Anda di halaman 1dari 9

MODUL 4

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

A. TUJUAN
1. Menentukan

nilai

membuat

garis

beban,

dan

menentukan titik Q
2. Menganalisis rangkaian AC dan DC
B. TEORI
Transistor berasal dari kata transfer resistor. Piranti
elektronik jenis ini dikembangkan oleh Berdeen , Schokley
dan Brittam pada tahun 1948 di perusahaan elektronik Bell
Telephone Laboratories. Penamaan ini berdasarkan pada
prinsip kerjanya yakni mentransfer atau memindahkan
arus. Transistor merupakan komponen aktif dan dibuat dari
bahan semi konduktor, yang menggunakan aliran electron
sebagai

prinsip

kerjanya

didalam

bahan

Transistor

merupakan pengembangan dari Tabung Hampa (Vacuum


Tube). Fungsi utama dari sebuah transistor adalah penguat
sinyal dan sebagai saklar elektronik, mixer (pencampur)
yaitu pencampur sinyal yang ditangkap oleh penala dan
frekuensi yang dihasilkan oleh oscillator, yang terdapat
pada televisi dan radio fm. Sebuah transistor memiliki tiga
daerah doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan
daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu NPN
dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara
emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis.
Karena itu, sebuah transistor seperti dua buah dioda yang
saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis, atau
disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-basis,
atau disingkat dengan dioda kolektor, Bagian emitter-basis
dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda

emitter-basis dibias maju maka kita mengharapkan akan


melihat grafik arus terhadap tegangan dioda biasa. Saat
tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial
barriernya,

maka

arus

basis

(Ib)

akan

kecil.

Ketika

tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis


(Ib) akan naik secara cepat.
Transistor merupakan suatu piranti semikonduktor
yang memiliki sifat khusus. Secara ekuivalensi transistor
dapat dibandingkan dengan dua dioda yang dihubungkan
dengan suatu konfigurasi. Walaupun sifat-sifat transistor
tersebut tidak sama dengan dioda tersebut. Transistor ada
yang UNIPOLAR (misal: FET), ada yang BIPOLAR (misal: PNP
dan NPN). Pada dasarnya transistor bekerja berdasarkan
prinsip pengendalian arus kolektor dengan menggunakan
arus basis.
Terdapat

tiga

arus

yang

berbeda

pada

sebuah

transistor, yaitu arus emitter (IE), arus basis (IB), serta arus
kolektor (IC).

(Gambar
skematik

transistor

NPN dan

transistor

PNP)
Karena

emitter

adalah

sumber

electron,

emitter

memiliki arus yang terbesar. Karena sebagian besar


electron emitter mengalir ke kolektor, arus kolektor hampir
sebesar arus emitter. Arus basis sangat kecil sebagai
perbandingan, seringkali kurang dari 1 persen dari arus
kolektor.

Hukum arus Kirchoff mengatakan bahwa jumlah semua


arus yang masuk ke suatu titik atau sambungan sama
dengan jumlah semua arus yang keluar dari titik atau
sambungan itu. Jika diterapkan pada transistor, hukum
arus kirchoff memberikan kita suatu hubungan, yaitu:
IE = IC + IB
Persamaan tersebut mengatakan bahwa arus emitter
adalah jumlah dari arus kolektor dan arus basis. Karena
arus basis sangat kecil, arus kolektor kira-kira sama
dengan arus emitter:
IC IE
Dan besar arus basis jauh lebih kecil daripada arus
kolektor:
IB IC
Dengan kata lain arus basis mengalami penguatan
hingga menjadi sebesar arus kolektor. Penguatan ini
bergantung dari faktor penguatan dari masing-masing
transistor ( dan ). dc didefinisikan sebagai arus kolektor
dc dibagi arus emitter dc. Karena arus kolektor hampir
sama dengan arus emitter, alpha dc sedikit daripada 1.
Sedangkan dc didefinisikan sebagai rasio arus kolektor dc
dengan arus basis dc. Betha dc juga dikenal sebagai gain
arus karena arus basis yang kecil dapat menghasilkan arus
kolektor yang jauh lebih besar.
Transistor sebagai penguat adalah Common Base (CB),
Common Emitor (CE), dan Common Connector (CC). Sifat
dari transistor yang akan saturasi pada nilai tegangan
tertentu antara basis dan emitor menjadikan transistor
dapat berfungsi sebagai saklar elektronik. Nilai penguatan
arus dari transistor dapat dinaikkan dengan menggunakan
konfigurasi Darlington.

