Anda di halaman 1dari 17

LAPORAN PRAKTIKUM

KARAKTERISTIK V I SEMIKONDUKTOR

Nama : Rayhan Hafidz I.


NPM : 1306409362
Fakultas : Teknik
Program Studi : Teknik Kimia

Nomor dan Nama Percobaan : LR03


Minggu Percobaan : 2
Tanggal Percobaan : 26 September 2014

Laboratorium Fisika Dasar


UPP IPD
Universitas Indonesia

I.

Tujuan
Melihat karakteristik hubungan beda potensial (V) dengan arus listrik (I) pada suatu

semikonduktor.

II.

Peralatan
-

Bahan semikonduktor

Amperemeter

Voltmeter

Variable power supply

Camcorder

Unit PC beserta DAQ dan perangkat pengendali otomatis

III.

Landasan Teori
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di

antara insulator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator pada
temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan besifat sebagai konduktor.
Bahan semikonduksi yang sering digunakan adalah silikon, germanium, dan gallium
arsenide.
Ada dua jenis semikonduktor yaitu intrinsik dan ekstrinsik. Untuk kelompok
ekstrinsik terdapat dua jenis/tipe semikonduktor yaitu semikonduktor tipe-p dan
semikonduktor tipe-n. Bahan semikonduktor yang banyak dipelajari dan secara luas telah
dipakai adalah bahan silikon (Si).
Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya yang
dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut materi doping).
Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat
elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol dengan menambah sejumlah
kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut dopant.

Doping sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan konduktivitasnya


dengan faktor lebih besar dari satu milyar. Dalam sirkuit terpadu modern, misalnya,
polycrystalline silicon didop-berat seringkali digunakan sebagai pengganti logam.
Alat semikonduktor atau semiconductor devices, adalah sejumlah komponen
elektronik yang menggunakan sifat-sifat materi semikonduktor, yaitu Silikon, Germanium,
dan Gallium Arsenide. Alat-alat semikonduktor zaman sekarang telah menggantikan alat
thermionik (seperti tabung hampa).
Alat-alat semikonduktor ini menggunakan konduksi elektronik dalam bentuk padat
(solid state), bukannya bentuk hampa (vacuum state) atau bentuk gas (gaseous state). Alatalat semikonduktor dapat ditemukan dalam bentuk- bentuk dicrete (potongan) seperti
transistor, diode, dll, atau dapat juga ditemukan sebagai bentuk terintegrasi dalam jumlah
yang sangat besar (jutaan) dalam satu keping Silikon yang dinamakan Sirkuit terpadu (IC).
Terdapat 2 jenis bahan semikonduktor yaitu semikonduktor intrinsik (murni) dan semi
konduktor ekstrinsik (tidak murni). Untuk semikonduktor ekstrinsik ada 2 tipe, yaitu tipe P
dan tipe N.

1. Semi konduktor instrinsik

Semikonduktor instrinsik (murni) adalah semi konduktor yang tidak ataupun belum
terkotori oleh atom-atom asing. Pada 0 K pita valensi penuh, pita konduksi kosong sehingga
bersifat sebagai isolator. Pada suhu yang lebih tinggi misal pada suhu kamar ada lektron pada
pita valensi yang energinya melebihi energi gap sehingga dapat meloncat dari pita valensi ke
pita konduksi menjadielektron bebas dengan meninggalkan kekosongan pada pita valensi.
Kekosongan ini disebut hole (lubang) dan dianggap bermuatan positif sebesar muatan
elektron.
Dengan demikian jika digambarkan pita energinya. Semikonduktor intrinsik pada
suhu 0 K bersifat sebagai isolator, dan pada suhu agak tinggi bersifat sebagai konduktor
karena adanya pembentukan pasangan-pasangan eletron bebas hole yang keduanya berlaku
sebagai pembawa ikatan.
Jika konsentrasi (jumlah per volume) elektron bebas dalam semi konduktot instrinsik
dinyatakan dengan ni dan konsentrasi hole dengan pi maka berlaku,

ni = pi
Ketergantungan konsentrasi pembawa muatan dalam semikonduktor instrinsik
nterhadap suhu dapat ditentukan berdasarkan statistik Fermi Dirac, dan menghasilkan
formulasi sebagai berikut :
ni2= AoT3 -EGO/kT

