LAPORAN AWAL

PRAKTIKUM EKSPERIMEN IIA

ENERGI GAP GERMANIUM
(P-2)

Nama : Amty Marufah Ardhiyah Dalimunthe
NPM : 140310090007
Partner : Meti Megayanti
NPM : 140310090001
Hari/ Tgl Praktikum : Selasa/ 1 November 2011
Asisten :








Laboratorium Fisika Lanjutan
Jurusan Fisika
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Padjadjaran
2011
LEMBAR PENGESAHAN
ENERGI GAP GERMANIUM
(P-2)


Nama : Amty Marufah Ardhiyah Dalimunthe
NPM : 140310090007
Partner : Meti Megayanti
NPM : 140310090001
Hari/ Tgl Praktikum : Selasa/ 1 November 2011
Waktu Praktikum : 15.00 17.00 WIB
Asisten :




Jatinangor, 1 November 2011
Asisten,


(.......)





NILAI
LAPORAN
AWAL
SPEAKEN
LAPORAN
AKHIR

Bab I
Pendahuluan
I.1 Latar Belakang
Semikonduktor adalah bahan yang memiliki sifat antara isolator dan
konduktor. Celah terlarang (band gap) pada semi konduktor lebih sempit dari
pada isolator sehingga apabila pada temperatur dinaikkan maka semikonduktor
dapat menghantarkan arus listrik. Bahan-bahan yang mempunyai sifat
semikonduktor umumnya memiliki konduktivitas listrik antara 10, dan energi gap
lebih kecil dari 6 eV. Bahan Semikonduktor dapat berupa bahan murni atau bahan
paduan.
Germanium merupakan jenis semikonduktor yang sangat penting dalm
elektronika. Terletak pada kolom empat dalam table periodik dan mempunyai
elektron valensi empat. Struktur Kristal germanium berbentuk tetrahedral dengan
setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi dengan atom-atom
tetangganya.
Konduktivitas bahan semikonduktor seperti germanium dipengaruhi oleh
temperatur secara karakteristik. Berdasarkan rentang temperatur, konduktivitas
dapat dibedakan menjadi konduktivitas ekstrinsik, Deplesi Impurity, dan
Konduktivitas intrinsik.

I.2 Identifikasi Masalah
Berdasarkan latar belakang di atas maka, rumusan masalah yang akan
diteliti dalam percobaan ini adalah bagaimana cara menghitung sela energi
germanium dengan mengukur konduktifitas sebagai fungsi temperatur.

I.3 Tujuan Percobaan
Menentukan sela energi germanium.


Bab II
Teori Dasar

Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada
di antara isolator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai isolator pada
temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur tinggi bersifat sebagai
konduktor. Bahansemi konduktor yang sering digunakan adalah silikon, germanium,
dan galium arsenide. Semikonduktor dapat diatur sedemikian rupa sehingga dapat
bersifat sebagai konduktor dan dapat pula bersifat sebagai isolator. Pada suhu kamar,
semikonduktor dapat bersifat sebagai penghantar arus listrik. Semakin besar suhu,
maka akan semakin bagus pula sifatnya sebagai bahan konduktor. Hal ini disebabkan
karena ketika suhu atau temperatur dinaikkan maka jarak antar pita valensi dan pita
konduksi (band gap) akan semakin kecil, sehingga makin banyak elektron yang
berpindah dari pita valensi ke pita konduksi.

