AUTOTRONICS

FUNDAMENTAL OF ELECTRONICS FOR AUTOMOTIVE

Komponen Elektronika

1. PENDAHULUAN
Dalam dunia elektronika komponen ada beraneka ragam dan jenis, namun dari
kesemuanya itu dapat dibagi menjadi dua kelompok yaitu komponen aktif dan komponen pasif.
Sebagai contoh untuk komponen pasif adalah : resistor, induktor, kapasitor sedangkan untuk
komponen aktif adalah : diode, transistor, tyristor, opamp dan IC. Perbedaan yang mencolok
antara keduanya adalah pada komponen pasif tidak mengubah bentuk gelombang sinyal ac yang
diberikan kepadanya sedangkan komponen aktif dapat menyearahkan, menguatkan, dan
mengubah bentuk gelombang sinyal AC yang diberikan kepadanya.

2. KOMPONEN PASIF
a. RESISTOR
Resistor dapat disebut juga sebagai tahanan atau hambatan dimana resistor
digunakan untuk menghambat aliran dari arus listrik yang diberikan. Resistor memiliki
nilai yang disebut resistansi dalam satuan ohm dengan lambang omega (). Dengan
simbol seperti gambar dibawah


Gambar 1. Simbol berbagai macam resistor

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
1-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 2.Berbagai macam bentuk resistor

Resistor memiliki bentuk, jenis dan kapasitas bermacam-macam. Seperti pada
Gambar 2. terdapat berbagai macam jenis resistor dan juga dalam berbagai kemampuan
disipasi daya biasanya ditentukan dalam satuan Watt. Macam-macam resistor dapat
dibedakan sebagai berikut :
Resistor biasa atau biasanya nilai resistansinya dikodekan pada warna gelangnya
dengan nilai resistansi tetap atau tidak dapat diubah.
Variabel resistor atau dapat disebut juga resistor yang nilai resistansinya dapat
diubah-ubah sesuai spesifikasinya (Contohnya : potensiometer, trimpot).
VR linier atau perubahan sudut putar linier terhadap nilai resistansi
(Contoh penerapan digunakan untuk sensor).
VR logaritmis atau perubahan sudut putar logaritmis terhadap nilai resistansi.
(Contoh penerapan pada audio)
Thermistor atau resistor yang dipengaruhi oleh perubahan suhu atau temperatur
(Contohnya : NTC dan PTC)
NTC adalah Negative Temperature Coefisien dimana perubahan suhu
berbanding terbalik terhadap perubahan resistansi.
PTC adalah Positive Temperature Coefisien dimana perubahan suhu
berbanding lurus terhadap perubahan resistansi.
LDR (Light Dependent Resistor) adalah resistor yang dipengaruhi oleh perubahan
cahaya.
Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
2-36
6 5 0 7 0 5 0 5

kiri dan kanan. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk
memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan
Ohmmeter. Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA
(Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada Tabel1



Tabel 1. Tabel kode warna resistor

Biasanya warna gelang toleransi berada pada badan resistor yang paling pojok
atau juga dengan lebar yang lebih menonjol, sedangkan warna gelang yang pertama agak
sedikit ke dalam.

Gambar 3. Bentuk dan urutan gelang warna resistor

Jumlah gelang yang melingkar pada resistor umumnya sesuai dengan besar
toleransinya. Biasanya resistor dengan toleransi 5%, 10% atau 20% memiliki 3 gelang

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
3-36
6 5 0 7 0 5 0 5

(tidak termasuk gelang toleransi). Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi
kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Gelang pertama dan
seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan, dan gelang terakhir adalah
faktor pengalinya.
Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor selain besar
resistansi adalah besar watt-nya. Karena resistor bekerja dengan dialiri arus listrik, maka
akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar W=I
2
R watt. Semakin besar ukuran fisik
suatu resistor bisa menunjukkan semakin besar kemampuan disipasi daya resistor
tersebut.
Umumnya di pasar tersedia ukuran 1/8, 1/4, 1, 2, 5, 10 dan 20 watt. Resistor yang
memiliki disipasi daya 5, 10 dan 20 watt umumnya berbentuk kubus memanjang persegi
empat berwarna putih, namun ada juga yang berbentuk silinder. Tetapi biasanya untuk
resistor ukuran besar ini nilai resistansi dicetak langsung dibadannya, misalnya
100/5W.

b. KAPASITOR
Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik.
Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan
dielektrik. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum, keramik,
gelas dan lain-lain. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik, maka muatan-
muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat
yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. Muatan
positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif
tidak bisa menuju ke ujung kutup positif, karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-
konduktif. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujung-ujung
kakinya. Untuk simbol dari Kapasitor dapat dilihat gambar dibawah :



Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
4-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Gambar 4. Simbol Kapasitor

Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat
menampung muatan elektron. Dapat dihitung bahwa 1 coulomb =6.25 x 10
18
elektron. Dan juga
dapat didefinisikan bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika
dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs. Dengan rumus
dapat ditulis :
Q = CV .(1)
Q = muatan elektron dalam C (coulombs)
C = nilai kapasitansi dalam F (farads)
V = besar tegangan dalam V (volt)

Dalam praktek pembuatan kapasitor, kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas
area plat metal (A), jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k)
bahan dielektrik.
Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut :
C = (8.85 x 10
-12
) (k A/t) ...(2)
Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang
disederhanakan.
Udara vakum k =1
Aluminium oksida k =8
Keramik k =100 - 1000
Gelas k =8
Polyethylene k =3

Tabel 2. Tabel nilai konstanta bahan dielektrikum


Untuk rangkaian elektronik praktis, satuan farads adalah sangat besar sekali.
Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10
-6
F), nF (10
-9
F) dan pF
(10
-12
F).


