Bahan 1
V. DASAR TEORI
Pada kebanyakan penguat sumber isyarat dihubungkan dengan masukan melalui sebuah
kapsitor penggandeng, agar arus panjar pada basis tidak masuk kedalam sumber isyarat. Jika
ini terjadi tegangan panjar transistor akan terganggu, hal ini serupa juga dilakukan pada
keluaran, yaitu untuk menghubungkan penguat dengan suatu beban. Gandeng yang
menggunakan kapasitor disebut dengan gandengan RC. Suatu contoh penguat dengan
gandengan RC adalah penguat emitor ditanahkan (common emitor) seperti ditunjukkan
pada gambar 1.1.
Gv ()
(dB)
Kv 3 dB bagan bola
Kemiringan BdB/oktaf
Tanggapan frekuensi
fg1 f2 f(lo
Gambar 1.2 Tanggapan amplitude suatu penguat
Tanggapan amplitude suatu penguat dapat diketahui dengan suatu bagan bode seperti pada
tanggapan amplitude tapis RC, dimana penguat berlaku sebagai suatu tapis lolos pita.
Frekuensi f1 disebut frekuensi potong bawah dan f2 disebut frekuensi potong atas. Daerah
frekuensi f1 dan dibawahnya disebut daerah frekuensi rendah sedangkan f1 dan f2
tanggapan amplitude tak berubah dengan frekuensi sehingga daerah ini disebut daerah
frekuensi tengah. Sedangkan untuk daerah frekuensi sekitar dan di atas f2 disebut daerah
frekuensi tinggi.
Pada daerah frekuensi rendah penguat berlaku sebagai tapis lolos tinggi dengan f1 adalah
kutub dari pada fungsi alih Gv(), dimana kapasitansi yang dipasang seri dengan arus isyarat
(missal C1, C2, CE) akan berpengaruh paa frekuensi rendah. Akibatnya f1 akan ditentukan
oleh kapasitor pegandeng C1, C2, dan kapasitor pintas Ce.
Dan untuk frekuensi tinggi , yaitu sekitar f2 dan diatasnya penguat berlaku sebagai tapis
lolos rendah, dimana kapasitansi yang berpengaruh adalah kapasitansi yang parallel dengan
arus isyarat, misalnya Cje dan Cjc. Pada frekuensi tnggi, reaktansi X = untuk kapsitansi ini
mempunyai nilai yang cukup rendah sehingga harus diperhitungkan peranannya dalam
mengurangi arus isyarat yang masuk kedalam basis yang akan diperkuat menjadi arus
kolektor. Pada daerah ini, kapasitansi seri seperti C1, C2, dan Ce boleh dianggap terhubung
singkat.
Sedangkan pada frekuensi tengah kapsitansi C1, C2, dan Ce mempunyai reaktansi cukupkecil
sehingga dapat dihubungkan singkat, sedangkan kapasitansi-kapasitansi parallel seperti Cje
dan Cjc mempunyai nilai amat kecil, menghasilkan reaktansi amat tinggi, sehingga dapat
dianggap terbuka atau tidak terpasang. Akibatnya pada daerah frekuensi tengah tidak ada
komponen reaktif, sehingga tanggapan amplitude menjadi tergantung pada frekuensi (
datar).
Pengaruh Kapasitor Gandeng dan Kapasitor Bypass Emiter
Pada gambar berikut diperlihatkan sebuah penguat dgn tahanan emiter yang di-bypass
dengan kapasitor Cz yg besar dan juga dengan kapasitor gandeng Cb. Juga diperlihatkan
model parameter-h yg disederhanakan. Dalam hal ini diasumsikan R1||R2 >> Rs dan beban
RC adalah cukup kecil.
ujung basis B1 dan B2. Perbedaan (difference) isyarat pada kedua ujung inilah yang akan
dikuatkan, sehingga kita menyebutnya sebagai penguat diferensial. Cara menghitung
keadaan panjar dari penguat tersebut tidak berbeda dengan pada penguat transistor
tunggal. Dengan kedua basis ditanahkan seperti pada gambar 14.1, kita mempunyai VE 0,6 volt karena VBE -0,6 volt dengan salah satu atau kedua transistor yang bekerja.
