Laporan Pendahuluan

Praktikum Elektronika 1

Nama : Chandra Darmawan
NPM : 1306443072
Fak/Program Studi : FMIPA/Fisika
Nomor Modul : 4
Nama Modul : Karakteristik Transistor
Kelompok : 18
Teman Kelompok : Andi Haikal Pratama
Tanggal Percobaan : 8 Oktober 2014



Wwwwwwwwwwwwwwww







LABORATORIUM ELEKTRONIKA
DEPARTEMEN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS INDONESIA
2014
A. TUJUAN
1. Menentukan nilai , membuat garis beban, dan menentukan titik Q.
2. Menganalisis rangkaian AC dan DC

B. TEORI
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi
lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya
(BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari
sirkuit sumber listriknya.


Gbr 4.1 Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita ukur sentimeter)
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu
terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah
komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog,
transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara,
sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor
digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai
sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen
lainnya.


Transistor merupakan suatu piranti semikonduktor yang memiliki sifat khusus. Secara
ekuivalensi transistor dapat dibandingkan dengan dua dioda yang dihubungkan dengan
suatu konfigurasi. Walaupun sifat-sifat transistor tersebut tidak sama dengan dioda
tersebut. Transistor ada yang UNIPOLAR (misal : FET), ada yang BIPOLAR (PNP dan
NPN). Pada dasarnya transistor bekerja berdasarkan prinsip pengendalian arus kolektor
dengan menggunakan arus basis.
Dengan kata lain arus basis mengalami penguatan hingga menjadi sebesar arus
kolektor. Penguatan ini bergantung dari faktor penguatan dari masing-masing transistor (
dan ). Konfigurasi dasar dari rangkaian. Transistor sebagai penguat adalah Common Base,
Common Emitor dan Common Collector. Sifat dari transistor yang akan saturasi pada nilai
tegangan tertentu antara basis dan emitor menjadikan transistor dapat berfungsi sebagai
saklar elektronik. Nilai penguatan arus dari Transistor dapat dinaikkan dengan
menggunakan konfigurasi Darlington.
Sebuah transistor mempunyai 3 daerah yang sudah didoping yaitu emitter, basis dan
kolektor.

Gbr 4.2 Transistor

Pn junction muncul diantara basis dan emitter, disebut sebagai dioda emitter. Sementara pn
junction lainnya berada diantara basis dan kolektor, disebut dioda kolektor. Kedua junction
ini ada pada transistor nonbias dan pada setiap dioda mempunyai potensial penghalang
yang mendekati 0,7 V pada 15C untuk transistor silikon.
Emitter didoping sangat padat/banyak sekali, sedangkan basis hanya didoping sedikit.
Kolektor didoping tidak terlalu banyak dan tidak terlalu sedikit.
Pada operasi biasa, kita memberi tegangan maju pada dioda emitter dan tegangan
mundur pada dioda kolektor. Emitter yang telah didoping sangat banyak, memiliki tugas
untuk mendorong electron bebas masuk ke basis. Sedangkan basis bertugas melewatkan
sebagian besar elektron ke kolektor. Kolektor sesuai dengan namanya mengoleksi elektron-
elektron tersebut. Karena itu arus pada kolektor, besarnya hampir sama dengan besarnya
arus emitter. Arus basis biasanya kurang dari 5% arus emitter.
Telah disebutkan diatas ada transistor yang bipolar yaitu PNP dan NPN. Transistor
npn mempunyai daerah p yang berada diantara dua daerah n. Sementara transistor pnp
mempunyai daerah n yang berda diantara dua daerah p.

(a) (b)
Gambar 4.3 Tiga arus transistor, (a) Aliran arus konvesional; (b) Aliran elektron

Gambar diatas menjelaskan mengenai arah arus yang melewati transistor. Ada aliran
arus konvensional dan aliran elektron yang berlawanan arahnya seperti terlihat pada
gambar diatas. Ada tiga jenis arus yang melewati transistor yaitu arus emitter I
E
, arus basis
I
B
dan arus kolektor I
C
. Hubungan antara ketiga arus tersebut adalah:
I
E
,= I
C
. + I
B

Akan tetapi karena arus basis sangat kecil maka arus kolektor mendekati nilai arus emitter:
I
C
. = I
E
,
Dan arus basis sangat kecil sekali dibanding arus kolektor:
I
B
<< I
C
.
Pada transistor terdapat penguat arus yang disebut beta dc (
dc
). Penguat arus
diartikan sebagai perbandingan antara arus dc kolektor dan arus dc basis:

dc
=
C
B
I
I

Untuk transistor yang mempunyai daya rendah (dibawah 1 W), penguat arus biasanya
bernilai dari 100 sampai 300. Transistor dengan daya tinggi (diatas 1 W) biasanya
mempunyai penguat arus sebesar 20 sampai 100.
Transistor memiliki daerah aktif, daerah jenuh, daerah cut off serta daerah
breakdown. Daerah aktif digunakan pada penguatan linear, sedang daerah jenuh dan cut off
digunakan pada rangkaian digital.
Transistor memiliki daerah pengoperasian tegangan, arus dan daya maksimum.
Transistor untuk sinyal kecil, dapat membuang daya 1 W atau kurang, sedang transistor
daya akan membuang daya lebih dari 1 W. Harga-harga karakteristik transistor dapat
berubah karena faktor suhu. Daya maksimum akan berkurang seiring dengan pertambahan
suhu.