Semikonduktor Intrinsik
Semikonduktor instrinsik adalah semikonduktor yang belum disisipkan atom-
atom lain (atom pengotor). Semikonduktor jenis ini memiliki jumlah elektron dan
hole (pembawa muatan positif) yang sama. Konduktivitas semikonduktor intrinsik
sangat rendah, karena terbatasnya jumlah pembawa muatan hole maupun elektron
bebas. Elektron valensi pada germanium lebih mudah tereksitai termik menjadi
elektron bebas dari pada elektron valensi pada atom silikon, hal ini berhubungan
dengan adanya pita pita energi untuk elektron didalam kristal semikonduktor. Dalam
atom bebas elektron hanya dapat mempunyai nilai energi tertentu saja.
Dikatakan elektron hanya dapat berada pada tingkat energi tertentu dalam
kristal semikonduktor oleh karena atom-atom terletak berdekatan didalam susunan
yang berkala, maka elektron dapat berada pada pita-pita energi .Oleh adanya prinsip
Larangan Pauli yang menyatakan bahwa tiap keadan orbital atom hanya dapat berisi
dua buah elektron saja, maka untuk semikonduktor pita-pita enrgi yang bawah akan
terisi penuh hingga suatu pita energi tertentu. Oleh karena setiap atom mempunyai
empat buah elektron valensi, maka ada satu pita energi yang terisi penuh dan pita
energi berikutnya kosong.

Semikonduktor Ekstrinsik
Semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang sudah dimasukkan
sedikit ketidakmurnian (doping). Akibat doping ini maka hambatan jenis
semikonduktor mengalami penurunan. Semikonduktor jenis ini terdiri dari dua
macam, yaitu semikonduktor tipe-P (pembawa muatan hole) dan tipe-N (pembawa
muatan elektron). Semikonduktor intrinsik dapat diberi unsur tak murni tertentu
sesuai dengan karakteristik listrik yang dikehendaki. Atom yang tidak murni yang
bervalensi lebih tinggi dari atom semikonduktor murni akan befungsi sebagai donor
elektron konduksi dan menghasilkan semikonduktor ekstrinsik jenisn. Atom tak
murni yang bervalensi kurang dari atom semikonduktor murni akan berfungsi sebagai
akseptor elektron atau penyumbang lubang konduksi dan menghasilkan
semikonduktor ekstrinsik jenisp. Dalam semikonduktor jenisn ,elektron dalam pita
konduksi merupakan pembawa mayoritas sedangkan dalam semikonduktor jenis-p
pembawa mayoritas adalah hole dalam pita valensi.

Sifat bahan Semikonduktor
Bahan semikonduktor memiliki sifat hantaran listrik yang khusus, sangat
berlainan dengan bahan konduktor. Apabila logam-logam konduktor dipanaskan,
maka hambatan jenisnya bertambah secara linier dengan koefisien suhunya sangat
kecil. Sebaliknya jika bahan semikonduktor dipanaskan, hambatan jenisnya akan
berkurang. Hal ini disebabkan elektron-elektron pada pita valensi mendapatkan
energi termik yang cukup untuk meloncat ke pita konduksi. Semakin tinggi
temperatur akan semakin banyak elektron yang mendapatkan energi termik sehingga
semakin banyak pula elektron-elektron yang loncat ke pita konduksi. Dalam pita
konduksi ini elektron bergerak lincah sehingga dapat bertindak sebagai penghantar
listrik yang baik. Oleh sebab itu, hambatan jenis bahan semikonduktor turun dengan
cepat apabila terjadi kenaikan suhu.
Selain melalui pemanasan, hambatan jenis pada bahan semikonduktor dapat juga
diturunkan dengan memasukkan sedikit pengotor ke dalam bahan tersebut. Bahan
semikonduktor yang sudah dimasukkan sedikit pengotor ini disebut semikonduktor
ekstrinsik. Jenis atom pengotor yang dimasukkan ke dalam semikonduktor ada dua jenis,
yaitu atom pengotor yang memiliki kekurangan elektron (disebut atom akseptor) dan atom
pengotor yang memiliki kelebihan elektron (disebut atom donor). Oleh sebab itu, ada dua
jenis semikonduktor ekstrinsik karena perbedaan jenis atom pengotor yang dimasukkan ke
dalamnya, yaitu semikonduktor tipe-p (positif) dan semikonduktor tipe-n (negatif).
Semikonduktor tipe-p adalah semikonduktor yang dimasuki atom akseptor yang kekurangan
elektron. Semikonduktor ini dibuat dari atom yang memiliki empat elektron pada orbit
terluarnya, dimasuki atom pengotor yang memiliki tiga elektron pada orbit terluarnya.
Misalnya atom germanium (Ge) yang memiliki empat elektron pada orbit terluarnya
dicangkoki dengan boron (B) yang memiliki tiga elektron pada orbit terluarnya. Tiga elektron
dari atom B melakukan ikatan kovalen dengan elektron-elektron valensi atom Ge, namun ada
satu elektron dari atom Ge yang tidak mendapatkan pasangan sehingga menimbulkan lubang
seperti ditunjukkan pada Gambar 1(a).
Masuknya atom B pada kristal Ge memungkinkan diturunkannya hambatan jenis
atom Ge karena munculnya pita energi di dalam celah energi yang letaknya sedikit di atas
pita valensi seperti ditunjukkan pada Gambar 1(b). Pita energi ini berisi lubang-lubang yang
dapat menerima elektron sehingga disebut pita energi akseptor. Elektron-elektron dalam pita
valensi lebih mudah loncat ke pita energi akseptor sehingga meninggalkan lubang-lubang
pada pita valensi. Lubang yang terbentuk akibat loncatan elektron meninggalkan pita valensi
ini dapat bertindak sebagai pembawa aliran listrik. Karena pembawa aliran listriknya
bermuatan positif, maka bahannya disebut semikonduktor tipe-p.














