LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA DASAR

REMOTE LABORATORY
KARAKTERISTIK V I SEMIKONDUKTOR

Nama : Ika Alam Sari
NPM : 1306369472
Fakultas : Teknik
Departemen : Teknik Sipil
Kode Praktikum : LR03 Karakteristik V I Semikonduktor
Tanggal Praktikum : 13 Maret 2014


Unit pelaksana Pendidikan Ilmu Pengetahuan Dasar ( UPP IPD)
Universitas Indonesia
Depok, 2014
LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor
I. Tujuan
Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu
semikonduktor

II. Alat
1. Bahan semikonduktor
2. Amperemeter
3. Voltmeter
4. Variable power supply
5. Camcorder
6. Unit PC
7. DAQ dan perangkat pengendali otomati

III. Teori
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara
insulator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator pada temperatur yang
sangat rendah, namun pada temperatur ruangan besifat sebagai konduktor. Bahan semikonduksi
yang sering digunakan adalah silikon, germanium, dan gallium arsenide.
Material semikonduktor, seperti juga material-material lainnya terdiri atas atom-atom
yang berukuran sangat kecil. Atom-atom ini terdiri atas nukleus (inti) yang dikelilingi oleh
sejumlah elektron. Nukleus sendiri terdiri atas neutron dan proton. Proton bermuatan positif,
elektron bermuatan negatif, sedangkan neutron netral. Elektron - elektron yang mengelilingi
nukleus ini tersebar pada beberapa lapisan kulit dengan jarak tertentu dari nukleus,
dimana energinya semakin meningkat seiring dengan meningkatnya jarak dari setiap lapisan
kulit terhadap nukleus. Elektron pada lapisan terluar disebut elektron valensi. Aktifitas kimiawi
dari sebuah unsur terutama ditentukan oleh jumlah elektron valensi ini. Unsur-unsur pada tabel
periodik telah disusun sedemikian rupa berdasarkan jumlah elektron valensinya. Silikon (Si)
dan Germanium (Ge) berada pada Grup IV karena memiliki empat elektron valensi pada kulit
terluarnya, sehingga disebut juga semikonduktor dasar (elemental semiconductor).
Sedangkan Gallium Arsenik (GaAs) masing-masing berada pada Grup III dan V, sehingga
dinamakan semikonduktor gabungan (compound semiconductor).
Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya yang dapat
diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut materi doping). Salah satu alasan
utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat elektroniknya dapat diubah banyak
dalam sebuah cara terkontrol dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian
ini disebut dopant.
Alat-alat semikonduktor ini menggunakan konduksi elektronik dalam bentuk padat (solid
state), bukannya bentuk hampa (vacuum state) atau bentuk gas (gaseous state). Alat-alat
semikonduktor dapat ditemukan dalam bentuk- bentuk dicrete (potongan) seperti transistor,
diode, dll, atau dapat juga ditemukan sebagai bentuk terintegrasi dalam jumlah yang sangat besar
(jutaan) dalam satu keping Silikon yang dinamakan Sirkuit terpadu (IC).

Sebuah bahan material bila dilewati oleh arus listrik akan menimbulkan disipasi panas.
Besarnya disipasi panas adalah I2R. Panas yang dihasilkan oleh material ini akan mengakibatkan
perubahan hambatan material tersebut. Jika pada material semi konduktor , pertambahan kalor /
panas akan mengurangi nilai hambatan material tersebut. Peristiwa dispasi panas dan perubahan
resistansi bahan semi konduktor ini saling berkaitan.


Gambar 1. Rangkaian tertutup semikoduktor
IV. Cara Kerja
Eksperimen rLab ini dapat dilakukan dengan cara masuk ke
http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory kemudian masuk ke jadwal , mengklik LR03 karakteristik
VI Semikonduktor
1. Memperhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor
2. Memberikan beda potensial dengan member tegangan V1.
3. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya.
4. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan!
5. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8

Catatan : data yang diperoleh adalah 5 buah data terakhir jika rangkaian diberi beda potensial
tertentu ( misalkan V1) dengan interval 1 detik antara data ke satu dengan data berikutnya.