Ao

= tetapan tak bergantung suhu

= suhu kelvin

EGO = energi gap pada 0 K dalam eV


K

= konstanta Bolzman dalam eV/K

= 2,7
Daya hantar jenis dan tahanan jenis semikonduktor intrinsik diberikan oleh

persamaan-persamaan :
= eni(n+ p)

= daya hantar listrik

= tahan jenis

= mobilitas electron bebas

= mobilitas hole

2. Semi konduktor tipe N

Semi konduktor tipe N termasuk dalam semi konduktorekstrinsik (tak murni). Semi
konduktor ekstrinsik adalah semikonduktor instrinsik yang mendapat pengotoran (doping)
atom-atom asing. Konsentrasi pengotoran ini sangat kecil, dengan perbandingan atom
pengotor (asing) dengan atom asliberkisar antara 1 : 100 juta sampai dengan 1 : 1 juta.
Tujuan ini adalah agar bahan kaya akan satu jenis pembawa muatan saja (Elektron
bebas saja atau hole saja) dan untuk memperbesar daya hantar listrik.

Semikonduktor tipe N ialah semikonduktor eksintrik, yang diperoleh dari


semikonduktor intrinsik yang dikotori dengan atom asing yang bervalensi 5 seperti As, Pb, P.
Karena perbandingan atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka setiap atom
pengotor (asing) dikelilingi oleh atom-atom asli. Elektron valensi yang ke 5 dari atom
pengotortidak terikat dalam ikatan kovalen sehingga menjadi elektron bebas. Dengan
demikian pada bahan ini jumlah elektron bebas akan meningkatsesuai jumlah atom
pengotornya sehingga elektron bebas menjadi pembawa muatan mayoritas dan hole (yang
terbentuk akibat suhu) menjadi pembawa muatan minoritas. Karena pembawa muatan
mayoritasnya adalah elektron bebas, sedang elektron bebas bermuatan negatif, maka
semikonduktor yang terbentuk diberi nama semi konduktor tipe N. dalam hal ini N
kependekan dari kata Negatif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi tidak berarti bahwa
semikonduktor ini bermuatan negatif. Semikonduktor ini tetap netral.
Karena atom pengotor memberikan kelebihan elektron-elektron dalam ikatan kovalen,
maka disebut donor (atom donor). Setelah donor memberikan kelebihan elektronnya, maka
akan menjadiion positif.
Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tipe N ini dinyatakan dengan nn
sedang konsentrasi holenya dinyatakan dengan pn dan konsentrasi atom donor dinyatakan
dengan ND maka berlaku :
nn ND
Menurut hukum massa aksi hasil kali konsentrasi pembawa muatan positif dengan
pembawa muatan negatif dalam keseimbangan termal merupakan suatu tetapan yang tidak
bergantung pada donor dan aseptor yang besarnya n. Maka berdasarkan hukum ini berlaku :
nn pn ND

Daya hantar jenis listriknya dapat dicari dari hubungan sebagai berikut :
= (nn n + pn n)

= e (nn n +

jika pn diabaikan terhadap nn maka , = e

p)

3. Semikonduktor P

Semikonduktor ini diperoleh dari semikonduktor intrinsik yang dikotori dengan atom
asing yang bervalensi 3, misalnya Al, atau Ga. Karena perbandingan atom pengotor dengan
atom asli sangat kecil, maka setiap atom pengotor hanya bervalensi 3 maka hanya
menyediakan 3 elektron dalam ikatan kovalen, sehingga ada kekurangan (kekosongan =
lubang = hole). Dengan demikian pengotoran ini menyebabkan meningkatnya jumlah
holeatau dengan kata lain hole sebagai pembawa muatan mayoritas. Sedang pembawa muatan
moniritasnya adalah elektron bebas yang terbentuk adalah elektron bebas yang terbentuk
akibat suhu. Karena pembawa muatan mayoritasnya hole, sedang hole bermuatan positif
maka semikonduktor yang terbentuk disebut semikonduktor tipe P. dalam hal ini P
kependekan dari kata positif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi bukan berarti
semikonduktor ini bermuatan positif, tetapi semikonduktor ini tetap netral, seperti halnya
semikonduktor tipe N. karena atom pengotor menyediakan kekurangan, maka disebut aseptor
(atom aseptor). Hole mudah diisi oleh elektron dan elektron yang mengisi meninggalkan hole
baru dan seterusnya sehingga ada gerakan hole. Setelah hole diisi oleh elektron, aseptor akan
menjadi ion negatif.
Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tope P ini disebut np, konsentrasi
holenya ppdan konsentrasi aseptornya NA maka analog pada semikonduktor tipe N berlaku
persamaan-persamaan :
Pp

