: Valentino Tarigan
NIM
: 120402065
Tugas
: Elektronika Daya
Kompon
en
Dioda
Gambar
Prinsip Kerja
Simbol:
Dioda
terbentuk
dari
bahan
semikonduktor tipe P
dan
N
yang
digabungkan. Dengan
demikian dioda sering
disebut PN junction.
Dioda adalah gabungan
bahan semikonduktor
tipe N yang merupakan
bahan dengan kelebihan
elektron dan tipe P
adalah kekurangan satu
elektron
sehingga
membentuk Hole. Hole
dalam hal ini berfungsi
sebagai
pembawa
muatan. Apabila kutub
P pada dioda (biasa
Bentuk fisik:
Kurva Karakteristik
Aplikasi
1. Rangkaian
penyearah arus
listrik dari AC ke DC
2. Rangkaian
regulator tegangan
Implementasi diode
sebagai pelipat
ganda frekuensi
misal frekuensi
input 50 Hz maka
output menjadi 100
Hz
3. Diode sebagai
pencampur sinyal
4. Implementasi LED
5. Diode sebagai
saklar (Switch)
disebut
anode)
dihubungkan
dengan
kutub positif sumber
maka
akan
terjadi
pengaliran arus listrik
dimana elektron bebas
pada sisi N (katode)
akan berpindah mengisi
hole sehingga terjadi
pengaliran arus.
Sebaliknya apabila
sisi P dihubungkan
dengan negatif baterai /
sumber, maka elektron
akan berpindah ke arah
terminal positif sumber.
Didalam dioda tidak
akan
terjadi
perpindahan elektron.
Thyristor
Simbol :
Kontrol output
suplai daya pada
motor DC
Mengatur atau
merubah jumlah daya
yang diberikan pada
beban
Start lunak motor
AC induksi 3 fasa
Mengontrol tegangan
Bentuk Fisik:
Terlihat
di
sini
kolektor
transistor
Q1
tersambung
pada base transistor
Q2 dan sebaliknya
kolektor
transistor
Q2
tersambung
pada base transistor
Q1.
Rangkaian
transistor
yang
demikian
menunjukkan
adanya
loop
penguatan arus di
bagian
tengah.
Dimana
diketahui
bahwa Ic = Ib,
yaitu arus kolektor
adalah
penguatan
lapisan P dan
dibagian luar.
Jika
keadaan
ini
tercapai,
maka
struktur
yang
demikian todak lain
adalah
struktur
dioda PN (anodakatoda) yang sudah
dikenal. Pada saat
yang
demikian,
disebut
bahwa
thyristor
dalam
keadaan ON dan
dapat mengalirkan
arus
dari
anoda
menuju
katoda
seperti
layaknya
sebuah dioda.
Transisto
r
Simbol :
Bentuk Fisik :
BJT
Simbol:
Aplikasinya yaitu:
-
Amplifier/penguat
Saklar/switch
Bentuk Fisik :
JFET
Simbol:
Bentuk Fisik
JFET kanal-n
A. Karakteritik Keluaran JFET
Transistor JFET
kanal-n, Drain dan
Source transistor ini
dibuat
dengan
semikonduktor tipe
n dan Gate dengan
tipe p. Tegangan
bias antara gate dan
source
adalah
tegangan
reverse
bias atau disebut B. karakteristik Transfer dan
bias mundur atau
Karakteristik Arus Drain
bias
negatif.
Tegangan
bias
negatif
berarti
tegangan gate lebih
negatif
terhadap
source.
JFET
memanfaatkan
adanya efek medan
yang muncul pada
junction
(sambungan)
p-n.
Elektron
yang
Aplikasinya yaitu:
-
Amplifier
Saklar/switch
multiplexer
Current limiter
menutup
kanal
transistor sehingga
mempengaruhi arus
listrik yang mengalir.
Jadi jika tegangan
gate
semakin
negatif
terhadap
source
maka
semakin kecil arus
yang bisa melewati
kanal
drain
dan
source.
Lapisan deplesi pada
saat tegangan gatesource = 0 vollt
adalah
keadaan
dimana
arus
maksimum
dapat
mengalir pada kanal
transistor
karena
lapisan deplesi tidak
bisa diperlebar lagi.
Tegangan gate tidak
bisa
dinaikkan
menjadi
positif,
karena
kalau
nilainya positif maka
gate-source
tidak
lain hanya sebagai
dioda.
JFET kanal p
Seperti
Transisitor
BJT, jenis Transistor
JFET kanal n dan
kanal p mempunyai
struktur yang sama
namun
berbeda
pada
susunan
semikonduktor p dan
semikonduktor
n
nya, oleh karena itu
Transistor
JFET
kanal-p
memiliki
prinsip yang sama
dengan JFET kanal-n,
hanya saja kanal
yang
digunakan
adalah
semikonduktor tipe
p. Dengan demikian
polaritas tegangan
dan
arah
arus
berlawanan
jika
dibandingkan
dengan
transistor
JFET kanal-n. Simbol
rangkaian untuk tipe
p juga sama, hanya
MOSFET
Simbol :
Bentuk Fisik :
Aplikasinya yaitu:
-
Amplifier
Saklar/switch
multiplexer
Current limiter
IGBT
Simbol :
Bentuk Fisik :
Sebagai inverter
Mengatur putaran
motor DC atau motor
AC daya besar
Sebagai saklar
sebagai
arus
keluaran
dari
MOSFET akan cukup
besar
untuk
membuat
BJT
mencapai keadaan
jenuh.
Dengan
gabungan
sifat
kedua
unsur
tersebut,
IGBT
mempunyai perilaku
yang cukup ideal
sebagai
sebuah
saklar elektronik. Di
satu
pihak
IGBT
tidak
terlalu
membebani sumber,
di pihak lain mampu
menghasilkan arus
yang
besar
bagi
beban listrik yang
dikendalikannya.