Chapter 5

SISTEM INGATAN / MEMORY

5.0

PENGENALAN KEPADA SISTEM INGATAN DALAM BIDANG DIGITAL

Operasi sesuatu sistem komputer bergantung kepada konsep aturcara tersimpan dalam
ingatan (stored program concept)
Ingatan secara asasnya boleh diklasifikasikan kepada 2 jenis:

Ingatan Dalaman (Internal memory) - Ia merupakan ruang ingatan yang

sentiasa berkomunikasi dengan CPU dan bahagian lain komputer (seperti
bahagian input dan output) apabila ia melaksanakan sesuatu suruhan. Ia
digunakan untuk menyimpan data dan suruhan. Masa capaiannya (access time)
adalah pantas. Ia digunakan untuk simpanan jangka pendek /sementara.
Contoh: daftar (register)

Ingatan Luaran (External memory) Ia merupakan suatu ruang ingatan yang

berkapasiti besar. Ia boleh menyimpan blok data yang besar (berjuta byte).
Ia diguna sebagai tempat simpanan data sebelum dihantar ke ingatan dalaman
(internal memory) untuk diproses. Ia digunakan untuk simpanan jangka
panjang. Masa capaian (access time) adalah lebih lambat jika dibandingkan
dengan masa capaian bagi ingatan dalaman.
Contoh: RAM & ROM

Pembangunan teknologi LSI membolehkan kapasiti storan meningkat dalam sebuah cip.
Kini sistem mikrokomputer menggunakan teknologi transistor bipolar dan MOS sebagai
bahan asas pembikinan peranti ingatan.

5.1

KONSEP INGATAN
Ingatan dalam sebuah sistem mikrokomputer adalah tempat di mana maklumat (data dan
arahan) disimpan. Dua jenis ingatan yang terdapat pada sistem komputer iaitu:

Prepared by Tan KL

5-1

ROM Read Only Memory

RWM - Read/write Memory (RAM)

5.2 ROM (Read Only Memory)

Data di dalamnya tidak boleh berubah selepas diprogram dan data tidak hilang apabila
tiada bekalan kuasa (non volatile)
Ia digunakan untuk menyimpan program yang penting
Ia murah dan digunakan untuk menyimpan program penjana aksara dalam sistem paparan
Jenis-jenis ROM :-

i.

MROM (Masked ROM)

Ia diprogramkan secara kekal semasa pengeluaran
Ia biasanya digunakan untuk menyimpan program firmware untuk mengawal sistem
mikropemproses
Ia juga digunakan untuk menyimpan program jadual look-up table formula data

ii.

PROM (Programmable ROM)

Ia menggunakan konsep fius dalam pembikinannya
PROM ini boleh diaturcara dengan memutuskan fius- fius (logik 0 = fius diputuskan)
dan selepas suatu fius diputuskan, ia tidak boleh disambung semula.
Oleh itu ia hanya boleh diaturcara sekali sahaja.

Vcc

Vcc

Vcc

Fusible
link

Prepared by Tan KL

5-2

iii.

EPROM (Erasable Programmable ROM)

Kandungan EPROM boleh dipadam dengan meletakkannya di bawah sinaran Ultra

Ungu (UV)
Untuk mengaturcarakannya, satu pengaturcara PROM (programmer) diperlukan
Ia mempunyai satu tingkap kuarza yang membolehkan sinaran UV memasukinya
untuk memadamkan kandungan data

iv.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)

Kandungan ingatan jenis ini boleh dipadam dengan menggunakan elektrik.

Ia mahal dan masa tulisnya lama berbading dengan masa baca.
Blok asal data dalam ROM jenis ini terpaksa dipadam keseluruhannya sebelum
diganti dengan blok yang baru (ROM dalam MC AT89S51 adalah jenis ini)

v.

