Anda di halaman 1dari 10

1

BAB I
PENDAHULUAN


1.1 Latar Belakang Masalah
Minimnya pengetahuan mahasiswa tentang Mosfet atau sering sehingga
mewajibkan mahasiswa untuk mengerjakan tugas paper tentang Mosfet. Penulis
melakukan pencarian data dari berbagai referensi internet hingga buku-buku.
Selanjutnya penulis membuat paper yang maksud tujuan utamanya ialah agar penulis
serta mahasiswa Teknik Elektro memahami teori secara umum dari berbagai data yang
telah diinputkan. Dan sebagai tugas mata kuliah programmable logic control yang
dibimbing oleh Bapak Dr. Bambang Suprianto S.T.,M.T.
Dalam tugas paper ini penulis akan menjelaskan dan memaparkan mengenai
definisi secara umum,analisis matematisnya serta simulasi dan peng-aplikasian dari
Mosfet, yang bermaksud agar para pembaca mampu memahami dan mengetahui
gambaran singkat tentang Mosfet
Dan dengan adanya paper yang telah dibuat oleh penulis, diharapkan paper ini
bermanfaat untuk mahasiswa Teknik Elektro serta pembaca umum agar mengetahui
dan memahami tentang Mosfet. Semoga tugas paper ini bermanfaat untuk kelanjutan
pembelajaran mengenai mata kuliah Progammable Logic Controller. Hal inilah yang
menjadi latar belakang dalam pembuatan paper ini dan motivasi penulis dalam
menyelesaikan paper tersebut.



1.2 Rumusan Masalah
1 Apa itu Mosfet?
2 Apa fungsi dari Mosfet?
3 Bagaimana peng-aplikasian dari Mosfet ?

1.3 Tujuan

2
1 Membantu kepada Mahasiswa Jurusan Teknik Elektro dan juga kepada khalayak
umum agar mengetahuai dan memahami Mosfet.
2 Memenuhi tugas mata kuliah Programmable Logic Controller.






















3
BAB II
PEMBAHASAN
2.1. Definisi MOSFET
MOSFET merupakan singkatan dari Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor yang merepresentasikan bahan-bahan penyusunnya yang terdiri dari logam,
oksida dan semikonduktor. Terdapat 2 jenis MOSFET yaitu tipe NPN atau N channel
dan PNP atau biasa disebut P channel. MOSFET dibuat dengan meletakkan lapisan
oksida pada semikonduktor dari tipe NPN maupun PNP dan lapisan logam diletakkan
diatasnya. MOSFET juga mempunyai tiga terminal, yaitu terminal Gate (G), Source
(S), dan Drain (D). MOSFET menggunakan tegangan pada terminal Gate (=basis)
untuk mengontrol arus antara terminal Source (=emitor) dan Drain (=kolektor) Gambar
2.13 memperlihatkan konfigurasi dasar dari MOSFET

Gambar 2.13 Konfigurasi dasar MOSFET
Adapun prinsip kerja dari MOSFET adalah sebagai berikut
1. Untuk tipe NPN, ketika gate diberi tegangan positif elektron-elektron dari
semikonduktor N dari drain dan source tertarik oleh gate menuju semikonduktor tipe P
yang berada diantaranya. Dengan adanya elektron-elektron ini pada semikonduktor P,
maka akan menjadi suatu jembatan yang memungkinkan pergerakan elektron-elektron
dari source ke drain.

4

Gambar 2.14 Prinsip kerja MOSFET tipe NPN

2. Untuk tipe PNP, prinsip kerjanya sama hanya saja tegangan yang diberikan pada gate
berkebalikan dengan MOSFET tipe NPN. Ketika tegangan negatif diberikan ke gate,
hole dari semikonduktor tipe P dari source dan drain tertarik ke semikonduktor tipe N
yang berada diantaranya. Dengan adanya jembatan hole ini maka arus listrik dapat
mengalir dari source ke drain.

Gambar 2.15 Prinsip kerja MOSFET tipe PNP
Karena adanya lapisan oksida antara gate dan semikonduktor, maka arus listrik
tidak mengalir menuju gate. Arus listrik mengalir diantara drain dan source yang
dikendalikan oleh tegangan gate.
2.2 Karakteristik MOSFET
Karakteristik keluaran merupakan grafik dimana Ids diplot terhadap Vds untuk
beberapa variasi tegangan VGS. Ada tiga daerah dalam karakteristik keluaran
MOSFET, yaitu :
Untuk VGS VT disebut daerah cut-off.
Untuk VDS VGS - VT disebut daerah linier, dipakai pada saat transistor
berfungsi sebagai penguat.

