Anda di halaman 1dari 16

BAB 1

PENDAHULUAN
Memori yang umum digunakan sekarang tidak mampu menyimpan data dengan otomatis.
Ketika anda lupa untuk menyimpan data yang telah anda buat pada komputer dan tiba-tiba listrik
mati, maka hilanglah sudah data yang sudah anda buat. Tapi kini tidak perlu cemas lagi akan hal
ini, ada sebuah perangkat memori yang dapat menyimpan data dengan aman, tanpa perlu
khawatir ketika aliran listrik padam. Dalam istilah komputer hal ini disebut non-volatile memory.
yang kita butuhkan adalah memori padat (solid state memory) yang cepat, terjamin, aksesnya
random, murah, dan yang paling penting non-volatile. Memori ini bekerja layaknya disk
magnetik.
Ada dua aplikasi utama material feroelektrik yakni digunakan dalam dynamic random
access memory (DRAM) dan non-volatile RAM (FRAM). Penggunaan yang pertama
dimungkinkan karena biasanya material feroelektrik memiliki konstanta dielektrik tinggi,
sehingga dengan hanya film tipis saja dapat digunakan untuk DRAM kerapatan tinggi. Dengan
meningkatnya DRAM melampaui 1 Gbit, ukuran sel direduksi besar-besaran sehingga lapisan
dielektrik semikonduktor dianggap tidak praktis lagi, dan di sinilah bahan feroelektrik menjadi
kunci.

BAB II
PEMBAHASAN
Dewasa ini perkembangan pengetahuan dan teknologi material begitu pesat, baik dari
material keramik maupun material ferroelektrik. Sejak tahun 1989, kedua material ini telah
menarik perhatian para peneliti karena sifat-sifat yang menjanjikan untuk di aplikasikan pada
divais generasi baru yang didasarkan pada sifat histerisis dan tetapan dielektrik yang tinggi.
Beberapa jenis material ferroelektrik yang sering digunakan antara lain Barium Titanat (BT),
Lead Zirkonium Titanat (PZT), Barium Zirkonium Titanat (BZT) dan Barium Strontium
Titanat (BST).
Fabrikasi material ferroelektrik dalam bentuk lapisan tipis memiliki aplikasi sangat
luas, karena sifat-sifat bahan feroelektrik dapat dimodifikasi sesuai kebutuhan serta mudah
diintegrasikan dalam bentuk divais. Beberapa aplikasi lapisan tipis feroelektrik diantaranya
sebagai lapisan penyangga (buffer layer), tranduser, saklar, sensor, kapasitor dan sebagai
memori. Penggunaan lapisan tipis feroelektrik sebagai memori memiliki kelebihan bila
dibandingkan sistem magnetik. Sistem magnetik hanya mampu menyimpan 10 5 bit/cm2,
sedangkan memori terbuat dari feroelektrik mampu menyimpan hingga 10 8 bit/cm2.
Kelebihan lain adalah sebagai memori permanen yang mampu menekan kehilangan informasi
selama proses yang berulang.
Salah satu sifat yang menarik dari BST adalah konstanta dielektrik yang tinggi,
sehingga material ini digunakan untuk dielektrik kapasistor yang nantinya digunakan sebagai
memori. Data yang besar tersimpan pada memori ferroelektrik ini karena kapasitor dapat
menyimpan muatan besar akibat nilai konstanta dielektrik yang besar. Prinsip dasar
pembacaan atau penulisan aplikasi memori didasarkan pada sifat histeris material ferroektrik.
Karakteristik lapisan tipis BST dipengaruhi oleh komposisi antara Ba dan Sr,
stoikiometri, struktur mikro (ukuran butir dan distribusi butir), ketebalan lapisan,
karakteristik material elektroda, dan homogenitas lapisan. Karakteristik tersebut di tentukan
oleh metode penumbuhan. Berbagai metode deposisi telah digunakan untuk menumbuhkan
lapisan tipis BST, baik metode vakum maupun non vakum. Beberapa metode vakum yang
sering digunakan adalah Pulsed Laser Deposition (PLD), Metal Organic Chemical Vapor
Deposition (MOCVD), Sputtering, dan Chemical Vapor Deposition (CVD). Metode non
vakum meliputi metode spray pyrolysis, dip coating, dan sol gel spin coating. Kesemua
metode tersebut memiliki kelebihan dan kekurangan. Metode vakum akan menghasilkan
2

