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Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común.

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CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN. APLICACIONES.

Cañarte, Cristóbal., Jara, Jessica. criseobaleli@hotmail.com , lj_jara94@hotmail.com, Escuela Politécnica Nacional

Resumen. Los transistores de unión bipolar o TBJ son muy utilizados en el mundo de la electrónica debido a sus características y configuraciones en base a lo que se quiera obtener, por ende es necesario conocer su funcionamiento, sus aplicaciones, sus parámetros, características, entre otros parámetros del mismo que se detallaran en el presente documento. Se conocerá lo que es un TBJ desde su construcción, pasando por sus características, métodos de polarización, hasta llegar a su configuración en emisor común que es la configuración más utilizada en los circuitos debido a su alta ganancia de voltaje, y alta resistencia de salida, además de que se realizará el diseño de un amplificador en emisor común básico en base a parámetros dados, intentando que sea lo más entendible posible y justificando las condiciones para el cálculo.

Índice de Términos—Amplificador emisor común, ganancia de corriente, ganancia de voltaje, resistencia de emisor uno R E1 , hueco

I.INTRODUCCIÓN

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 1 CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN. APLICACIONES. Cañarte,criseobaleli@hotmail.com , lj_jara94@hotmail.com , Escuela Politécnica Nacional  Resumen — . Los transistores de unión bipolar o TBJ son muy utilizados en el mundo de la electrónica debido a sus características y configuraciones en base a lo que se quiera obtener, por ende es necesario conocer su funcionamiento, sus aplicaciones, sus parámetros, características, entre otros parámetros del mismo que se detallaran en el presente documento. Se conocerá lo que es un TBJ desde su construcción, pasando por sus características, métodos de polarización, hasta llegar a su configuración en emisor común que es la configuración más utilizada en los circuitos debido a su alta ganancia de voltaje, y alta resistencia de salida, además de que se realizará el diseño de un amplificador en emisor común básico en base a parámetros dados, intentando que sea lo más entendible posible y justificando las condiciones para el cálculo. Índice de Términos— Amplificador emisor común, ganancia de corriente, ganancia de voltaje, resistencia de emisor uno R , hueco I.INTRODUCCIÓN Fig1. Construcción Básica de un TBJ Su respectiva simbología es la siguiente: Fig2. Simbología de un TBJ B. Polarización. I. Un TBJ es un amplificador controlado por corriente, de manera que para que funcione es necesario polarizarlo de manera adecuada, es decir la unión base emisor (BE) en directa y la unión base colector (BC) en inversa. A. ¿Qué es un TBJ? Un TBJ es un transistor de unión bipolar, se le llama así debido a que es básicamente la unión de tres semiconductores, en cada región el semiconductor recibe el nombre de emisor, base y colector. Dado que se pueden usar semiconductores de tipo N (predomina la cantidad de electrones de conducción) y de tipo P (predomina la cantidad de huecos). De manera que existen dos tipos de TBJs, los de tipo que están conformados por dos regiones n separadas por una región tipo p (npn), y el de tipo que están conformados por dos regiones p separadas por una región tipo n (pnp). Fig3. Simbología de un TBJ  Ahora tomando en cuenta un transistor tipo npn, La región tipo n tiene bastantes electrones de valencia, estos electrones se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base tipo p que es delgada y posee pocos electrones de valencia. Sin embargo la base posee una cantidad baja de huecos también al ser delgada, de manera Faculta de Ingeniería Eléctrica y Electrónica " id="pdf-obj-0-30" src="pdf-obj-0-30.jpg">

Fig1. Construcción Básica de un TBJ

Su respectiva simbología es la siguiente:

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 1 CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN. APLICACIONES. Cañarte,criseobaleli@hotmail.com , lj_jara94@hotmail.com , Escuela Politécnica Nacional  Resumen — . Los transistores de unión bipolar o TBJ son muy utilizados en el mundo de la electrónica debido a sus características y configuraciones en base a lo que se quiera obtener, por ende es necesario conocer su funcionamiento, sus aplicaciones, sus parámetros, características, entre otros parámetros del mismo que se detallaran en el presente documento. Se conocerá lo que es un TBJ desde su construcción, pasando por sus características, métodos de polarización, hasta llegar a su configuración en emisor común que es la configuración más utilizada en los circuitos debido a su alta ganancia de voltaje, y alta resistencia de salida, además de que se realizará el diseño de un amplificador en emisor común básico en base a parámetros dados, intentando que sea lo más entendible posible y justificando las condiciones para el cálculo. Índice de Términos— Amplificador emisor común, ganancia de corriente, ganancia de voltaje, resistencia de emisor uno R , hueco I.INTRODUCCIÓN Fig1. Construcción Básica de un TBJ Su respectiva simbología es la siguiente: Fig2. Simbología de un TBJ B. Polarización. I. Un TBJ es un amplificador controlado por corriente, de manera que para que funcione es necesario polarizarlo de manera adecuada, es decir la unión base emisor (BE) en directa y la unión base colector (BC) en inversa. A. ¿Qué es un TBJ? Un TBJ es un transistor de unión bipolar, se le llama así debido a que es básicamente la unión de tres semiconductores, en cada región el semiconductor recibe el nombre de emisor, base y colector. Dado que se pueden usar semiconductores de tipo N (predomina la cantidad de electrones de conducción) y de tipo P (predomina la cantidad de huecos). De manera que existen dos tipos de TBJs, los de tipo que están conformados por dos regiones n separadas por una región tipo p (npn), y el de tipo que están conformados por dos regiones p separadas por una región tipo n (pnp). Fig3. Simbología de un TBJ  Ahora tomando en cuenta un transistor tipo npn, La región tipo n tiene bastantes electrones de valencia, estos electrones se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base tipo p que es delgada y posee pocos electrones de valencia. Sin embargo la base posee una cantidad baja de huecos también al ser delgada, de manera Faculta de Ingeniería Eléctrica y Electrónica " id="pdf-obj-0-36" src="pdf-obj-0-36.jpg">

Fig2. Simbología de un TBJ

B.

Polarización.

  • I. Un TBJ es un amplificador controlado por corriente, de manera que para que funcione es necesario polarizarlo de manera adecuada, es decir la unión base emisor (BE) en directa y la unión base colector (BC) en inversa.

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 1 CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN. APLICACIONES. Cañarte,criseobaleli@hotmail.com , lj_jara94@hotmail.com , Escuela Politécnica Nacional  Resumen — . Los transistores de unión bipolar o TBJ son muy utilizados en el mundo de la electrónica debido a sus características y configuraciones en base a lo que se quiera obtener, por ende es necesario conocer su funcionamiento, sus aplicaciones, sus parámetros, características, entre otros parámetros del mismo que se detallaran en el presente documento. Se conocerá lo que es un TBJ desde su construcción, pasando por sus características, métodos de polarización, hasta llegar a su configuración en emisor común que es la configuración más utilizada en los circuitos debido a su alta ganancia de voltaje, y alta resistencia de salida, además de que se realizará el diseño de un amplificador en emisor común básico en base a parámetros dados, intentando que sea lo más entendible posible y justificando las condiciones para el cálculo. Índice de Términos— Amplificador emisor común, ganancia de corriente, ganancia de voltaje, resistencia de emisor uno R , hueco I.INTRODUCCIÓN Fig1. Construcción Básica de un TBJ Su respectiva simbología es la siguiente: Fig2. Simbología de un TBJ B. Polarización. I. Un TBJ es un amplificador controlado por corriente, de manera que para que funcione es necesario polarizarlo de manera adecuada, es decir la unión base emisor (BE) en directa y la unión base colector (BC) en inversa. A. ¿Qué es un TBJ? Un TBJ es un transistor de unión bipolar, se le llama así debido a que es básicamente la unión de tres semiconductores, en cada región el semiconductor recibe el nombre de emisor, base y colector. Dado que se pueden usar semiconductores de tipo N (predomina la cantidad de electrones de conducción) y de tipo P (predomina la cantidad de huecos). De manera que existen dos tipos de TBJs, los de tipo que están conformados por dos regiones n separadas por una región tipo p (npn), y el de tipo que están conformados por dos regiones p separadas por una región tipo n (pnp). Fig3. Simbología de un TBJ  Ahora tomando en cuenta un transistor tipo npn, La región tipo n tiene bastantes electrones de valencia, estos electrones se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base tipo p que es delgada y posee pocos electrones de valencia. Sin embargo la base posee una cantidad baja de huecos también al ser delgada, de manera Faculta de Ingeniería Eléctrica y Electrónica " id="pdf-obj-0-46" src="pdf-obj-0-46.jpg">
  • A. ¿Qué es un TBJ?

