BAB I

PERTUMBUHAN KRISTAL DAN EPITAKSI

Bahan semikonduktor yang terpenting untuk bahan piranti semikonduktor adalah silikon
(Si), germanium (Ge) dan galium arsenida (GaAs). Teknik umum untuk pertumbuhan kristal
tunggal dari leburannya misalnya teknik Czochralski. Macam lain pertumbuhan kristal
adalah epitaksi, pertumbuhan lapisan kristal tunggal semikonduktor diatas substrat kristal
tunggal. Bila kristal tunggal yang ditumbuhkan sama dengan kristal tunggal substrat,
pertumbuhan ini disebut homoepitaksi atau epitaksi. Sebagai contoh epitaksi adalah
pertumbuhan lapisan tipis silikon tipe n diatas substrat kristal silikon tipe p. Kalau kristal
lapisan epitaksial berbeda dengan substrat kristalnya, ini disebut heteroepitaksi, misalnya
pertumbuhan kristal
1.1.

diatas substrat kristal GaAs.

Pertumbuhan kristal silikon dari leburan

Bahan awal untuk silikon adalah pasir kuarsa (

), pasir ini masih tercampur dengan

bermacam karbon dipanaskan di dalam tanur tinggi. Sejumlah reaksi terjadi dalam tanur.
Reaksi kimia umumnya adalah:
(

( 1.1 )

Proses ini menghasilkan metalurgi silicon (Metalurgical-Grade Silicon, MGS) dengan tingkat
kemurnian silikon sekitar 98%. Selanjutnya silikon dijadikan serbuk dan diberi gas hidrogen
klorida (HCl) pada temperatur 3000C;
(

( 1.2 )

) berbentuk cairan pada temperatur kamar (titik didihnya 320C). Gas

Trichlorosilan (

Trichlorosilan dimurnikan, dicampur dengan gas hidrogen (

(

) dengan reaksi kimia:

)

( 1.3 )

Hasil reaksi adalah elektronik silikon (Electronic-Grade Silicon, EGS). EGS berbentuk padatan
polikrislatin silikon dengan kemurnian tinggi, dan merupakan bahan dasar untuk peralatan
elektronik kristal tunggal. Metoda umum yang dipakai dalam pembuatan kristal tunggal
silikon adalah metoda Czochralski, ( Gambar 1.1 ). Polikristalin Silikon ( EGS ) diletakkan
dalam crusibel dan dipanaskan pada temperatur diatas titik lebur (

) sehingga

semua kristal melebur.

1

GAMBAR
Suatu kristal benih dengan orientasi tertentu, misalnya < 111 > dilekatkan pada pemegang
benih. Benih kristal dimasukkan ke dalam leburan. Sebagian dari benih akan melebur tetapi
ujung kristal benih tetap menyentuh permukaan cairan. Selanjutnya kristal benih ditarik
keatas perlahan-lahan dengan putaran. Pembekuan yang berkelanjutan pada antarmuka
padat-cair menghasilkan kristal tunggal yang besar. Umumnya kecepatan penarikan
beberapa milimeter permenit. Untuk menghasilkan bongkah kristal silikon dengan diameter
yang besar ( sekitar 35cm ) diperlukan medan magnet luar pada dasar penarik Czochralski.
Pada pertumbuhan kristal tunggal silikon sejumlah dopan perlu ditambahkan. Dopan yang
sering diberikan pada silikon adalah boron atau fosfor untuk menghasilkan silikon tipe p
atau n. Silikon ini disebut silikon ekstrinsik. Bila jumlah boron dan fosfor sama, silikon
disebut silikon intrinsik. Jadi silikon intrinsik tidak selalu berarti silikon murni tanpa dopan.
Ketika kristal ditarik dari leburan, dopan tertolak keluar dari kristal, masuk ke leburan.
Perbandingan konsentrasi dopan kristal

dengan dopan dalam leburan ( cairan ) di sekitar

antarmuka disebut koefisien kesetimbangan seqregasi

( 1.4 )
Konsentrasi dopan disini dalam massa dopan per-gram bahan. Perhatikan suatu kristal
ditumbuhkan dari leburan yang mempunyai massa awal
leburan

dengan konsentrasi awal dalam

(massa dopan per-gram leburan). Bila massa kristal mencapai M, massa dopan

dalam leburan S. Untuk pertambahan massa kristal di M, menyebabkan pengurangan massa

dopan (

) dalam leburan adalah

, maka
( 1.5 )

