por largura de pulso, sem perdas e em regime permanente: a) Desenhe a forma de onda da tenso sobre o indutor e determine analiticamente a caracterstica esttica i i Vo/E, em funo da largura de pulso , supondo operao no modo de conduo contnua (MCC); (1 E ponto) b) Demonstre que no modo de conduo descontnua a E 2 2 caracterstica esttica dada por: Vo = +E,
Turma B
io
Co
vce ic
Ro
+ Vo
vL L
2 LfI o
onde f a freqncia de chaveamento e Io o valor mdio da corrente da carga. (1 ponto)
c) Sabendo que Ro=10 , Vo=10V, E=7 V, L=1mH f=20kHz, e que o circuito opera no MCC, calcule os valores mdios das correntes ii e io e a ondulao (pico-a-pico) da corrente do indutor. (1,5 pontos) d) Desenhe as formas de onda da tenso vce e da corrente ic, indicando valores das escalas horizontal e vertical. (1 ponto) 2. Considere as formas de onda abaixo que representam tenso e corrente em um transistor com os seguintes parmetros: V1=600V; Vo=4V, Io=0, I1=10 A; T=50us; (t2-t1)=100ns; (t3-t2)=150ns; (t4-t3)=20us; (t5-t4)=150ns; (t6-t5)=200ns I1
V1
Vo
0 t0 T
t1 t2 t3
Io t4 t5
t6
a) Determine o valor mdio da potncia dissipada no componente e a energia dissipada durante o
transitrio de desligamento; (1,5 ponto) b) Considerando o valor da potncia mdia e que este componente possui Rjc=0,5 oC/W, Rca=10 oC/W, Tjmax=150 oC, determine a mxima resistncia trmica de dissipador para o mesmo. A resistncia trmica entre a cpsula e o dissipador de 0,5/W. A temperatura ambiente de 40C. (1 ponto) 3. Considere os circuitos mostrados ao lado, referentes ao acionamento de um MOSFET alimentando uma carga resistiva. No circuito superior, a potncia mdia dissipada no MOSFET de 20W, enquanto no circuito inferior, de 15W. O valor das resistncias dado em . a) Explique de que forma as alteraes no circuito permitem a reduo de potncia mdia dissipada. (1 ponto) b) Supondo que toda energia armazenada em Cs seja dissipada sobre Rs, e sabendo que a freqncia de comutao de 50 kHz, estime a potncia dissipada neste resistor. (1 ponto) c) Durante a conduo, a potncia dissipada no transistor de 18W. Estime a resistncia entre dreno e source Rds deste transistor. (1 ponto)