Jelajahi eBook
Kategori
Jelajahi Buku audio
Kategori
Jelajahi Majalah
Kategori
Jelajahi Dokumen
Kategori
bermacam karbon dipanaskan di dalam tanur tinggi. Sejumlah reaksi terjadi dalam tanur.
Reaksi kimia umumnya adalah:
(
( 1.1 )
Proses ini menghasilkan metalurgi silicon (Metalurgical-Grade Silicon, MGS) dengan tingkat
kemurnian silikon sekitar 98%. Selanjutnya silikon dijadikan serbuk dan diberi gas hidrogen
klorida (HCl) pada temperatur 3000C;
(
( 1.2 )
Trichlorosilan (
( 1.3 )
Hasil reaksi adalah elektronik silikon (Electronic-Grade Silicon, EGS). EGS berbentuk padatan
polikrislatin silikon dengan kemurnian tinggi, dan merupakan bahan dasar untuk peralatan
elektronik kristal tunggal. Metoda umum yang dipakai dalam pembuatan kristal tunggal
silikon adalah metoda Czochralski, ( Gambar 1.1 ). Polikristalin Silikon ( EGS ) diletakkan
dalam crusibel dan dipanaskan pada temperatur diatas titik lebur (
) sehingga
GAMBAR
Suatu kristal benih dengan orientasi tertentu, misalnya < 111 > dilekatkan pada pemegang
benih. Benih kristal dimasukkan ke dalam leburan. Sebagian dari benih akan melebur tetapi
ujung kristal benih tetap menyentuh permukaan cairan. Selanjutnya kristal benih ditarik
keatas perlahan-lahan dengan putaran. Pembekuan yang berkelanjutan pada antarmuka
padat-cair menghasilkan kristal tunggal yang besar. Umumnya kecepatan penarikan
beberapa milimeter permenit. Untuk menghasilkan bongkah kristal silikon dengan diameter
yang besar ( sekitar 35cm ) diperlukan medan magnet luar pada dasar penarik Czochralski.
Pada pertumbuhan kristal tunggal silikon sejumlah dopan perlu ditambahkan. Dopan yang
sering diberikan pada silikon adalah boron atau fosfor untuk menghasilkan silikon tipe p
atau n. Silikon ini disebut silikon ekstrinsik. Bila jumlah boron dan fosfor sama, silikon
disebut silikon intrinsik. Jadi silikon intrinsik tidak selalu berarti silikon murni tanpa dopan.
Ketika kristal ditarik dari leburan, dopan tertolak keluar dari kristal, masuk ke leburan.
Perbandingan konsentrasi dopan kristal
( 1.4 )
Konsentrasi dopan disini dalam massa dopan per-gram bahan. Perhatikan suatu kristal
ditumbuhkan dari leburan yang mempunyai massa awal
leburan
(massa dopan per-gram leburan). Bila massa kristal mencapai M, massa dopan
, maka
( 1.5 )
dan
( 1.6 )
Kombinasi Persamaan ( 1.5 ), ( 1.6 ) dengan ( 1.4 ) diperoleh:
( 1.7 )
, didapat:
( 1.8 )
dan
(1.9)
= 0.8. Berapa
Penyelesaian
Kita anggap selama pertumbuhan kristal
leburan silikon,
Karena konsentrasi boron terlalu kecil, volume leburan dan silikon dapat dihitung dari massa
silikon. Volume 60 Kg silikon adalah:
Banyak atom boron dalam leburan adalah 1.25 x 1016 atom/cm3 x 2.37 x 104cm3=2.96 x 1020
atom boron. Jadi banyak boron yang harus ditambahkan:
). Bila kecepatan
penolakan dopan lebih besar dari kecepatan difusi dopan ke leburan gradien konsentrai
dopan pada daerah antarmuka merupakan fungsi jarak,
gambar 1.2. perbandingan antara
disebut koefisien segregasi efektif
( )
Perhatikan lapisan leburan setebal S ( untuk sesaat anggap tidak ada gerakan ), maka
konsentrasi dopan dapat diterangkan dengan persamaan kontinuitas(1) :
( 1.11 )
Dengan
leburan, dan C adalah konsentrasi dopan dalam leburan. Penyelesaian Persamaan ( 1.11 )
adalah
( )
Dengan
dan
( 1.12 )
jumlah total dopan yaitu total flux dopan pada antarmuka adalah nol. Anggap difusi dopan
hanya terjadi dalam leburan, tidak ada difusi dopan pada kristal, maka
( )
[ ( )
( 1.13 )
5
, maka
( 1.14 )
( )
Jadi
( 1.15 )
(
Nilai
(
, dan
1, untuk
( 1.16 )
besar. Distribusi seragam dopan
rendah.
dopan yang terdistribusi seragam adalah penambahan polikristalin silikon kemurnian tinggi
secara terus menerus ke dalam leburan silikon sehingga konsentrasi dopan awal dapat
dijaga.
1.2.