Sisa massa leburan adalah

, dan konsentrasi dopan dalam leburan (dalam massa) Cl

dan
( 1.6 )
Kombinasi Persamaan ( 1.5 ), ( 1.6 ) dengan ( 1.4 ) diperoleh:

Integrasi Persamaan ( 1.7 ), dan massa awal dopan

( 1.7 )
, didapat:

( 1.8 )

dan

(1.9)

Contoh soal 1.1.

Bongkah kristal silikon dengan 1016 atom boron/cm3 ingin ditumbuhkan dengan metoda
Czochralski. Massa awal silikon dalam krusibel 60 Kg, kecepatan massa leburan silikon
2.53 gr/cm3, dan koefisien kesetimbangan segregasi boron dalam silikon

= 0.8. Berapa

gram boron ( 10.8 ) harus ditambahkan dalam leburan silikon?

Penyelesaian
Kita anggap selama pertumbuhan kristal

, jadi konsentrasi awal boron di dalam

leburan silikon,

Karena konsentrasi boron terlalu kecil, volume leburan dan silikon dapat dihitung dari massa
silikon. Volume 60 Kg silikon adalah:

Banyak atom boron dalam leburan adalah 1.25 x 1016 atom/cm3 x 2.37 x 104cm3=2.96 x 1020
atom boron. Jadi banyak boron yang harus ditambahkan:

Pada pertumbuhan kristal dopan selalu ditolak ke leburan (

). Bila kecepatan

penolakan dopan lebih besar dari kecepatan difusi dopan ke leburan gradien konsentrai
dopan pada daerah antarmuka merupakan fungsi jarak,
gambar 1.2. perbandingan antara
disebut koefisien segregasi efektif

( ) seperti ditunjukkan pada

dengan konsentrasi dopan jauh dari daerah antarmuka

, sehingga:
( 1.10 )

Gambar 2. Distribusi dopan didaerah antarmuka leburan

sementara

( )
Perhatikan lapisan leburan setebal S ( untuk sesaat anggap tidak ada gerakan ), maka
konsentrasi dopan dapat diterangkan dengan persamaan kontinuitas(1) :
( 1.11 )
Dengan

adalahkecepatan pertumbuhan kristal, D adalah koefisien difusi dopan didalam

leburan, dan C adalah konsentrasi dopan dalam leburan. Penyelesaian Persamaan ( 1.11 )
adalah

( )
Dengan

dan

( 1.12 )

adalah konstanta yang harus ditentukan dari syarat batas.

Syarat batas pertama adalah

( ). Syarat batas kedua adalah konservasi

jumlah total dopan yaitu total flux dopan pada antarmuka adalah nol. Anggap difusi dopan
hanya terjadi dalam leburan, tidak ada difusi dopan pada kristal, maka

( )

[ ( )

( 1.13 )
5

Substitusi kedua syarat batas ini ke Persamaan (1.12), dan perhatian (

, maka
( 1.14 )

( )

Jadi

( 1.15 )

Dan distribusi dopan didalam kristal, Persamaan ( 1.9 ) menjadi

(
Nilai
(

lebih besar dari pada

, dan

1, untuk

( 1.16 )
besar. Distribusi seragam dopan

1 ) di dalam kristal dapat dicapai dengan memberikan kecepatan putaran yang

rendah.

berbanding terbalik dengan kecepatan putaran. Cara lain untuk mendapatkan

dopan yang terdistribusi seragam adalah penambahan polikristalin silikon kemurnian tinggi
secara terus menerus ke dalam leburan silikon sehingga konsentrasi dopan awal dapat
dijaga.