V. Tugas dan Evaluasi

1. Memperhatikan data yang saudara peroleh, apakah terjadi perubahan tegangan dan arus
untuk V1 , V2 , V3 , V4 dan V5. Bila terjadi perubahan Jelaskan secara singkat mengapa
hal tersebut terjadi (analisa0 dan bila tidak terjadi jelaskan pula mengapa demikian
2. Mendapatkan nilai rata-rata beda potensial yang terukur dan arus yang terukur untuk V1 ,
V2 , V3 hingga V8.
3. Membuat grafik yang memperlihatkan hubungan V vs I untuk rata rata V dan I yang
terukur (lihat tugas 2)
4. Bagaimana bentuk kurva hubungan V vs I , menjelaskan mengapa bentuknya seperti itu
5. Berdasarkan berbagai kurva grafik V vs I bolehkah kita menggunakan hukum Ohm
dalam peristiwa ini
6. Memberikan kesimpulan terhadap percobaan ini




VI. Pengolahan Data
1. Data Hasil Pengamatan

V 1
No V(volt) I(mA)
1 0.36 2.93
2 0.36 2.93
3 0.36 2.93
4 0.36 2.93
5 0.36 2.93

V2
No V(volt) I(mA)
1 0.94 7.49
2 0.94 7.49
3 0.94 7.49
4 0.94 7.49
5 0.94 7.49

V3
No V(volt) I(mA)
1 1.24 10.1
2 1.24 10.1
3 1.25 10.1
4 1.25 10.1
5 1.25 10.1

V 4
No V(volt) I(mA)
1 1.87 15.31
2 1.87 15.31
3 1.87 15.31
4 1.87 15.31
5 1.86 15.64

V 5
No V(volt) I(mA)
1 2.29 19.55
2 2.29 19.55
3 2.29 19.88
4 2.28 19.88
5 2.28 19.88

V 6
No V(volt) I(mA)
1 2.83 25.74
2 2.83 25.74
3 2.83 25.74
4 2.83 26.39
5 2.83 26.39

V 7
No V(volt) I(mA)
1 3.19 29
2 3.19 29.98
3 3.19 29.33
4 3.19 29.65
5 3.18 29.98

V 8
No V(volt) I(mA)
1 3.62 35.19
2 3.61 35.84
3 3.6 36.17
4 3.59 36.82
5 3.59 37.15

2. Nilai rata-rata beda potensial yang terukur dan arus yang terukur untuk V1 , V2 ,
V3 hingga V8.

V 1
No V(volt) I(mA)
1 0.36 2.93
2 0.36 2.93
3 0.36 2.93
4 0.36 2.93
5 0.36 2.93
Rata-rata 0.36 2.93

V2
No V(volt) I(mA)
1 0.94 7.49
2 0.94 7.49
3 0.94 7.49
4 0.94 7.49
5 0.94 7.49
Rata-rata 0.94 7.49

V3
No V(volt) I(mA)
1 1.24 10.1
2 1.24 10.1
3 1.25 10.1
4 1.25 10.1
5 1.25 10.1
Rata-rata 1.246 10.1

V 4
No V(volt) I(mA)
1 1.87 15.31
2 1.87 15.31
3 1.87 15.31
4 1.87 15.31
5 1.86 15.64
Rata-rata 1.868 15.376
V 5
No V(volt) I(mA)
1 2.29 19.55
2 2.29 19.55
3 2.29 19.88
4 2.28 19.88
5 2.28 19.88
Rata-rata 2.286 19.748


V 6
No V(volt) I(mA)
1 2.83 25.74
2 2.83 25.74
3 2.83 25.74
4 2.83 26.39
5 2.83 26.39
Rata-rata 2.83 26


