ProsidingPertemuan /lmiah SainsMateri III

Serpong,20 -21 Oktober 1998

ISSN 1410-2897

SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF

SILIKON TERHIDROGENASI (a-Si:H)
Efta Yudiarsah

536

1 daD Rosari Saleh 1,2

I Program Studi llmu Fisika, Program Pascasarjana-UI,Jakarta, 10430

2 Jurusan Fisika-FMIPA,Universitas Indonesia, Depok, 16424

ABSTRAK
SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR
AMORF SILIKON TERHmROGENASI
(a-Si:H). Kerapatan
keadaan lokal untuk material a-Si:H telah dihitung. Kerapatan ini dihitung dengan menggunakan model potensial Born dan
metode cluster Bethe lattice untuk struktur tetrahedral. Cluster yang mempunyai grup SiHn (n=l, 2, dan 3) telah digunakan
untuk mempela;ari struktur mikro dan pengaruh atom H pada sifat vibrasi material ini. Hasil perhitungan kerapatan keadaan
lokal sesuai dengan data infra merah. Hasil perhitungan ini juga memperlihatkan bahwa sifat vibrasi lokal material a-Si:H
sangat dipellgaruhi oleh struktur mikronya. Hal ini juga berarti bahwa keberadaanatom H sangat mempengaruhi sifat vibrasi
lokal material a-Si:H.

ABSTRACT
VIBRATIONAL PROPERTIES OF AMORPHOUS SEMICONDUCTOR HYDROGENATED SILICON (8Si:H). Local density of states of a-Si:H materials had been counted. These densities of states were counted by employing
cluster Bethe lattice method and Born potential models for tetrahedral structure. We use a cluster that have a SiHn (n=1,2,
dan 3) group to study mikrostructure and effect of H atoms on vibrational properties of a-Si:H materials. The calculated
results of lokal densitiy of states are in good agreement with the available infrared data. The calculated results also show that
lokal vibrational properties of a-Si:H materials are influence very much by its microstructer. That mean that the lokal vibrational
properties of a-Si:H materials are influence very much by the existence of H atoms.

KATA KUNCI
Bethe lattice, cluster Bethe lattice, potensial Born, daD medan effektif.

PENDAHULUAN
Usahauntuk memperolehlnaterial berbasissilikon
yang mempunyai sifat transfort dan optik yang cocok
untuk aplikasi pada peralatan optoelektronik terus
dilakukan. Salah satunya adalah dengan membuat
material semikonduktor amorf silikon terhidrogenisasi
(a-Si:H). Keberadaan atom H pada meterial ini sangat
mempengaruhi keadaan elektroniknya. Peranan atom
H pada sifat transfort dan optik material ini adalah
mengurangi dangling bond melalui pembentukan ikatan

Si-H.
Sifat transfort daD optik suatu material sangat
berhubungan dengan struktur mikro material tersebut.
Spektroskopi absorpsi infra merah daD hamburan
Raman merupakan alat eksperimen yang sering
digunakan untuk meneliti struktur mikro a-Si:H. Dari
basil pengukuran infra merah daD hamburan Raman,
mode vibrasi lokal pada material dapat diketahui.
Dengan menganalisa mode vibrasi lokal ini dapat
ditentukan ikatan-ikatan antar atom dan struktur mikro
material tersebut.
Material
semikonduktor
a-Si:H
dapat
diaplikasikan pada peralatan optoelektronik secara

Efta Yudiar...ah
dkk.

cukup luas. Material ini dapat diaplikasikan diantaranya

pada; sel surya [I), thin film transistor [2), peralatan
switching [3,4), photodetector [5-10), daD optically
addressedspatial light modulator [II).
Pada paper ini, kami menghitung kerapatan
keadaan vibrasi lokal pada material a-Si:H. Kerapatan
keadaan lokal ini akan digunakan untuk melihat
pengaruh atom H yang berada di grup Silln pada sifat
vibrasi lokal material tersebut daD juga untuk
mempelajari struktur mikronya. Metode cluster Bethe
lattice (CBL) [12-16) telah digunakan untuk
menghitung kerapatan keadaanlokal ini. Bagian 2 akan
membahassecara singkat teori dan metodeperhitungan
yang digunakan. Bagian 3 akan membahas basil
perhitungan kerapatankeadaanlokal. Dan padabagian
terakhir akan dikemukakan rangkuman dari bagian
sebelumnya.