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
5-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 5. Berbagai macam bentuk kapasitor

Pada Gambar 6. ditunjukkan berbagai macam bentuk dan jenis kapasitor. Namun
dari berbagai macam kapasitor tersebut ada juga kapasitor yang dapat diubah-ubah nilai
kapasitansinya tergantung sesuai dengan spesifikasinya dan dinamakan kapasitor variabel
atau VARCO.

Kapasitor sendiri terdiri dari beberapa tipe, tergantung dari bahan dielektriknya.
Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian, yaitu :
1. Kapasitor Electrostatic
Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan
bahan dielektrik dari keramik, film dan mika. Keramik dan mika adalah bahan
yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil.
Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF, yang biasanya untuk aplikasi
rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. Termasuk kelompok bahan
dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene
terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar), polystyrene, polyprophylene,
polycarbonate, metalized paper dan lainnya.
Mylar, MKM, MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk
kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. Umumnya kapasitor kelompok ini
adalah non-polar. Konstruksinya ditunjukkan pada Gambar 6.

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
6-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 6. Konstruksi dari kapasitor
2. Kapasitor Electrolytic
Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang
bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. Umumnya kapasitor yang
termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan - di badannya.
Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas, adalah karena proses
pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda
dan kutup negatif katoda.
Beberapa metal seperti tantalum, aluminium, magnesium, titanium,
niobium, zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga
membentuk lapisan metal-oksida (oxide film). Lapisan oksidasi ini terbentuk
melalui proses elektrolisa, seperti pada proses penyepuhan emas. Elektroda metal
yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan
positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Oksigen
pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal.
Contohnya, jika digunakan Aluminium, maka akan terbentuk lapisan Aluminium-
oksida (Al
2
O
3
) pada permukaannya.


Gambar 7. Konstruksi dari kapasitor elektrolit


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
7-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda), lapisan-metal-oksida
dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. Dalam hal ini lapisan-metal-oksida
sebagai dielektrik. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis, sehingga dengan
demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar.
Karena alasan ekonomis dan praktis, umumnya bahan metal yang banyak
digunakan adalah aluminium dan tantalum. Bahan yang paling banyak dan murah
adalah Aluminium. Untuk mendapatkan permukaan yang luas, bahan plat
Aluminium ini biasanya digulung radial. Sehingga dengan cara itu dapat diperoleh
kapasitor yang kapasitansinya besar.
Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga
yang padat. Disebut electrolyte padat, tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit
yang menjadi elektroda negatif-nya, melainkan bahan lain yaitu manganese-
dioksida. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang
besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. Selain itu karena seluruhnya
padat, maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Kapasitor tipe ini
juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa
kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal.

3. Kapasitor Electrochemical
Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Termasuk
kapasitor jenis ini adalah batere dan accu. Pada kenyataanya batere dan accu
adalah kapasitor yang sangat baik, karena memiliki kapasitansi yang besar dan
arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. Tipe kapasitor jenis ini juga masih
dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan
ringan.

Pada kapasitor yang berukuran besar, nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan
angka yang jelas. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya.Kapasitor
yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga)
angka saja. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico farads). Jika ada 3 digit,
angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal, sedangkan angka ke-3 adalah
faktor pengali. Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya, berturut-turut 1 = 10, 2 =
100, 3 = 1.000, 4 = 10.000 dan seterusnya.

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
8-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Pada kapasitor terdapat yang dinamakan tegangan kerja atau tegangan maksimum
yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik. Sehingga tegangan
yang diberikan pada kapasitor tidak boleh melebihi dari yang tertera atau tercantum.
Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar
bekerja pada tegangan AC.
Pada kapasitor terdapat yang dinamakan tegangan kerja atau tegangan maksimum
yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik. Sehingga tegangan
yang diberikan pada kapasitor tidak boleh melebihi dari yang tertera atau tercantum.
Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar
bekerja pada tegangan AC.

c. INDUKTOR c. INDUKTOR
Induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik. Energi ini
direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri
listrik.
Induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik. Energi ini
direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri
listrik.
Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif. Efek emf
menjadi signifikan pada sebuah induktor, karena perubahan arus yang melewati tiap
lilitan akan saling menginduksi. Ini yang dimaksud dengan self-induced. Secara
matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah
akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya :
Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif. Efek emf
menjadi signifikan pada sebuah induktor, karena perubahan arus yang melewati tiap
lilitan akan saling menginduksi. Ini yang dimaksud dengan self-induced. Secara
matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah
akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya :

I
N
L

=

A N
L
o
2

=



Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
9-36
6 5 0 7 0 5 0 5

A N
L
o
2

=
I
N
L

=
Gambar 8. Bentuk dari induktor

Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan
fluktuasi arus yang melewatinya. Aplikasinya pada rangkaian dc salah satunya adalah
untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus. Pada
aplikasi rangkaian ac, salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan fluktuasi
arus yang tidak dinginkan. Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang bisa
diaplikasikan pada rangkaian filter, tuner dan sebagainya. Untuk mencari nilai induktansi
dari sebuah inductor dapat dicari melalui rumus :


L : induktansi dalam H (Henry)
: permeability inti (core)

o
: permeability udara vakum

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
9-36
6 5 0 7 0 5 0 5

o
: 4 x 10
-7

N : jumlah lilitan induktor
A : luas penampang induktor (m
2
)
l : panjang induktor (m)





Gambar 9. Bentuk penampang induktor

Ada satu jenis induktor yang dikenal dengan nama toroid. Jika biasanya induktor
berbentuk silinder memanjang, maka toroid berbentuk lingkaran. Biasanya selalu
menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat.