Karakteristik Transistor pada rangkaian logika


- Jika Basis mendapat arus, terjadi aliran arus dari Kolektor ke

Emitor (pada transistor NPN) atau dari Emitor ke Kolektor (pada


transistor PNP). Pada saat ini, transistor berada dalam keadaan
saturasi.
- Jika Basis tidak mendapat arus, diasumsikan bahwa hubungan
antara Kolektor dan Emitor terputus. Dalam keadaan ini,
transistor berada dalam keadaan cut off.

Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting.


Terdapat dua jenis
transistor berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar
dan unipolar. Dalam
hal ini akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri atas
dua jenis, bergantung
susunan bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol
hubungan antara arus dan
tegangan dalam transistor
IE=IC + IB
VCE = -VBC + VBE
IE=IC +IB
VEC = VEB - VCB

Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik rangkaian


dengan
konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan ground),
seperti ditunjukkan

C. KOMPONEN
1. Transistor
2. Resistor

BC 108
3,6 k
3 k

1
1
1

2,2 k
1 k
600
300
10 k
1 k
0,1 F
1 F

3. Potensiometer
4. Kapasitor

1
1
1
1
2
1
2
1

D. PROSEDUR PERCOBAAN
1. Menentukan nilai
a. Susun rangkaian seperti pada gambar 4.1
b. Atur Rvar agar Vi bervariasi dari o-12 volt dengan
interval kenaikan sebesar 1 volt
c. Catatlah Vi, VBE, dan VCE
2. Menentukan garis beban dan titik Q
a. Susun rangkaian seperti gambar 4.2
b. Ukur tegangan VCE

VCC
12V
R1
10k
R3
R2

1k
50%
Key=A
100k

Q1

2N3904

Gambar 4.1
Gambar 4.2
Rangkaian Transistor Sederhana
Rangkaian
Menentukan

Titik

Beban
3. Analisis rangkaian DC
a. Dari gambar 4.3, susunlah rangkaian ekuivalen DC

b. Ukurlah tegangan VA, VBE, VC, dan VE


4. Analisis rangkaian AC
a. Dari gambar 4.3, susunlah rangkaian ekuivalen AC
b. Berikan input SG sebesar 10 mVPP
c. Dengan
menggunakan
osiloskop,
ukur
dan
gambarkan bentuk tegangan VA, VBE, VC, dan VE

Gambar 4.3
Rangkaian Common Emitor

TUGAS PENDAHULUAN
1.

VCC
12V
R1
10k
R3
R2
1k
50%
Key=A
100k

Vi
1V
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12

Q1

2N3904

VBE
IB
IC
496,754
mV
55,51 nA 1,433 A
622,475
187,295
mV
3,775 A A
634,515
8,66
289,019
642,557
13,545
389,577
648,711
18,541
489,858
653,703
23,426
590,014
657,92
28,422
690,115
661,654
33,307
790,187
664,779
38,303
890,246
667,657
43,299
990,291
670,263
48,285 1,09 mA
672,647
53,18
1,19

VC
1,433 fV
187,295
fV
289,019
389,577
489,858
590,014
690,115
790,187
890,246
990,291
1,09 pV
1,19

2. Grafik Vce VS Ic saat cut off dan Ic sat

3.
Ic=113,5x110= 12,485 mA
Vce=0 volt (ketika saturasi)

4.

VCC
12V

R4
10k

Q1

560
R1
0.1F
C2
V1
12 V

R6
3

R2

VA=0,98x2,2=2,156 V

VC = VCC ICRC= 12V (1,456mA.3,3k)= 7,2V

VCE = VCVE=7,2V 1,456V= 5,744V

VE = VBVBE= 2,156V 0,7V= 1,456V

0.1F

2N3903

2.2

5. Ic=12/12,2=0,98 mA

C1

R3
1k

C3
1F

R5
10k

6.
Input AC

VA

VBE

VC

VE

10 mVpp

2.5 V

4.2 mV

3.2 V

2.5 V