1.2.

Pertumbuhan Epitaksial Kristal Silikon

Proses epitaksial adalah proses pertumbuhan lapisan tipis kristal tunggal semikonduktor
diatas substrat semikonduktor. Umumnya jenis dopan lapisan tipis semikonduktor berlainan
dengan dopan substratnya. Salah satu teknik terkenal adalah epitaksi fase uap ( vapor phase
epitaxy, VPE ). Lapisan epitaksi dapat ditumbuhkan pada temperatur 30-50% lebih rendah
dari pada titik leburnya. VPE yang umum dipakai adalah deposisi uap kimiawi ( chemicalvapor deposition, CVD ). CVD adalah proses dimana lapisan epitaksi terbentuk karena reaksi
kimia diantara gas-gas pembentuknya. Pada Gambar 1.3 ditunjukkan 3 macam susceptor
yang umum dipakai untuk pertumbuhan epitaksial. Bentuk geometri suspector menjadikan
nama reaktornya: horisontal, pancake, dan susceptor barrel, semuanya terbuat dari graphit.
Susceptor dalam reaktor epitaksial adalah seperti krusibel dalam dapur pertumbuhan
kristal.

Gambar 1.3. Tiga macam susceptor pada CVD: a. Horisontal, b. Pancake, dan c. Susceptor
barrel
Susceptor tersebut tempat letak substrat wafer, sekaligus sebagai sumber panas untuk
terjadinya reaksi kimia. Panas dari susceptor didapat dari induksi radio frekuensi. Beberapa
mekanisme terjadi dalam CVD yaitu:
a. Reaktan atau gas-gas dan dopan dimasukkan ke daerah substrat
b. Mereka mencapai permukaan substrat dan diadsorb permukaan
c. Terjadi reaksi kimia pada permukaan, diikuti dengan pertumbuhan lapisan epitaksial
d. Gas-gas hasil dibuang keluar reaktor
Silikon tetrachlorida umum dipakai dalam industri. Tipikal temperatur reaksi adalah 1200 0C.
Reaksi kimia yang menumbuhkan lapisan kristal silikon adalah:
(gas)

(padat) +

(gas)

(gas)

( 1.17 )

Reaksi ini adalah reaksi bolak-balik, dapat terjadi ke arah kanan atau kiri.
Disamping reaksi pada Persamaan ( 1.17 ), secara bersamaan terjadi reaksi:
(

( 1.18 )

Hasilnya, bila konsentrasi

terlalu tinggi, maka terjadi etsa, yaitu substrat siliko terkikis
dan substrat menjadi lebih tipis. Disini konsentrasi gas diberikan dalam fraksi molar. Fraksi
molar didefinisikan sebagai perbandingan banyak molekul gas tersebut dengan jumlah
7

total molekul gas semua. Seperti ditunjukkan dalam Gambar 1.4 pada mulanya laju deposisi
lapisan kristal silikon bertambah dengan kenaikan konsentrasi silikon tetra klorida.
Kecepatan tumbuh kristal mencapai maksimum ketika fraksi molar
,
mencapai
sekitar 0,1. Kenaikan konsentrasi
lebih lanjut menurunkan kecepatan tumbuh kristal
silikon, dan konsentrasi
yang tinggi menyebabkan etsa pada substrat silikon. Lapisan
kristal silikon biasanya ditumbuhkan pada daerah konsentrasi rendah, sekitar Y=0,01 seperti
ditunjukkan pada Gambar 1.4. Pada konsentrasi ini kecepatan tumbuh silikon sekitar
1 /menit.

