Teknik Implantasi Ion

Pendahuluan

Teknik Implantasi Ion

Merupakan proses penembakan atom atau
molekul bermuatan secara langsung ke atas
permukaan subtrat..
Energi pemercepat adalah 10-200 KeV. (saat
ini sudah lebih dari beberapa MeV)
Biasanya digunakan untuk mendoping
dipermukaan wafer (silikon).

pengertian

Keuntungan teknik implantasi ion

Lebih akurat doses dan kedalaman doping
Temperatur lebih rendah
Lebih sesuai untuk berbagai
masker
Lebih mudah pembersihan
Lebih uniform

kelebihan

Peralatan Utama
Sebuah accelerator partikel tegangan
tinggi yang menghasilkan ions yang
dapat menembus target wafer silicon.
Dengan komponen:
Sumber Ion
Mass spectrometer
High V accelerator
Scanning system
Target chamber

Peralatan

Schematic diagram of an ion implantation system.

alat

Range dan Straggle dari implansi ion

Skema diagram menunujukkan range( jangkauan RP , proyeksi

(RP ) and lateral R dari implantasi ion.

Distribution of Ions in Silicon

Implanted at 200 keV

Mekanisme interaksi doping dalam

permukaan silikon

Ion doping masuk

ke permukaan
subtrat
Ion doping
berinteraksi
dengan atom dan
elektron subtrat

Mekanisme Implantasi Ion

Mekanisme

Kedalaman
( x j Rp )2

C B C p exp
2

R
p

x j R p R p 2 ln C p / C B

Cp=S/ (2Rp)1/2

Besar jangkauan dan

Straggle

R = jarak tempuh ion, MT = massa target, Mi =Massa ion, Rp =

jangkaua ion lurus,

Hambatan lapisan

The resistance of a rectangular

block is:
R = L/A = (/t)(L/W) Rs(L/W)
Rs is called the sheet resistance. Its
units are termed / .
L/W is the number of unit squares of material in the resistor.

Hambatan

Soal 01
1. Jelaskan Teknik implantasi Ion
2. Bagaimana caranya agar kita
mendapatkan hasil implantasi ion
a. lebih luas
b. lebih dalam

Soal 02
Sebuah wafer silikon dengan tebal 125 mm di
implansi ion boron dengan energi 80 keV
menggunakan doses 3 x 10 14 ion/cm2
(a) Berapakah jangkauan projeksi konsentrasi di
puncak jika lama implantasi ion 10 min.
berdasarkan tabel Rp = 0,064 x 10 -4m maka
4)

Cp = S/ (2Rp)1/2= 3x 1014/2 3,14(0,064 x10

1.9 x 10

19

ion/cm2