= e(

dan jika np diabaikan terhadap pp maka, = e


Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya yang
dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut materi doping).
Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat
elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol dengan menambah sejumlah
kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut dopant.
Doping sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan konduktivitasnya
dengan faktor lebih besar dari satu milyar. Dalam sirkuit terpadu modern, misalnya,
polycrystalline silicon didop-berat seringkali digunakan sebagai pengganti logam.
Alat Semikonduktor atau semiconductor devices, adalah sejumlah komponen
elektronik yang menggunakan sifat-sifat materi semikonduktor, yaitu Silikon, Germanium,
dan Gallium Arsenide. Alat-alat semikonduktor zaman sekarang telah menggantikan alat
thermionik (seperti tabung hampa).
Alat-alat semikonduktor ini menggunakan konduksi elektronik dalam bentuk padat
(solid state), bukannya bentuk hampa (vacuum state) atau bentuk gas (gaseous state). Alatalat semikonduktor dapat ditemukan dalam bentukbentuk dicrete (potongan) seperti
transistor, diode, dll, atau dapat juga ditemukan sebagai bentuk terintegrasi dalam jumlah
yang sangat besar (jutaan) dalam satu keping Silikon yang dinamakan Sirkuit terpadu (IC).

Gambar 1. Rangkaian Tertutup Semikonduktor

IV.

Langkah Kerja
Eksperimen

rLab

ini

dapat

dilakukan

dengan

cara

masuk

ke

http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory kemudian klik LR03karakteristik VI Semikonduktor dan


melakukan langkah-langkah berikut ini:
1. Memperhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semikonduktor.
2. Memberikan beda potensial dengan member tegangan V1.
3. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya.
4. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan.
5. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8.

V.

Data Pengamatan
Berikut data yang diperoleh setelah dilakukan percobaan melalui rLab :

V1

V2

V3

V(volt)

I(mA)

0.46

3.58

0.46

3.58

0.46

3.58

0.46

3.58

0.46

3.58

0.92

6.84

0.92

6.84

0.92

7.17

0.92

7.17

0.92

7.17

1.37

10.43

1.37

10.75

1.37

10.75

1.37

10.75

1.37

10.75

V4

V5

V6

V7

V8

VI.

1.86

14.66

1.86

14.66

1.86

14.66

1.86

14.66

1.86

14.66

2.29

18.57

2.29

18.57

2.29

18.90

2.29

18.90

2.29

18.90

2.88

24.44

2.87

25.09

2.87

25.09

2.87

25.09

2.86

25.74

3.19

28.35

3.18

29.00

3.18

29.00

3.17

29.33

3.17

29.65

3.64

33.56

3.63

33.89

3.63

34.21

3.62

34.86

3.61

35.19

Pengolahan Data

Data V yang didapat dari hasil percobaan dari V1 V8 dirata-ratakan. Hasilnya


sebagai berikut :

V1

V2

V3

V4

V(volt)

I(mA)

0.46

3.58

0.46

3.58

0.46

3.58

0.46

3.58

0.46

3.58

0.46

3.58

V(volt)

I(mA)

0.92

6.84

0.92

6.84

0.92

7.17

0.92

7.17

0.92

7.17

0.92

7.04

V(volt)

I(mA)

1.37

10.43

1.37

10.75

1.37

10.75

1.37

10.75

1.37

10.75

1.37

10.69

V(volt)

I(mA)

1.86

14.66

1.86

14.66

1.86

14.66

1.86

14.66

1.86

14.66

1.86

14.66

V5

V6

V7

V8

V(volt)

I(mA)

2.29

18.57

2.29

18.57

2.29

18.90

2.29

18.90

2.29

18.90

2.29

18.78

V(volt)

I(mA)

2.88

24.44

2.87

25.09

2.87

25.09

2.87

25.09

2.86

25.74

2.87

25.09

V(volt)

I(mA)

3.19

28.35

3.18

29.00

3.18

29.00

3.17

29.33

3.17

29.65

3.18

29.07

V(volt)

I(mA)

