Anda di halaman 1dari 5

Konversi Energi Elektromagnetik ke Energi listrik

1. Karakteristik Operasional Sel matahari ( Fotovoltaik )


Energi elektromagnetik dapat diubah langsung menjadi energi listrik dalam
sel fotovoltaik atau lebih umum disebut sel matahari. Prinsip operasi sel fotovoltaik
ditemukan oleh Adams dan Day tahun 1876 dengan mengunakan selenium. Pada
tahun 1!1! "oblen# menemukan bah$a voltase dibangkitkan antara daerah yang
disinari dan daerah yang gelap pada suatu kristal semikonduktor. %etapi konversi
foto&elektrik masih merupakan peristi$a dalam laboratorium sampai pada tahun
1!'1 ketika (hl menemukan efek fotovoltaik pada sambungan p&n pada dua
semikonduktor.
Pada sistem ini yang menarik adalah kemampuannya untuk mengubah energi
elektromagnetik dari sinar matahari menjadi energi listrik se)ara langsung. Dengan
menggunakan konstanta matahari 1*!+ ,-m. dapat dilihat bah$a temperatur radiasi
efektif di permukaan matahari ialah sekitar 6///
o
0 atau 1/8//
o
1. 2enurut hukum
perpindahan panas radiasi ,iens energi radiasi matahari yang paling mungkin ialah
sekitar .8 e3. 2eskipun energi ini sangat ke)il dibandingkan dengan energi yang
didapat dari reaksi nuklir tetapi sudah )ukup untuk mengupas elektron valensi dari
berma)am material. (perasi sel matahari mengandalkan pada kerja sambungan p&n.
4ika suatu sambungan n&p pertama kali di bentuk terdapatlah suatu proses pemuatan
sementara yang menimbulkan suatu medan listrik di sekitar sambungan. 2eskipun
semikonduktor jenis n dan jenis p dimuati netral oleh dirinya sendiri konsentrasi
elektron di material jenis n adalah begitu tinggi sehingga ketika digabungkan dengan
semikonduktor jenis&p beberapa elektron dari material n akan 5luber6 dan masuk ke
dalam lubang&lubang material p ini menyebabkan material n bermuatan postif dan
material p bermuatan negatif di daerah sekitar sambungan. Proses pemuatan ini
berlangsung terus sampai dengan medan listrik atau potensial sambungan
menghalangi aliran lebih lanjut dan elektron dari aliran lubang mempunyai arah
yang sama seperti ditunjukkan dalam gambar berikut.
Gambar 1. Skema proses pemuatan sementara yang menimbulkan suatu medan listrik di
sekitar sambungan p-n (Lawrence E. Murr,Solar Materials Science,)
1
Foton bereaksi dengan elektron di dekat sambungan p&n dan menimbulkan efek yang
sama dengan yang ditimbulkan oleh voltase bias ke depan. Dalam hal ini tegangan
listrik luar yang dibangkitkan oleh foton. 7uatu jenis sel matahari se)ara skematis di
tunjukkan gambar . dimana pada skema tersebut terdapat8
Aliran elektron pada permukaan atas 9 depan : dari modul fotovoltaik yang
bermaterialkan silicon sell yang arah alirannya menuju jaringan sirkuit dalam dari
sistem fotovoltaik.
2edan elektron dihasilkan oleh interaksi dari kandungan listrik positif dan
negatif.
%erjadi perlintasan bebas elektron menuju daerah p&n oleh medan tegangan
listrik.
Gambar Skema reaksi !oton dengan elektron di dekat sambungan p-n oleh voltase bias
(;a$ren)e E. 2urr ,7olar 2aterials 7)ien)e:
7uatu karakteristik arus&voltase sel matahari ditunjukkan dalam gambar *.
Dua kerugian utama ialah kerugian sambungan dan kerugian spe)trum. 0erugian
sambungan ialah kerugian karena aliran dari pemba$a minor di dalam sambungan.
2eskipun aliran ini biasanya ke)il saja dibandingkan dengan aliran pemba$a utama
tetapi tidak bisa diabaikan. <ntuk sel matahari sili)on yang dihadapkan ke radiasi
matahari kerugian sambungan mengurangi efisiensi konversi sampai dengan +/ =.
0erugian sambungan menge)il jika intensitas radiasi dinaikkan. Pada $aktu
menaikkan intensitas radiasi harus berhati&hati karena jika kenaikan temperatur
sangat tinggi ini bisa meniadakan kenaikan voltase luar.