Gambar 1.4. Efek konsentrasi

pada kecepatan pertumbuhan kristal dalam deposisi

silikon(2)

Pada daerah konsentrasi rendah ini, kecepatan tumbuh kristal

fraksi molar dari
.

bergantung linier dengan

Kinetika dari Pertumbuhan(2)

Kinetika dari pertumbuhan kristal silikon didasarkan pada suatu model yang sederhana
seperti ditunjukkan pada Gambar 1.5. Disini ditunjukkan distribusi silikon tetra chlorida
dalam gas. Konsentrasi
,
pada gas dan turun menjadi
pada permukaan lapisan
kristal yang sedang tumbuh. Ada aliran
menuju ke permukaan lapisan, fluk
, dan
aliran
yang terurai menjadi
pada permukaan yang sedang tumbuh, dan disebut fluk
. Fluk didefinisikan sebagai jumlah atom atau molekul yang lewat suatu permukaan per
satuan luas per satuan waktu.

Gambar 1.3. Model Sederhana dari proses pertumbuhan epitaksial kristal(2)

Bila konsentrasi
fluk :

adalah

didalam gas, dan

(

pada permukaan lapisan, maka

( 1.19 )

dengan
adalah koefisien transfer massa fase gas. Sedangkan fluk
kimia terjadi pada permukaan yang tumbuh adalah
:

yang bereaksi

( 1.20 )
dengan

adalah konsentrasi kecepatan reaksi kimia permukaan.

Pada keadaan tunak,

, dan penyelesaian Persamaan ( 1.19 ) dengan ( 1.20 )
diperoleh konsentrasi permukaan dari siliko tetra chlorida pada antarmuka gas-kristal:
( 1.21 )

Untuk

jauh lebih kecil dari

transfer massa. Sebaliknya, untuk

menujnu nol, dan keadaan ini disebut sebagai kontrol

jauh lebih besar dari

, dan keadaan ini

disebut kontrol reaksi permukaan.

Dari ketiga persamaan di atas diperoleh kecepatan tumbuh lapisan siliko sebagai:
( 1.22 )
Dengan

adalah jumlah atom silikon per satuan volume di dalam lapisan kristal silikon.

silikon adalah 5.0 X 1022 cm-3 . konsentrasi gas

, dengan

adalah konsentrasi

gas total, maka

9

( 1.23 )
Dari persamaan ( 1.23 ) dapat disimpulkan dua hal. Pertama kecepatan pertumbuhan
lapisan kristal seimbang dengan , untuk kecil. Ini sesuai dengan banyak hasil penelitian.
Kedua terkait dengan dua keadaan limit yaitu
atau
kecil yang menimbulkan kontrol
transfer massa dan kontrol reaksi permukaan. Dua keadaan limit ini membuat
Persamaan ( 1.5 ) menjadi:
( 1.24 )
pada daerah kontrol transfer massa, dan
( 1.25 )
pada daerah kontrol reaksi permukaan.
Model ini adalah menyederhanakan persoalan. Sekalipun demikian model ini dapat
meramalkan banyak hal yang terjadi dalam penelitian. Model menjelaskan adanya dua
daerah proses pertumbuhan yaitu kontrol transfer massa dan kontrol reaksi permukaan.
Demikian juga nilai-nilai konstanta kecepatan reaksi kimia permukaan
, dan koefisien
transfer massa fase gas HG dapat diperoleh cukup baik dalam besaran order.
Pada Persamaan ( 1.19 ), fluk atau atom molekul gas ke permukaan lapisan kristal
dinyatakan dengan
(
). Selanjutnya akan dicari komponen-komponen yang
menentukan koefisien
. Untuk ini diperkenalkan model lapisan batas(2).
Perhatikan suatu fluida yang mengalir sejajar dengan keping data yang panjangnya

. Jauh

dari keping datar kecepatan fluida adalah seperti ditunjukkan pada Gambar 1.6. Tepat
pada permukaan keping datar kecepatan fluida adalah NOL. Ini disebabkan gesekan terjadi
antara fluida dan keping datar. Besarnya gaya gesek per satuan luas pada fluida adalah
( 1.26 )
Dengan adalah viskositas fluida. Bentuk imaginer kekuatan digambarkan dengan empat
kurva yang menggambarkan kecepatan fluida di bawah pengaruh gaya gesek adalah u.
Ditepi keping pengaruh gesekan masih berjangkauan pendek yang kian meninggi ketika
fluida mengalir lebih lanjut sehingga dicapai kecepatan u = 0,99v. Kurva yang
menghubungkan titik-titik dimana pengaruh gesekan mulai tidak ada adalah
keping datar ke kurva ini disebut lapisan batas.