3.64

33.56

3.63

33.89

3.63

34.21

3.62

34.86

3.61

35.19

3.63

34.34

Berikut ini adalah tabel yang menunjukkan V dan I rata-rata dari V1 V8 :

Tegangan (V)

Arus Listrik (I)

Rata-rata (volt)

Rata-rata (mA)

V1

0.46

3.58

V2

0.92

7.04

V3

1.37

10.69

V4

1.86

14.66

V5

2.29

18.78

V6

2.87

25.09

V7

3.18

29.07

V8

3.63

34.34

Tegangan

Dari tabel tersebut, dibuat dalam bentuk grafik sebagai berikut :

Grafik Hubungan V Rata-rata dengan I


Rata-rata
Arus Listrik (I) Rata-rata (mA)

40
35
30

y = 9,6859x - 2,1677
R = 0,9914

25
20
15
10
5
0
0

0,5

1,5

2,5

Tegangan Listrik (V) Rata-rata (V)

Grafik 1. Grafik Hubungan antara V rata-rata dengan I rata-rata

3,5

Pada grafik di atas, dapat dilihat hubungan berbanding lurus antara besarnya nilai
tegangan listrik yang diberikan terhadap arus listrik yang dihasilkan (V/I = konstan). Hal
tersebut juga berarti jika semakin besar tegangan listrik pada bahan semikonduktor, semakin
kuat arus listrik yang dihasilkan akan semakin besar juga. Hal ini disebabkan suhu pada
semikonduktor praktis tidak berubah. Dari keadaan tersebut, kita dapat menghasilkan
persamaan hukum Ohm sebagai berikut:

Keterangan :

V : Tegangan listrik. Satuan = Volt (V)

I : Arus listrik.

R : Hambatan listrik. Satuan = Ohm ()

Satuan = Ampere (A)

Setelah itu, kita menghitung rata-rata V dan I dari setiap percobaan dengan cara
menghitung sebagai berikut :

Rata-rata V dan I dari setiap percobaan didapatkan :

Vp = 2.073 V dan Ip = 17.906 A

Dengan menggunakan metode least square, kita dapat menentukan persamaan garis
hubungan antara V dan I. Rumus yang digunakan adalah :

V=IxR

R=

Nilai R merupakan perbandingan antara V dan I,

Dengan menggunakan metode least square, kita dapat menentukan persamaan garis
hubungan antara V dan I.

No

Xi

Yi

Xi2

Yi2

XiYi

0.46

3.58

0.2116

12.8164

1.6468

0.92

7.04

0.8464

49.5616

6.4768

1.37

10.69

1.8769

114.2761

14.6453

1.86

14.66

3.4596

214.9156

27.2676

2.29

18.78

5.2441

352.6884

43.0062

2.87

25.09

8.2369

629.5081

72.0083

3.18

29.07

10.1124

845.0649

92.4426

3.63

34.34

13.1769

1179.236

124.6542

16.58

143.25

43.1648

3398.067

382.1478

Dimana y merupakan fungsi dari V, b merupakan fungsi dari R, x merupakan fungsi


dari I, dan a merupakan konstanta.
(
(
(

(
(

((

(
(
(

(
(

((

Dari pengolahan data diatas, didapat persamaan hambatan semikonduktor yaitu :

Persamaan yang didapatkan hasilnya sama dengan yang muncul menurut perhitungan
otomatis pada grafik.

VII.

Analisis

1. Analisis Percobaan
Percobaan ini dilakukan untuk mengetahui hubungan antara beda potensial listrik dan
arus listrik yang bekerja pada semikonduktor. Pada percobaan ini praktikan mengukur hasil
beda potensial atau tegangan dan arus listrik yang nantinya akan digunakan untuk
mendapatkan nilai hambatan dari suatu semikonduktor. Data hasil pengukuran tersebut akan
digunakan sebagai data grafik untuk melihat dan menentukan hubungan antara beda potensial
rata-rata dengan arus listrik rata-rata yang terjadi pada semikonduktor.
Praktikan tidak dapat mengamati secara langsung saat berpraktikum karena praktikan
tidak melakukan praktikum rLab. Pada saat praktikan melakukan praktikum, video tidak
dapat digunakan. Karena hal tersebut, praktikan hanya dapat mengukur tegangan V1 sampai
V8 saja tanpa melihatnya dari video. Padahal dalam cara kerja praktikum, praktikan
diinstruksikan untuk mengambil data pada saat tegangan mendekati nol.