lapisan dengan karakteristik yang baik, akan tetapi metode ini membutuhkan biaya yang
relatif besar
BST dan Struktur Kristalnya
Film tipis BST telah menjadi perhatian sejumlah peneliti sejak 15 tahun yang lalu,
kira- kira pada tahun 90-an. Beberapa hal menarik dari film tipis BST adalah konstanta
dielektrik yang tinggi, low dielectric loss, high dielectric breakdown dan temperature Curie
bergantung pada komposisi yang memungkinkan bahan memiliki sifat paraelektrik terbaik
seperti sifat ferroelektrik. Semua hal tersebut menjadikan bahan BST sebagai kandidat untuk
menggantikan SiO2 sebagai penyimpan muatan dielektrik untuk DRAM (Dynamic Random
Access Memories).
Sekarang ini penelitian tentang BST juga terkonsentrasi pada aplikasi detektor
inframerah yang tidak didinginkan dan aplikasi microwave monolithic integrated circuit
(Adem, 2003). BST merupakan kombinasi dua material perovskit barium titanat (BTO) dan
stronsium titanat (STO). Barium titanat (BaTiO3) adalah bahan yang bersifat ferroelektrik dan
mempunyai struktur kristal perovskite (ABO3) yang jauh lebih sederhana bila dibandingkan
dengan bahan ferroelektrik yang lain.
Secara umum struktur perovskite dengan bentuk ABO3 ditunjukkan, dimana A dapat
merupakan logam monovalen, divalen atau trivalen dan B dapat berupa unsur pentavalen,
tetravalen atau trivalen sedangkan O adalah unsur oksigen. Barium titanat adalah material
ferroelektrik perovskid yang sangat sering diteliti dalam bentuk bulk keramiknya. Dari sudut
pandang peneliti zat padat struktur bulk BaTiO3 sangat sederhana daripada material
ferroelektrik lainnya, sedangkan dari sudut pandang aplikasi penggunaannya kelebihan
BaTiO3 adalah sangat stabil (sifat kimia dan ferroelektrik dan sifat mekanik), memiliki sifatsifat ferroelektrik pada suhu kamar dan diatas suhu kamar dan s angat mudah pembuatanya,
dalam bentuk bulk keramik.
Ditinjau dari segi penggunaannya, bahan ini sangat praktis karena sifat kimia dan
mekaniknya sangat stabil, mempunyai sifat ferroelektrik pada suhu ruang sampai di atas suhu
ruang karena mempunyai suhu Curie (Tc) pada 120 0C (Yusnafi 2001). BaTiO3 telah
digunakan sebagai material kapas itor permisivitas tinggi karena konstanta dielektriknya
tinggi. Variasi pada komposisi kimianya menyebabkan perubahan drastis terhadap sifat
fisikanya tetapi tidak merubah sifat piezoelektriknya.

Gambar 2.1 Struktur kristal BaTiO3


Berdasarkan ICDD (intenational center for difraction data), Konstanta kisi Barium
Stronsium Titanat (Ba0.5Sr0.5TiO3) yaitu a = 3.947 . Temperatur Curie barium titanat (BT)
murni sebesar 130 0C. Dengan penambahan stronsium ke dalam barium titanat (BST)
menyebabkan temperatur Curie BST menurun 130 OC menjadi suhu kamar (250C) yang
berguna untuk spesifikasi alat sensor. Gambar 1.1 menunjukkan struktur perovskite BST, ion
barium/stronsium (Ba2+/Sr2+) terletak di ujung rusuk-rusuk kubus, ion titanium (Ti 4+) terletak
di diagonal ruang dan ino oksigen terletak di diagonal bidang kubus (Irzaman,2006).