TEORI DAN METODE PERHITUNGAN

Metode CBL digunakan dalarn studi ini untuk
menyelidiki sifat vibrasi a-Si:H. Metode CBL diterapkan
dengan menggunakanfungsi GreenG. Persarnaangerak
dapat dituliskan sebagai berikut

357

Prosiding Pertemuan Ilmiah Sains Materi III

Serpong, 20 -21 Oktober 1998

ISSN1410-2897

EG=I+DC,
(i)
dengan E = m0)2adalah energi kinetik vibrasi, w adaIah
frekuensi vibrasi. massa atom daD D adalah matrik
dinamis. Model potensial Born yang memperhitungkan
interaksi antar tetangga terdekat seperti model Keating
[ 17Jdigunakanuntuk mendapatkanmatrik dinarnis.Energi
potensial dalammodel Born dituiis sebagaiberikut: [i8]
E

=
"

r
,,!

) - ]'

13P [( --

{-u-u

or

'

+-u-u

(a-p) (

'!

) 2'

-~
'

f
,

)
(2

Penjumlallan dilakukan pada atom i daDtetangga

terdekatnya j. ~j adalah vektor satuan daTi posisi
kesetimbangan atom i ke tetangga terdekatnyaj. iij daD
ii j adalah vektor perpindahan atom-atom tesebut.
Kerapatan keadaan vibrasi lokal (LDOS) N j (ro).
pada atom ke j dapat diperoleh daTi fungsi Green
N;(O)= -~Im[Tr(GJ1.(I))]

(3)

dengan GJj(0)) fungsi Green di atom ke J.

Pada pemakaian metode CBL di studi ini, telah
dibuat Bethe lattice silikon. Teknik medan efektif/
matrik transfer telah digunakan untuk menyelesaikan
Bethe lattice ini. Prosedurmaternatis untuk memperoleh
medan efektif/matrik transfer pada tiap-tiap arab ikatan
di Bethe lattice silikon disederhanakan dengan
menggunakan simetri struktur tetrahedral.
Dengan menggunakan teknik matrik transfer,
komponen fungsi Green di atom ke Dol (atom yang
dipilih) pada Bethe lattice silikon diberikan oleh
"

"

-L

D"(1)",,

"

=Dv

+LDltiIJ"ilJv
It'v

(5)

Persamaan(5) dapat diselesaikandengan mudah

secara numerik daD kerapatan keadaan lokal dapat
dihitung dengan menggunakan persamaan (3).
Penjelasan lebih detail tentang Bethe lattice dan metode
CBL dapat ditemukan di beberapa literatur [12-16).
Metode CBL digunakan untuk mempelajari
struktur ikatan lokal berupa grup SiR. yang ada pada
material amort silikon terhidrogenasi (a-Si:R) dan
pengaruh atom R pacta sifat vibrasi material ini.
Struktur ikatan lokalyang actadi material a-Si:R
meliputi ikatan Si-Si, daD Si-R. Untuk melibatkan
ikatan-ikatan ini pada metode CBL digunakan cluster
yang mempunyai grup SiR.. Seperti terlihat pacta
Gambar 1, cluster dengan grup SiR. adalah Si3SiR,
Si2SiR2, dan SiSiR3. Clu,.,ter-cluster ini diikatkan di
Bethe lattice silikon yang berfungsi sebagai pengganti
lingkungan di sekitar cluster.
Kerapatan keadaan lokal dihitung dengan
menggunakan konstanta-konstanta gaya untuk tiap