( ). Jarak

10

Gambar 1.6. Pengembangan lapisan batas dari fluida yang mengalir paralel dengan keping
datar(2).
Perhatikan sekeping fluida imaginer dengan tebal
, gaya gesek yang bekerja padanya:

, Tinggi

( ) dan lebar keping datar

( 1.27 )
Percepatan yang dialami elemen fluida ini:

Massa Elemen fluida adalah

( )

, dengan

adalah kecepatan massa fluida.

Dengan Persamaan ( 1.26 ), Persamaan ( 1.27 ) menjadi:

( )
atau

( )
Bila

( )

( 1.28 )

, maka Persamaan ( 1.28 ) menjadi:

( )

( )

( 1.29 )

Sehingga tebal lapisan batas:

( )

( 1.30 )

Tebal rata-rata lapisan batas untuk seluruh keping datar sepanjang L:

( )

atau
11

( 1.31 )

Bilangan Reynold, merupakan perbandingan atara besarnya efek inersia dengan efek
kekentalan dalam aliran fluida yaitu:
( 1.32 )
Dari sini didapatkan koefisien transfer massa fase gas:

Dengan

( 1.33 )

adalah difusifitas atau koefisien difusi gas aktif di dalam campuran gasnya.

12

BAB II
Oksidasi Termis
Pertumbuhanlapisan tipis silikon dioksida (
) pada keping silikon adalah pengertian
dasar dalam teknologi planar. Kendali yang presisi akan ketebalan oksida dan pengertian
akan kinetika proses oksidasi adalah sangat penting dalam pembuatan peralatan planar
elektronik. Di samping itu fenomena yang terjadi di dalam proses oksidasi berperanan
penting dan menentukan karakteristik listrik dari peralatan silikon planar. Lapisan silikon
dioksida pada silikon dapat dilakukan dalam berbagai cara, misalnya reaksi fase gas, oksidasi
kimia-elektronik, atau reaksi plasma. Dalam industri pelapisan silikon dioksida dilakukan
dengan oksidasi termis silikon dan reaksi kimia,

Oksidasi termis silikon dilakukan dalam reaktor seperti ditunjukkan dalam Gambar 2.1.

Gambar 2.1. Skema melintang tanur oksidasi dengan tabung quartz

Reaktor berupa silinder quartz yang dipanaskan dengan kawat pemanas listrik. Di dalam
tabung diisikan keping-keping siliko yang dipasang berdiri, berjajar, dan dipanaskan dengan
tahanan listrik hingga temperatur 900 0C sampai 1200 0C. Gas oksidator dialirkan ke dalam
tabung dan mengenai keping silikon. Kecepatan aliran, tempo aliran, dan komposisi gas
dikontrol dengan cermat. Tipikal kecepatan adalah aliran dengan bilangan Reynold
Re 10 20. Ada dua macam proses oksidasi yang umum dikenal. Pertama, oksidasi kering
dengan mengalirkan gas oksigen menurut reaksi:
( 2.1 )
Kecepatan pertumbuhan
lambat, lapisan oksida uniform, hampir bebas dari cacat kisi.
Proses ini dipakai pada pembuatan lapisan tipis dielektrik di pembuatan MOSFET. Kedua,
oksidasi basah dengan mengalirkan gas
dengan reaksi:
( 2.2 )
Kecepatan pertumbuhan
cepat, dan banyak digunakan untuk lapisan isolator, dan
applikasi pelindung. Jadi pada proses oksidasi ini sejumlah silikon bereaksi dengan okigen
dan menghasilkan silikon oksida. Dari kepadatan dan berat molekul silikon dan silikon
dioksida dapat dihitung pertumbuhan lapisan silikon dioksida setebal
memerlukan
lapisan silikon setebal 0.44 .
Kinetika Pertumbuhan Oksida
Oksida silikon terjadi dengan bergeraknya molekul oksidator (
atau
) melewati
lapisan oksida yang sudah terbentuk kemudian bereaksi dengan silikon di belakang lapisan
13