Gambar 10. Berbagai macam bentuk induktor


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
10-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 11. Bentuk induktor model toroida
Untuk mencari nilai induktansi dari sebuah inductor toroida dapat dicari melalui rumus :

L : induktansi dalam H (Henry)
: permeability inti (core)

o
: permeability udara vakum

o
: 4 x 10
-7

r
A N
L
o

2
2
=
N : jumlah lilitan induktor
A : luas penampang induktor (m
2
)
r : jari-jari toroid (m)

Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid, didapatkan induktor dengan
induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan
induktor berbentuk silinder. Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang
melingkar, maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen lain
yang berdekatan di dalam satu pcb. Untuk rangkaian elektronik praktis, satuan Henry
adalah sangat besar sekali. Umumnya inductor memiliki satuan uH (10
-6
H), mH (10
-3

H)

3. KOMPONEN AKTIF
a. DIODE
Dioda termasuk komponen elektronika yang terbuat dari bahan semikonduktor.
Diode merupakan semikonduktor yang pertama ditemukan. Dioda memiliki fungsi yang
unik yaitu hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja, itulah mengapa diode disebut
sebagai semikonduktor atau setengah penghantar. Struktur dioda tidak lain adalah
sambungan semikonduktor P dan N. Satu sisi adalah semikonduktor dengan tipe P dan
satu sisinya yang lain adalah tipe N. Dengan struktur demikian arus hanya akan dapat
mengalir dari sisi P menuju sisi N.


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
11-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 12. Gambar symbol dan penampang diode

Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi kecil
yang disebut lapisan deplesi (depletion layer), dimana terdapat keseimbangan hole dan
elektron. Seperti yang sudah diketahui, pada sisi P banyak terbentuk hole-hole yang siap
menerima elektron sedangkan di sisi N banyak terdapat elektron-elektron yang siap untuk
bebas merdeka. Lalu jika diberi bias positif, dengan arti kata memberi tegangan potensial
sisi P lebih besar dari sisi N, maka elektron dari sisi N dengan serta merta akan tergerak
untuk mengisi hole di sisi P. Tentu kalau elektron mengisi hole disisi P, maka akan
terbentuk hole pada sisi N karena ditinggal elektron. Ini disebut aliran hole dari P menuju
N, Kalau mengunakan terminologi arus listrik, maka dikatakan terjadi aliran listrik dari
sisi P ke sisi N.

Gambar 13. Gambar diode dengan bias maju (forward)

Sebalikya apakah yang terjadi jika polaritas tegangan dibalik yaitu dengan
memberikan bias negatif (reverse bias). Dalam hal ini, sisi N mendapat polaritas
tegangan lebih besar dari sisi P.

Gambar 14. Gambar diode dengan bias mundur (backward)


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
12-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Tentu jawabanya adalah tidak akan terjadi perpindahan elektron atau aliran hole
dari P ke N maupun sebaliknya. Karena baik hole dan elektron masing-masing tertarik ke
arah kutup berlawanan. Bahkan lapisan deplesi (depletion layer) semakin besar dan
menghalangi terjadinya arus.


Gambar 15. Berbagai macam bentuk diode

Dengan demikian dioda hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. Pada
tegangan bias maju yang kecil saja dioda sudah menjadi konduktor. Hanya diperlukan
beberapa volt diatas nol saja pada diode bisa terjadi konduksi. Ini disebabkan karena
adanya dinding deplesi (deplesion layer). Untuk dioda yang terbuat dari bahan Silikon
tegangan konduksi adalah diatas 0.7 volt. Kira-kira 0.2 volt batas minimum untuk dioda
yang terbuat dari bahan Germanium.


Gambar 16. Grafik arus diode

Sebaliknya untuk bias negatif dioda tidak dapat mengalirkan arus, namun
memang ada batasnya. Sampai beberapa puluh bahkan ratusan volt baru terjadi

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
13-36
6 5 0 7 0 5 0 5

breakdown, dimana dioda tidak lagi dapat menahan aliran elektron yang terbentuk di
lapisan deplesi.
Fenomena tegangan breakdown dioda ini mengilhami pembuatan komponen aktif
lainnya yang dinamakan zener. Sebenarnya tidak ada perbedaan sruktur dasar dari zener,
melainkan mirip dengan dioda. Tetapi dengan memberi jumlah doping yang lebih banyak
pada sambungan P dan N, ternyata tegangan breakdown dioda bisa makin cepat tercapai.
Jika pada dioda biasanya baru terjadi breakdown pada tegangan ratusan volt, pada zener
bisa terjadi pada angka puluhan dan satuan volt.



Gambar 17. Simbol diode zener

Ini adalah karakteristik zener yang unik. Jika dioda bekerja pada bias maju maka
zener biasanya berguna pada bias negatif (reverse bias).
Jenis diode yang lain adalah LED atau singkatan dari Light Emiting Dioda,
merupakan komponen yang dapat mengeluarkan emisi cahaya. Struktur LED juga sama
dengan dioda, tetapi belakangan ditemukan bahwa elektron yang menerjang sambungan
P-N juga melepaskan energi berupa energi panas dan energi cahaya. LED dibuat agar
lebih efisien jika mengeluarkan cahaya. Untuk mendapatkan emisi cahaya pada
semikonduktor, doping yang pakai adalah galium, arsenic dan phosporus. Jenis doping
yang berbeda menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula.


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
14-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 18. Bentuk simbol dan penampang LED

Pada saat ini warna-warna cahaya LED yang banyak ada adalah warna merah,
kuning, hijau dan biru. Pada dasarnya semua warna bisa dihasilkan, namun akan menjadi
sangat mahal dan tidak efisien. Dalam memilih LED selain warna, perlu diperhatikan
tegangan kerja, arus maksimum dan disipasi daya-nya. Umumnya LED bisa bekerja pada
tegangan 1,2 sampai 1,5 volt namun saat ini ada juga yang dinamakan LED super bright
dengan cahaya yang lebih terang namun diperlukan juga tegangan kerja dan arus yang
lebih besar juga. Bentuk LED juga bermacam-macam, ada yang persegi empat, bulat dan
lonjong.

b. THYRISTOR
Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti pintu'. Dinamakan
demikian barangkali karena sifat dari komponen ini yang mirip dengan pintu yang dapat
dibuka dan ditutup untuk melewatkan arus listrik. Ada beberapa komponen yang
termasuk thyristor antara lain adalah komponen-komponen thyristor yang dikenal
dengan sebutan SCR (silicon controlled rectifier), TRIAC dan DIAC.
Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang terbuat dari bahan
semikonduktor silicon. Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N junction yang
dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS. Komponen thyristor
lebih digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai penguat arus atau tegangan
seperti halnya transistor.