5
Untuk VDS VGS - VT disebut daerah saturasi, dipakai pada saat transistor
difungsikan sebagai saklar.

1. Wilayah Cut-Off (MOSFET OFF)
Pada daerah Cut-Off MOSFET tidak mendapatkan tegangan input (Vin = 0V) sehingga
tidak ada arus drain Id yang mengalir. Kondisi ini akan membuat tegangan Vds = Vdd.
Dengan beberapa kondisi diatas maka pada daerah cut-off ini MOSFET dikatakan OFF
(Full-Off). Kondisi cut-off ini dapat diperoleh dengan menghubungkan jalur input (gate)
ke ground, sehingga tidaka ada tegangan input yang masuk ke rangkaian saklar MOSFET.
Untuk lebih jelasnya dapat dilihat pada gambar berikut.

Gambar Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar Pada Kondisi Cut-Off

Karakeristik MOSFET pada daerah Cut-Off antara lain sebagai berikut :
Input gate tidak mendapat tegangan bias karena terhubung ke ground (0V)
Tegangan gate lebih rendah dari tegangan treshold (Vgs < Vth)
MOSFET OFF (Fully-Off) pada daerah cut-off ini.
Tidak arus drain yang mengalir pada MOSFET
Tegangan output Vout = Vds = Vdd
Pada daerah cut-off MOSFET dalam kondisi open circuit.
Dengan beberapa karakteristik diatas maka dapat dikatakan bahawa MOSFET
pada daerah Cut-Off merupakan saklar terbuka dengan arus drain Id = 0 Ampere.
Untuk mendapatkan kondisi MOSFET dalam keadaan open maka tegnagan gate
Vgs harus lebih rendah dari tegangan treshold Vth dengan cara menghubungkan
terminal input (gate) ke ground.


6
2. Wilayah Saturasi (MOSFET ON)
Pada daerah saturasi MOSFET mendapatkan bias input (Vgs) secara maksimum
sehingga arus drain pada MOSFET juga akan maksimum dan membuat tegangan
Vds = 0V. Pada kondisi saturasi ini MOSFET dapat dikatakan dalam kondisi ON
secara penuh (Fully-ON).

Gambar Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar Pada Kondisi Saturasi

Karakteristik MOSFET pada kondisi saturasi antar lain adalah :
Tegangan input gate (Vgs) tinggi
Tegangan input gate (Vgs) lebih tinggi dari tegangan treshold (Vgs>Vth)
MOSFET ON (Fully-ON) pada daerah Saturasi
Tegangan drain dan source ideal (Vds) pada daerah saturasi adalah 0V (Vds =
0V)
Resistansi drain dan source sangat rendah (Rds < 0,1 Ohm)
Tegangan output Vout = Vds = 0,2V (Rds.Id)
MOSFET dianalogikan sebagai saklar kondisi tertutup
Kondisi saturasi MOSFET dapat diperoleh dengan memberikan tegangan
input gate yang lebih tinggi dari tegangan tresholdnya dengan cara
menghubungkan terminal input ke Vdd. Sehingga MOSFET mejadi saturasi dan
dapat dianalogikan sebagai saklar pada kondisi tertutup.





7
2.3 Tipe MOSFET
A. MOSFET Tipe Pengosongan (Depletion-Type MOSFET)
Gambar 2.4 menunjukkan MOSFET saluran-n, sekeping bahan n penghantar
dengan daerah p di sebelah kanan dan gerbang terisolasi di sebelah kiri. Elektron
bebas dapat mengalir dari sumber ke penguras melalui bahan n. Daerah p disebut
substrat ; secara fisik daerah ini mengurangi jalur penghantar menjadi saluran yang
sempit. Elektron yang mengalir dari sumber ke penguras harus melalui saluran
yang sempit ini.
Lapisan tipis silikon dioksida (SiO
2
) ditempelkan pada sisi kiri saluran.
Silikon dioksida sama seperti kaca, yang merupakan isolator (penyekat). Pada
MOSFET gerbangnya terbuat dari logam. Karena gerbang terpisah dari saluran,
maka hanya sedikit sekali arus gerbang yang mengalir, walaupun bila tegangan
gerbang berharga positip.
n
I
D
I
D
Kanal
Drain(D)
n
+
n
+
Substrat
type-p
Metal
+
-
+
-
Gate(G)
Source(S)
Oxide
Metal
R
D
V
GS
V
DD
+
-
V
DD
G
D
V
GS
+
-
S
I
D
R
D

(a) Struktur (b) Simbol
Gambar 2.4 MOSFET tipe depletion kanal n

B. MOSFET Tipe Peningkatan (Enhancement type)
Dengan mengubah susunan dalam dari MOSFET saluran-n, kita dapat
menghasilkan MOSFET jenis baru yang hanya dapat menghantar pada ragam
peningkatan saja. MOSFET tipe ini berlaku seperti switch yang biasanya mati
(normally off), artinya pada saat V
GS
= 0 MOSFET tidak dapat menghantar. Untuk
mendapatkan arus penguras (I
D
), kita harus menerapkan tegangan gerbang positif.