Proses epitaksial adalah proses pertumbuhan lapisan tipis kristal tunggal semikonduktor
diatas substrat semikonduktor. Umumnya jenis dopan lapisan tipis semikonduktor berlainan
dengan dopan substratnya. Salah satu teknik terkenal adalah epitaksi fase uap ( vapor phase
epitaxy, VPE ). Lapisan epitaksi dapat ditumbuhkan pada temperatur 30-50% lebih rendah
dari pada titik leburnya. VPE yang umum dipakai adalah deposisi uap kimiawi ( chemicalvapor deposition, CVD ). CVD adalah proses dimana lapisan epitaksi terbentuk karena reaksi
kimia diantara gas-gas pembentuknya. Pada Gambar 1.3 ditunjukkan 3 macam susceptor
yang umum dipakai untuk pertumbuhan epitaksial. Bentuk geometri suspector menjadikan
nama reaktornya: horisontal, pancake, dan susceptor barrel, semuanya terbuat dari graphit.
Susceptor dalam reaktor epitaksial adalah seperti krusibel dalam dapur pertumbuhan
kristal.
Gambar 1.3. Tiga macam susceptor pada CVD: a. Horisontal, b. Pancake, dan c. Susceptor
barrel
Susceptor tersebut tempat letak substrat wafer, sekaligus sebagai sumber panas untuk
terjadinya reaksi kimia. Panas dari susceptor didapat dari induksi radio frekuensi. Beberapa
mekanisme terjadi dalam CVD yaitu:
a. Reaktan atau gas-gas dan dopan dimasukkan ke daerah substrat
b. Mereka mencapai permukaan substrat dan diadsorb permukaan
c. Terjadi reaksi kimia pada permukaan, diikuti dengan pertumbuhan lapisan epitaksial
d. Gas-gas hasil dibuang keluar reaktor
Silikon tetrachlorida umum dipakai dalam industri. Tipikal temperatur reaksi adalah 1200 0C.
Reaksi kimia yang menumbuhkan lapisan kristal silikon adalah:
(gas)
(padat) +
(gas)
(gas)
( 1.17 )
Reaksi ini adalah reaksi bolak-balik, dapat terjadi ke arah kanan atau kiri.
Disamping reaksi pada Persamaan ( 1.17 ), secara bersamaan terjadi reaksi:
(
( 1.18 )
total molekul gas semua. Seperti ditunjukkan dalam Gambar 1.4 pada mulanya laju deposisi
lapisan kristal silikon bertambah dengan kenaikan konsentrasi silikon tetra klorida.
Kecepatan tumbuh kristal mencapai maksimum ketika fraksi molar
,
mencapai
sekitar 0,1. Kenaikan konsentrasi
lebih lanjut menurunkan kecepatan tumbuh kristal
silikon, dan konsentrasi
yang tinggi menyebabkan etsa pada substrat silikon. Lapisan
kristal silikon biasanya ditumbuhkan pada daerah konsentrasi rendah, sekitar Y=0,01 seperti
ditunjukkan pada Gambar 1.4. Pada konsentrasi ini kecepatan tumbuh silikon sekitar
1 /menit.
Bila konsentrasi
fluk :
adalah
( 1.19 )
dengan
adalah koefisien transfer massa fase gas. Sedangkan fluk
kimia terjadi pada permukaan yang tumbuh adalah
:
yang bereaksi
( 1.20 )
dengan
Untuk
adalah jumlah atom silikon per satuan volume di dalam lapisan kristal silikon.
, dengan
adalah konsentrasi
( 1.23 )
Dari persamaan ( 1.23 ) dapat disimpulkan dua hal. Pertama kecepatan pertumbuhan
lapisan kristal seimbang dengan , untuk kecil. Ini sesuai dengan banyak hasil penelitian.
Kedua terkait dengan dua keadaan limit yaitu
atau
kecil yang menimbulkan kontrol
transfer massa dan kontrol reaksi permukaan. Dua keadaan limit ini membuat
Persamaan ( 1.5 ) menjadi:
( 1.24 )
pada daerah kontrol transfer massa, dan
( 1.25 )
pada daerah kontrol reaksi permukaan.
Model ini adalah menyederhanakan persoalan. Sekalipun demikian model ini dapat
meramalkan banyak hal yang terjadi dalam penelitian. Model menjelaskan adanya dua
daerah proses pertumbuhan yaitu kontrol transfer massa dan kontrol reaksi permukaan.
Demikian juga nilai-nilai konstanta kecepatan reaksi kimia permukaan
, dan koefisien
transfer massa fase gas HG dapat diperoleh cukup baik dalam besaran order.
Pada Persamaan ( 1.19 ), fluk atau atom molekul gas ke permukaan lapisan kristal
dinyatakan dengan
(
). Selanjutnya akan dicari komponen-komponen yang
menentukan koefisien
. Untuk ini diperkenalkan model lapisan batas(2).