Gambar 1 : Proses terbentuknya lubang sebagai pembawa aliran listrik pada semikonduktor
tipe-p.
Semikonduktor tipe-n adalah semikonduktor yang dimasuki atom donor yang
kelebihan elektron. Semikonduktor ini dibuat dari atom yang memiliki empat elektron pada
orbit terluarnya, dan dimasuki atom pengotor yang memiliki lima elektron pada orbit
terluarnya. Misal atom germanium (Ge) yang memiliki empat elektron pada orbit terluarnya
dicangkoki dengan arsen (As) yang memiliki lima elektron pada orbit terluarnya. Empat
elektron dari atom As melakukan ikatan kovalen dengan elektron-elektron valensi atom Ge,
namun ada satu elektron dari atom As yang tidak mendapatkan pasangan sehingga bersifat
sebagai elektron bebas seperti ditunjukkan pada Gambar 2(a). Masuknya atom As pada
kristal Ge memungkinkan diturunkannya hambatan jenis atom Ge karena munculnya pita
energi di dalam celah energi yang letaknya sedikit di bawah pita konduksi seperti ditunjukkan
pada Gambar 2(b). Pita energi ini berisi elektron-elektron bebas sehingga disebut pita energi
donor. Beda energi antara pita energi donor dan pita konduksi ini sangat kecil, kira-kira
hanya 0,05 eV. Sedang pencangkokan atom donor phosphor (P) ke dalam silikon dapat
menurunkan energi pemisah pita hingga mencapai 0,045 eV. Oleh sebab itu, elektron-
elektron dalam pita energi donor lebih mudah loncat ke pita valensi dan dapat bertindak
sebagai pembawa aliran listrik. Karena pembawa aliran listriknya bermuatan negatif, maka
bahannya disebut semikonduktor tipe-n.














Gambar 2 : Proses terbentuknya elektron bebas sebagai pembawa aliran listrik pada
semikonduktor tipe-n.

Konduktivitas
Konduktivitas adalah kemampuan bahan untuk membawa arus listrik.
Konduktivitas bahan yang memiliki resistivitas dan panjang serta luas
penampang A didefinisikan sebagai :

1 I
AV

Dimana I adalah arus dan V adalah tegangan. Konduktivitas bahan
semikonduktor seperti germanium dipengaruhi oleh temperatur secara karakteristik.
Berdasarkan rentang temperatur, konduktivitas dapat dibedakan sebagai berikut :
1. Konduktivitas ekstrinsik
Pada temperatur rendah yang terjadi adalah konduktivitas ekstrinsik. Pada rentang
ini kenaikan temperatur menyebabkan pembawa muatan dari impuriti teraktivasi.

