Anda di halaman 1dari 5

Thyristor: SCR, TRIAC, dan DIAC

Thyristor
Thyristor berasal dari bahasa yunani, pintu. Diambil dari kata ini kemungkinan karena
sifatnya yang mirip dengan pintu. Thyristor terbuat dari semikonduktor silikon. Namun ini
berbeda dengan transistor bipolar dan MOS karena P-N junction-nya lebih kompleks. Di
samping itu, fungsinya lebih digunakan sebagai saklar (switch) daripada sebagai penguat arus
atau tegangan.
Thyristor mempunyai struktur dasar empat layer PNPN. Jika dipilah, struktur ini terdiri dari
junction PNP dan NPN yang disambung. Dengan kata lain, komponen ini terdiri dari dua
transistor, PNP dan NPN yang saling dihubungkan pada kolektor dan basisnya.

Struktur, susunan, dan rangkaian ekuivalen thyristor

Seperti yang kita ketahui bahwa IC = . IB, arus kolektor merupakan penguatan dari arus
basis. Misal, arus sebesar IB yang mengalir pada basis transistor Q2, maka akan ada arus IB
yang mengalir pada kolektor Q2. Arus kolektor ini merupakan arus basis IB pada transistor
Q1, sehingga akan muncul penguatan pada arus kolektor transistor Q1. Arus kolektor
transistor Q1 tidak lain adalah arus base bagi transistor Q2. Demikian seterusnya sehingga
makin lama sambungan PN dari thyristor ini di bagian tengah akan mengecil dan hilang yang
tertinggal hanyalah lapisan P dan N di bagian luar. Dalam keadaan ini, struktur ini merupakan
struktur dioda PN (anoda-katoda) yang telah dikenal. Dengan demikian, thyristor dalam
keadaan ON dan dapat mengalirkan arus layaknya dioda.

SCR
Untuk membuat thryristor dalam keadaan ON, dengan memberi arus trigger pada P yang
dekat dengan katoda. Atau, ini dapat dilakukan dengan membuat kaki gate pada P yang dekat
dengan katoda. Ini merupakan struktur dari SCR, yang dalam banyak literatur disebut
thyristor saja.

Struktur, susunan, rangkaian


ekuivalen, simbol, dan bentuk SCR

KomponeN ini dapat ditrigger menjadi ON dengan memberi arus gate melalui pin gate.
Dengan memberi arus gate Ig yang semakin besar dapat menurunkan tegangan breakover
(Vbo) SCR. Tegangan ini merupakan tegangan minimum untuk membuat SCR dalam keadaan
ON. SCR akan mudah menjadi ON sampai pada suatu besar gate tertentu, meski dengan
tegangan forward kecil, 1 volt atau lebih kecil lagi.

Kurva SCR

Pada kuva SCR di atas, tampak tegangan Vbo. SCR dalam keadaan ON jika tegangan
Forward SCR mencapai titik ini. Di samping itu, arus Ig dapat menurunkan Vbo menjadi lebih
kecil lagi. Arus trigger dinotasikan IGT (gate trigger current), sedangkan Ih merupakan arus
holding yang berfunsi mempertahankan SCR tetap ON. Sehingga, arus forward dari anoda
yang menuju katoda harus berada di atas parameter ini agar SCR tetap ON. Dengan
demikian, jika ingin SCR dalam keadaan OFF, maka arus anoda-katoda harus di bawah nilai
Ih. Nilai Ih sendiri terdapat dalam datasheet. Hal ini sama dengan menurunkan tegangan
anoda-katoda ke titik nol. Sehingga SCR atau thyristor pada umumnya tidak cocok untuk
aplikasi DC. Sedangkan pada aplikasi tegangan AC, SCR dalam keadaan OFF saat
gelombang tegangan AC di titik nol.

Tegangan trigger pada gate (VGT) juga dapat menyebabkan SCR menjadi ON. Atau, jika
dalam model, tegangan ini adalah Vbe pada Q2. VGT seperti halnya Vbe, besarnya kira-kira
0.7 volt (bahan silikon).

Ig = Gate Current (arus gate) Ih = Holding Current (arus genggam)


Vbo = Breakover Voltage (tegangan breakover)
VGT = Gate Trigger Voltage (tegangan pemicuan gate)
IGT = Gate Trigger Current (arus pemicuan gate)

TRIAC
SCR dapat dikatakan thyristor uni-directional (satu arah), ini karena ketika ON hanya dapat
melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. Sebenarnya, struktur TRIAC
sama dengan dua buah SCR yang arahnya bolak-balik dan kedua gate-nya disatukan. TRIAC
biasa juga disebut thyristor bi-directional.

Kerja TRIAC mirip dengan SCR yang paralel bolak-balik sehingga dapat mengalirkan arus
dua arah. Untuk kurvanya:

Kurva TRIAC

Pada datasheet akan lebih detail diberikan besar parameter-parameter seperti Vbo dan -Vbo,
lalu IGT dan -IGT, Ih serta -Ih dan sebagainya. Umumnya besar parameter ini simetris antara
yang plus dan yang minus. Dalam perhitungan desain, bisa dianggap parameter ini simetris
sehingga lebih mudah di hitung.

DIAC
DIAC, jika dilihat dari strukturnya, bukan termasuk thyristor. Namun, prinsip kerjanya
membuat DIAC digolongkan sebagai thyristor. Struktur DIAC mirip dengan transistor PNP.
Perbedaannya, Lapisan N pada transistor dibuat tipis agar mudah dilewati elektron.
Sedangkan pada DIAC, lapisan N dibuat lebih tebal agar elektron sulit melewatinya. DIAC
lebih mirip dengan dioda PN dan NP. Sehingga, DIAC digolongkan sebagai dioda pada
beberapa literatur.

DIAC dimaksudkan agar sukar dilewati arus. DIAC dapat menghantarkan arus dengan
tegangan breakdown tertentu. Arus ini tentu saja dapat bola-balik dari anoda-katoda, dan
sebaliknya. Untuk kurva karakteristiknya sama dengan TRIAC. Namun nilai tegangan
breakdown perlu diketahui.

Umumnya, DIAC digunakan sebagai pemicu TRIAC agar ON pada tegangan masukan yang
relatif tinggi. Contoh aplikasinya adalah dimmer lampu.

Rangkaian dimmer

Jika IGT TRIAC diketahui sebesar 10 mA dan VGT=0,7 volt, sedangkan Vbo DIAC sebesar 20
V, maka TRIAC akan ON pada:
V

IGT(R)+Vbo+VGT

120.7

Biasanya, Resistor R pada rangkaian dimmer diganti dengan rangkaian seri resistor dan
potensiometer. Kapasitor C dengan rangkaian R digunakan untuk menggeser fasa tegangan
VAC. Lampu dapat menyala redup dan terang bergantung kapan TRIAC dipicu