Gambar 19. struktur thyristor

3.b.1. SCR
Untuk membuat thyristor menjadi ON adalah dengan memberi arus trigger lapisan

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
15-36
6 5 0 7 0 5 0 5

P yang dekat dengan katoda. Yaitu dengan membuat kaki gate pada thyristor PNPN
seperti pada Gambar20. Karena letaknya yang dekat dengan katoda, bisa juga pin gate ini
disebut pin gate katoda (cathode gate). Beginilah SCR dibuat dan simbol SCR
digambarkan seperti Gambar20. SCR dalam banyak literatur disebut Thyristor saja.

Gambar 20. Struktur dan symbol SCR
Melalui kaki (pin) gate tersebut memungkinkan komponen ini di trigger menjadi
ON, yaitu dengan memberi arus gate. Ternyata dengan memberi arus gate I
g
yang
semakin besar dapat menurunkan tegangan breakover (V
bo
) sebuah SCR. Dimana
tegangan ini adalah tegangan minimum yang diperlukan SCR untuk menjadi ON. Sampai
pada suatu besar arus gate tertentu, ternyata akan sangat mudah membuat SCR menjadi
ON. Bahkan dengan tegangan forward yang kecil sekalipun. Misalnya 1 volt saja atau
lebih kecil lagi. Kurva tegangan dan arus dari sebuah SCR adalah seperti yang ada pada
Gambar21 yang berikut ini.

Gambar 21. Karakteristik kurva I-V SCR
Pada Gambar 21 tertera tegangan breakover V
bo
, yang jika tegangan forward SCR
mencapai titik ini, maka SCR akan ON. Lebih penting lagi adalah arus Ig yang dapat
menyebabkan tegangan Vbo turun menjadi lebih kecil. Pada gambar ditunjukkan
beberapa arus Ig dan korelasinya terhadap tegangan breakover. Pada datasheet SCR, arus

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
16-36
6 5 0 7 0 5 0 5

trigger gate ini sering ditulis dengan notasi I
GT
(gate trigger current). Pada gambar ada
ditunjukkan juga arus I
h
yaitu arus holding yang mempertahankan SCR tetap ON. Jadi
agar SCR tetap ON maka arus forward dari anoda menuju katoda harus berada di atas
parameter ini.
Sejauh ini yang dikemukakan adalah bagaimana membuat SCR menjadi ON. Pada
kenyataannya, sekali SCR mencapai keadaan ON maka selamanya akan ON, walaupun
tegangan gate dilepas atau di short ke katoda. Satu-satunya cara untuk membuat SCR
menjadi OFF adalah dengan membuat arus anoda-katoda turun dibawah arus I
h
(holding
current). Pada Gambar21 kurva I-V SCR, jika arus forward berada dibawah titik I
h
, maka
SCR kembali pada keadaan OFF. Berapa besar arus holding ini, umumnya ada di dalam
datasheet SCR.
Cara membuat SCR menjadi OFF tersebut adalah sama saja dengan menurunkan
tegangan anoda-katoda ke titik nol. Karena inilah SCR atau thyristor pada umumnya
tidak cocok digunakan untuk aplikasi DC. Komponen ini lebih banyak digunakan untuk
aplikasi-aplikasi tegangan AC, dimana SCR bisa OFF pada saat gelombang tegangan AC
berada di titik nol.
Ada satu parameter penting lain dari SCR, yaitu V
GT
. Parameter ini adalah
tegangan trigger pada gate yang menyebabkab SCR ON.

3.b.2. TRIAC
Boleh dikatakan SCR adalah thyristor yang uni-directional, karena ketika ON
hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. Struktur
TRIAC sebenarnya adalah sama dengan dua buah SCR yang arahnya bolak-balik dan
kedua gate-nya disatukan. Simbol TRIAC ditunjukkan pada Gambar22. TRIAC biasa
juga disebut thyristor bi-directional.

Gambar 22.Simbol TRIAC

TRIAC bekerja mirip seperti SCR yang paralel bolak-balik, sehingga dapat

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
17-36
6 5 0 7 0 5 0 5

melewatkan arus dua arah. Kurva karakteristik dari TRIAC adalah seperti pada
Gambar23 berikut ini.

Gambar 23. Karakteristik kurva I-V TRIAC
Pada datasheet akan lebih detail diberikan besar parameter-parameter seperti V
bo

dan -V
bo
, lalu I
GT
dan -I
GT
, I
h
serta -I
h
dan sebagainya. Umumnya besar parameter ini
simetris antara yang plus dan yang minus. Dalam perhitungan desain, bisa dianggap
parameter ini simetris sehingga lebih mudah di hitung.

3.b.3. DIAC
Kalau dilihat strukturnya seperti Gambar 24, DIAC bukanlah termasuk keluarga
thyristor, namun prisip kerjanya membuat ia digolongkan sebagai thyristor. DIAC dibuat
dengan struktur PNP mirip seperti transistor. Lapisan N pada transistor dibuat sangat tipis
sehingga elektron dengan mudah dapat menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan
pada DIAC, lapisan N di buat cukup tebal sehingga elektron cukup sukar untuk
menembusnya. Struktur DIAC yang demikian dapat juga dipandang sebagai dua buah
dioda PN dan NP, sehingga dalam beberapa literatur DIAC digolongkan sebagai dioda.