Un TBJ es un transistor de unión bipolar, se le llama así debido a que es básicamente la unión de tres semiconductores, en cada región el semiconductor recibe el nombre de emisor, base y colector. Dado que se pueden usar semiconductores de tipo N (predomina la cantidad de electrones de conducción) y de tipo P (predomina la cantidad de huecos). De manera que existen dos tipos de TBJs, los de tipo que están conformados por dos regiones n separadas por una región tipo p (npn), y el de tipo que están conformados por dos regiones p separadas por una región tipo n (pnp).

Fig3. Simbología de un TBJ

Ahora tomando en cuenta un transistor tipo npn, La región tipo n tiene bastantes electrones de valencia, estos electrones se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base tipo p que es delgada y posee pocos electrones de valencia. Sin embargo la base posee una cantidad baja de huecos también al ser delgada, de manera

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que una pequeña cantidad de electrones se van hacia la base. Debido a que los electrones ocupan parte de los huecos que posee la base, se transforman en electrones libres en el conductor de la base y producen una corriente de base externa, Como no todos los electrones se mueven hacia la base por tener pocos huecos, son atraídos hacia el colector pues este esta polarizado de manera positiva, de manera que son arrastrados hacia el circuito externo y luego regresan al emisor junto con la corriente de base.

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 2 que una pequeña cantidad de electrones se

Fig.4 Conducción en un TBJ NPN

De manera que las corrientes tienen las siguientes direcciones en cada caso del transistor, ya sea npn o pnp.

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Fig.5 Corrientes en un transistor tipo NPN y PNP

  • C. Parámetros de un TBJ

1)

La

) Beta de cd ( ) y el alfa de cd ( ganancia de corriente de
)
)

Beta de cd (

) y el alfa de cd (

ganancia de corriente

de

CD

de

un transistor es

la

relación

entre la corriente

de colector y la corriente

de

base,

a esta relación

se

la

conoce como ganancia

de

corriente

 
1) La ) Beta de cd ( ) y el alfa de cd ( ganancia de

De manera análoga, la relación

entre

la

corriente de

colector y la corriente del emisor en cd se la conoce como

alfa.

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Además de estos parámetros, para el análisis del TBJ se puede considerar como el siguiente circuito en CD:

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Fig.5 Conducción en un TBJ NPN

  • D. Curvas Características del colector.

Es necesario conocer el comportamiento del transistor en base a la corriente de colector que circula y el voltaje entre la juntura Colector-Emisor, esta relación se expresa gráficamente en la figura a continuación:

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Fig.6 Ic vs Vce

En la Fig.6 se observa que existe una región de corte en la cual el transistor no opera, y el voltaje en la juntura colector- emisor es el mismo voltaje de polarización, y en la región de saturación, el Vce tiende a ser cero, y por ende circula más corriente en el colector, llegando a su máximo valor y permaneciendo constante, hasta la región de ruptura, donde el transistor no soportara el voltaje de polarización dañándose. La siguiente recta corresponde a la recta de carga del TBJ, en la cual al polarizar al TBJ se podrá graficar en base al voltaje aplicado Vcc, esta recta es muy útil más adelante pues permite conocer los parámetros de operación de un amplificador tal que no se recorte nuestra señal amplificada.

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3

Fig.7 Recta de carga de un TBJ El punto de trabajo del TBJ es un punto
Fig.7 Recta de carga de un TBJ
El punto de trabajo del TBJ es un punto dentro de la recta de
carga en el cual el TBJ está trabajando, en los amplificadores
es necesario establecer este punto lo más cercano al centro
geométrico de la recta de carga.
E.
Hoja de datos de un transistor (Datasheet)
En base a los parámetros otorgados por el fabricante podremos
realizar una mejor aproximación de un amplificador en emisor
común, En las hojas de datos se incluyen los voltajes C-E
máximos, Ic máxima la ganancia de corriente , entre otros

parámetros, a continuación un ejemplo de una hoja de datos del transistor 2N3904

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 3 Fig.7 Recta de carga de un TBJ
  • F. Polarización de un TBJ.

Existe más de una

forma

de

polarizar

un

transistor,

a

diferencia de polarizarlo con una fuente de voltaje externa,

como se verá a continuación.

