Malleo 4
Malleo 4
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA I
Nomor Kelompok
:7
Nama
: Malleo Fauzian
NPM
: 1306396233
Tanggal
: 1 Oktober 2014
Bab
:4
Nama Percobaan
: Karakteristik Transistor
Kawan Kerja
Asisten
LABORATORIUM ELEKTRONIKA
DEPARTEMEN FISIKA
FMIPA UI
DEPOK
2014
A. Modul
: Karakteristik Transistor
B. Tujuan
C. Teori
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi
lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya
(BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari
sirkuit sumber listriknya.
Transistor merupakan suatu piranti semikonduktor yang memiliki sifat khusus. Secara
ekuivalensi transistor dapat dibandingkan dengan dua dioda yang dihubungkan dengan
suatu konfigurasi. Walaupun sifat-sifat transistor tersebut tidak sama dengan dioda
tersebut. Transistor ada yang UNIPOLAR (misal : FET), ada yang BIPOLAR (PNP dan
NPN). Pada dasarnya transistor bekerja berdasarkan prinsip pengendalian arus kolektor
dengan menggunakan arus basis.
Dengan kata lain arus basis mengalami penguatan hingga menjadi sebesar arus
kolektor. Penguatan ini bergantung dari faktor penguatan dari masing-masing transistor (
dan ). Konfigurasi dasar dari rangkaian. Transistor sebagai penguat adalah Common Base,
Common Emitor dan Common Collector. Sifat dari transistor yang akan saturasi pada nilai
tegangan tertentu antara basis dan emitor menjadikan transistor dapat berfungsi sebagai
saklar elektronik. Nilai penguatan arus dari Transistor dapat dinaikkan dengan
menggunakan konfigurasi Darlington.
Sebuah transistor mempunyai 3 daerah yang sudah didoping yaitu emitter, basis dan
kolektor.
Gambar 1. Transistor
Pn junction muncul diantara basis dan emitter, disebut sebagai dioda emitter. Sementara pn
junction lainnya berada diantara basis dan kolektor, disebut dioda kolektor. Kedua junction
ini ada pada transistor nonbias dan pada setiap dioda mempunyai potensial penghalang
yang mendekati 0,7 V pada 15C untuk transistor silikon.
Emitter didoping sangat padat/banyak sekali, sedangkan basis hanya didoping sedikit.
Kolektor didoping tidak terlalu banyak dan tidak terlalu sedikit.
Pada operasi biasa, kita memberi tegangan maju pada dioda emitter dan tegangan
mundur pada dioda kolektor. Emitter yang telah didoping sangat banyak, memiliki tugas
untuk mendorong electron bebas masuk ke basis. Sedangkan basis bertugas melewatkan
sebagian besar elektron ke kolektor. Kolektor sesuai dengan namanya mengoleksi elektron-
elektron tersebut. Karena itu arus pada kolektor, besarnya hampir sama dengan besarnya
arus emitter. Arus basis biasanya kurang dari 5% arus emitter.
Telah disebutkan diatas ada transistor yang bipolar yaitu PNP dan NPN. Transistor
npn mempunyai daerah p yang berada diantara dua daerah n. Sementara transistor pnp
mempunyai daerah n yang berda diantara dua daerah p.
(a)
(b)
Gambar 2. Tiga arus transistor, (a) Aliran arus konvesional; (b) Aliran elektron
Gambar diatas menjelaskan mengenai arah arus yang melewati transistor. Ada aliran
arus konvensional dan aliran elektron yang berlawanan arahnya seperti terlihat pada
gambar diatas. Ada tiga jenis arus yang melewati transistor yaitu arus emitter IE, arus basis
IB dan arus kolektor IC. Hubungan antara ketiga arus tersebut adalah:
IE,= IC. + IB
Akan tetapi karena arus basis sangat kecil maka arus kolektor mendekati nilai arus emitter:
IC. = IE,
Dan arus basis sangat kecil sekali dibanding arus kolektor:
IB << IC.