Gambar 2.2 Struktur perovskite Ba0.5Sr0. TiO3


(a) Polarisasi ke atas

(b) Polarisasi kebawah.

Beberapa penelitian juga berpendapat kalau BST memiliki potensi untuk mengganti
film tipis SiO2 pada sirkuit MOS di masa depan. Dari penelitian yang telah dilakukan sampai
saat ini, film tipis BST biasanya memiliki konstanta dilektrik yang jauh lebih rendah
dibandingkan dengan bentuk bulknya. Struktur mikro butir yang baik, tingkat tekanan yang
tinggi, kekosongan oksigen, formasi lapisan interfacial, dan oksidasi pada bottom electrode
4

atau Si dipercaya menjadi faktor yang menyebabkan penurunan sifat listrik ini (Craciun et al.
2000).
BST juga berpotensi untuk diaplikasikan untuk DRAM dan NVRAM karena
kebocoran arus yang rendah (low leakage current) dan ketahanan yang kuat (Giridharan et al.
2001). Gambar 3 menunjukkan struktur kristal Ba xSr1-xTiO3. Film tipis BST dapat dibuat
dengan

berbagai

teknik

di

antaranya

CSD,

sputtering,

laser

ablasi,

MOCVD

(Darmasetiawan ,2005) dan proses sol gel.

Gambar 2.3 Struktur kristal BaxSr1-xTiO3 (a) polarisasi ke bawah, (b polarisasi ke atas
Barium

Strontium

Titanat

BaxSr1-xTiO3

merupakan

paduan

dari

material

Ba(CH3COO)2, Sr(CH3COO)2, dan Ti(C12O4H28) sesuai Persamaan


0.5Ba(CH3COO)2+ 0.5Sr(CH3COO)2 +Ti(C12O4H28) + 22O2Ba0.5Sr0.5TiO2 +16CO2+17H2O
Lapisan tipis BST terbentuk polikristal, yang sifatnya dipengaruhi oleh komposisi
antara Ba dan Sr, stoikiometri, struktur mikro (ukuran butir dan distribusi butir), ketebalan
lapisan, karakteristik material elektroda, dan homogenitas lapisan. Metode penumbuhan
lapisan tipis BST mempengaruhi komposisi, stiokiometri, kristalinitas, dan ukuran butir yang
berpengaruh terhadap sifat listrik.

Gambar 2.4. Perubahan parameter kisi dan daerah fase ferroelektrik dan paraelektrik dari
BST
Gambar 2.4 menunjukkan perubahan parameter kisi akibat pengaruh komposisi
strontium didalam struktur BST yang pada akhirnya mempengaruhi fase dari BST, fase
ferroelektrik atau parelektrik. Komposisi barium yang berlebih didalam BST menjadikan
BST berada pada fase ferroelektrik, semenjak BST berada di bawah temperatur Curie. Untuk
persen mol Sr 0,25, struktur BST adalah perovskit tetragonal yang bersifat ferroelektrik.
Sedangkan untuk Sr 0,25, struktur BST berubah menjadi kubik yang bersifat paraelektrik.
BST juga berpotensi untuk diaplikasikan untuk DRAM dan NVRAM karena
kebocoran arus yang rendah (low leakage current) dan ketahanan yang kuat (Giridharan et al.
2001).
Material Ferromagnetik
Keramik ferroelektrik pertama kali ditemukan pada tahun 1940, yaitu dengan
ditemukannya konstanta dielektrik tinggi pada keramik kapasistor barium titanat. Sejak saat
itu keramik ferroelektrik menjadi bahan yang sangat diperlukan oleh sejumlah industri.
Komposisi pembuatan material ferroelektrik ada dua yaitu barium titanat dan zirconat titanat.
Kini perkembangan keramik ferroelektrik menjadi pesat, tidak hanya terdiri dari dua
komposisi terdahulu melainkan lebih dari itu (Adem, 2003). Material yang memiliki sifat
ferroelektrik antara lain : Pb (Zr,Ti)03 (PZT, (BaSr)Ti03 (BST), SrTi03 (ST) (Schwartz, 1997).
Material ferroelektrik ditandai dengan adanya polarisasi spontan tanpa adanya medan listrik.
Ketika medan listrik di berikan pada material ferroelektrik, polarisasi akan menunjukkan sifat
histerisis dengan medan listrik yang berikan.