V 7
No V(volt) I(mA)
1 3.19 29
2 3.19 29.98
3 3.19 29.33
4 3.19 29.65
5 3.18 29.98
Rata-rata 3.188 29.588

V 8
No V(volt) I(mA)
1 3.62 35.19
2 3.61 35.84
3 3.6 36.17
4 3.59 36.82
5 3.59 37.15
Rata-rata 3.602 36.234

3. Grafik hubungan V vs I untuk rata rata V dan I yang terukur

V
RATA-RATA
Volt
(V)
Arus (I)
1 0.36 2.93
2 0.94 7.49
3 1.246 10.1
4 1.868 15.376
5 2.286 19.748
6 2.83 26
7 3.188 29.588
8 3.602 36.234
16.32 147.466

Tegangan rata-rata keseluruhan:

Kuat Arus rata-rata keseluruhan:

Dari grafik di atas, bisa dilihat bahwa antara tegangan (V) dan kuat arus (I) terdapat
hubungan yang berbanding lurus. Dari grafik tersebut bisa dilihat bahwa semakin besar tegangan
akan semakin besar pula kuat arus yang dihasilkan sehingga bisa disimpulkan bahwa grafik
tersebut linear. Hal ini sesuai dengan hukum OHM, yaitu:

Berdasarkan grafik yang diperoleh dan telah dibandingkan dengan hukum OHM, kita
dapat menghitung nilai hambatan dari pembagian nilai tegangan rata-rata dengan nilai arus rata-
rata yang didapat.

Dari grafik diatas, kita dapat menarik persamaan yang digunakan untuk mencari gradient
pada grafik sebelumnya, yaitu:



0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
2.93 7.49 10.1 15.376 19.748 26 29.588 36.234
T
e
g
a
n
g
a
n

(

V

)


Kuat Arus (mA)

Grafik hubungan V vs I

Kemudian dengan menggunakan metode least square, kita dapat mencari nilai m dan b,
dengan Tegangan Rata-rata () sebagai y dan Kuat Arus Rata-rata () sebagai x.

No x y x^2 y xy
1 2.93 0.36 8.5849 0.1296 1.0548
2 7.49 0.94 56.1001 0.8836 7.0406
3 10.1 1.246 102.01 1.552516 12.5846
4 15.376 1.868 236.421376 3.489424 28.722368
5 19.748 2.286 389.983504 5.225796 45.143928
6 26 2.83 676 8.0089 73.58
7 29.588 3.188 875.449744 10.163344 94.326544
8 36.234 3.602 1312.902756 12.974404 130.514868
147.466 16.32 3657.45238 42.427584 392.967708

]




m = y

Kesalahan relative :

x 100% =

VII. Analisis Data

1. Analisis Percobaan

Percobaan yang dilakukan kali ini adalah LR03 yang bertujuan mempelajari hubungan
antara beda potensial (V) dan kuat arus (I) pada suatu semikonduktor. Hal yang dilakukan
praktikan adalah mengikuti langkah yang tertera pada percobaan LR03 di link Rlab yang telah
diberikan. Link dari Rlab yang disediakan oleh sitrampil adalah http://sitrampil7.ui.ac.id/lr03.
Langkah pertama memilih sampel tegangan, yang pertama adalah V1, setelah itu menyalakan
radio button untuk power supply dan meng-klik ambil data di bawahnya. Setelah mendapatkan
data V1, praktikan harus mengulangnya lagi untuk V2 hingga V8. Namun pada saat percobaan
dilakukan, video tidak bisa diaktifkan sehingga praktikan tidak dapat mengontrol besarnya beda
potensial yang akan terukur.