EAPROM (Electrically Alterable PROM)

Kandungan ingatan ROM jenis ini dapat dipadam pada lokasi yang terpilih dan datadata yang lain tidak terganggu.
Pemadaman dan pengaturcaraan semula data dapat dilakukan tanpa mengeluarkan
daripada soket.
Kandungan daripada EAPROM dapat ditukar dengan memberi denyut elektrik.
Prepared by Tan KL

5-3

5.3

RWM / RAM ( RANDOM ACCESS MEMORY )

Ia digunakan oleh mikropemproses sebagai storan sementara
Data dalam cip RAM akan terpadam jika berlaku gangguan dalam bekalan kuasa. (Volatile)
Terdapat dua jenis RAM : - SRAM dan DRAM
RAM Statik (SRAM)

RAM dinamik ( DRAM )

Lebih cepat berbanding DRAM

Lebih lambat berbanding SRAM

Lebih mahal berbanding DRAM

Lebih murah berbanding SRAM

Data disimpan menggunakan get logik flip flop

Kurang bekalan Kuasa

Tidak memerlukan refreshing of data , data tidak

Data disimpan dalam bentuk cas elektrik dalam

hilang selepas disimpan (tidak volatile)

kapasitor ( 0 / 1) , Disebabkan kapasitor boleh

Data disimpan dalam sel ingatan sehingga tiada

menyahcas secara sendiri, maka proses refreshing

bekalan kuasa.

harus dilakukan secara berterusan.

Apabila data dibaca , maklumat tidak akan terhapus

Saiz yang besar dan density ( bilangan sel per unit

area) rendah.

Masa kitar arahan yang pendek

Ia menggunakan lebih kuasa

Refreshing (segar semula) membolehkan data

yang disimpan kekal nilainya.
Proses R/ W tidak boleh berlaku apabila berlaku
refreshing.
Apabila data dibaca, maklumat yang disimpan akan

* Lebih digunakan apabila kepantasan merupakan isu

terhapus (nyahcas) , maka maklumat tersebut harus

utama seperti dalam ingatan cache

ditulis kembali
Saiz yang kecil dan mempunyai ketumpatan
(density) yang tinggi
Masa Kitar arahan yang panjang
Lebih digunakan apabila kapasiti ingatan yang
besar diperlukan

Prepared by Tan KL

5-4

PERBEZAAN ANTARA RAM DAN ROM

ROM

RAM

Data hanya boleh dibaca sahaja

Data boleh dibaca dan boleh menulis

kepadanya.

Data tidak hilang bila bekalan kuasa

terputus

Data akan hilang apabila bekalan kuasa

terputus

5.4 Dimensi Ingatan

Lokasi
Alamat

Ingatan diukur berdasarkan kepada : -

0H

Jumlah lokasi ingatan

1H

Bilangan bit dalam satu lokasi

2H

Jumlah lokasi ingatan = 2

Kandungan
Data

16 bit

.
.
.
EH

(bilangan talian alamat )

FH

16 X 1 bit RAM
Lokasi
Alamat

Lokasi
Alamat

Kandungan
Data

0000H

0000H

0001H

0001H

0002H

0002H

0003H

0003H
0004H

0004H
.
.
.
FFFDH

.
.
.

65536
byte

.
.
.
FFFDH

FFFEH

FFFEH

FFFFH

FFFFH

65536 x 8 bit RAM

(64K X 8 bit RAM)

Prepared by Tan KL

Kandungan
Data

.
.
.

65536 nibble

65536 x 4 bit RAM

(64K X 4 bit RAM)

5-5

5.5

MEMORY EXPANSION

MC 8051
CPU

INTERNAL
DATA
MEMORY
(128 BYTE)

SFRs

INTERNAL
DATA
MEMORY
(128 BYTE)

RAM

FFH

0FFFH

0FFFH

7FH

00H

0FFFH

INTERNAL
CODE
MEMORY
(4K)
ROM/EPROM

EXTERNAL
CODE
MEMORY
(64K)
ROM/EPROM

EXTERNAL
DATA
MEMORY
(64K)
RAM
0000H
0000H

0000H

Kapasiti ingatan luaran yang diperlukan oleh sebuah sistem MC tidak semestinya wujud
dalam 1 cip ingatan.

Contohnya kapasiti ROM yang diperlukan mungkin ialah 64K bytes dan anda hanya cip
32K bytes. Maka 2 buah cip dapat disambung secara selari .