Metode Penumbuhan Lapisan Tipis


Ada berbagai metode penumbuhan lapisan tipis BST diantaranya metode chemical
solution deposition, metal organic chemical vapor deposition; pulsed laser deposition
sputtering.
1. Metode CSD
Chemical solution deposition telah dikenal sebagai suatu metode deposisi film
semikonduktor sejak 1869 ketika mendeposisi PbS dan PbSe (Hodes. G, 2002). Metode
chemical solution deposition merupakan suatu cara pembuatan film tipis dengan
pendeposisian larutan kimia diatas substrat kemudian dipreparasi dengan spin coating dengan
kecepatan putar tertentu (Darma setiawan dan kawan-kawan didalam Sumardi. T, 2004).
Dalam proses kimia pada chemical solution deposition dicoba digunakan larutan garam
sederhana seperti asetat bukan dengan metal alkoksida untuk mendapatkan sol. Penambahan
asam pada chemical solution deposition digunakan sebagai katalis dan pengontrol hidrolisis.
Masalah utama dalam proses chemical solution deposition adalah kestabilan sol, terkadang
terjadi endapan selama penyimpanan atau penggunaan bergantung dari pelarut yang
digunakan, volume air, asam dan temperatur
Metode CSD atau bisa juga disebut metode sol gel adalah suatu metode pendeposisian
lapisan yang menggunakan larutan untuk di teteskan diatas substrat. Spin coater adalah alat
yang digunakan untuk menipiskan larutan ini di atas substrat dengan perputaran tertentu.
Metode ini membutuhkan biaya murah karena di lakukan pada suhu kamar, sangat baik
mengontrol komposisi dan homogenitasnya tinggi. Akan tetapi metode ini kurang baik dalam
mengontrol ketebalan dan stoikiometri. Metode ini juga sangat baik untuk penelitian dan
pengembangan untuk skala laboratorium.
2. MOCVD atau metal organic chemical vapor deposition
MOCVD atau metal organic chemical vapor deposition adalah proses penumbuhan
lapisan tipis dalam rung vakum dimana target berasal dari reaksi kimia pembentukan lapisan
yang berada dalam suatu reaktor pada suasanan plasma. Metode ini dapa mengontrol
stoikiometri dengan baik, akan tetapi membutuhkan biaya yang mahal karena deposisi
dilakukan dalam ruang vakum.
3. PLD atau pulsed laser deposition
PLD atau pulsed laser deposition adalah metode deposisi lapisan tipis dalam ruang
vakum yang tinggi. Dalam metode ini terjadi interaksi antara target dan laser. Laju
penumbuhan lapisan mudah dikontrol sehingga stoikiometrinya mudah dikontrol. Akan tetapi
metode ini membutuhkan biaya yang mahal karena dilakukan dalam ruang vakum.
7

4. Metode sputtering
Metode sputtering adalah memerlukan ruang vakum karena penumbuhan lapisan tipis
dilakukan pada suatu reaktor dalam suasana plasma. Target akan dibombardir dengan ion-ion
argon sebagi gas pembentuk plasma, dari atom-atom target akan terpecik (ter-sputter) dan
dengan suatu beda tegangan tertentu akan menuju dan menempel diatas substrat. Metode ini
dapat mengontrol stoikiometri dengan mudah akan tetapi laju penumbuhannya sangat rendah
dan membutuhkan biaya mahal karena dilakukan pada ruang vakum.
Tabel 2.1 Kelebihan dan kekurangan dalam pembuatan film tipis BST (Adem,2003)
Metode

Kelebihan
- Biaya tidak terlalu mahal

Kekurangan
- kontrol fasa

Chemical

- Dapat membuat sampel

- Morfologi

Solution

dengan waktu yang tidak

Desposition

terlalu lama

- Sulit memproduksi sampel


yang sama dengan

- Homogenitas

sebelumnya.

