Anda di halaman 1dari 14

Nama

: Valentino Tarigan

NIM

: 120402065

Tugas

: Elektronika Daya

Tanggal : 26 Februari 2015


N
o
1

Kompon
en
Dioda

Gambar

Prinsip Kerja

Simbol:

Dioda
terbentuk
dari
bahan
semikonduktor tipe P
dan
N
yang
digabungkan. Dengan
demikian dioda sering
disebut PN junction.
Dioda adalah gabungan
bahan semikonduktor
tipe N yang merupakan
bahan dengan kelebihan
elektron dan tipe P
adalah kekurangan satu
elektron
sehingga
membentuk Hole. Hole
dalam hal ini berfungsi
sebagai
pembawa
muatan. Apabila kutub
P pada dioda (biasa

Bentuk fisik:

Kurva Karakteristik

Aplikasi
1. Rangkaian
penyearah arus
listrik dari AC ke DC
2. Rangkaian
regulator tegangan
Implementasi diode
sebagai pelipat
ganda frekuensi
misal frekuensi
input 50 Hz maka
output menjadi 100
Hz
3. Diode sebagai
pencampur sinyal
4. Implementasi LED
5. Diode sebagai
saklar (Switch)

disebut
anode)
dihubungkan
dengan
kutub positif sumber
maka
akan
terjadi
pengaliran arus listrik
dimana elektron bebas
pada sisi N (katode)
akan berpindah mengisi
hole sehingga terjadi
pengaliran arus.
Sebaliknya apabila
sisi P dihubungkan
dengan negatif baterai /
sumber, maka elektron
akan berpindah ke arah
terminal positif sumber.
Didalam dioda tidak
akan
terjadi
perpindahan elektron.

Thyristor

Simbol :

Kontrol output
suplai daya pada
motor DC
Mengatur atau
merubah jumlah daya
yang diberikan pada
beban
Start lunak motor
AC induksi 3 fasa
Mengontrol tegangan

Bentuk Fisik:

Terlihat
di
sini
kolektor
transistor
Q1
tersambung
pada base transistor
Q2 dan sebaliknya
kolektor
transistor
Q2
tersambung
pada base transistor
Q1.
Rangkaian
transistor
yang
demikian
menunjukkan
adanya
loop
penguatan arus di
bagian
tengah.
Dimana
diketahui
bahwa Ic = Ib,
yaitu arus kolektor
adalah
penguatan

dari arus base.


Jika misalnya ada
arus sebesar Ib yang
mengalir pada base
transistor Q2, maka
akan ada arus Ic
yang mengalir pada
kolektor Q2. Arus
kolektor
ini
merupakan
arus
base
Ib
pada
transistor
Q1,
sehingga
akan
muncul penguatan
pada
pada
arus
kolektor
transistor
Q1. Arus kolektor
transistor Q1 tdak
lain
adalah
arus
base bagi transistor
Q2.
Demikian
seterusnya sehingga
makin
lama
sambungan PN dari
thyristor
ini
di
bagian tengah akan
mengecil dan hilang.
Tertinggal hanyalah

lapisan P dan
dibagian luar.

Jika
keadaan
ini
tercapai,
maka
struktur
yang
demikian todak lain
adalah
struktur
dioda PN (anodakatoda) yang sudah
dikenal. Pada saat
yang
demikian,
disebut
bahwa
thyristor
dalam
keadaan ON dan
dapat mengalirkan
arus
dari
anoda
menuju
katoda
seperti
layaknya
sebuah dioda.

Transisto
r

Simbol :

Prinsip dasar dari


kerja
transistor
adalah tidak akan
ada
arus
antara
colektor dan emitor
apabila pada basis
tidak
diberi

Transistor biasa nya


teraplikasikan pada
Ampifier,Saklar,Audio,
Tegangan Tinggi, dl

Bentuk Fisik :

BJT

Simbol:

tegangan muka atau


bias. Bias pada basis
ini biasanya diikuti
dengan sinyal-sinyal
atau pulsa listrik
yang
nantinya
hendak
dikuatkan,
sehingga
pada
kolektor, sinyal yang
di inputkan pada
kaki
basis
telah
dikuatkan.
Kedua
jenis transistor baik
NPN ataupun PNP
memiliki
prinsip
kerja yang sama.

kerja BJT dapat a. Common-emitter


dibayangkan
sebagai dua dioda
yang terminal positif
atau
negatifnya
berdempet,
sehingga ada tiga
terminal.
Ketiga
terminal
tersebut
adalah emiter (E),

Aplikasinya yaitu:
-

Amplifier/penguat
Saklar/switch

Bentuk Fisik :

kolektor (C), dan b. Common-base


basis (B).
Perubahan arus
listrik dalam jumlah
kecil pada terminal
basis
dapat
menghasilkan
perubahan
arus
listrik dalam jumlah
besar pada terminal
kolektor.
Prinsip c. Common-collector
inilah
yang
mendasari
penggunaan
transistor
sebagai
penguat elektronik.
Rasio antara arus
pada koletor dengan
arus
pada
basis
biasanya
dilambangkan
dengan atau hFE.
biasanya berkisar
sekitar 100 untuk
transistor-transisor
BJT.