2. Analisis Hasil

Pada percobaan ini, praktikan mengambil delapan kali voltase yang telah diberikan, yaitu
V1 hingga V8. Dimana setiap percobaan praktikan mendapat 5 data dari saru voltase, dalam data
tersebut terdapat nilai tegangan dan kuat arus, sehingga, dengan adanya delapan variasi voltase
yang disediakan, terdapat total 40 data.
Dari data yang diperoleh, praktikan kemudian mengolah data-data tersebut. Dari setiap
lima data tegangan pada kondisi yang berbeda, bisa didapatkan rata-rata dari V1- V8 secara
berturut-turut adalah 0.36 V, 0.94V, 1.246 V, 1.868 V, 2.286 V, 2.83 V, 3.188 V, dan 3.602 V.
Sedangkan untuk kuat arus yang didapatkan secara berturut-turut adalah 2.93 mA, 7.49 mA,
10.1 mA, 15.376 mA, 19.748 mA, 26 mA, 29.588 mA, dan 36.234 mA.
Berdasarkan pengolahan data, bisa dilihat bahwa tegangan rata-rata yang didapatkan dari
kedelapan voltase yang diujicobakan dalam praktikum ini adalah 2.04 V dan kuat arus rata-rata
yang didapatkan adalah 18.43325 mA. Praktikan bisa memperoleh besar hambatan
semikonduktor dengan memasukkan data-data tersebut ke dalam persamaan hukum ohm.
Hukum ohm menyatakan bahwa kuat arus yang melalui penghantar berbanding lurus dengan
beda potensial pada kedua ujung penghantar.
V = I R

Pada semikonduktor dapat digunakan rumus pada hukum ohm karena semikonduktor
dapat bersifat baik sebagai isolator dan konduktor dan itu semua bergantung pada suhu. Apabila
sedang dalam kondisi sebagai konduktor maka pada semikonduktor itu terdapat hambatan.

3. Analisis Grafik

Dari grafik diatas dapat dilihat hubungan antara beda potensial (V) dan arus (I). Grafik
tersebut merupakan kurva linier. Semakin besar arus yang diberikan maka beda potensialnya pun
makin besar. Hal ini menyatakan bahwa arus berbanding lurus dengan beda potensial.

V = I R

Kemudian persamaan garis yang didapatkan dengan menggunakan metode least square
adalah . Nilai gradient ini menunjukkan besar hambatan semikonduktor dan
tidak jauh berbeda nilai hambatan yang dihitung secara manual yaitu 0,11 k.
Berdasarkan grafik tegangan untuk V1 sampai dengan V8 bisa dilihat bahwa data yang
diambil menunjukkan kuat arus yang tidak konstan, akan tetapi tidak mengalami fluktuasi atau
naik turunnya sebuah grafik.

4. Analisa kesalahan

Jika dilihat dari kesalahan relatif yang cukup kecil, yaitu 1.78%, dapat katakana bahwa
kesalahan yang dilakukan pada percobaan ini hampir tidak ada. Akan tetapi, terdapat beberapa
kendala yang dihadapi praktikan sehingga bisa menyebabkan kesalahan tesebut, yaitu koneksi
internet. Selain itu, masalah yang lain jugan ditemukan pada webcam yang tidak bisa dijalankan
dengan baik sehingga menimbulkan masalah pada saat pengambilan data.

VIII. Kesimpulan
1. Persamaan garis yang didapat dari percobaan ini untuk kuat arus adalah
dengan kesalahan relatif sebesar 1.78 %.
2. Untuk mencari besar hambatan pada semikonduktor dapat juga digunakan hukum ohm
yaitu:

Nilai hambatan yang di peroleh sebesar 0.11 k

3. Hubungan antara beda potensial (V) dan arus (I) adalah berbanding lurus. Semakin besar
beda potensial maka arus yang dihasilkan juga semakin besar.
4. Semikonduktor merupakan bahan yang dapat bersifat isolator maupun konduktor.



IX. Referensi

- http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory
- Tipler, P.A. 1998. Fisika untuk Sains dan Teknik Jilid 2 (terjemahan). Jakarta: Penerbit
Erlangga.
- Halliday, Resnick, Walker. Fundamentals of Physics, 7
th
edition, Extended Edition. John
Wiley and Sons, Inc., NJ, 2005.