.
Gambar " Suatu karakteristik tegangan listrik sel matahari berdasarkan #aktu 9 B. Chalmer,
The Photovoltaic Generation of Elctricity6:.
. Semikonduktor tipe$n
<ntuk mendapatkan tambahan elektron pada pita konduksi kita dapat
menambahkan atom&atom pengotor bervalensi lima atom&atom ini mempuyai lima
buah elektron dalam ikatan valensinya. 7etelah diberikan atom pengotor bervalensi
lima pada kristal silikon seperti terlihat pada gambar' empat buah elektron akan
mengelilingi ikatan kovalen dan elektron kelima akan terbentuk. Elektron ini dapat
dipergunakan sebagai pemba$a arus listrik. 0ristal silikon murni atau semikonduktor
yang diberi atom pengotor bervalensi lima dikenal sebagai semikonduktor tipe>n..
Gambar %. Struktur mikro dari valensi lima dari permukaan silikon yang dinamakan
semikonduktor tipe- n ( B. Chalmer, The Photovoltaic Generation of Elctricity&).
(leh karena energi yang diperlukan elektron untuk meninggalkan tingkat
energi ke pita konduksi ke)il sekali maka dalam temperatur kamar semua elektron
dari tingkat donor masuk ke dalam pita konduksi. Elektron&elektron tersebut
merupakan pemba$a arus listrik mayoritas pada semikondktror tipe>n.
*
Gambar '. Skema masuknya elektron dari tingkat donor dalam pita konduksi pada atom
phosphorus ( B. Chalmer, The Photovoltaic Generation of Elctricity&).
". Semikonduktor tipe $p.
<ntuk memperoleh tambahan hole pada pita valensi kita dapat
menambahkan atom&atom pengotor bervalensi tiga. Atom ini mempunyai tiga buah
elektron dalam lintasannya sebagai )ontoh atom boron. Atom pengotor bervalensi
tiga ditambahkan pada kristal silikon hanya ada tiga ikatan kovalen yang di isi.
0ekosongan akan terjadi pada ikatan keempat dan membentuk hole. 0eadaan ini
digambarkan pada gambar 6.
Gambar (. Skema perolehan tambahan hole pada pita valensi ketika kekosongan ter)adi pada
ikatan keempat dan membentuk hole.( B. Chalmer, The Photovoltaic Generation of Elctricity&).
0ristal silikon yang diberi atom pengotor bervalensi tiga ini disebut sebagai
semikonduktor tipe>p. Energi yang dibutuhkan elektron&elektron untuk
meninggalkan pita valensi ke tingkat energi akseptor ke)il sekali maka hole-hole
merupakan pemba$a arus listrik mayoritas semikonduktor tipe>p.
'
Hole yang sama banyak serta kedua daerah itu mempunyai sifat listrik netral.
Elektron dan hole merupakan pemba$a arus listrik mayoritas dari masing masing
tipe>n dan tipe&p. 0arena hole dari tipe>p merupakan pemba$a arus listrik lebih
mayoritas dari pada hole dalam tipe&n maka mereka berdifusi dari daerah tipe>p ke
daerah tipe>n. ?ila hole meninggalkan daerah tipe>p dan hilang kedalam tipe>n
karena proses penggabungan sebuah akseptor akan mengkondisikan menjadi ion
negatif dalam daerah tipe>p tersebut. @al yang sama terjadi pula pada elektron yang
meninggalkan ruang ion positif dalam daerah tipe>n inti akan membangun medan
listrik yang dimulai dari muatan ruang ion positif dan berakhir pada muatan ruang
ion negatif. 2edan listrik akan menghambat hole untuk berdifusi dari daerah tipe>p
ke daerah tipe&n. Elektron yang terhambat berdifusi dari tipe&n ke tipe>p seperti
terlihat pada gambar 6. 2edan listrik akan bertambah kuat jika arus listrik mayoritas
berdifusi dan bergabung aliran pemba$a arus listrik mayoritas ini berhenti berdifusi
karena terdapatnya keseimbangan oleh aliran yang ditimbulkan oleh medan listrik.
0eadaan ini disebut sebagai 5keadaan seimbang6 terlihat pada gambar 7.

Gambar *. Keadaan arus listrik mayoritas berdi!usi dan bergabung sehingga aliran pemba#a
arus listrik mayoritas ini berhenti berdi!usi karena terdapatnya keseimbangan aliran yang
ditimbulkan oleh medan listrik B. Chalmer, The Photovoltaic Generation of Elctricity!.
+