oksida dan membentuk lapisan oksida baru. Jadi ada tiga langkah yang harus dilewati
molekul oksidator untuk mencapai atom silikon. Mula-mula molekul oksidator bergerak dari
suasana gas ke permukaan oksida yang telah terbentuk. Selanjutnya molekul oksidator
bergerak melewati lapisan silikon oksida menuju ke permukaan silikon. Akhirnya molekul
oksidator bereaksi dengan silikon membentuk lapisan oksida baru. Hal ini dimodelkan

Gambar 2.2. model konsentrasi oksigen dalam oksidasi termis silikon dengan tiga flux
dan .

Ada tiga flux aliran oksidator yang terkait dengan tiga langkah tersebut di atas, dan ketiga
flux itu adalah sama besar setelah mencapai keadaan tunak. Aliran oksigen dari badan gas
ke arah permukaan oksida disebut
dan sebanding dengan beda konsentrasi oksidator di
badan gas dengan
dengan konsentrasi oksidator di permukaan oksida
:
(

( 2.3 )

adalah koefisien transfer massa. Menurut hukum

Henry, konsentrasi atom atau molekul di dalam benda padat sebanding dengan tekanan
parsial gas atom atau molekul tersebut pada permukaan benda padat. Jadi bila
adalah
Ini seperti pada Persamaan ( 1.19 ) dengan

konsentrasi atom/molekul tepat di sebelah dalam oksida, maka

,
dengan adalah konstanta Henry, dan
adalah tekanan parsial gas tersebut tepat
0
di luar oksida. Pada 1000 C dan tekanan 1 atm, konsentrasi
molekul
3
3
oksigen/cm dan
molekul air/cm . Bila
adalah konsentrasi yang
dalam keseimbangan dengan tekanan parsial gas jauh dari permukaan oksida, maka
. Dari hukum gas ideal:

dan
(

dengan

, Persamaan ( 2.3 ) menjadi:

)

( 2.4 )

adalah koefisien transfer massa fase gas. Selanjutnya aliran oksidator

melewati oksida yang sudah terbentuk setebal

, maka flux difusi yaitu:

( 2.5 )

dengan D adalah koefisien difusi (difusifitas) dari oksidator di dalam lapisan oksida.
Selanjutnya kecepatan reaksi antara oksidator dengan siliko pada bidang batas oksida
siliko yaitu:
( 2.6 )
dengan

adalah konstanta kecepatan reaksi kimia permukaan pada oksidasi.

Dalam keadaan tunak,

, dan dari hasil perhitungan diperoleh konsentrasi
oksidator pada antarmuka oksida silikon:
14

( 2.7 )

Ada dua keadaan limit dari Persamaan ( 2.7 ) dan ( 2.8 ), ketika difusifitas sangat kecil maka
dan
. ini disebut kontrol difusifitas besar
, maka

( 2.9 )

Hal ini disebut kontrol reaksi. Kedua keadaan limit tersebut digambarkan pada Gambar 2.3.

Gambar 2.3. Distribusi oksigen di dalam lapisan oksida pada dua keadaan limit oksidasi.

Untuk menghitung kecepatan tumbuh lapisan oksida, perlu diketahui banyak molekul
oksidator di dalam satu satuan volume oksida,
.
Ada 2,2 X 1022 molekul
di dalam oksida. Sesuai dengan reaksi yang ditunjukkan
pada Persamaan ( 2.1 ) dan ( 2.2 ) , diperlukan satu molekul
untuk setiap molekul
,
dan dua molekul
untuk setiap molekul
.

15