- Tidak membutuhkan
temperatur tinggi untuk
Pulsed

pembuatan.
- Dapat membuat sampel

- Morfologi

Laser

dengan waktu yang tidak

- konsentrasi point defect

Desposition

terlalu lama

- Terbatas untuk material

- Dapat membuat sampel

Sputtering

tertentu

memproduksi sampel yang

- Uniformitas

sama dengan waktu yang

-Residual stress tinggi

cepat
- Biaya tidak terlalu mahal

- konsentrasi pada area tertentu

- Uniformitas

- residual stress

- Dapat digunakan untuk

- Kontrol stoikiometri

membuat banyak jenis


material

- laju deposisi yang lambat


untuk material oksidasi

- Tidak membutuhkan
temperatur yang tinggi
MOCVD

untuk pembuatan
- Uniformitas

- Biaya mahal

- Morfologi

- ketersediaan precusor
8

-Dapat digunakan untuk

- Teknologi belum berkembang

membuat banyak jenis


material.

Tehnik yang paling sederhana dan mudah dari beberapa tehnik tersebut yaitu tehnik
sol-gel. Sol-gel merupakan salah satu tehnik dalam pembuatan lapisan tipis yang melibatkan
proses kimia berupa reaksi hidrolisis dan kondensasi. Biaya pembuatan lapisan tipis dengan
tehnik sol-gel relatif murah, akan tetapi dalam pengadaan bahannya dibutuhkan biaya yang
cukup mahal. Keuntungan lain dari tehnik sol-gel yaitu dapat menghasilkan material dengan
tingkat kehomogenan tinggi dan komposisi material yang bisa dikontrol sesuai keinginan. Sol
adalah suspensi koloid dari partikel padat di dalam cairan, sedangkan koloid merupakan
suspensi yang fase terdispersinya cukup kecil (~1-1000 nm). Gaya gravitasi dari koloid dapat
diabaikan dan interaksi atom didominasi oleh gaya antar atom terdekat, seperti gaya Van Der
Waals atau gaya antar muatan permukaan. Gelation adalah proses penumbuhan melalui
kondensasi polimer atau pengelompokkan partikel.
Penumbuhan lapisan tipis dilakukan dengan menggunakan metode penumbuhan spin
coating. Metode spin coating merupakan metode yang paling mudah dan cepat dalam
penumbuhan lapisan tipis. Lapisan tipis yang dihasilkan dengan metode ini memiliki tingkat
kehomogenan yang cukup tinggi. Ketebalan lapisan yang diinginkan bisa dikontrol
berdasarkan waktu dan kecepatan putaran dari alat spin coater. Proses spin coating meliputi 4
tahapan yang terdiri dari deposisi, spin up dan spin off serta tahap evaporasi yang
menentukan ketebalan akhir dari lapisan tipis.
Metode ini terdiri dari tiga bagian besar, yaitu pembuatan larutan (sol gel) atau proses
kimia dan pembuatan sampel yang disiapkan dengan metode spin coating (proses
metalorganik deposition). Metode CSD sering disebut juga metode sol gel.
a. Proses Kimia
Pembuatan larutan dilakukan dengan melihat jenis precursor dan pelarutnya. Antara
bahan terlarut dan pelarut hendaklah sepolar agar bisa larut secara sempurna. Pada
penelitian pembentukan larutan dari bahan-bahan alkoxide Ba, SR dan Ti sebagai
precursor-nya. Secara umum hal ini yang penting untuk tipe precursor komposisi
umumnya adalah M(O-R)n, dimana R adalah alkali radikal (CH3,C2H5). Idiealnya
precursor yang digunakan memilik beberapa kriteria sebagai berikut :

Memiliki kandungan metal yang tinggi untuk meminimalkan volume muatan selama

perubahan dari larutan metalorganik menjadi lapisan anorganik.