1)

Polarización mediante divisor de voltaje

Básicamente se aplica la característica de que en resistencias conectadas en serie a una fuente de voltaje, existe un voltaje diferente en cada resistencia si son de diferentes valores, entonces haciendo uso de este principio podemos polarizar un TBJ usando una única fuente como se indica a continuación:

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 3 Fig.7 Recta de carga de un TBJ

Fig.8 Polarización mediante divisor de voltaje

Para que el divisor de voltaje sea rígido, es decir que la base reciba el voltaje necesario se hace que I2=10Ib, esta consideración la haremos en el momento de diseñar.

2)

Polarización de emisor

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4

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 4 Fig.9 Polarización de emisor Esta opción es

Fig.9 Polarización de emisor

Esta opción es excelente debido a que proporciona excelente estabilidad de polarización pese a los cambios de temperatura

y

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 4 Fig.9 Polarización de emisor Esta opción es

3)

Polarización de Base

Este circuito es muy común en los circuitos de conmutación

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 4 Fig.9 Polarización de emisor Esta opción es

Fig.10 Polarización de base

potencia.

  • A. Circuito equivalente en ac

Para el análisis en ac consideramos un circuito equivalente, con las siguientes características:

- Los capacitores

de

la

C 1, C 2 y

C 3 (fig.

3)

son

reemplazados por cortos porque sus valores se seleccionan de modo que X C sea despreciable a la frecuencia de la señal. - La fuente de DC (fig. 3) se la reemplaza por tierra.

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 4 Fig.9 Polarización de emisor Esta opción es

Figura 11. Circuito equivalente en AC del amplificador en emisor común.

Los

capacitores

C 1,

C 3

son

capacitores

que

permiten bloquear la componente de continua de la fuente V CC hacía el generador (C 1 ) y hacia la carga

R L (C 3 ).

II.

CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN

Existen tres configuraciones básicas en circuitos con TBJ: circuito amplificador en base común, circuito amplificador en colector común y el más utilizado el circuito amplificador en emisor común.

Sus nombres están relacionados con la parte del transistor que se encuentra tanto en el lazo de entrada como en el de salida.

La configuración en emisor común tiene el emisor como terminal común, o tierra, ante una señal de ac. Su nombre también se debe a la combinación de las corrientes de base y de colector en el emisor. Este tipo de amplificadores poseen una alta ganancia de voltaje y una alta ganancia de corriente, en consecuencia tienen muy buenas ganancias de

El capacitor C 3, contra la ganancia de voltaje, para esta etapa de análisis lo consideramos como un corto circuito.

  • B. Proceso de amplificación.

La figura 3 muestra un amplificador en emisor común con polarización de divisor de voltaje y capacitores de acoplamiento C 1 y C 3 a la entrada y salida, y un capacitor de puenteo, C 2 , del emisor a tierra. La señal, V ent está acoplada capacitivamente a la base; la señal de salida, V sal , está acoplada capacitivamente del colector a la carga. La salida amplificada está desfasada 180º con respecto a la entrada. No hay señal en el emisor porque el capacitor de puenteo pone al emisor en cortocircuito con tierra a la frecuencia de la señal.

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ˆ I R   V E E O ˆ V V E in  R
ˆ
I
R
V
E
E
O
ˆ
V
V
E
in
R
R 
(3)
E
L
R
E
V
V
E
inm
R 
E
Para el valor de la fuente de polarización:
V
V
V
V
CC
E
CE
RC
Figura 12. Amplificador en emisor común.
V
V
V
V
V
V
CC
E
O
in
CE
min
RC
V
 1.1
V
CC
CC
III.
DISEÑO DE CIRCUITO AMPLIFICADOR EN
EMISOR COMÚN
(4)
A.
Condiciones de amplificación
Para el diseño se considera un margen de error del
10% y 20%.
Comenzaremos
con
el
análisis
bajo
las
condiciones de dc, entonces se tiene que:
A
continuación
presentamos
las
curvas
V
V
V
V
CE
O
IN
CE min
V
 0.2
V
CE min
(1)
V

V
características del transistor para la configuración
emisor común, nótese la intención de poder contar
con valores referenciales de los valores
característicos en dc.
CE
min
CEin

V

CE min

2

V

Este

valor

es

el

mínimo

distorsión en la señal.

para

que

no

exista

Se garantiza que no haya distorsión debido a la corriente de colector:

I

CQ

I

C

 

ˆ

I

C

R

L

V

O

 

ˆ

V

RC

V

O

R

C

R

L

 

R

C

V

RC

R

L

 

ˆ

  • V O

(2)

Se considera la siguiente ecuación para evitar distorsión debido a la corriente de emisor:

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 5 ˆ I R   V E

Figura13. Curvas caracterísiticas para el amplificador en emisor común.

