 9). 'an sebaliknya jika input A 3 0
''
(logik 9) maka saklar menutup dan
tegangan output > 3 5 7olt (logik 5). )n7erter ini tidak lain adalah (erban( NOT dimana
keadaan output adalah kebalikan dari input.
%erbang dasar lainnya dalah seperti gerbang NAN$ dan NOR. :ontoh diagram berikut
adalah gerbang 6A6' dan 6.2 yang memiliki dua input A dan B.
Gambar .) : Gerban! 454% transistor *+S
Gambar ., : Gerban! 4+6 transistor *+S
Bagaimana #aranya membuat gerbang A6' dan .2. Tentu saja bisa dengan
menambahkan sebuah in7erter di depan gerbang 6A6' dan 6.2.

Transistor /MOS
/MOS adalah e7olusi dari komponen digital yang paling banyak digunakan karena
memiliki karakteristik konsumsi daya yang sangat ke#il. :-.( adalah singkatan dari
)omplementar ('S yang strukturnya terdiri dari dua jenis transistor $-.( dan
6-.(. !eduanya adalah transistor MOS tipe en+a)ement-mode.
)n7erter gerbang 6.T dengan struktur :-.( adalah seperti gambar yang berikut ini.
Beban 2
*
yang sebelumnya menggunakan transistor 6-.( tipe depletion+mode
digantikan oleh transistor $-.( enhan#ement+mode.
Gambar 1/ : Gerban! 4+T inverter 7*+S
6amun disini =9 bukan sebagai beban tetapi kedua transistor berfungsi sebagai
complementrar8 switch yang bekerja bergantian. &ika input 5 (low) maka transistor =9
menutup dan sebaliknya =2 membuka sehingga keluaran tersambung ke 0'' (hi!h).
(ebaliknya jika input 9 (hi!h) maka transistor =9 akan membuka dan =2 menutup
sehingga keluaran terhubung dengan ground 5 7olt (low).