Gambar 24. Struktur dan simbol DIAC

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
18-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Sukar dilewati oleh arus dua arah, DIAC memang dimaksudkan untuk tujuan ini.
Hanya dengan tegangan breakdown tertentu barulah DIAC dapat menghantarkan arus.
Arus yang dihantarkan tentu saja bisa bolak-balik dari anoda menuju katoda dan
sebaliknya. Kurva karakteristik DIAC sama seperti TRIAC, tetapi yang hanya perlu
diketahui adalah berapa tegangan breakdown-nya.
Simbol dari DIAC adalah seperti yang ditunjukkan pada Gambar 32. DIAC
umumnya dipakai sebagai pemicu TRIAC agar ON pada tegangan input tertentu yang
relatif tinggi.

c. TRANSISTOR
Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu
membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut
emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.


Gambar 25. Bentuk simbol dan penampang transistor

Transistor seperti gambar diatas dapat disebut juga transistor bipolar atau
transistor BJT (Bipolar Junction Transistor). Transistor bipolar adalah inovasi yang
mengantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif
lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih
dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama pada
aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi dayanya
sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah
pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan
penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor
junction lainnya itulah kenapa disebut (Bipolar Junction Transistor). Seperti pada dioda,
arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
19-36
6 5 0 7 0 5 0 5

material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada gambar ilustrasi
transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-
colector mendapat bias negatif (reverse bias).


Gambar 26. Rangkaian bias transistor dan arus Elektron

Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron
mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab
mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak
menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju
base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian
elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan
menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda
digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar
base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
20-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 27. Macam-macam bentuk transistor

Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi
aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju
(forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar
arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron
yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan
transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih
besar. Istilah amplifier (penguatan) sebenarnya bukanlah penguatan dalam arti
sebenarnya, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan,
melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat
dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor
(switch on/off).
Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan
bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah
arus hole.


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
21-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 28. Arus Hole transistor PNP

Perlu diingat, walaupun tidak ada perbedaan pada doping bahan pembuat emitor
dan kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik.



Gambar 29. Penampang transistor bipolar

Dari satu bahan silikon (monolitic), emitor dibuat terlebih dahulu, kemudian base
dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. Terkadang dibuat juga efek
dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang
dikehendaki.
Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut
adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial
yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
22-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 30. Arus potensial
Parameter-paramater yang perlu diperhatikan :
I
C
: arus kolektor
I
B
: arus base
I
E
: arus emitor
VC : tegangan kolektor
VB : tegangan base
VE : tegangan emitor
VCC : tegangan pada kolektor
VCE : tegangan jepit kolektor-emitor
VEE : tegangan pada emitor
VBE : tegangan jepit base-emitor (umumnya 0,6 0,7 volt untuk transistor silikon)
ICBO : arus base-kolektor
VCB : tegangan jepit kolektor-base

Pada tabel data transistor (databook) beberapa hal perlu diperhatikan antara lain
spesifikasi
dc
(alpha dc) yang tidak lain adalah :

dc
= I
C
/I
E

Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor. Karena
besar arus kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter maka idealnya besar

dc
adalah = 1 (satu). Namun umumnya transistor yang ada memiliki
dc
kurang lebih
antara 0.95 sampai 0.99.
Pada tabel data transistor (databook) juga dapat dijumpai spesifikasi
dc
(beta dc)
atau h
fe
didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus base.

dc
= I
C
/I
B

Dengan kata lain,
dc
adalah parameter yang menunjukkan kemampuan penguatan
arus (current gain) dari suatu transistor. Parameter ini ada tertera di databook transistor
dan sangat membantu para perancang rangkaian elektronika dalam merencanakan

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
23-36
6 5 0 7 0 5 0 5

rangkaiannya.
Sebelumnya ada beberapa spesifikasi transistor yang perlu diperhatikan, seperti
tegangan V
CE
max dan P
D
max. Sering juga dicantumkan di datasheet keterangan lain
tentang arus I
C
max V
CB
max dan V
EB
max. Ada juga P
D
max pada T
A
= 25
o
dan P
D
max
pada T
C
= 25
o

3.c.1. Kurva Base
Hubungan antara IB dan VBE tentu saja akan berupa kurva dioda. Karena
memang telah diketahui bahwa junction base-emitor tidak lain adalah sebuah dioda. Jika
hukum Ohm diterapkan pada loop base diketahui adalah :
I
B
= (V
BB
- V
BE
) / R
B
V
BE
adalah tegangan jepit dioda junction base-emitor. Arus hanya akan mengalir
jika tegangan antara base-emitor lebih besar dari V
BE
. Sehingga arus I
B
mulai aktif
mengalir pada saat nilai V
BE
tertentu.

Gambar 31. kurva I
B
-V
BE

Besar V
BE
umumnya tercantum di dalam databook. Tetapi untuk penyerdehanaan
umumnya diketahui V
BE
= 0.7 volt untuk transistor silikon dan V
BE
= 0.3 volt untuk
transistor germanium.

3.c.2. Kurva Kolektor
Sekarang sudah diketahui konsep arus base dan arus kolektor. Satu hal lain yang
menarik adalah bagaimana hubungan antara arus base I
B
, arus kolektor I
C
dan tegangan
kolektor-emiter V
CE
. Dengan mengunakan rangkaian-01, tegangan V
BB
dan V
CC
dapat
diatur untuk memperoleh plot garis-garis kurva kolektor. Pada gambar berikut telah
diplot beberapa kurva kolektor arus I
C
terhadap V
CE
dimana arus I
B
dibuat konstan.

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
24-36
6 5 0 7 0 5 0 5


Gambar 32. kurva kolektor
Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja
transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan
seterusnya daerah breakdown.

3.c.3. Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus I
C

konstans terhadap berapapun nilai V
CE
. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus I
C
hanya
tergantung dari besar arus I
B
. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear
region).
Dari hubungan tegangan dan arus pada loop kolektor, maka dapat diperoleh hubungan :
V
CE
= V
CC
- I
C
R
C
Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :
P
D
= V
CE
.I
C
Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor
dikali jumlah arus yang melewatinya. Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan
naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk
mengetahui spesifikasi P
D
max. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum
yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja
melebihi kapasitas daya P
D
max, maka transistor dapat rusak atau terbakar.