5.5.1 DUA CARA PENGEMBANGAN KAPASITI INGATAN

Terdapat 2 cara untuk mengembangkan kapasiti ingatan iaitu

i.

menambahkan saiz data pada ingatan

ii.

menambahkan lokasi alamat pada ingatan

5.5.1.1 Penambahan Kapasiti Ingatan Melalui Pertambahan Saiz Data Ingatan

Contoh kapasiti ingatan diberi ialah 4K x 2 boleh ditambahkan saiz data kepada 4K x
8 dengan cara penyambungan seperti berikut:

Prepared by Tan KL

5-6

MC

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

MC

D1

D0

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

4K X 2
D1

D0

D1

4K X 2

Kandungan
Data

Lokasi
Alamat

D1

D0

D1

4K X 2

000H

001H

001H

002H

002H

.
.
.
FFEH

.
.
.
FFEH

FFFH

FFFH

4K X 8 bit RAM

4K X 2 bit RAM

5.5.1.2 Penambahan Kapasiti Ingatan Melalui Pertambahan Lokasi Alamat Ingatan

Contoh kapasiti ingatan diberi ialah 4K x 2 boleh ditambahkan lokasi alamat kepada
16K x 2 dengan cara penyambungan seperti berikut:

A0
A1
.
.
.
A11
A12
A13
A14
A15

MC

A11

A0
A1
.
.
.
A11
A12
A13
A14
A15

A11

MC

CS

A11

4K X 2
A0

CS

A11

4K X 2
A0

4K X 2
A0

4K X 2
A0

CS

CS
A11

4K X 2
A0

CS

DECODER 74139

Y0
Y1

Prepared by Tan KL

Y2

Y3

D0

4K X 2

Kandungan
Data

Lokasi
Alamat

000H

D0

4K X 2

5-7

Lokasi
Alamat

4K

Kandungan
Data

Lokasi
Alamat

000H

0000H

001H

0001H

002H

0002H

.
.
.
FFEH

16K

FFFH

Kandungan
Data

.
.
.
3FFEH
3FFFH

4K X 2 bit RAM

16K X 2 bit RAM

5.5.2 PENGANTARAMUKAAN INGATAN (MEMORY INTERFACING)

Untuk pengembangan/penyambungan ingatan luaran kepada sebuah MC, langkah pertama yang
harus ditimbangkan ialah kapasiti dan talian alamat pada peranti ingatan (RAM/ROM) tersebut
Contoh 1 :
Sekiranya sebuah cip ingatan mempunyai 10 talian alamat, Nyatakan bilangan lokasi ingatan bagi
cip tersebut.

Contoh Sebuah Ingatan ROM dengan

talian alamat (A0..A11) dan talian Data
(O0..O7/D0..D7)

Selesaian:
210 = 1024 lokasi ingatan (1K)
(Dalam Digital 1K = 1024 BUKAN 1000)

Contoh 2 :
Sekiranya sebuah cip ingatan mempunyai kapasiti 4K, Nyatakan bilangan talian alamat
Selesaian:
Kaedah 1 : Log2 4096=12 talian alamat
Kaedah 2 : 4096 = 4 x 1024 = 22x 210= 212 . Oleh itu 12 talian alamat

Prepared by Tan KL

5-8

Contoh 3 :
Nyatakan bilangan talian alamat dan talian data yang diperlukan untuk menentukan lokasi dalam
sebuah RAM yang mempunyai :
Selesaian:
a) 1024 lokasi X 8 ?

Ans: 1024 = 210 = 10 talian alamat A0: A9 dengan 8 talian data

b) 4096 lokasi X 8 ?

Ans: 4 * 1024 = 22 * 210 = 212 = A0 : A11 dengan 8 talian data

c) 8192 lokasi X 8?

Ans: 8 * 1024 = 23 * 210 = 213 = A0 : A12 dengan 8 talian data

Contoh 4 :
Apakah yang dimaksudkan dengan 4K x 1 RAM ?
Selesaian:
4K = 4 * 1024 = 4096 lokasi alamat dengan setiap lokasi mempunyai data 1 bit.

Lokasi
Alamat

Kandungan
Data

0000H
0001H
0002H

4K X 1 bit

.
.
.
0FFEH
0FFFH 4K X 1 bit RAM
(Memang tiada dalam pasaran)

Soalan:
a.
Berapa bilangan talian alamat dan talian data yang dimiliki oleh MC 89C/S51 dan apa yang
anda faham mengenai talian-talian ini?
b.
Terangkan maksud VOLATILE dan NONVOLATILE
c.
d.