Dari setiap percobaan ini, pratikan mendapatkan 5 data dari masing-masing tegangan
yang dicoba (V1-V8), sehingga harus diambil rata-rata dari tegangan (V) dan arus listrik (I).
Kemudian dengan nilai rata-rata tersebut dapat dibuat grafik yang akan menunjukkan
karakteristik hubungan antara V dan I. Hasil yang muncul memperlihatkan bahwa hubungan
keduanya berbanding lurus atau linier. Hal tersebut sesuai dengan rumus: V = I.R. Suhu pada
percobaan ini tetap sehingga persamaan ini bisa berlaku pada semikonduktor. Namun,
persamaan hukum ohm tidak akan berlaku pada transistor dan diode. Kemudian praktikan
dapat mencari nilai hambatan (R) sesuai dengan rumus yang telah disebutkan sebelumnya.

2. Analisis Hasil
Tujuan dari percobaan ini adalah untuk melihat karakteristik hubungan antara
tegangan dengan arus listrik. Dan setelah dilakukan perhitungan, didapatkan data tegangan
dan arus listrik. Data yang didapatkan sebanyak masing-masing 5 data untuk setiap V1
hingga V8. Lalu, dari delapan tegangan dan arus listrik tersebut, praktikan menghitung
tegangan rata-rata dan kuat arus rata-rata, maka didapat tegangan rata-rata untuk setiap
tegangan dan juga kuat arus rata-ratanya. Hasil percobaan yang diperoleh menunjukkan
bahwa hubungan beda potensial dan arus listrik pada semikonduktor adalah berbanding lurus,
sesuai dengan rumus: V = I.R.
Dari tegangan rata-rata dan arus listrik rata-rata, dengan menggunakan perhitungan
rumus V = I.R, praktikan dapat menghitung nilai hambatan (R) rata-rata dari setiap tegangan.
Pada percobaan ini diperoleh nilai tegangan total rata-rata adalah 2.073 V dan arus listrik
total rata-rata diperoleh nilai 17.906 mA. Dari nilai tersebut, didapatkan nilai hambatan total
rata-rata sebesar 0.1158 m. Dari hasil yang didapatkan ini juga, kita dapat mengetahui
bahwa nilai hambatan pada semikonduktor dapat dihitung dari dengan menggunakan rumus
hukum ohm, yaitu: V = I.R.

3. Analisis Kesalahan
Ada beberapa hal yang menjadi faktor penyebab terjadinya kesalahan. Pertama, ketika
praktikan melakukan pratikum pada rLab, praktikan tidak dapat melihat ataupun mengakses
video pratikum tersebut. Hal tersebut menyebabkan praktikan melaksanakan perintah

pratikum tanpa melihat video. Kedua, tidak ada penjelasan lebih lanjut tentang suhu atau
adanya perubahan suhu. Hal ini mengakibatkan praktikan berasumsi bahwa suhu pada saat
dilaksanakan pratikum relatif konstan. Selain itu faktor ketelitian praktikan saat mengakses
rLab, juga pada saat pengambilan data sesuai.

VIII.

Kesimpulan

Semikonduktor adalah bahan yang dapat bersifat isolator maupun konduktor


tergantung pada suhu bahan.

Sifat konduktor dari bahan semikonduktor akan lebih terlihat pada suhu tinggi,
sedangkan sifat isolator akan lebih terlihat pada suhu rendah.

Semikonduktor sangat penting dan berguna dalam bidang elektronik karena nilai
konduktansinya yang dapat diubah dengan cara mencampurkan materi lain.

Untuk mencari besar hambatan pada semikonduktor digunakan rumus hukum ohm
yaitu: V = I.R

Beda potensial atau tegangan listrik (V) berbanding lurus dengan arus istrik (I).
Semakin besar tegangan listrik, maka arus listrik yang dihasilkan semakin besar.

IX.

Referensi

Halliday, Resnick, Walker. Fundamentals of Physics, 9th Edition, Extended Edition.


John Wiley & Sons, Inc., New Jersey, 2007.

Giancoli, D.C. Physics for Scientists & Engeeners, Third Edition. Prentice Hall, New
Jersey, 2000.

Tipler, P. A.. Fisika untuk Sains dan Teknik-Jilid II Tterjemahan). Penebit Erlangga,
Jakarta, 1998.