3.c.4. Daerah Cut-off
Daerah saturasi adalah mulai dari V
BE
= 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor
silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan V
CE
belum
mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
25-36
6 5 0 7 0 5 0 5

3.c.5. Daerah Saturasi
Jika kemudian tegangan V
BE
dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan V
CE

tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor
berada pada daerah saturasi yaitu dari keadaan cut off (OFF) lalu menjadi aktif (ON).
Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0

3.c.6. Daerah Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan V
CE
lebih dari 40V, arus I
C
menanjak
naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown.
Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak
transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan V
CE
max yang
diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi. V
CE
max pada databook transistor selalu
dicantumkan juga.

d. TRANSISTOR FET
Transistor Bipolar dinamakan demikian karena bekerja dengan 2 (bi) muatan yang
berbeda yaitu elektron sebagai pembawa muatan negatif dan hole sebagai pembawa
muatan positif. Ada satu jenis transistor lain yang dinamakan FET (Field Efect
Transistor). Berbeda dengan prinsip kerja transistor bipolar, transistor FET bekerja
bergantung dari satu pembawa muatan, apakah itu elektron atau hole. Karena hanya
bergantung pada satu pembawa muatan saja, transistor ini disebut komponen unipolar.
Umumnya untuk aplikasi linear, transistor bipolar lebih disukai, namun transistor
FET sering digunakan juga karena memiliki impedansi input (input impedance) yang
sangat besar. Terutama jika digunakan sebagai switch, FET lebih baik karena resistansi
dan disipasi dayanya yang kecil.

Ada dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction FET) dan MOSFET (metal-
oxide semiconductor FET). Pada dasarnya kedua jenis transistor memiliki prinsip kerja
yang sama, namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur dan
karakteristiknya. Namun dari keduanya yg sering banyak dipakai adalah jenis MOSFET
makanya yang akan dibahas disini adalah jenis MOSFET.
Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain,
source dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
26-36
6 5 0 7 0 5 0 5

sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini
dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut
juga IGFET yaitu insulated-gate FET.
Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua jenis
enhancement-mode. Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari gerbang
logika dalam bentuk IC (integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro
processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini.

3.d.1. MOSFET Depletion-mode
Gambar berikut menunjukkan struktur dari transistor jenis ini. Pada sebuah kanal
semikonduktor tipe n terdapat semikonduktor tipe p dengan menyisakan sedikit celah.
Dengan demikian diharapkan elektron akan mengalir dari source menuju drain melalui
celah sempit ini. Gate terbuat dari metal (seperti aluminium) dan terisolasi oleh bahan
oksida tipis SiO
2
yang tidak lain adalah kaca.

Gambar 33. struktur MOSFET depletion-mode

Semikonduktor tipe p di sini disebut subtrat p dan biasanya dihubung singkat
dengan source. Ingat seperti pada transistor JFET lapisan deplesi mulai membuka jika
V
GS
= 0.

Dengan menghubung singkat subtrat p dengan source diharapkan ketebalan
lapisan deplesi yang terbentuk antara subtrat dengan kanal adalah maksimum. Sehingga
ketebalan lapisan deplesi selanjutnya hanya akan ditentukan oleh tegangan gate terhadap
source. Pada gambar, lapisan deplesi yang dimaksud ditunjukkan pada daerah yang
berwarna kuning.
Semakin negatif tegangan gate terhadap source, akan semakin kecil arus drain
yang bisa lewat atau bahkan menjadi 0 pada tegangan negatif tertentu. Karena lapisan

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
27-36
6 5 0 7 0 5 0 5

deplesi telah menutup kanal. Selanjutnya jika tegangan gate dinaikkan sama dengan
tegangan source, arus akan mengalir. Karena lapisan deplesi muali membuka. Sampai di
sini prinsip kerja transistor MOSFET depletion-mode tidak berbeda dengan transistor
JFET.
Karena gate yang terisolasi, tegangan kerja V
GS
boleh positif. Jika V
GS
semakin
positif, arus elektron yang mengalir dapat semakin besar. Di sini letak perbedaannya
dengan JFET, transistor MOSFET depletion-mode bisa bekerja sampai tegangan gate
positif.
Pabrikasi MOSFET depletion-mode

Gambar 34. Penampang D-MOSFET (depletion-mode)

Struktur ini adalah penampang MOSFET depletion-mode yang dibuat di atas
sebuah lempengan semikonduktor tipe p. Implant semikonduktor tipe n dibuat
sedemikian rupa sehingga terdapat celah kanal tipe n. Kanal ini menghubungkan drain
dengan source dan tepat berada di bawah gate. Gate terbuat dari metal aluminium yang
diisolasi dengan lapisan SiO
2
(kaca). Dalam beberapa buku, transistor MOSFET
depletion-mode disebut juga dengan nama D-MOSFET.

3.d.2. Kurva drain MOSFET depeletion mode
Analisa kurva drain dilakukan dengan mencoba beberapa tegangan gate V
GS

konstan, lalu dibuat grafik hubungan antara arus drain I
D
terhadap tegangan V
DS
.


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
28-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Gambar 35. Kurva drain transistor MOSFET depletion-mode

Dari kurva ini terlihat jelas bahwa transistor MOSFET depletion-mode dapat
bekerja (ON) mulai dari tegangan V
GS
negatif sampai positif. Terdapat dua daerah kerja,
yang pertama adalah daerah ohmic dimana resistansi drain-source adalah fungsi dari :
R
DS(on)
= V
DS
/I
DS

Jika tegangan V
GS
tetap dan V
DS
terus dinaikkan, transistor selanjutnya akan berada pada
daerah saturasi. Jika keadaan ini tercapai, arus I
DS
adalah konstan. Tentu saja ada
tegangan V
GS(max)
, yang diperbolehkan. Karena jika lebih dari tegangan ini akan dapat
merusak isolasi gate yang tipis alias merusak transistor itu sendiri.

