Field Effect Transistor

I. Tujuan :
Praktikan mampu memahami cara kerja rangkaian dengan tepat.
Praktikan mampu merealisasikan rangkaian diatas protoboard.
II. Landasan Teori :
Transistor Bipolar dinamakan demikian karena bekerja dengan 2 (bi)
muatan yang berbeda yaitu elektron sebagai pembawa muatan negatif dan hole
sebagai pembawa muatan positif. Ada satu jenis transistor lain yang dinamakan
FET (Field Efect Transistor). Berbeda dengan prinsip kerja transistor bipolar,
transistor FET bekerja bergantung dari satu pembawa muatan, apakah itu elektron
atau hole. Karena hanya bergantung pada satu pembawa muatan saja, transistor ini
disebut komponen unipolar.
Umumnya untuk aplikasi linear, transistor bipolar lebih disukai, namun
transistor FET sering digunakan juga karena memiliki impedansi input (input
impedance) yang sangat besar. Terutama jika digunakan sebagai switch, FET lebih
baik karena resistansi dan disipasi dayanya yang kecil.
Transistor mempunyai 3 jenis yaitu :
1. Uni Junktion Transistor (UJT)
2. Field Effect Transistor (FET)
3. MOSFET

1. Uni J unktion Transistor (UJ T)

Uni Junktion Transistor (UJT) adalah transistor yang mempunyai satu kaki
emitor dan dua basis. Kegunaantransistor ini adalah terutama untuk switch
elektronis. Ada Dua jenis UJT ialah UJT Kanal N dan UJT Kanal P.

2. Field Effect Transistor (FET)

Beberapa Kelebihan FET dibandingkan dengan transistor biasa ialah antara
lain penguatannya yang besar, sertadesah yang rendah. Karena harga FET yang
lebih tinggi dari transistor, maka hanya digunakan pada bagian-bagianyang
memang memerlukan. Bentuk fisik FET ada berbagai macam yang mirip
dengan transistor.Jenis FET ada dua yaitu Kanal N dan Kanal P. Kecuali itu
terdapat pula macam FET ialah Junktion FET (JFET) danMetal Oxide
Semiconductor FET (MOSFET)


III. Alat dan Bahan yang digunakan :
1. Protoboard
2. 2 buah resistor 1k
3. 1 buah resistor 220
4. Satu buah transistor FET BF 244
5. Satu buah power supply
6. 2 buah multimeter
7. Satu set jumper
8. Beberapa konektor

IV. Langkah Kerja :
A. Karakteristik input
1. Pastikan seluruh komponen dalam keadaan yang baik.
2. Buatlah rangkaian seperti gambar berikut
-5 V 15 V
220
1k
1k
A
B
C
D

Gambar 1
3. Atur tegangan pada AB (Vgs) sebesar 0 V, dengan mengubah-ubah
potensiometer 1k.
4. Lalu atur pula tegangan pada CD (Vds) sebesar 15 V, dengan mengubah-
ubah potensiometer 220.
5. Ukur arus Id yang mengalir pada titik C. Catat pada tabel.
6. Ulangi langkah 5, dengan tegangan pada CD (Vds) sebesar 10V, 5V, 3V,
2V, 1,5V, 1V, 0,5V, dan 0V. Catat pada tabel hasilnya.
7. Ulangi langkah 3, 4, 5, dan 6 dengan tegangan pada AB (Vgs) sebesar -
0,25V, -0,5V, -0,75V, -1V, dan -1,25. Catat hasilnya pada tabel A.

B. Karakteristik transfer
1. Rangkailah rangkaian pada gambar 1.
2. Atur tegangan pada CD (Vds) sebesar 7 V.
3. Atur tegangan pada AB (Vgs) sebesar 0V, lalu ukur arus yang mengalir
pada titik C (Id). Catat hasilnya pada tabel.
4. Ulangi langkah 3 dengan mengubah tegangan AB (Vgs) menjadi -0,25V, -
0,5V, -0,75V, -1V, dan -1,25. Catat hasilnya pada tabel B.

C. Pengukuran Transconductance
1. Dari data yang didapat dari percobaan B, hitunglah Id dan Vgs. Dengan
rumus Id= Id
2
Id
1
dan Vgs = Vgs
2
Vgs
1.

2. Catat hasil perhitungan pada tabel C.

D. Perhitungan nilai Gm
1. Dari data perhitungan C, dapat dihitung besarnya Gm dengan rumus
Gm =

2. Catat hasilnya pada tabel D.
V. Hasil Pengamatan
a. Tabel A
Vds (V)
Vgs (V)
0 -0,25 -0,5 -0,75 -1 -1,25
Id (mA)
15 6.75 5.5 4.5 3.75 2.75 1.5
10 6.6 5.5 4.5 3.5 2.5 1.5
5 6.5 5.5 4.25 3 2.25 1.25
3 6.5 5.25 4 2.75 2 1
2 6 5 3.75 2.75 2 0.75
1,5 5.5 4.5 3.25 2.5 2 0.75
1 4.5 4 3 2.5 1.75 0.5
0,5 2.5 2.5 2 2 1.5 0.25
0 0 0.5 0.5 0 0 0

b. Tabel B karakteristik transfer, dengan Vds = 7 V
Vgs (V) 0 -0,25 -0,5 -0,75 -1 -1,25 -1,5 -1,75 -2
Id (mA) 6.5 5.5 4.5 3 2 1.5 0.75 0.25 0.1

c. Tabel C pengukuran Transconductance
d.

e.
d. Tabel D perhitungan nilai Gm
Vgs (V) 0 -0,25 -0,5 -0,75 -1 -1,25 -1,5
Gm 4 4 6 4 2 3 2

Vgs (V) -0,25 -0,25 -0,25 -0,25 -0,25 -0,25 -0,25
Id (mA) -1 -1 -1.5 -1 -0.5 -0.75 -0.5
VI. Analisis Data
Melalui data diatas, dapat diamati bahwa
a. Tabel a memiliki nilai yang cukup konstan dikarenakan V
GS
yang berpengaruh
lebih besar.
b. Tabel b memiliki nilai yang tidak jauh berbeda dengan tabel a, walaupun
dibangun dari V
DS
yang konstan.
c. Tabel c memiliki nilai yang dihitung dengan melihat selisih antara besaran
sebelum dengan besaran sesudahnya.
d. Tabel d memiliki nilai yang dihitung dengan mengunakan rumus
Gm =

VII. Kesimpulan
Pada trasistor FET memiliki karakteristik yang tidak jauh berbeda dari
transistor BJT. FET memiliki 3 titik kerja yaitu saturasi, linear dan cut off. Hal
tersebut dapat diamati melalui tabel hasil pengamatan yang memiliki data linear.
Namun, pada tabel d dapat dilihat bahwa pada praktiknya, hasil Gm tidak
memiliki data yang konstan atau tidakberaturan. Ketidaksesuaian nilai tersebut
dapat disebabkan oleh faktor perangkaian yang kurang tepat maupun kondisi
komponen yang kurang memungkinkan.