C. KOMPONEN
1. Transistor BC 108 1
2. Resistor 3,6 k 1
3k 1
2,2 k 1
1 k 1
600 1
300 1
10 k 2
3. Potensiometer 1k 1
4. Kapasitor 0,1F 2
1F 1

D. PROSEDUR PERCOBAAN
1. Menetukan nilai
a. Menyusun rangkaian seperti pada gambar 4.1.
b. Mengatur Rvar agar Vi bervariasi dari 0 12 volt dengan interval kenaikan sebesar
1 volt.
c. Mencatat Vi,V
BE
, dan V
CE
.

2. Menetukan garis beban dan titik Q
a. Menyusun rangkaian seperti gambar 4.2.
b. Mengukur tegangan V
CE
.

3. Analisis Rangkaian DC
a. Menyusun rangkaian ekuivalen DC dari gambar 4.3.
b. Mengukur tegangan V
A
, V
BE
, V
C
dan V
E
.
4. Analisis rangkaian AC
a. Menyusun rangkaian ekuivalen AC dari gambar 4.3.
b. Memberikan input SG sebesar 10 mVpp.
c. Mengukur dan menggambarkan bentuk tegangan V
A
, V
BE
, V
C
, dan V
E
.


F. TUGAS PENDAHULUAN
1. Perhatikan gambar 4.1. Dengan mengacu BC108 dari datasheet, lengkapilah tabel berikut
ini! Sertakan pula penurunannya!

V
i
V
BE
(V) I
B
(mA) Ic (mA) Vc (V)
0 0 0.000 0.000 0.000
1 0.58 0.003 0.096 0.040
2 0.6 0.013 0.198 0.020
3 0.62 0.023 0.298 0.020
4 0.63 0.033 0.398 0.020
5 0.64 0.043 0.498 0.020
6 0.64 0.053 0.598 0.020
7 0.65 0.063 0.698 0.020
8 0.65 0.073 0.798 0.020
9 0.66 0.083 0.898 0.020
10 0.66 0.093 0.998 0.020
11 0.66 0.103 1.090 0.100
12 0.66 0.113 1.190 0.100

2. Buat kurva hubungan antara I
C
dan V
CE
dari data pada soal No.1. Tentukan terlebih dahulu
Titik Saturasi dan Cut off!
Saat V
CE
= 0
I
C( SAT)
=
CC
C
V
R
=
12
10k
= 1,2 mA
Saat I
C
= 0
V
CE
cut off = V
CC
= 12 V

3. Perhatikan gambar 4.2. Tentukan Titik Q dari rangkaian tersebut! Plot dalam kurva pada soal
No.2!
Q point ideal
I
B
=

= 113 A
I
C
= 1,190 mA = 1,2 mA
V
CE
= 12V 1,19 mA.10k = 0.1 V
4. Gambarkan rangkaian ekuivalen DC dari rangkaian pada gambar 4.3

0.000
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
-2.000 0.000 2.000 4.000 6.000 8.000 10.000 12.000 14.000
I
c

(
m
A
)

Vce (Volt)
Grafik hubungan Vce - Ic
Series1
R1
10k
R2
3.2k
R3
1.0k
R4
3.3k
Q1
BC108BP
V1
12 V
5. Perhatikan gambar 4.3 dengan menggunakan analisis DC tentukan nilai V
A
, V
BE
, V
C
, dan V
E

V
BE
= 0,7

( )
= 8,766 V

6. Bila rangkaian pada gambar 4.3 diberikan sinyal input AC dengan tegangan 10 mVpp.
Berapakah nilai dan fase tegangan V
A
, V
BE
, V
C
dan V
E
?
Maka V
p
= 5 mV
p

Input AC V
A
V
BE
V
C
V
E

10 mVpp 6,2 mV 6,2 mV 0,4 mV 0 V























F. Simulasi Rangkaian

1. Rangkaian Transistor Sederhana


2. Rangkaian Menentukan Titik beban



3. Rangkaian Common Emitor

VCC
12V
R1
10k
R2
1k
Key=A
30 %
R3
100k
Q1
BC108BP
U1
DC 10MOhm 3.594 V
+
-
U3
DC 10MOhm 0.649 V
+
-
U4
DC 1e-009Ohm 1.196m A
+
-
U5
DC 10MOhm 1.196p V
+
-
U2
DC 1e-009Ohm
0.029m
A
+ -
VCC
12V
R1
10k
R2
1k
Key=A
30 %
R3
100k
Q1
BC108BP
U1
DC 10MOhm 3.594 V
+
-
U3
DC 10MOhm 0.649 V
+
-
U4
DC 1e-009Ohm 1.196m A
+
-
U5
DC 10MOhm 1.196p V
+
-
U2
DC 1e-009Ohm
0.029m
A
+ -
V1
10 Vpk
1kHz
0
VCC
12V
R1
560
R2
10k
R3
3k
R4
10k
R5
2k
R6
1k
C1
100nF
C2
1F
C3
100nF
Q1
BC108BP
U1
DC 10MOhm 0.264 V
+
-
U2
DC 10MOhm 0.000 V
+
-
U3
DC 10MOhm 7.727 V
+
-
U4
DC 10MOhm 2.378 V
+
-