2. Deplesi Impurity
Pada rentang ini, kenaiakan temperatur tidak lagi menghasilkan aktivasi impurity
dan konduktivitas konstan.

3. Konduktivitas intrinsik
Pada temperatur tinggi pembawa muatan intrinsik mendominasi proses konduksi.
Pada rentang ini tambahan pembawa muatan diperoleh dari hasil eksitasi termal
dari pita valensi ke pita konduksi. Ketergantugan terhadap temperatur dalam
kasus ini dinyatakan dalam fungsi eksponensial

0
exp
2
g
E
kT

E
g
adalah energi gap, k adalah konstanta Boltzman dan T adalah temperatur
absolute.
Logaritma dari persamaan ini :

Dengan y = ln dan x = 1/T ; sebuah persamaan linear pada
dimana

merupakan kemiringan dari garis lurus.

Dengan mengukur konduktivitas sebagai fungsi temperatur, energi gap
germanium dapat ditentukan. Jumlah energi yang diperlukan elektron untuk
berpindah dari pita valensi ke pita konduksi dinamakan dengan energi gap.


Bab III
Metodologi Percobaan
Alat Percobaan :

Hall effect module dengan sample Ge : 20x10x1 mm
3

Hall effect, undot Ge, carrier board
Power Supply 0-12 V DC/6 V, 12 V AC
Tripod base PASS-
Support rod PASS-, square, 1 = 250 mm
Right angle clamp PASS-
Connecting cord, 1 = 500 mm, black
Cobra 3 Basic Unit
Power Supply universal, 12 V

Prosedur Percobaan :


Metode 1 (Menggunakan Cara Manual)
a. Memasang sample pada modul efek Hall.
b. Menyusun peraatan seperti gambar 1 pada modul.
c. Menghubungkan modul efek Hall dengan power supply, 12 V melalui AC
input di bagian belakang modul
d. Menghubungkan Voltmeter melalui soket bagian atas sisi depan modul.
e. Menekan tombol selektor display untuk menunjukkan display arus dan putar
rotary switch sampai menunjukkan arus 5 mA.
f. Menekan kembali tombol selektor display untuk menunjukkan display
temperature.
g. Menyalakan pemanas di belakang modul, mengatur mulai dari temperatur
rendah (temperatur kamar).
h. Memulai mencatat nilai arus dan tegangan yang melalui sampel Ge untuk
setiap kenaikan temperatur 3
0
C sampai temperatur maksimum 170
0
C
(pemanas dalam keadaan off).
i. Melakukan pencatatan nilai arus dan tegangan yang melalui sampel Ge untuk
setiap penurunan temperatur 3
0
C dari temperatur maksimum 170
0
C (pemanas
dalam keadaan off).
j. Mengulang mulai dari prosedur (e) untuk arus koil 5,2 mA ; 5,4 mA ; 5,6 mA
; dan 5,8 mA.

Metode 2 (Menggunakan Cobra-3)
a. Memasang sample pada modul efek hall.
b. Menyusun peralatan seperti gambar 2 pada modul.
c. Menghubungkan modul efek hall dengan power supply 12 V
d. Menghubungkan modul dengan cobra 3 basic unit.
e. Menghubungkan rangkaian dengan PC melalui RS-232 output port pada
Cobra unit, start program pengukuran efek hall (Cobra 3 hall effect).
f. Melakukan prosedur (e) sampai (j) pada metode 1.












Daftar Pustaka

http://id.wikipedia.org/wiki/semikonduktor
http://www.its.ac.id/endi/semikonduktor.html
Krane, Kenneth. 1992. Fisika Modern. UI Press : Jakarta.
www.google.com