8
S
Metal
n
+
n
+
Substrat
type-p
+
-
+
-
V
GS
V
DD
R
D
I
D
D
G
G
D
+
- V
DD
V
GS
+
-
S
+
-
V
DS
R
D

(a) Struktur (b) Simbol
Gambar 2.5 MOSFET tipe Enhancement kanal n


V
GS1
V
GS4
V
GS3
V
GS2
V
GS5
V
DS
=V
GS
-V
T
V
GS
=V
T
V
DS
I
D
0
daerah
linier
daerah
pinch-off

Gambar 2.7. Karakteristik keluaran MOSFET tipe enhacement kanal-n
Gambar 2.7 menunjukkan karakteristik keluaran dari MOFET kanal-n tipe
enhancement. Ada tiga daerah operasi :
1. Daerah cut-off ; dimana V
GS
V
T.
V
T
adalah tegangan threshold (tegangan
ambang). V
T
merupakan V
GS
minimum V
GS(am)
yang dapat menciptakan
lapisan tipis tipe-n. Bila V
GS
lebih besar dari nilai V
GS(am)
, lapisan tipis tipe-
n akan menghubungkan sumber dengan penguras, dan kita akan
mendapatkan arus.
2. Daerah pinch-off (saturasi) ; dimana V
DS
V
GS
V
T
. Pada daerah operasi
ini arus drain mencapai hampir konstan untuk setiap pertambahan nilai dari
V
DS
. MOSFET pada daerah operasi ini digunakan sebagai penguat
tegangan.

9
3. Daerah liniear ; dimana V
DS
V
GS
V
T
. Pada daerah operasi ini, nilai I
D

berubah terhadap perubahan nilai dari V
DS
. Selama arus drain tinggi dan
tegangan drain rendah, MOSFET yang dioperasikan pada daerah ini
berfungsi sebagai switch.

0 V
T
V
GS
-I
D
V
T
I
D
V
GS
0

(a) Kanal-n (b) Kanal-p
Gambar 2.6 Karakteristik transfer MOSFET tipe enhancement


Model keadaan tunak (steady state model) ditunjukkan pada gambar 2.8.
tan kons V
GS
D
DS
V
I
gm

(2.1)
Resistansi keluaran r
o
= R
DS
didefinisikan sebagai :
D
DS
DS
I
V
R

.(2.2)
Untuk tipe depletion, tegangan gerbang dapat positif maupun negatif. Tetapi untuk
tipe enhancement tegangan gerbang hanya tegangan positif.

2.4 `APLIKASI MOSFET
1. MOSFET Sebagai Saklar Elektronik
MOSFET dapat konduksi apabila diberikan pulsa tegangan pada terminal gate (G)-
nya. Rangkaian kontrol pulsa PWM dapat menggerakkan MOSFET sebagai berikut
: apabila pulsa PWM menjadi tinggi yang berarti terminal gerbang (G) mendapat
pemicuan, maka MOSFET akan menjadi on, sehingga terminal sumber (S) dan

10
terminal cerat (D) akan terlihat seperti terhubung singkat (v
in
tinggi, MOSFET
menghantar, v
out
rendah). Sebaliknya, apabila pulsa PWM menjadi rendah, maka
MOSFET akan menjadi off sehingga terminal sumber (S) dan terminal cerat (D)
akan terlihat seperti saklar yang dalam keadaan hubung terbuka (v
in
rendah,
MOSFET terputus, v
out
sama dengan tegangan catu daya).

2. Konverter Forward dengan Dua Saklar
Dalam kebanyakan aplikasi, diinginkan untuk memisahkan keluaran konverter
dengan jala-jala (off-line). Pemisahan ini dapat dilakukan secara sederhana dengan
menghubungkan trafo 50 Hz pada terminal masukan tegangan AC catu daya. Namun
penggabungan trafo ke dalam rangkain konverter dapat menghadirkan beberapa
keuntungan, antara lain: 1. Mengurangi ukuran dan berat trafo. 2. Kinerja konverter
lebih optimal. Tekanan tegangan dan arus pada transistor atau dioda dapat
diminimalkan. 3. Dapat dihasilkan keluaran tegangan dc yang beragam. Ragam
konverter buck dengan trafo pemisah antara lain konverter full-bridge, half-bridge,
forward, dan pushpull. Ragam konverter forward dengan dua transistor seperti
tampak pada gambar.2.4. Setelah transistor beralih off, arus magnetisasi trafo
membias maju dioda D1 dan D2 dan mengumpankan tegangan Vg melintas belitan
primer, sehingga akan mereset trafo. Siklus tugas dibatasi hingga D < 0,5. Konverter
ini mempunyai keuntungan yaitu:
1. Tegangan bloking puncak dari transistor = Vg .
2. Trafo lebih sederhana karena mekanisme reset trafo
Telah dilakukan oleh dioda D1 dan D2.

Konverter Forward dengan Dua Saklar MOSFET