  • B. Cálculo de impedancias Resistencia dinámica

1)

La

resistencia

de

ac

en

el

emisor,

r e ,

es

el

parámetro r más importante, su fórmula se deriva suponiendo que ocurre una unión abrupta entre las

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regiones n y p.

R

in

R

1

R

2

R

inT

(7)

26 mV

r

e

I

E

(5)

La

mayoría

de

los

diseños

no dependen

críticamente del valor de r e ,

su valor podría variar

ligeramente con respecto al método que se utilice para su cálculo.

2)

Impedancia de entrada al transistor

La

impedancia

de

entrada

al transistor

en

parámetros

r

(fig.

5), está dada

por el voltaje

de

entrada partido de la corriente tiene que:

de entrada,

así

se

 

R

inT

  • V in

  • I in

( r  R )  I e E 1 E R  inT I B
(
r
R
)
I
e
E
1
E
R
inT
I
B
(
r
R
)
1
I
e
E
1
E
R
inT
I
B
R
(
r
R
)
1
inT
e
E 1

(6)

Figura 14. Modelo del transistor de parámetro r (deb¡ntro del bloque sombreado) conectado a un circuito externo.

3)

Impedancia de entrada al circuito

Es la resistencia

“vista” por

la

fuente

de

ca

conectada a la entrada. Es deseable un alto valor de resistencia de entrada de modo que el amplificador no cargue en exceso a la fuente de señal

4)

Impedancia de salida del circuito

Es la resistencia viendo desde el colector, que sería el paralelo entre R C y R L.

R

out

R

L

R C

(8)

  • C. Cálculo de capacitores

Los capacitores se aproximan a cortocircuitos para señales de ac y como circuitos abiertos para las señales dc.

Por tanto, se puede distinguir dos tipos:

-

Capacitores

de

paso,

se

utilizan

para

eliminar de manera efectiva, al poner en corto,

los resistores durante la operación de ac.

  • - Capacitores de acoplamiento, se utilizan

para bloquear la corriente directa y permitir el

paso de la señal de ac.

1)

Capacitor C 1

Debe cumplir con la condición de:

V

R

in

V

in

out

 

X

B

R

in

R

B

X

C

1

R

in

2

1

f

C

R

in

C

1

2

1

1

f

R

in

2)

Capacitor C 2

(9)

Debemos cumplir con la condición de:

X

C

2

R

L

2

 

1

f

C

R

2

L

C

2

2

1

f

R

L

(10)

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7

3)

Para

Capacitor C 3

el

cálculo

de

condición de:

este

capacitor

tenemos

la

A.

IV.

EJEMPLOS DE DISEÑO

Ejemplo de diseño con la condición de Rin.

X

C

3

R

E

1

2

f

C

3

R

E

C

3

1

2

f

R

E

(11)

  • D. Parámetros de amplificación

1)

Ganancia de voltaje

Se define como

la relación entre el voltaje de

salida y el voltaje de entrada y se lo representa por

Av.

Vo R R L C A    v Vin r  R e E1
Vo
R
R
L
C
A
 
v
Vin
r
R
e
E1
También se define como:

(12)

A v

Todo

lo

que

ésta

en

colector

para

señal

Todo

lo

que

ésta

en

emisor

para

señal

2)

Ganancia de corriente

Es la relación

entre

la

corriente

de salida

y

la

corriente de entrada, para esta configuración la corriente de salida es i C y la corriente de entrada es i B , la ganancia de corriente A i será:

A

i

i

C

i

B

3)

Ganancia de potencia

(13)

La ganancia de potencia viene dada por producto entre la ganancia de voltaje y la ganancia de corriente.

A

p

A

V

A

i

(14)

B.

Ejemplo de diseño sin condición de Rin.

Para el diseño en emisor común tomaremos algunos criterios, para establecer un buen punto de trabajo del TBJ y la señal de salida no se vea afectada.

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Ahora dados todos los criterios de diseño procederemos a

diseñar un amplificador en emisor sin el parámetro

de

resistencia de entrada, los elementos faltantes pueden ser

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8

calculados usando las leyes de corrientes de Kirchhoff, leyes de voltajes de Kirchhoff, y la ley de ohm.