Pengaruh Kapasitor Gandeng dan Kapasitor Bypass Emiter Pada gambar berikut
diperlihatkan sebuah penguat dgn tahanan emiter yang di- bypass dengan kapasitor Cz yg
besar dan juga dengan kapasitor gandeng Cb. Juga diperlihatkan model parameter-h yg
disederhanakan. Dalam hal ini diasumsikan R1||R2 >> Rs dan beban RC adalah cukup kecil.
Rangkaian penguat dengan tahanan emiter (bypass) dan model
parameter-h yg disederhanakan
Tegangan keluaran Vo diberikan oleh:
Penguat Gandeng RC
Susunan kaskade dari tingkat transistor emiter-umum (CE) diperlihatkan pada
gambar berikut.
640
1250
2500
10000
20000
40000
80000
B. PENGARUH KAPASITOR PINTAS
1. Rangkaian seperti gambar dibawah :
2. berikan isyarat masukkan Vi = 20 mVpp sinusoidal dengan frekuensi 1 KHz.
3. Amati isyarat keluaran Vo pada osiloskop
4. Catat harga Vo dan hitung besar penguat tegangan
5. ukurlah tegangan Vb, Vc, Ve catat hasilnya
6. sekarang tanggalkan kapasitor Ce dari rangkaian. Lakukan kembali pengukuran Vb, Vc, Ve
catat hasilnya.
7. Bandingkan hasil pengukuran langkah 5 dan 6. ambil kesimpulan tentang pengaruh
kapsitor pintas Ce.
bahan 2
14
170ELEKTRONIKA DASAR
Dalam praktek biasanya untuk memperoleh suatu penguatan yang cukup besar, dapat
dilakukan dengan menggandeng beberapa penguat atau biasa dikenal dengan penguat
bertingkat. Untuk menjaga agar tegangan panjar (bias) pada suatu tahap tidak terganggu oleh
tahap sebelum dan berikutnya, maka antara penguat-penguat tersebut dipisahkan dengan
kapasitor. Rangkaian semacam ini lebih dikenal dengan penguat gandengan RC. Penguat
gandengan RC hanya bekerja untuk isyarat AC.
Bila isyarat berupa arus/tegangan DC atau bolak-balik dengan frekuensi sangat
rendah, maka diperlukan rangkaian penguat gandengan DC. Pada penguat ini, antara
transistor yang satu dengan yang lainnya dihubungkan secara langsung. Ada beberapa cara
untuk memperoleh penguat gandengan DC diantaranya adalah penguat diferensial dan
penguat hubungan Darlington.
Penguat yang muthakhir tersusun sebagai rangkaian terpadu (integrated circuit- IC).
Dengan IC memungkinkan kita untuk menyusun ribuan transistor ke dalam suatu permukaan
silikon (chip) dengan luas hanya beberapa mm2. Satu hal yang menguntungkan dengan IC
adalah dengan tanpa kapasitor, kita dapat menghasilkan penguat dengan frekuensi respon
sampai mendekati DC.
14.1 Penguat Diferensial
Untuk mengerti bagaimana penguat diferensial bekerja, perlu kita pelajari keadaan panjar DC
dari rangkaian dasarnya seperti ditunjukkan pada gambar 14.1. Masukan dapat diumpankan
pada ujung-ujung basis B1 dan B2. Perbedaan (difference) isyarat pada kedua ujung inilah
yang akan dikuatkan, sehingga kita menyebutnya sebagai penguat diferensial.
Cara menghitung keadaan panjar dari penguat tersebut tidak berbeda dengan pada
penguat transistor tunggal. Dengan kedua basis ditanahkan seperti pada gambar 14.1, kita
mempunyai
VE -0,6 volt karena
VBE -0,6 v
Dengan salah satu atau kedua transistor yang bekarja.