Memiliki daya larut yang tinggi dengan pelarut dalam proses awal pelarutan.
Mudah untuk direaksikan secara kimia dengan senyawa yang lainnya dalam

pembuatan formula.
Mudah dan murah untuk diproduksi (tidak diperlukan system vakum yang tinggi dll).
Sedangkan kriteri untuk pelarut adalah :
Pelarutnya harus memiliki laju penguapan yang tinggi, sehingga memungkinkan

terjadinya penguapan yang cepat


Harus berhati-hati dalam pemilihan pelarut untuk menghasilkan larutan dengan

konsentrasi yang tinggi. Kekentalan dan tegangan permukaan.


b. Spin Coating
Pendeposisian lapisan tipis dengan metode spin coating telah digunakan dalam
beberapa dekade. Ada empat langkah pada proses spin coating. Langkah ketiga dan
keempat adalah langkah yang berpengaruh pada ketebalan lapisan.
Langkah pertama adalah deposisi laruatan pelapis diatas permuakaan substrat.
Hal ini dapat dikerjakan menggunakan pipet dengan meneteskan laruatan pelapis di
atas substrat. Langkah kedua adalah substrat dipercepat dengan kecepatan putar tinggi
(biasanya sekitar 3000 rpm) yang merupakan langkah penipisan cairan pelapis. Pada
langkah ini biasanya cairan pelapis ada yang ke luar dari permukaan substrat karena
adanya gerak rotasi yang menyebabkan inersia dari lapisan larutan bagian atas tidak
bisa dipertahankan saat substrat berputar lebih cepat. Langkah ketiga adalah ketika
substrat pada kecepatan konstan (sesuai yang diinginkan), yang dicirikan dengan
pelapisan larutan pelapis secara perlahan-lahan, sehingga didapatkan ketebalan
larutan pelapis yang homogen. Kadang-kadang juga terlihat dibagian tepi pada bagian
substrat yang ditetesi larutan pelapis lebih tebal. Langkah keempat adalah ketika
substrat yang ditetesi larutan pelapis lebih tebal. Langkah kelima adalah ketika
substrat diputar pada kecepatan konstan dan terjadi penguapan pelarut.

10

Gambar 2.5 Proses penumbuhan pada spin coating


Ketebalan lapisan dan sifat lainya tergantung pada jenis cairan (viskositas,
kecepatan pengeringan dan molaritas) serta parameter-parameter yang dipilih saat
proses spin coating meliputi kecepatan putar, percepatan dan kevakuman. Umumnya
kecepatan putar yang tinggi dan lama waktu putarnya menghasilkan lapisan yang
tipis. Setelah proses spin coating larutan pada substrat, terjadi perubahan larutan
menjadi padatan melalui proses hidrolisis dan kondensasi.

Karakterisasi Lapisan Tipis BST


Karakterisasi dilakukan untuk mengetahui sifat-sifat dan kualitas dari lapisan yang
telah ditumbuhkan. Kajian karakterisasi ini difokuskan pada struktur mikro, sifat
optik, dan sifat fisik dari lapisan tipis yang dihasilkan.
a. Spektroskopi ultraviolet visible (UV-Vis)
Jika material disinari dengan gelombang elektromagnetik maka jika energi foton

lebih besar atau sama dengan lebar celah pita energi semikonduktor maka foton akan diserap
oleh elektron dalam material dan energi tersebut digunakan untuk naik ke tingkat energi yang
lebih tinggi. Jika energi foton yang diberikan lebih kecil dari lebar celah pita energi maka
foton tidak akan diserap oleh elektron dalam bahan dan radiasi yang diberikan pada material
akan ditransmisikan melewati material.
Lebar celah pita energi semikonduktor umumnya lebih dari 1 eV, energi sebesar ini
bersesuaian dengan panjang gelombang dari cahaya tampak ke ultraviolet. Oleh sebab itu,
pada umumnya semikonduktor menyerap (mengabsorpsi) panjang gelombang ultraviolet
hingga sinar tampak (UV-Vis).
Prinsip dasar dari spektroskopi ultraviolet-visibel atau spektrofotometri ultravioletvisibel adalah proses absorpsi dan transmitansi gelombang oleh material. Panjang gelombang