JFET

Simbol:

Bentuk Fisik

JFET kanal-n
A. Karakteritik Keluaran JFET
Transistor JFET
kanal-n, Drain dan
Source transistor ini
dibuat
dengan
semikonduktor tipe
n dan Gate dengan
tipe p. Tegangan
bias antara gate dan
source
adalah
tegangan
reverse
bias atau disebut B. karakteristik Transfer dan
bias mundur atau
Karakteristik Arus Drain
bias
negatif.
Tegangan
bias
negatif
berarti
tegangan gate lebih
negatif
terhadap
source.
JFET
memanfaatkan
adanya efek medan
yang muncul pada
junction
(sambungan)
p-n.
Elektron
yang

Aplikasinya yaitu:
-

Amplifier
Saklar/switch
multiplexer
Current limiter

mengalir dari source


menuju drain harus
melewati
lapisan
deplesi.
Di
sini
lapisan deplesi bisa
dianalogikan
sebagai keran air.
Banyaknya elektron
yang mengalir dari
source menuju drain
tergantung
dari
ketebalan
lapisan
deplesi.
Lapisan
deplesi
bisa
menyempit,
melebar
atau
membuka
tergantung
dari
tegangan
gate
terhadap source.
Jika gate semakin
negatif
terhadap
source,
maka
lapisan deplesi akan
semakin
menebal.
Semakin
tebal
lapisan
deplesi
maka
akan
memperkecil kanal
atau
bahkan

menutup
kanal
transistor sehingga
mempengaruhi arus
listrik yang mengalir.
Jadi jika tegangan
gate
semakin
negatif
terhadap
source
maka
semakin kecil arus
yang bisa melewati
kanal
drain
dan
source.
Lapisan deplesi pada
saat tegangan gatesource = 0 vollt
adalah
keadaan
dimana
arus
maksimum
dapat
mengalir pada kanal
transistor
karena
lapisan deplesi tidak
bisa diperlebar lagi.
Tegangan gate tidak
bisa
dinaikkan
menjadi
positif,
karena
kalau
nilainya positif maka
gate-source
tidak
lain hanya sebagai
dioda.

JFET kanal p
Seperti
Transisitor
BJT, jenis Transistor
JFET kanal n dan
kanal p mempunyai
struktur yang sama
namun
berbeda
pada
susunan
semikonduktor p dan
semikonduktor
n
nya, oleh karena itu
Transistor
JFET
kanal-p
memiliki
prinsip yang sama
dengan JFET kanal-n,
hanya saja kanal
yang
digunakan
adalah
semikonduktor tipe
p. Dengan demikian
polaritas tegangan
dan
arah
arus
berlawanan
jika
dibandingkan
dengan
transistor
JFET kanal-n. Simbol
rangkaian untuk tipe
p juga sama, hanya

MOSFET

Simbol :

Bentuk Fisik :

saja dengan arah


panah
yang
berbeda.
Mirip seperti JFET, A. Karakteritik Keluaran MOSFET
transistor
MOSFET
(Metal oxide FET)
memiliki
drain,
source dan gate.
Namun
perbedaannya gate
terisolasi oleh suatu
bahan oksida. Gate
sendiri terbuat dari
B. karakteristik Transfer dan
bahan metal seperti
Karakteristik Arus Drain
aluminium.
Oleh
karena
itulah
transistor
ini
dinamakan
metaloxide. Karena gate
yang
terisolasi,
sering
jenis
transistor ini disebut
juga
IGFET
yaitu
insulated-gate FET.

Aplikasinya yaitu:
-

Amplifier
Saklar/switch
multiplexer
Current limiter

IGBT

Simbol :

Bentuk Fisik :

Masukan dari IGBT


adalah
terminal
Gerbang
dari
MOSFET,
sedang
terminal
Sumber
dari
MOSFET
terhubung
ke
terminal Basis dari
BJT.
Dengan
demikian, arus cerat
keluar
dan
dari
MOSFET
akan
menjadi arus basis
dari
BJT.
Karena
besarnya resistansi
masukan
dari
MOSFET,
maka
terminal
masukan
IGBT hanya akan
menarik arus yang
kecil dari sumber. Di
pihak lain, arus cerat

Karakteristik IGBT saat Turn-on dan


Turn Off:

Sebagai inverter
Mengatur putaran
motor DC atau motor
AC daya besar
Sebagai saklar

sebagai
arus
keluaran
dari
MOSFET akan cukup
besar
untuk
membuat
BJT
mencapai keadaan
jenuh.
Dengan
gabungan
sifat
kedua
unsur
tersebut,
IGBT
mempunyai perilaku
yang cukup ideal
sebagai
sebuah
saklar elektronik. Di
satu
pihak
IGBT
tidak
terlalu
membebani sumber,
di pihak lain mampu
menghasilkan arus
yang
besar
bagi
beban listrik yang
dikendalikannya.

Anda mungkin juga menyukai