Terangkan kenapa proses penyegaran semula perlu dilakukan oleh DRAM.

Dengan berdasarkan kepada gambarajah pengembangan ingatan di bawah ini

Prepared by Tan KL

5-9

D7

A0

D6

D5

D4

D3

D2

D1

D0

?x?

?x?

?x?

?x?

?x?

?x?

?x?

?x?

A11

Cari

i. Kapasiti satu cip memori yang digunakan

ii. Kapasiti memori keseluruhan ingatan.
iii. Julat alamat untuk satu cip memori.
iv. Jumlah bit yang dapat disimpan di dalam keseluruhan ingatan.

5.5.2 Contoh Penyambungan ROM & RAM Luaran

Kajian Kes: Sebuah sistem Pengawal Mikro (AT89S51) mempunyai organisasi ingatan dan peranti
I/O seperti berikut:
1 EEPROM

4K X 8 bit

1 EPROM

8K X 8 bit

2 SRAM

2K X 8 bit

1 Buffer 74LS244 (kedudukan dalam Peta Ingatan: 7000H)

1 Latch 74LS373 (kedudukan dalam Peta Ingatan: 7001H)
Maka, jumlah lokasi alamat, bilangan talian alamat dan jumlah bit/sel untuk setiap ingatan adalah
seperti berikut:
Peranti
Bilangan Talian Alamat
EEPROM
22.210 =12 talian
EPROM
23.210 =13 talian
SRAM
21.210 =11 talian
Buffer pada alamat 7000H
Latch pada alamat 7001H
Prepared by Tan KL

Lokasi Alamat
212 = 4096 lokasi
213 = 8192 lokasi
211 = 2048 lokasi

Jumlah bit/sel
4096 x 8 = 32768 bit/sel
8192 x 8 = 65536 bit/sel
2048 x 8 = 16384 bit/sel

5-10

Ruang Alamat untuk EEPROM:

A11 A10 A9 A8 A7 A6
0 0 0 0
0 0
1 1 1
1
1 1
F
Ruang Alamat untuk EPROM:
A12
0
1
1

A11 A10 A9 A8
0 0 0
0
1 1
1
1
F

A5 A4
0 0
1 1
F

A3 A2 A1 A0 12 talian alamat
0 0 0 0 000H
Ruang Alamat
1 1 1 1 FFFH
F

A7 A6 A5 A4
0 0 0 0
1 1 1 1
F

A3 A2 A1 A0 13 talian alamat
0 0 0 0 0000H
1
1 1 1 1FFFH
Ruang Alamat
F

Ruang Alamat untuk satu SRAM:

A10 A9 A8
0 0 0
1 1
1
7

A7 A6 A5 A4
0 0 0 0
1
1 1 1
F

A3 A2 A1 A0 11 talian alamat
0 0 0 0 000H
1 1 1 1 7FFH
Ruang Alamat
F

**Kawasan SRAM mula di bahagian teratas sekali. Oleh itu ruangnya bermula dengan FFFFH 7FFH = F800H (SRAM 2)
dan F7FFH 7FFH = F000H (SRAM 1)

Peta Ingatan untuk menunjukkan kedudukan ingatan-ingatan dan peranti I/O dalam sistem
tersebut seperti di bawah:
0000H

EPROM
EEPROM
SRAM 1
SRAM 2

1FFFH
2000H
2FFFH
3000H
37FFH
3800H
3FFFH
4000H

UNUSED
BUFFER
LATCH
**ROM/RAM yang berkapasiti
lebih besar diletak pada
kedudukan yang teratas

7000H
7001H
7002H

UNUSED
FFFFH

**Perhatian: Jumlah ROM luaran adalah 12K byte dan RAM luaran adalah 4K byte. Sistem MC
membenarkan penyambungan ROM dan RAM luaran maksimum 64K byte masing-masing. Kawasan
UNUSED itu adalah untuk penyambungan ingatan yang baki itu.
Prepared by Tan KL

5-11

Jadual Penyahkod Alamat Ingatan adalah seperti berikut:

Peranti

Julat

. Talian-talian Alamat

Alamat

A15

A14

A13

A12

A11

A10

EPROM

0000H
1FFFH

EEPROM

2000H
2FFFH

SRAM 1

3000H
37FFH

SRAM 2

3800H
3FFFH

BUFFER
LATCH

7000H
7001H

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1

0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

0
1
X
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1

0
1
X
0
1
X
0
0
0
1
1
1
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

A9

A8

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1

Contoh Penyambungan Litar Selepas Pengembangan Luaran Berlaku

DECODER
74139
A15

Y0

CS

A0 A10

Y1
A14

Y2

A13

Y3

MC 8051

DECODER
74139
E

CS

EEPROM
A0 A10

Y0
Y1

A12

Y2

A11

Y3

A0 A10

EPROM

CS

SRAM 1
A0 A10

CS

SRAM 2
A0 A10

Prepared by Tan KL

5-12

Latihan:
a.

Bina peta ingatan dan jadual penyahkod alamat untuk komponen memori, buffer dan latch di
bawah

b.

1 EEPROM

: 4K x 8

2 EPROM

: 8K x 8

2 DRAM

: 512 x 8

2 SRAM

: 256 x 8

BUFFER

: 9FFEH

LATCH

: 9FFFH

Diberi sebuah sistem MC 8-bit dibina menggunakan peranti-peranti ingatan seperti

berikut:
2 biji EPROM

1 biji Buffer 74LS244 (pada alamat 8000H)

1 biji Latch 74LS373 (pada alamat 8001H)

i.

2 biji SRAM

Berapakah jumlah lokasi alamat, bilangan talian alamat dan jumlah bit/sel untuk
setiap ingatan tersebut?

ii.

Lukiskan peta ingatan untuk menunjukkan kedudukan ingatan-ingatan dan peranti

I/O dalam sistem tersebut.

iii.
c.

Lukiskan Jadual Penyahkod Alamat Ingatan.

Bina peta ingatan dan jadual penyahkod alamat untuk komponen memori, buffer dan latch di
bawah

d.

2 EEPROM

: 8K x 8

2 DRAM

: 8K x 8

LATCH

: 8FFFH

Bina peta ingatan untuk komponen memori, buffer dan latch di bawah:

Prepared by Tan KL

5-13

1 EEPROM

: 4K x 8

2 EAPROM

: 8K x 8

2 DRAM

: 512 x 8

2 SRAM

: 256 x 8

BUFFER

: 9FFEH

LATCH

: 9FFFH

5.5.3 Penyambungan 64K Byte ROM dan RAM

Arahan Untuk Mencapai RAM Luaran

Untuk membaca daripada RAM luaran MOVX A, @DPTR digunakan. DPTR pada mulanya
dimasukkan lokasi alamat bagi RAM dan kemudian kandungan RAM dimasukkan ke dalam
Accumulator.

Prepared by Tan KL

5-14

Contoh:

MOV DPTR, #2000H

; DPTR dimasukkan data (lokasi alamat RAM) 2000H

MOVX A, @DPTR

; Kandungan RAM dimasukkan ke dalam Accumulator

Untuk menulis kepada RAM, arahan MOVX @DPTR, A digunakan. Arahan ini akan memindahkan
kandungan pada Accumulator ke dalam RAM

Jawapan latihan:
a.
Peranti

Julat

. Talian-talian Alamat

Alamat

A15

A14

A13

A12

A11

A10

EPROM
1

0000H
1FFFH

EPROM
2

2000H
3FFFH

EEPROM

4000H
4FFFH

DRAM 1

5000H
51FFH

DRAM 2

5200H
53FFH

SRAM 1

5400H
54FFH

SRAM 2

5500H
55FFH

BUFFER
LATCH

7000H
7001H

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1

0
1
X
0
1
X
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0

A15

A14
A13
A12

Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8

C
B
A
74138

A9

A8

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0
0
1
1
1
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
0

0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1
X
0
1

EPROM 1
EPROM 2
E

A11
A10
A9

Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8

C
B
A
74138

DRAM 1

EEPROM

DRAM 2
E

A8

Y0
Y1
Y2
Y3

B
A

SRAM 1
SRAM 2

74139

Prepared by Tan KL

5-15