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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Facultad de Ingeniera Industrial



Electrnica Industrial
Informe de Laboratorio
Tema: Estudio de las caractersticas de un transistor en diferentes
circuitos
Profesor: Galarreta Daz Jos
Horario: Lunes 10-12 p.m.
Integrantes:
Valverde Montesinos, Romano 12170058
Martnez Llerena, Paul Andrs 12170195
Daz Salvador, Diana 12170164
Urdaniga, ngel Didier 12170144

LIMA-PER
2014
ndice
1 Resumen ........................................................................... 1
2 Introduccin ..................................................................... 1
2.1 Qu es un transistor? ............................................................. 1
2.2 Historia de los transistores ....................................................... 2
2.3 Regiones Operativas del transistor ........................................... 3
2.4 Tipos de transistores ................................................................ 3
2.5 Los transistores y su simbologa .............................................. 4
2.6 Transistores BJT ...................................................................... 4
2.6.1 Tipos de transistores de unin bipolar ................................................. 4
2.7 Curva caracterstica de los BJT ................................................ 5
3 Materiales ......................................................................... 6
4 Anlisis de los circuitos .................................................. 7
4.1 Circuito 1 .................................................................................. 7
4.2 Circuito 2 .................................................................................. 9
4.3 Circuito 3 .................................................................................10
5 Conclusiones ................................................................. 11
6 Recomendaciones ......................................................... 12
7 Bibliografa ..................................................................... 13



Electrnica Industrial
Laboratorio 1
1 Resumen
En el presente laboratorio, procedimos a analizar el comportamiento del transistor
BJT (2N3904) en tres diferentes circuitos armados en el protoboard donde
procedemos a medir con el multitester los voltajes e intensidades de corriente
pedidos por el docente para saber experimentalmente en que zona de trabajo se
encuentra el transistor BJT.
2 Introduccin
2.1 Qu es un transistor?
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo
de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de
control.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas.
Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles
llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de
segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a
vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30
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segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas,
debido al gran consumo que tenan.
2.2 Historia de los transistores
El transistor se ha venido considerando desde hace tiempos como el mayor
invento realizado en el siglo XX. Este dispositivo electrnico bsico, de tres
terminales, origin los circuitos integrados y todos los elementos de la alta escala
de integracin. Son muchas las personas y los cientficos que aseguran que la era
de la comunicacin estableci una base perfecta gracias al transistor.
Este dispositivo fue creado en los Laboratorios Bell de AT&T; los cuales buscaban
un conmutador que reemplazara a los rels y los sistemas de barras, y que se
utilizara en la telefona. El transistor germina de la unin de tipo PNP o del NPN.
Su nombre fue dado por J.P Pierce. Segn Quentin Kaiser sin no se hubiera
originado los detectores de cristal (que eran muy necesarios para el radar de UHF
y los microondas) no se hubiera creado estos transistores con las prestaciones
que hoy en da le caracteriza. La patente de invencin estuvo en secreto por siete
meses, hasta que se pudo detallar de manera ordenada el funcionamiento de este
dispositivo. La patente fue entregada a Walter Brattain y a John Bardeen por su
transistor de punta de contacto. En el ao 1951 fue que surgi el transistor de
juntura que fue concedida a William Shonckley.
Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un
indicador de corriente, una fuente de tensin continua y dos resistencias con
interruptores. Las resistencias se deben de conectar entre la base y el colector, y
la fuente entre el emisor y el colector. Con estos dos interruptores totalmente
abiertos no se producir corriente de base, y el indicador de corriente mostrar
una corriente nula. Ahora bien, para originar una corriente de colector o de base,
solamente se debe de cerrar uno de los interruptores. Y para crear un paso de
corriente mucho mayor se deber de cerrar los dos interruptores. Es por ello que
se llega a la conclusin, de que el interruptor se comporta como si fuera una
resistencia, donde la corriente de base controla su valor completamente.

Ilustracin 1: El CK703, uno de los primeros transistores comercializados (1948, 1949)
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2.3 Regiones Operativas del transistor
Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector =
corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y
el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay
corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de
colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima). En
este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos,
ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector
veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib).
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni
en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un
dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector
y emisor). Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador.
2.4 Tipos de transistores
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las
aplicaciones a las que se destinan
Los ms comunes y conocidos son:
Transistor Bipolar de Unin (BJT)
Transistor de efecto campo , de unin (JFET)
Transistor de efecto campo , de metal- oxido-semiconductor (MOSFET)
Fototransistor
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2.5 Los transistores y su simbologa

2.6 Transistores BJT
2.6.1 Tipos de transistores de unin bipolar
2.6.1.1 NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
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La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
2.6.1.2 PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
2.7 Curva caracterstica de los BJT
El transistor BJT dispone de dos curvas: la primera se utiliza para definir el
comportamiento de la unin base emisor y la segunda para definir el
funcionamiento entre colector y emisor.