3.d.3. MOSFET Enhancement-mode
Jenis transistor MOSFET yang kedua adalah MOSFET enhancement-mode.
Transistor ini adalah pengembangan dari MOSFET depletion-mode. Gate terbuat dari
metal aluminium dan terisolasi oleh lapisan SiO
2
sama seperti transistor MOSFET
depletion-mode. Perbedaan struktur yang mendasar adalah, subtrat pada transistor
MOSFET enhancement-mode sekarang dibuat sampai menyentuh gate, seperti terlihat
pada gambar berikut ini.

Gambar 36. Struktur MOSFET enhancement-mode

Gambar diatas adalah transistor MOSFET enhancement mode kanal n. Jika
tegangan gate V
GS
dibuat negatif, tentu saja arus elektron tidak dapat mengalir. Juga
ketika V
GS
=0 ternyata arus belum juga bisa mengalir, karena tidak ada lapisan deplesi
maupun celah yang bisa dialiri elektron. Satu-satunya jalan adalah dengan memberi
tegangan V
GS
positif. Karena subtrat terhubung dengan source, maka jika tegangan gate
positif berarti tegangan gate terhadap subtrat juga positif.
Tegangan positif ini akan menyebabkan elektron tertarik ke arah subtrat p.

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
29-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Elektron-elektron akan bergabung dengan hole yang ada pada subtrat p. Karena potensial
gate lebih positif, maka elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi subtrat
yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat mengalir
menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO
2
(kaca).
Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan
terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus drain dan source
dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion layer. Kira-
kira terjemahannya adalah lapisan dengan tipe yang berbalikan. Di sini karena subtratnya
tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah bermuatan negatif atau tipe n.
Tentu ada tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk.
Tegangan minimun ini disebut tegangan threshold V
GS(th)
. Tegangan V
GS(th)
oleh pabrik
pembuat tertera di dalam datasheet.
Di sini letak perbedaan utama prinsip kerja transitor MOSFET enhancement-mode
dibandingkan dengan JFET. Jika pada tegangan V
GS
= 0 , transistor JFET sudah bekerja
atau ON, maka transistor MOSFET enhancement-mode masih OFF. Dikatakan bahwa
JFET adalah komponen normally ON dan MOSFET adalah komponen normally OFF.

3.d.4. Pabrikasi MOSFET enhancement-mode
Transistor MOSFET enhacement mode dalam beberapa literatur disebut juga
dengan nama E-MOSFET.


Gambar 37. Penampang E-MOSFET (enhancement-mode)

Gambar diatas adalah bagaimana transistor MOSFET enhancement-mode dibuat.
Sama seperti MOSFET depletion-mode, tetapi perbedaannya disini tidak ada kanal yang
menghubungkan drain dengan source. Kanal n akan terbentuk (enhanced) dengan
memberi tegangan V
GS
diatas tegangan threshold tertentu. Inilah struktur transistor yang
paling banyak di terapkan dalam IC digital.


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
30-36
6 5 0 7 0 5 0 5

3.d.5. Kurva Drain MOSFET enhacement-mode
Mirip seperti kurva D-MOSFET, kurva drain transistor E-MOSFET adalah seperti
yang ditunjukkan pada gambar berikut. Namun di sini V
GS
semua bernilai positif. Garis
kurva paling bawah adalah garis kurva dimana transistor mulai ON. Tegangan V
GS
pada
garis kurva ini disebut tegangan threshold V
GS(th)
.

Gambar 38. Kurva drain E-MOSFET

Karena transistor MOSFET umumnya digunakan sebagai saklar (switch),
parameter yang penting pada transistor E-MOSFET adalah resistansi drain-source.
Biasanya yang tercantum pada datasheet adalah resistansi pada saat transistor ON.
Resistansi ini dinamakan R
DS(on)
. Besar resistansi bervariasi mulai dari 0.3 Ohm sampai
puluhan Ohm. Untuk aplikasi power switching, semakin kecil resistansi R
DS(on)
maka
semakin baik transistor tersebut. Karena akan memperkecil rugi-rugi disipasi daya dalam
bentuk panas. Juga penting diketahui parameter arus drain maksimum I
D(max)
dan disipasi
daya maksimum P
D(max)
.

3.d.6. Simbol transistor MOSFET
Garis putus-putus pada simbol transistor MOSFET menunjukkan struktur
transistor yang terdiri drain, source dan subtrat serta gate yang terisolasi. Arah panah
pada subtrat menunjukkan type lapisan yang terbentuk pada subtrat ketika transistor ON
sekaligus menunjukkan type kanal transistor tersebut.


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
31-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Gambar 39. Simbol MOSFET, (a) kanal-n (b) kanal-p

Kedua simbol di atas dapat digunakan untuk mengambarkan D-MOSFET maupun E-
MOSFET.
Transistor FET termasuk perangkat yang disebut voltage-controlled device yang
mana tegangan masukan (input) mengatur arus keluaran (output). Pada transistor FET,
besar tegangan gate-source (V
GS
) menentukan jumlah arus yang dapat mengalir antara
drain dan source.
Transistor MOSFET yang dikenal dengan sebutan transistor MOS umumnya
gampang rusak. Ada kalanya karena tegangan gate yang melebihi tegangan V
GS(max)
.
Karena lapisan oksida yang amat tipis, transistor MOS rentan terhadap tegangan statik
(static voltage) yang bisa mencapai ribuan volt. Untuk itulah biasanya MOS dalam
bentuk transistor maupun IC selalu dikemas menggunakan anti static.Terminal atau
kaki-kakinya di hubung singkat untuk menghindari tegangan statik ini. Transistor MOS
yang mahal karena R
DS(on)
yang kecil, biasanya dilengkapi dengan zener didalamnya.
Zener diantara gate dan source ini berfungsi sebagai proteksi tegangan yang berlebih.
Walapun zener ini sebenarnya akan menurunkan impedansi input gate, namun cukup
seimbang antara performance dan harganya itu.


