RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) o TIRISTOR

DESCRIPCIN BASICA
El S.C.R. est constituido por cuatro capas de silicio dopadas alternativamente con impurezas del tipo P y del tipo N.

Otra representacin equivalente del S.C.R. en la que ste se ha desdoblado en dos partes desplazadas fsicamente,
pero que permanecen elctricamente conectadas. Este desdoblamiento se ha hecho con la intencin de que el
dispositivo pueda considerarse como dos transistores en oposicin (un PNP y un NPN), siendo las regiones
N2 y P1, bases y colectores, a la vez y respectivamente, de ambos transistores.

Al polarizar el nodo positivamente respecto al ctodo, se inyectan electrones y huecos en sus extremos; estos
portadores se difunden, respectivamente, a travs de las uniones N1-P1 y P2-N2, realimentndose en el bucle interno
de ambos transistores. Mientras dicha polarizacin permanezca dentro de ciertos lmites, la cantidad de portadores se
mantiene estable y de valores pequeos.