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La curva emisor, es similar a la de un diodo normal, con la diferencia de que los
niveles de corriente ahora son muy pequeos en el orden de los A. Por otra
parte, la curva colector emisor o de salida, nos indica que para cada valor de
corriente de base existir una corriente de colector que variara dependiendo del
voltaje colector emisor. La curva de salida es probablemente la ms importante de
todas, sin embargo resulta a veces demasiado confusa, es por esto que es comn
utilizar una frmula matemtica que recibe el nombre de ganancia o factor de
amplificacin:

Este factor nos indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
3 Materiales
1. Transistor BJT (2N3904)

2. Resistencias

3. Protoboard

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4. Multitester

5. Fuente de corriente (2)

4 Anlisis de los circuitos
4.1 Circuito 1

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Mediciones del circuito:
Medicin Valor
terico
Valor
Experimental
% de Error
I
b
8.2A 8.15A 0.6097561
I
c
1.166mA 1.180mA 1.20068611
I
e
1.174mA 1.180mA 0.51107325
V
ce
5.453V 5.58V 2.32899321
I
sat
2.564mA 2.558mA 0.23400936


Ilustracin 2: Ic Vs. Vce
Interpretacin: Como tenemos los datos de I
sat
y V
ce
podemos obtener de una
forma grfica aproximada la recta de carga donde se puede obtener
grficamente el punto Q, observando el grfico se puede decir que este
circuito se encuentra en la regin activa.
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4.2 Circuito 2

Mediciones del circuito:
Medicin
Valor
terico
Valor
Experimental
% de Error
I
b
299.316A 301.215A 0.63444654
I
c
2.008mA 2.05mA 2.09163347
I
e
2.307mA 2.37mA 2.73081925
V
ce
67.387mV 65.4mV 2.93999792
I
sat
2.01mA 2.05mA 1.99004975

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Ilustracin 3: Vce Vs. Ic
Interpretacin: Segn el grafico y los datos recogidos con el multitester el punto
Q se encuentra en la zona de saturacin
4.3 Circuito 3

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Medicin
Valor
terico
Valor
Experimental
% de Error
I
b
15.341A 15.5A -1.0364383
I
c
2.516mA 2.57mA
-
2.14626391
I
e
2.531mA 2.54mA
-
0.35559068
V
ce
9.934V 9.915V 0.19126233
I
sat
5.625mA 5.62mA 0.08888889


Interpretacin: Segn el grafico el punto Q se encuentra en la zona de corte,
entonces este circuito se puede utilizar como un interruptor.
5 Conclusiones
Este laboratorio nos permiti constatar toda la teora base para circuitos que
incluyen transistores. Como de manera de inicio vimos el reconocimiento de este
dispositivo, nuestra familiarizacin con este para esto debimos identificar
previamente sus terminales saber si era PNP o NPN, y adems consultar la hoja
del fabricante. Como un paso ms avanzado trabajamos en lo que respecta a
las diversas maneras de polarizar un transistor para esta prctica utilizamos tres,
las dos primeras estaban polarizadas con dos fuentes y la otra con una fuente.
Para incursionar ms sobre cules son su diferencia podemos nombrar el bajo
costo y la facilidad de polarizar con una fuente as como debemos tener en
cuenta para esta polarizacin que la tensin en la base debe ser mucho mayor
que la tensin manejada entra base y emisor, mientras la de dos fuentes
requiera ms inversin. Otra diferencia radica en una mayor Rth en la
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polarizacin de dos fuentes para una mayor estabilidad, las otras resistencias se
dejan a criterio para que el transistor trabaje en la regin que el diseador
desee. Podemos decir que el resistor de colector debe ser grande para que el
transistor trabaje en regin activa y no haya algn tipo de problema en la tensin
entre el receptor y la base. Por otro lado el resistor ubicado en el emisor, o la
retroalimentacin negativa cuando se trabaja el emisor a tierra, es decir, emisor
comn, debe ser pequea comparado con los resistencias de colector y base.
Concluimos tambin que en la configuracin emisor comn se obtienen elevadas
ganancias de tensin y corriente, hacindolo el circuito ideal para amplificacin de
pequeas seales.
Se encuentra que cuando se realiza el diseo del circuito es conveniente que el
punto Q est situado en el centro de la recta de carga y que la ganancia no sea
excesivamente alta para dar estabilidad al circuito y evitar distorsiones
respectivamente.
Se concluye que se pueden presentar errores en las mediciones debido a que los
valores tericos de los elementos pueden no coincidir con los reales (se hace
necesario aproximarlos a un valor superior o inferior).
6 Recomendaciones
1) Cuando se vaya a cambiar la calibracin de los multitester asegurarse de
desconectar el aparato del circuito armado para no causar daos al equipo.
2) Tomar entre 1 a 2 minutos para esperar que se estabilice la lectura en los
multitester y tener unos datos correctos.
3) Utilizar las reglas de redondeo para los clculos de los circuitos del transistor
para evitar que los valores no varen mucho en relacin con los datos
obtenidos a travs de la prctica.

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7 Bibliografa
Fcil, E. (s.f.). Recuperado el 12 de Junio de 2014, de
http://www.electronicafacil.net/
Laboratory, C. (s.f.). Recuperado el 12 de Junio de 2014, de
https://www.circuitlab.com/
Luis. (s.f.). Electrnica Bsica. Recuperado el 12 de Junio de 2014, de http://r-
luis.xbot.es/descarga/files/ebasica.pdf
Radio electronica. (s.f.). Recuperado el 12 de Junio de 2014, de
http://www.radioelectronica.es/articulos-teoricos/82-resistencias-en-serie-y-
en-paralelo
sapiensman. (s.f.). Recuperado el 12 de Junio de 2014, de
http://www.sapiensman.com/electrotecnia/problemas5.htm
Wikipedia. (s.f.). Wikipedia. Recuperado el 12 de Junio de 2014, de
http://es.wikipedia.org/wiki/Mult%C3%ADmetro#cite_note-0