358

Si-Sitan

Konstantagaya untuk model

reta/alfu(f3/a)
0,6

aIfa(a)IOSdyrriCffi
0,517832276
0.936325022
--

0,748

(4)

dengan In adalah massaatom silikon. Doadalah matrik

dinamik pada atom ke Dol, D,.matrik dinamik pada
arah ikatan antar tetangga terdekat dari atom ke Dol
sampai atom ke v. sedangkan <i>vadalah matrik transfer
pada arah ke v yang diberikan oleh
(mm2I-Do)<i>v

Tabel

Si-H

..~1

Go/! =[ mo) 21 -DO

ikatan. Konstanta-konstanta gaya ini diperoleh dengan

mencocokkan basil perhitungan dengan mode vibrasi
yang diperolehdari dataeksperimenspektroskopiRaman
daD infra merah dari beberapa literatur [19-23]. Untuk
ikatan Si-Si digunakan konstanta-konstanta gaya yang
menghasilkanmode vibrasi transversalacoustic-like daD
tranv~rsal optic-like masing-masing di sekitar frekuensi
200 cm-1daD 480cm-l. Sedangkan konstanta-konstanta
gaya untuk ikatan Si-H diperoleh dengan menghitung
modevibrasi Si-H waggingdan stretching masing-masing
di sekitar frekuensi 640 cm-1daD2000 cm-l. Konstantakonstanta gaya ini diberikan pada Tabell.

BASIL DAN PEMBABASAN

Untuk mempelajari pengaruh atom H pada
kerapatan keadaan vibrasi lokal pada a-Si:H, kami
menghitung kerapatan keadaan vibrasi lokal pada aSi. Kerapatan keadaan lokal ini dihitung dengan
menggunakan Bethe lattice silikon. Perhitungan
kerapatan keadaan lokal menggunakan cluster yang
disusun o.leh atom-atom Si dalam struktur tetrahedral.
Hasil perhitungan diperlihatkan di Gambar 2. Pada
gambar
ini,
hanya
terdapat
dua
mode getaran. Hasil ini sesuaidengan basil perhitungan
yang dilakukan oleh Thorpe [24] daD Yndurain dan
Sell [25], kedua mode diatas adalah mode transversal

100

200

300

400

SOD

600

-I

.,(om )
(,ambar 2. Kerapatan keadaan \oka\ pada atom Si (
di a-Si

Efta Yudiarsahdkk.

Prosiding Pertemuan Ilmiah Sains Materi III

Serpong, 20 -21 Oktober 1998
optic-like dan transversal acoustic-like. Sedangkan
mode-mode longitudinal
acoustic-like dan opticlike tidak terlihat. Mode-mode vibrasi ini disebutdengan
acou.\'tic-like dan optic-like disebabkan oleh perbedaan
antara fonon optik dan akustik tidak dapat didefinisikan
denganjelas dalam material yang tidak ada periodesitas
(261. Penggunaaan istilah optik dan akustik di kasus
amorf hanya untuk membedakan daerah-daerah mode
vibrasi.
Mode transversal acoustic-like pada a-Si
(Gambar I) pada frekuensi 200 cm", sedangkan mode
transversal optic-like pada frekuensi 480 cm-l. Rasil ini
mendekati basil eksperimen untuk mode-mode vibrasi
tersebut. Mode transversal optic-like terdapat pada
frekuensi 480 cm-l, sedangkan mode transversal
acou,\'tic-like pada 195 cm-1(23).
Mode longitudinal tidak terlihat pada basil
perhitungan kerapatan keadaan ini. Mode vibrasi ini
tidak muncul karena interaksi rentang jauh berupa
ikatan berbentuk cincin daD hubungan rentang
menengahtidak dilibatkan pada perhitungan, Rasil ini

