Nama : Suci Winarsih

NPM : 140310100082

Ringkasan Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Molecular Beam Epitaxy (MBE) adalah teknik Ultra High Vacuum dengan
tekanan (10-11sampai 10-12 Torr) untuk menumbuhkan struktur monolayer yang
memiliki kemurnian tinggi. MBE ditemukan oleh J. R. Arthur dan Alfred Y. Cho
pada tahun 1960, dimana keduanya dapat menumbuhkan layer GaAs (Gallium
Arsenide) dengan menggunakan MBE1. Tahun 1998 keduanya dianugerahi Nobel
bidang Fisika atas jasanya tersebut. Jenis film yang dapat ditumbuhkan adalah
bahan semikonduktor, isolator, dan superkonduktor dengan kemurnian tinggi.
Hasil film yang ditumbuhkan dapat digunakan untuk keperluan penelitian dan
industri.
MBE memiliki beberapa komponen utama2, diantaranya :
a. Sistem Vakum
b. Liquid N2 Cryopanels
c. Effusion Cells
d. Substrate Manipulator
e. Reflection High Energy Electron
Diffraction (RHEED)

Gambar 1. Sistem MBE2

a. Sistem Vakum ; material penyusun pada sistem vakum berbahan stainless
steel agar resisten terhadap suhu. Sistem vakum dalam keadaan Ultra High
Vacuum dan merupakan tempat tumbuhnya film. Sistem vakum dilengkapi
pumping system yang terdiri dari pompa ion, dengan sublimasi Ti, dan pompa
cryogenic untuk memompa gas jenis tertentu. Fungsi pumping system adalah
untuk meninimalkan residu impuritas.

b. Liquid N2 Cryoplanels ; N2 ini mengelilingi seluruh chamber wall dan yang

menyebabkan chamber bersuhu rendah sekitar 7 Kelvin. Hal ini berguna
untuk proses evaporasi molekul gas pada substrat.
c. Effusion Cells ; merupakan bagian terpenting dari MBE yang harus memiliki
flux stabil dan homogen serta harus berisi molekul gas yang murni tiap cellnya. Biasanya ada 6 sampai 10 effusion cells pada MBE. Makin banyak
effusion cells berarti makin banyak jenis gas yang bisa dimasukkan maka
jenis film yang dapat ditumbuhkan beragam. Molekul gas akan dikeluarkan
dari effusion cells melalui shutter, dimana kecepatan penembakan molekul
gas harus lebih cepat dibanding tingkat pertumbuhannya dan dikendalikan
oleh komputer. Gas berada di bagian crucible pada effusion cells dengan
dipanaskan sampai 1300oC.
d. Substrat Manipulator ; substrat dapat diputar 180o oleh CAR (Continuous
Azimuthal Rotation) agar film yang tumbuh rata dan homogen di seluruh
permukaan substrat
e. Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) ; untuk mengontrol
ketebalan dan komposisi film yang terbentuk dengan prinsip elektron
ditembakkan ke substrat yang sedang ditumbuhkan lalu elektron terdifraksi
dimana hasil difraksinya akan membentuk sudut berbeda saat mengenai satu
atom, dua atom, dan saat seluruh substrat telah dipenuhi atom.
Proses saat pertumbuhan film dengan teknik MBE :
a. Atom pembentuknya (misal film GaAs maka gas yang ditembakkan adaah
GA dan As) ditembakkan satu per satu atom ke substrat. Atom akan
menempati substrat
b. Atom yang satu dan atom yang lain akan bergabung dan membentuk cluster
di substrat. Atom yang tidak membentuk cluster akan menguap
Teknik MBE sebenarnya tidak jauh berbeda dengan teknik MOCVD
(Metalorganic Chemical Vapor Deposition). Kedua teknik ini memiliki kesamaan
yaitu Ultra High Vacuum, hanya saja tekanan pada MOCVD lebih tinggi
dibanding MBE yaitu 10-10 Torr. Kemudian, film ditumbuhkan saat molekul
pembentuknya berfase gas, substrat dikedua teknik juga diputar untuk

homogenisasi layer yang terbentuk. Dan ada kontrol lapisan layer, di MOCVD
digunakan RAS (Reflectance Anisotropy Spectroscopy) sedangkan di MBE
digunakan RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction). Perbedaan
sistem pengkontrolan ini adalah RAS menggunakan cahaya ditembakkan ke
substrat kemudian cahaya akan direfleksikan dan spektrum akan terdeteksi lalu
mengindikasikan kondisi permukaan substrat4. Pada RHEED, elektron yang
ditembakkan ke substrat dan elektron akan terdifraksi dengan membentuk sudut
berbeda saat mengenai satu atom atau dua atom dan saat mengenai substrat yang
telah terpenuhi atom.
Sedangkan perbedaan kedua sistem ini, pada MBE proses yang terjadi
adalah ballistic transport4 (molekul gas ditembakkan satu per satu pada substrat)
dimana

penembakan

gas

dilakukan

oleh

shutter

dimana

kecepatan

penembakannya dikendalikan komputer. Flux pada effusion cells stabil dan

homogen. Cluster terbentuk setelah molekul gas menempel di substrat sehingga
dihasilkan film dengan ketebalan yang homogen secara keseluruhan. Sedangkan
pada MOCVD, kecepatan aliran gas menyebabkan transport massa molekul gas
sehingga terjadi reaksi kimia dan reaksi kinetik antara gas dan substrat lalu
molekul gas akan menempel pada substrat dan membentuk cluster, akan tetapi
cluster bisa juga terbentuk saat molekul gas belum mencapai substrat sehingga
homogenitas film pada teknik ini terbatas.

DAFTAR PUSTAKA
[1]http://web.centre.edu/dunnk/Che233/Fall_04/Presentations/Molecular%20Bea
m%20Epitaxy.ppt. Diakses pada 8 Oktober 2013
[2] R. Fornari, L. Sorba, Eds. Crystal Growth of Material for Energy Production
and Energy-Saving Application. (Edizioni ETS, Pisa, 2001). Diakses pada
6 November 2013
[3] http://www.tasc.infm.it/research/amd/file/school.pdf. Diakses pada 8 Oktober
2013
[4] http://www.tasc.infm.it/research/amd/corso/epitaxy3.pps. Part III
Metalorganic Chemical Vapor Deposition. Diakses pada 11 November
2013