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=
=
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  • V. APLICACIONES EN LA VIDA REAL DE LOS

CIRCUITOS AMPLIFICADORES EN EMISOR COMÚN

Mezclador de audio. Cuando se combinan dos o más señales en una sola salida de audio, se emplean mezcladores como el que aparece en la figura 8. Los potenciómetros en la salida son controles de volumen para cada canal, el potenciómetro R 3 proporciona un balance adicional entre las dos señales. Los resistores R 4 y R 5 aseguran que un canal no tenga un efecto de carga en el otro, es decir, para asegurar que una señal no aparezca como carga para la otra, consuma potencia y afecte el balance deseado de la señal mezclada.

 Figura 15. Mezclador de audio. Preamplificacion de sonido.  Instrumentos musicales. VI. CONCLUSIONES Jessica Jara:
Figura 15. Mezclador de audio.
Preamplificacion de sonido.
Instrumentos musicales.
VI.
CONCLUSIONES
Jessica Jara:
-
La
configuración
de
amplificador
en

emisor común presenta una mayor ventaja

con respecto a las otras configuraciones,

debido

a

sus

altas

ganancias tanto de

voltaje como de corriente y por

Faculta de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común.

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consecuencia altas ganancias de potencia.

  • - Se debe tomar en cuenta los valores de polarización mínimos que debe cumplir nuestro diseño, con el objetivo de evitar recortes en nuestra señal amplificada en la salida.

  • - Una de las ventajas que presenta esta configuración es que posee una impedancia de entrada alta, lo cual es beneficioso debido a que la corriente ingresaría directamente a la carga.

Cristóbal Cañarte

  • - El diseño de un amplificador no es más que aprovechar las características operacionales de un TBJ, cumpliendo con los parámetros y colocando valores que se consideren estables, se obtendrá un mejor amplificador.

  • - El emisor común es un amplificador utilizado en una alta gama de circuitos electrónicos debido a su alta ganancia de voltaje, corriente y potencia.

  • - Se puede utilizar variaciones tanto a la polarización del transistor como a las manera de usar el transistor, es decir usando Darlington, polarización por diodo zener, por una fuente de voltaje externa, etc. dando así mejores características al circuito amplificador en caso de ser necesario.

V CE =

voltaje

APÉNDICE

de

colector

polarización directa.

emisor,

ésta

en

familiares

por

el

apoyo

comprensión brindada.

incondicional

y

la

REFERENCIAS

[1]

T. Floyd, Dispositivos Electrónicos, vol.1 ED-08, Ed.

[2]

México: Pearson Educación, 2008, pp. 263-266. J. Miliman, Ch. Halkias, Electrónica Integrada,Trad.:

Barcelona, España, Ed. Hispano Europea, 1976, pp. 129–

139.

[3]

C.Savant, M. Roden, G. Carpenter, Diseño Electrónico,

[4]

Ed. Prentice-Hall, pp. 75-80 R. Boylestad, L. Nashelsky, Electrónica: teoría de

[5]

circuitos y dispositivos electrónicos, vol.1 ED-08, Ed. México: Pearson Educación, pp. 358, 393, 396. T. Sánchez, Circuitos Electrónicos, Escuela Politécnica Nacional, Quito, 2006, pp: 2-8.

BIOGRAFÍA

Escuela Politécnica Nacional. Cañarte, Jara. Amplificador Emisor Común. 9 consecuencia altas ganancias de potencia. - Se

Jessica Lizette Jara Livisaca, nace un 05 de enero de 1994, en la ciudad de Loja. Realizó sus estudios secundarios en el Colegio Santa Mariana de Jesús. Actualmente ésta cursando el quinto semestre de Ingeniería en Electrónica y Control en la Escuela Politécnica Nacional.

V BE = voltaje de la juntura base-emisor que tiene un valor constante de 0.7 (V).

r e = resistencia dinámica, que se calcula con 26(mV) partido de Ic.

Hueco= Al momento que un electrón salta a la banda de conducción de un material, deja un espacio vacío en la banda de valencia dentro del material.

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RECONOCIMIENTO

Agradecemos

a

nuestros

padres,

amigos

y

Cristóbal Cañarte nació en Quito- Ecuador, el 09 de noviembre de 1993, se graduó de bachiller en el colegio Borja Nº3 Cavanis, en el año 2011, actualmente estudiante de Ingeniería en Electrónica y Control en la Escuela Politécnica Nacional, Quito-Ecuador.

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