ISSN 1410-2897
I. Mode vibrasi di sekitar 646 cm-1bersesuaiandengan
mode Sill waggingyang menurut basil eksperimenberada
di sekitarfrekuensi 640 cm-1[19-22]. Sedangkanmode
vibrasi di sekitar 2018 cm-1bersesuaian dengan mode
Sill stretching yang menurut basil eksperimenberadadi
sekitar2000cm-1[19-22].
Kerapatan keadaan lokal yang dihitung pada
cluster Si2SiH2(Gambar 4) juga memperlihatkan rhode
resonansidi daerah transversal acoustic-like dan opticlike pada rentang spektrum CoDonbulk a-Si. Modemode vibrasi ini masing-masing berada di sekitar
frekuensi 113 cm-1 daD 445 cm-l. Selain kedua mode
vibrasi tadi, pada kerapatan keadaan lokal ini juaga
terdapat lima mode terlokasasi. Mode-mode vibrasi ini
beradadi sekitarfrekuensi 637 cm-l, 647 cm-l,
660
cm-l, 2006 cm-l,dan 2029cm-l.

~
s;

sesuai dengan yang diperoleh Thorpe (24] yang

menghitung dengan menggunakan bermacam-macam
ukuran cluster.
Rasil perhitungan kerapatan keadaan lokal ini
juga memperlihatkan adanyabeberapadaerahfrekuensi
yang tidak terdapat keadaan vibrasi. Daerah-daerah
tersebut berupa gap daTi 0 cm.' sampai 95 cm-' daD
daerah dengan frekuensi lebih daTifrekuensi maksimum
yaitu sekitar 490 cm-l.
Kerapatan keadaan lokal yang dihitung untuk
material a-Si:R diperlihatkan pada Gambar 3, 4 daD 5,
Gambar 3 memperlihatkan basil perhitungan kerapatan
keadaan lokal pada atom-atom di ikatan Si-R pada
clu.\'ter Si,SiR. Adanya monohidrit SiR di cluster
menimbulkan mode-mode resonansi di daerah
transversal acoustic-like daD optic-like pada rentang
spektrum CoDonbulk a-Si. Mode-mode vibrasi ini
masing-masing di sekitar frekuensi 165 cm-' daD 447
cm-l. Hasil yang serupa didapatkanjuga oleh Martinez
dan Cardona (15).
Selain kedua mode resonansi tadi, keberadaan
monohidrit SiR menyebabkan timbulnya dua mode
terlokaliS<1sidi sekitar frekuensi 646 cm-)daD 2018 cm'

Efta Yudiar.\"ah
dkk.

1,1

~5'10
-< 08
0

Si

Q
..06

04
02

l--_~=~-A.\'

00
0

100

200

300

.--+

400

500

600

100

2000

-~(an')

Gambar 3- Kerapatan keadaan lokal pada atom

dan H

di

cluster

Si

2 SiH

dari

Si pusa14a-Si"H

"

"

Mode-mode vibrasi di sekitar frekuensi 637 cm-!,

647 cm-1dan660 cm-1timbul karenaadanyadihidrit S~Mode-mode vibrasi ini merupakan vibrasi atom Si daD
atom H pada ikatan H-Si-H dalam pola getaran rocking,
wagging daD ,..cissoring/bending- Sedangkan modemode vibrasi di sekitar frekuensi 2006 cm-1dan 2029 cmI merupakan mode vibrasi stretching (21] -Kedua mode
vibrasi juga timbul karena getaran atom Si dan atom H
pada ikatan H-Si-HBerbeda dengan kerapatan keadaan lokal yang

dihitung pada kedua cluster terdahulu, kerapatan

keadaan lokal yang dihitung pada cluster SiSiH)
memperlihatkan empat mode terlokalisasi (Gambar 5)Mode-mode vibrasi itu terlihat disekit ar frekuensi' 648
cm-',665 cm-l, 1995 cm-l, dan2029cm-I_Keempatmode
vibrasi ini terjadi karena getaran atom-atom Si daD H
pada cluster SiSiH)-Mode vibrasi yang terlihat disekitar
frekuensi 648 cm-1 daD 665 cm-1 merupakan mode
getaran yang terjadi karena getaran twisting daD
wagging trihidrit SiH) terhadapporos Si-Si- Sedangkan
mode vibrasi yang terlihat disekitar frekuensi 1995
cm-1 daD 2029 cm-1 merupakan mode getaran yang
terjadi karena getaran stretching atom-atom Si daD H
di cluster SiS~Selain keempat mode terlokalisasi
tadi,
kerapatan keadaan lokal yang dihitung pada cluster
SiSiH)juga memperlihatkan dua mode resonansi pada