11

yang digunakan dalam spektroskopi UV-Vis adalah near-ultraviolet [185-400 nm], visibel
[400-700 nm] dan near-infrared [700-1800 nm].
Gambar 2.6 memperlihatkan skema spektroskopi UV-Vis. Sampel yang ingin diketahui
informasi absorbsinya ditempatkan dalam spektrofotometer. Sampel yang digunakan dapat
berupa zat padat, zat cair dan gas. Lalu panjang gelombang atau rentang panjang gelombang
tertentu ditransmisikan melewati sampel. Spektrofotometer mengukur berapa banyak cahaya
yang diserap oleh sampel. Dari informasi fraksi gelombang yang ditransmisikan yaitu I/I0
yang biasanya dinyatakan sebagai persen transmitansi (%T) absorbansi sampel ditentukan
untuk panjang gelombang tersebut atau sebagai fungsi dari rentang panjang gelombang.
Ada dua jenis spektrometer yaitu single beam dan split beam Keduanya terdiri dari
sebuah sumber cahaya, monokromator, detektor, penguat sinyal (signal amplification) dan
perekam. Pada spektrometer jenis single-beam, cahaya hanya melewati sampel sedangkan
pada spektrometer jenis split beam, cahaya melewati sebuah beam chopper yang mengatur
sinar secara berurutan melalui sampel atau referensi beberapa kali per detik.

Gambar 2.6 : Skema spektrometer UV-Vis


Spektrofotometer UV-Vis melibatkan energi elektronik yang cukup besar pada molekul
yang dianalisis, sehingga spektrofotometer UV-Vis lebih banyak dipakai untuk analisis
kuantitatif dibandingkan kualitatif. Analisa spektrum transmitansi dapat digunakan untuk
menentukan parameter optik yang meliputi celah pita optik (

Eopt

), koefisien absorpsi (),

dan indeks bias (n) serta ketebalan lapisan. Untuk pengukuran UV-Vis, lapisan ditumbuhkan
diatas substrat kaca benda.
12

b. Atomic force microscope (AFM)


Atomic Force Microscope (AFM) ditemukan oleh Binning, Quate, dan Gerber pada
tahun 1986. Berikut ini diperlihatkan skema dari AFM:

Gambar 2.7 skema atomic force microscope (AFM)


AFM bekerja memanfaatkan gaya tarik-menarik dan tolak-menolak yang bekerja
antara cantilever dan permukaan sampel pada jarak beberapa nanometer. Saat jarak cantilever
dan sampel menjauh gaya tarik menarik terjadi sedangkan saat jarak cantilever dan sampel
mendekat gaya tolak menolak terjadi. Pada AFM (Gambar 2.7) cantilever bekerja merabaraba (melakukan scanning) terhadap permukaan sampel dengan jarak antara ujung cantilever
(Tip) dengan permukaan sampel sambil menjaga jarak antara cantilever dengan permukaan
sampel tetap sama. Gaya tarik menarik dan tolak menolak yang terjadi di antaranya
menyebabkan perubahan posisi cantilever. Perubahan posisi cantilever selama meraba-raba
permukaan sampel ditangkap dengan laser dan menyebabkan perubahan pantulan laser pada
photodiode. Perubahan posisi tangkapan laser pada photodiode ini diolah dengan rangkaian
elektronik dan computer untuk kemudian diwujudkan dalam wujud data gambar 2.7 dimensi
pada layar monitor.

c. X-ray diffraction (XRD)


Fungsi XRD adalah untuk menentukan sistem kristal (kubus, tetragonal, ortorombik,
rombohedral, heksagonal, monoklin, triklin), menentukan kualitas kristal (single crystal,
polysrystal, amorphous), menentukan simetri kristal, menentukan cacat kristal, mencari