Pada transistor terdapat penguat arus yang disebut beta dc (dc). Penguat arus
diartikan sebagai perbandingan antara arus dc kolektor dan arus dc basis:
dc =
IC
IB
Untuk transistor yang mempunyai daya rendah (dibawah 1 W), penguat arus biasanya
bernilai dari 100 sampai 300. Transistor dengan daya tinggi (diatas 1 W) biasanya
mempunyai penguat arus sebesar 20 sampai 100.
Transistor memiliki daerah aktif, daerah jenuh, daerah cut off serta daerah
breakdown. Daerah aktif digunakan pada penguatan linear, sedang daerah jenuh dan cut off
digunakan pada rangkaian digital.
Transistor memiliki daerah pengoperasian tegangan, arus dan daya maksimum.
Transistor untuk sinyal kecil, dapat membuang daya 1 W atau kurang, sedang transistor
daya akan membuang daya lebih dari 1 W. Harga-harga karakteristik transistor dapat
berubah karena faktor suhu. Daya maksimum akan berkurang seiring dengan pertambahan
suhu.
D. Komponen
1. Transistor
Resistor
BC 108 1
3,6 k
3k
2,2 k
1k
600
300
10 k
2. Potensiometer
1k
3. Kapasitor
0,1F
1F
E. Prosedur Percobaan
1. Menetukan nilai
a. Menyusun rangkaian seperti pada gambar 4.1.
b. Mengatur R var agar Vi bervariasi dari 0 12 volt dengan interval kenaikan sebesar
1 volt.
c. Mencatat Vi,VBE, dan VCE.
Gambar 4.1
Gambar 4.2
Gambar 4.3
Rangkaian Common Emitor
F. Tugas Pendahuluan
1. Perhatikan gambar 4.1. Dengan mengacu BC108 dari datasheet, lengkapilah tabel
berikut ini! Sertakan pula penurunannya!
VBB VBE
RB
IB =
IC = dc.IB
VBE (V)
IB (A)
IC (mA)
VC (V)
0,75
12
0,75
2,49
0,28
9,25
0,75
12,48
1,2
0,75
22,46
1,2
0,75
32,43
1,2
0,75
42,39
1,2
0,75
52,37
1,2
0,75
62,35
1,2
0,75
72,34
1,2
0,75
82,35
1,2
10
0,75
92,37
1,2
11
0,75
102,42
1,2
12
0,75
112,5
1,2
2. Buat kurva hubungan antara IC dan VCE dari data pada soal No.1. Tentukan terlebih
dahulu Titik Saturasi dan Cut off!
Saat VCE = 0
IC SAT =
VCC
12
=
= 1,2 mA
RC
10k
Saat IC = 0
VCE cut off = VCC = 12 V
3. Perhatikan gambar 4.2. Tentukan Titik Q dari rangkaian tersebut! Plot dalam kurva
pada soal No.2!
Q point ideal
IB =
12 0,75
100k
= 112,5 A
IC = 110.112,5 A
= 12,38 mA
Karena arus saturasi sama dengan 1,2 mA maka IC = 1,2 mA
VCE = 12V 1,2mA.10k
= 0V
5. Perhatikan gambar 4.3 dengan menggunakan analisis DC tentukan nilai VA, VBE, VC,
dan VE
IC =
VCC
R1 R2
12
= 0,98 mA
10k 2, 2k
= 2,156V
VE = VBVBE
= 2,156V 0,7V
= 1,456V
IE =
VE
RE
1, 456V
= 1,456mA
1k
VC = VCC ICRC
= 12V (1,456mA.3,3k)
= 7,2V
VCE = VCVE
= 7,2V 1,456V
= 5,744V
6. Bila rangkaian pada gambar 4.3 diberikan sinyal input AC dengan tegangan 10 mVpp.
Berapakah nilai dan fase tegangan VA, VBE, VC dan VE?
Maka Vp = 5 mVp
Input AC
VA
VBE
VC
VE
10 mVpp
7.5 mV
7 mV
0V
0V
G. Simulasi
Percobaan 2
VCC
VCE (mV)
12 V
69,63
Percobaan 3
VCC
VA (V)
VBE (V)
VC (V)
VE (V)
12 V
2.155
648.15m
7.46
1,56
Percobaan 4
Analisis rangkaian AC
VA
VBE
VC
VE