Jelajahi eBook
Kategori
Jelajahi Buku audio
Kategori
Jelajahi Majalah
Kategori
Jelajahi Dokumen
Kategori
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA
PERCOBAAN 4
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
NAMA
NIM
140533602319
TGL.PRAKTIKUM
04 NOVEMBER 2014
FAKULTAS TEKNIK
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
PRODI S1 PENDIDIKAN TEKNIK INFORMATIKA
UNIVERSITAS NEGERI MALANG
PERCOBAAN 4
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
A. TUJUAN
Agar mahasiswa mengetahui sifat dan karakteristik transistor
1 buah
AVOmeter Analog
1 buah
Transistor TIP 41
1buah
Power Supply
1 buah
1 buah
1 buah
Potensiometer 50K
1 buah
Kabel jumper
Secukupnya
C. DASAR TEORI
1.
Pengertian Transistor
Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 3 kaki
elektroda, yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul) dan Emitor (Pemancar). Komponen ini
berfungsi sebagai penguat, pemutus dan penyambung (switching), stabilitasi tegangan,
modulasi sinyal dan masih banyak lagi fungsi lainnya. Selain itu, transistor juga dapat
digunakan sebagai kran listrik sehingga dapat mengalirkan listrik dengan sangat akurat dan
sumber listriknya.
Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik
modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian
analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio.
Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi.
Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic
gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
2.
Jenis-jenis transistor
Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan
lain-lain
Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET,
MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated
Circuit) dan lain-lain.
3.
Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain.
Fungsi Transistor
Fungsi Transistor sangat berpengaruh besar di dalam kinerja rangkaian
Jika kita lihat dari susuan semi konduktor, Transistor dibedakan lagi menjadi 2
bagian, yaitu Transistor PNP dan Transistor NPN. Untuk dapat membedakan kedua jenis
tersebut, dapat kita lihat dari bentuk arah panah yang terdapat pada kaki emitornya. Pada
transistor PNP arah panah akan mengarah ke dalam, sedangkan pada transistor NPN arah
panahnya akan mengarah ke luar.
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Sebelum membahas karakteristik dan daerah kerja Transistor, perlu disepakati terlebih
dahulu beberapa simbol tegangan yang terdapat pada Transistor. Rangkaian Transistor
memiliki tiga tipe tegangan. Ketiga tipe tegangan itu adalah:
: VB, Vc dan VE
Karakteristik yang paling penting dari Transistor adalah grafik Dioda KolektorEmiter, yang biasa dikenal dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I Curve). Kurva ini
menggambarkan arus Kolektor, IC, dengan tegangan lintas persambungan Kolektor Emiter,
VCE, dimana harga-harga tersebut diukur dengan arus Basis, IB, yang berbeda-beda. Rangkaian
yang digunakan untuk mendapatkan kurva tampak pada gambar di bawah ini.
Daerah Potong:
Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan
elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau
disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).
Daerah Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju.
Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung
kepada arus Basis, IB, dan dc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi komponen
yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus
diberi prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu tegangan yang
menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.
Daerah Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur.
Terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana:
IE = IC + IB
dc
IC
,
IB
atau
IC = dc IB
dan
dc
IC
,
IB
atau
IC = dc IE
sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya. Transistor menjadi komponen yang
dapat dikendalikan.
Daerah Breakdown
Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-nya,
BVCEO (tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis
adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan.
Transistor dapat mengalami kerusakan.
IC
VCC VCE
RC
IC
VCC
RC
Dari kedua titik tersebut, jika saling dihubungkan, akan didapat Garis Beban sebagaimana
tampak pada gambar garis beban dan titik operasi transistor di bawah. Pada gambar tersebut,
bahwa Garis Beban akan memotong salah satu titik dari IB pada daerah aktif. Titik potong
inilah yang merupakan Titik Operasi (operating point) dari Transistor.
Operating Point
Cut off
Berikut ini akan digambarkan contoh tahapan perhitungan untuk dapat mengetahui
daerah kerja sebuah rangkaian Transistor. Dimana sebuah rangkaian transistor tampak pada
Gambar 9.6 di bawah ini, dimana RB = 200 Kohm, RC = 3 Kohm, VBB = 5 volt dan VCC = 10
volt. Diketahui bahwa VBE adalah 0.7 volt dan = 100.
RC
3.0k
Q
RB
VCC
10 V
200k
2N1711
VBB
5V
Rangkaian Transistor
Maka, tahapan pertama adalah menurunkan persamaan-persamaan pada masingmasing lup, yaitu persamaan pada lup Emiter dan lup Kolektor. Persamaan Lup Emiter
adalah:
V BB I B R B V BE 0
I B R B V BB V BE
IB
V BB V BE
RB
sehingga:
IB
5 0.7
0.0215 mA
200K
VCC I C RC VCE 0
I C RC VCC VCE
IC
VCC VCE
RC
Kemudian, dari persamaan di atas ini, dapat dibuatkan persamaan Garis Beban, dimana:
dan
VCC
10
3.33 mA
RC
3K
Setelah itu, jika diasumsikan bahwa rangkaian berada pada daerah aktif, maka:
IC = IB = 100 * 0.0215 = 2.15 mA,
dan
VCE = VCC IC RC = 10 2.15*3K = 3.55 volt
Dari harga-harga diatas, karena IC < IC
sat,
breakdown maka dapat disimpulkan bahwa rangkaian transistor ini bekerja pada daerah aktif,
dengan IB = 0.0215 mA, IC = 2.15 mA dan VCE = 3.55 volt. Sehingga dapat digambarkan garis
bebannya seperti pada gambar di bawah ini.
IC
Titik Potong
3.55 volt
VCE cut-off
10 volt
Garis Beban
VCE
D. LANGKAH KERJA
E. HASIL PERCOBAAN
Tabel Hasil percobaan
No.
Vcc
Vbb
BD 139
IB (mA)
VbE (V)
IC (mA)
VCE (V)
0,1V
50,761 mA
832,714 mV
119,463 mA
53,709 mV
0,2 V
14,948 mA
785,011 mV
119,422 mA
57,755 mV
0,3 V
8,654 mA
772,811 mV
119,352 mA
64,783 mV
0,4 V
6,01
mA
766,757 mV
119,285 mA
71,461 mV
0,5 V
4,533
mA
763,018 mV
119,221 mA
77,914 mV
0,6 V
3,564
mA
760,394 mV
119,155 mA
84,489 mV
0,7 V
2,846
mA
758,344 mV
119,082 mA
91,8
0,8 V
2,239
mA
756,534 mV
118,987 mA
101,327 mV
0,9 V
1,613
mA
754,58 mV
118,804 mA
119,598 mV
10
1V
692,335 mA
736,133 mV
82,145 mA
3,785 V
11
0V
-1,059 pA
1,2 mV
0A
12 V
12 V
mV
Grafik Hasil
Ic
119
Vce
12
H. DAFTAR RUJUKAN
Wikipedia.2014.Transistor.(Online)
(id.m.wikipedia.org/wiki/Transistor) (diakses 15 November 2014)
Elektronika.2014. Karakteristik Transistor.(Online)
(elektronika-dasar.web.id/teori-elektronika-/karakteristik-transistor/)
(diakses 15 November 2014)