13

parameter kristal (parameter kisi, jarak antar atom, jumlah atom per unit sel), identifikasi
campuran (misal pada alloy) dan analisis kimia. Semua pengamatan dilakukan dari sudut (2?)
400 sampai 600 dengan kenaikan sudut 0,020 setiap lima detik.
X-Ray difraction atau difraksi sinar-X adalah alat diagnosa yang ampuh dan tidak
merusak untuk menganalisa fase kristalin suatu sampel dan menentukan sifat struktural dari
fase tersebut seperti orientasi dominan dan ukuran kristal.
Prinsip dasar dari XRD adalah difraksi sinar-X oleh atom-atom kristal. Ketika sebuah
sinar-X monokromatik menumbuk atom, dua proses hamburan terjadi. Elektron-elektron
yang terikat kuat akan mengalami osilasi dan memancarkan sinar-X dengan panjang
gelombang yang sama dengan panjang gelombang sinar-X datang. Elektron-elektron yang
terikat tidak terlalu kuat akan menghamburkan sebagian dari sinar-X yang datang dan dalam
prosesnya sedikit menaikkan panjang gelombang sinar-X yang dihamburkan. Hamburan yang
pertama disebut hamburan koheren dan hamburan kedua disebut hamburan inkoheren,
keduanya terjadi secara simultan dan di segala arah.
d. Scanning Electron Microscope (SEM) dan Electron Dispersion Spectroscopy (EDS)
SEM berfungsi untuk mengamati morfologi bahan, keunggulannya terutama
disebabkan oleh beragamnya sinyal yang dihasilkan oleh interaksi antara berkas elektron
dengan spesime. Deteksi dan pengolahan terhadap sinyal yang beragam itu menghasilkan
berbagai tampilan data.
Kata kunci dari prinsip kerja SEM adalah scanning yang berarti bahwa berkas
elektron menyapu permukaan spesimen, titik demi titik dengan sapuan membentuk garis
demi garis, mirip seperti gerakan mata yang membaca. Sinyal elektron sekunder yang
dihasilkannya pun adalah dari titik pada permukaan, yang selanjutnya ditangkap oleh
Secondary Electron Detector dan kemudian diolah dan ditampilkan pada layar CRT (TV).
Scanning coil yang mengarahkan berkas elektron bekerja secara sinkron dengan pengarah
berkas elektron pada tabung layar TV, sehingga didapatkan gambar permukaan spesimen
pada layar TV.
Electron Dispersion Spectroscop terintegrasi dengan SEM, merupakan suatu alat yang
berfungsi untuk mengetahui komposisi penyusun dari suatu senyawa sehingga dapat
mengetahui kesesuaian dengan stokiometri pembuatannya. Analisisis dari energi terhadap
cacah, puncak-puncak yang muncul dapat menghasilkan informasi kualitatif dan kuantitatif
mengenai komposisi penyusun pada sampel.

14

Korelasi antara tegangan dan panjang gelombang serta resolasi (daya pisah) dan panjang
gelombang merupakan prinsip dasar dalam mengoperasikan Scanning Mikroskop Elektron
(SEM).

BAB III
KESIMPULAN

15

1. Material Ferromagnetik adalah material yang memiliki konstanta dielektrik yang


tinggi.
2. Beberapa jenis material ferroelektrik yang sering digunakan antara lain Barium Titanat (BT),
Lead Zirkonium Titanat (PZT), Barium Zirkonium Titanat (BZT) dan Barium Strontium
Titanat (BST).

3. Beberapa aplikasi dari BST adalah sebagai lapisan penyangga, tranduser, saklar,
sensor, kapasitor dan sebagai memori.
4. Ada berbagai metode penumbuhan lapisan tipis BST diantaranya metode chemical
solution deposition, metal organic chemical vapor deposition; pulsed laser deposition
sputtering.
5. Karakterisasi lapisan tipis biasanya menggunakan Spektroskopi ultraviolet visible
(UV-Vis), Atomic force microscope (AFM), X-Ray difraction dan SEM.

16