Perhatikan suatu fluida yang mengalir sejajar dengan keping data yang panjangnya
. Jauh
dari keping datar kecepatan fluida adalah seperti ditunjukkan pada Gambar 1.6. Tepat
pada permukaan keping datar kecepatan fluida adalah NOL. Ini disebabkan gesekan terjadi
antara fluida dan keping datar. Besarnya gaya gesek per satuan luas pada fluida adalah
( 1.26 )
Dengan adalah viskositas fluida. Bentuk imaginer kekuatan digambarkan dengan empat
kurva yang menggambarkan kecepatan fluida di bawah pengaruh gaya gesek adalah u.
Ditepi keping pengaruh gesekan masih berjangkauan pendek yang kian meninggi ketika
fluida mengalir lebih lanjut sehingga dicapai kecepatan u = 0,99v. Kurva yang
menghubungkan titik-titik dimana pengaruh gesekan mulai tidak ada adalah
keping datar ke kurva ini disebut lapisan batas.
( ). Jarak
10
Gambar 1.6. Pengembangan lapisan batas dari fluida yang mengalir paralel dengan keping
datar(2).
Perhatikan sekeping fluida imaginer dengan tebal
, gaya gesek yang bekerja padanya:
, Tinggi
( 1.27 )
Percepatan yang dialami elemen fluida ini:
( )
, dengan
( )
atau
( )
Bila
( )
( 1.28 )
( )
( )
( 1.29 )
( )
( 1.30 )
( )
atau
11
( 1.31 )
Bilangan Reynold, merupakan perbandingan atara besarnya efek inersia dengan efek
kekentalan dalam aliran fluida yaitu:
( 1.32 )
Dari sini didapatkan koefisien transfer massa fase gas:
Dengan
( 1.33 )
adalah difusifitas atau koefisien difusi gas aktif di dalam campuran gasnya.
12
BAB II
Oksidasi Termis
Pertumbuhanlapisan tipis silikon dioksida (
) pada keping silikon adalah pengertian
dasar dalam teknologi planar. Kendali yang presisi akan ketebalan oksida dan pengertian
akan kinetika proses oksidasi adalah sangat penting dalam pembuatan peralatan planar
elektronik. Di samping itu fenomena yang terjadi di dalam proses oksidasi berperanan
penting dan menentukan karakteristik listrik dari peralatan silikon planar. Lapisan silikon
dioksida pada silikon dapat dilakukan dalam berbagai cara, misalnya reaksi fase gas, oksidasi
kimia-elektronik, atau reaksi plasma. Dalam industri pelapisan silikon dioksida dilakukan
dengan oksidasi termis silikon dan reaksi kimia,
Oksidasi termis silikon dilakukan dalam reaktor seperti ditunjukkan dalam Gambar 2.1.
oksida dan membentuk lapisan oksida baru. Jadi ada tiga langkah yang harus dilewati
molekul oksidator untuk mencapai atom silikon. Mula-mula molekul oksidator bergerak dari
suasana gas ke permukaan oksida yang telah terbentuk. Selanjutnya molekul oksidator
bergerak melewati lapisan silikon oksida menuju ke permukaan silikon. Akhirnya molekul
oksidator bereaksi dengan silikon membentuk lapisan oksida baru. Hal ini dimodelkan
Gambar 2.2. model konsentrasi oksigen dalam oksidasi termis silikon dengan tiga flux
dan .
Ada tiga flux aliran oksidator yang terkait dengan tiga langkah tersebut di atas, dan ketiga
flux itu adalah sama besar setelah mencapai keadaan tunak. Aliran oksigen dari badan gas
ke arah permukaan oksida disebut
dan sebanding dengan beda konsentrasi oksidator di
badan gas dengan
dengan konsentrasi oksidator di permukaan oksida
:
(
( 2.3 )
dan
(
dengan
( 2.4 )
dengan D adalah koefisien difusi (difusifitas) dari oksidator di dalam lapisan oksida.
Selanjutnya kecepatan reaksi antara oksidator dengan siliko pada bidang batas oksida
siliko yaitu:
( 2.6 )
dengan
( 2.7 )
Ada dua keadaan limit dari Persamaan ( 2.7 ) dan ( 2.8 ), ketika difusifitas sangat kecil maka
dan
. ini disebut kontrol difusifitas besar
, maka
( 2.9 )
Hal ini disebut kontrol reaksi. Kedua keadaan limit tersebut digambarkan pada Gambar 2.3.
Gambar 2.3. Distribusi oksigen di dalam lapisan oksida pada dua keadaan limit oksidasi.
Untuk menghitung kecepatan tumbuh lapisan oksida, perlu diketahui banyak molekul
oksidator di dalam satu satuan volume oksida,
.
Ada 2,2 X 1022 molekul
di dalam oksida. Sesuai dengan reaksi yang ditunjukkan
pada Persamaan ( 2.1 ) dan ( 2.2 ) , diperlukan satu molekul
untuk setiap molekul
,
dan dua molekul
untuk setiap molekul
.
15