e. OP-AMP (Penguat Operasi)
Penguat operasi (Operational Amplifier) atau sering disingkat dengan OP-AMP
yaitu merupakan komponen-komponen linear yang terdiri dari beberapa komponen
diskrit yang terintegrasi dalam bentuk chip (IC : Intregated Circuits) . OP-AMP
biasanya mempunyai 2 (dua) buah input yaitu input Inverting dan input Non Inverting
serta satu output. Lebih jelasnya dapat dilihat pada gambar simbol OP-AMP berikut ini :

+
-

Gambar40. Simbol OP-AMP

Input OP-AMP bisa berupa tegangan searah maupun tegangan bolak-balik.

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
32-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Sedangkan output OP-AMP tergantung input yang diberikan. Jika input OP-AMP diberi
tegangan searah dengan input Non Inverting lebih besar dari pada input inverting (),
maka pada output OP-AMP akan positip (+). Sebaliknya jika input Non Inverting (+)
lebih kecil dari pada input inverting (-), maka output OP-AMP akan negatip (-).
Jika input OP-AMP diberi tegangan bolak-balik dengan input Non Inverting
(+), maka pada output OP-AMP akan sephasa dengan inputnya tersebut. Sebaliknya jika
input Inverting (-) diberi sinyal / tegangan bolak balik sinus, maka pada output OP-
AMP akan berbalik phasa terhadap inputnya.

3.e.1. Penguat Inverting
OP-AMP dengan metoda input pembalik (inverting) seperti gambar41 ini adalah
mempunyai input pada terminal inverting (-) dan terminal non inverting dihubungkan ke
ground (sebagai common) dan terminal output diukur terhadap ground. Tegangan (A
u
)
untuk penguat inverting
1
R
R
U
U
A
F
i
o
U
= =
+
-
Uo
+
-
Uid
iid
R
1
R
f
OP-AMP
ii
Ui
+
-
-
+
i
f

Gambar41. Rangkaian penguat inverting

3.e.2. Penguat Non Inverting
Rangkaian OP-AMP dengan input bukan pembalik (non inverting) dengan sistem
pengali penguatan yang konstan. Untuk menentukan penguatan tegangan dari rangkaian
OP-AMP ini terlebih dahulu direpresentasikan dalam bentuk rangkaian ekivalen, lihat
Gambar42


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
33-36
6 5 0 7 0 5 0 5

+
-
Uo
Op Amp
Ui
R
f R
1


Gambar42. Rangkaian penguat Non-inverting

Karena penguatan tegangan maka
U
U
A
I
O
U
, =

+ = =
1
1
R
R
U
U
A
F
I
O
u


3.e.3. Penguat Penjumlah (Summing amplifier)
Salah satu penggunaan rangkaian OP-AMP adalah pada penguat penjumlah
(summing amplifier). Rangkaian penguat ini penguatan tegangan ditentukan oleh resistor
(tahanan) pada masing-masing input dan tahanan umpan baliknya. Gambar berikut
(Gambar43) menunjukkan rangkaian penguat penjumlah (summing amplifier). Rangkaian
ini dianalisis dalam bentuk operasi fungsi linear.

+
-
Uo
U
R
1
Uid Op Amp
R
R
2
3
U
U
1
2
3

Gambar43. Rangkaian penguat penjumlah (summing)

Besarnya tegangan output (Uo) tergantung pada tahanan depan (R
1
, R
2
, dan R
3
)
pada masing-masing tegangan input (U
1
,U
2
,dan U
3
) serta tergantung pada tahanan umpan
balik (RF). Sehingga besarnya Uo adalah :

=
3 2
2
1
1
. . .
3
U
R
R
U
R
R
U
R
R
U
R
F F F
O


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
34-36
6 5 0 7 0 5 0 5

F O
R
R
U
R
U
R
U
U

+ + =
3
3
2
2
1
1


3.e.4. Penyangga Tegangan (Voltage Buffer)
Rangkaian penyangga tegangan (voltage buffer) adalah suatu pemisahan sinyal
input terhadap beban dengan menggunakan suatu tingkat unit penguat tegangan yang
tidak membalik polaritas dan atau phasanya. Disamping itu biasanya menggunakan OP-
AMP yang mempunyai impedansi input yang sangat tinggi dan impedansi output yang
sangat rendah. Gambar 4-9 berikut rangkaian unity gain amplifier atau buffer

+
-
Uo
Ui

Gambar44. Rangkaian OP-AMP sebagai Buffer

Besarnya tegangan output ( U
o
)
i O
U U =
Jadi besarnya penguatan tegangannya adalah 1 dan oleh karena itu biasanya disebut
unity follower amplifier atau voltage follower

3.f.4. Rangkaian Pengurang ( Subtractor circuit )
Rangkaian pengurang yang menggunakan OP-AMP pada dasarnya adalah saling
mengurangkan dari 2 ( dua ) buah inputnya. Gambar berikut (Gambar 45) menunjukkan
rangkaian OP-AMP sebagai pengurang (subtractor), atau kadang-kadang disebut juga
sebagai penguat beda (Differential Amplifier)


Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
35-36
6 5 0 7 0 5 0 5

+
-
Uo
R
R
OP-AMP
i
f 2
1
R
4
R
3 U
U
1
2
i
1
i
2
Ui
Ui
1
2

Gambar 45 Rangkaian Subtractor

Besarnya tegangan output ( Uo ) adalah :

=
3 1
1
2
2
R R
U R
R
U
R U
F
F O

Dikeluarkan oleh : Tanggal :
Tri / Sam 14-09-07
Program Studi :
OTOTRONIK
N a m a :
Halaman :
36-36
6 5 0 7 0 5 0 5

Halaman:
37