359

Pro.\'idingPertemuanIlmiah Sain,~Materi III

Serpong, 20 -21 Oktoher 1998

ISSN1410-2897

DAFTAR PUSTAKA

o(cm-j
haT 5 Kerapatan keadaan lokalpada atom Si pusat (don H (---)
di 'cluster SiSiH3 daTi a.SiH

rentang spektrum CODOn

hulk a-Si. Sepertipada kerapatan
keadaan lokal yang dihitung untuk kedua cluster
terdahulu, kedua mode vibrasi ini terlihat berada di
daerah transversal acoustic-like daD optic-like. Modemodevibrasi ini masing-masingberadadi sekitarfrekuensi
99 cm.jdan 434 cm-l.
Hasil perhitungan kerapatan keadaan lokal pada
ketiga cluster memperlihatkanbahwabertambahnyaatom
H pada clu.'iter lllenyebabkan timbulnya mode-mode
vibrasi barn pada daerah di luar spektrnm CoDonbulk aSi, danjuga menyebabkanpergeseranposisi mode-mode
vibrasi di daerah transversal acoustic-like daD opticlike pada rentang spektmm CoDonbulk a-Si. Kedua mode
vibrasi ini bergeserke frekuensi yang lebih kecil dengan
bertambahnya jumlah atom H di
clu.\'ter.
Bertambahnya atom H di clu.'iter menyebabkan
bertambahtingginya puncak vibrasi di daerahtransversal
acou,'itic-like. Pertambahan tinggi puncak vibrasi di
daerah transversal acou.'itic-like disertai dengan
pengurdngantinggi puncak vibrasi di daerah transversal
optic-like.

KESIMPULAN
Metode CBL telah digunakan untuk menghitung
kerapatan keadaanlokal pad-'}material a-Si:H. Kerapatan
keadaanlokal ini telall digunakan tmtuk mempelajari sifat
\;brasi lokal material a-Si:H. Pad-'}perhitungan kerapatan
keadaan lokal ini telah di gunakan IJethe lattice silikon.
Bethe lattice silikon dibuat dengan menggunakan model
potensial Born daD konfigurasi tetrahedral. Dari
kerapatan keadaan lokal yang dihitung terlihat bahwa
untuk strukulr mikro yang berbedadiperoleh sifat vibrasi
yang berbeda. lni berarti sifat vibrasi material a-Si:H

(1). IKEO, 1ZUMI, Et. al., Journal of Non-crystalline

,Solids,198-200, (1996), 009.
(2]. KASHlRO, TAKESHI, Et. al.,Journal of Noncrystalline Solids, 198-200, (1996), 1130.
(3). CAPUTO,
DOMENICO,
DE CESARE,
GIAMPIERO, , Journal of Non-crystalline Solids,
198-200,(1996), 1134.
(4). FUKUDA, KAICHI, Et. al., Journal of Noncrystalline Solids, 198-200, (1996), 1137.
(5]. DE CESARE, GIAMPIERO, Et. al., Journal of
Non-crystalline Solids, 198-200, (1996), 1189.
(6]. VIEIRA, M., Et. al., Journal of Non-crystalline
Solids, 198-200., (1996), 1193.
(7]. DE CESARE, GIAMPIERO, Et. al., Journal of
Non-crystalline Solids, 198-200, (1996), 1198.
(8). STREET,R. A.,Et. al., JoumalofNon-crystalline
S'olids, 198-200, (1196), 1151.
(9). CAPUTO, DOMENICO, Et.. al., Journal of Noncrystalline S'olids, 198-200,( 1996) 1172.
(10]. TOPIC, MARCO, Et. al. ,Journal of Noncrystalline Solids, 198-200, (1996), 1180.
(11]. GU, XIAOFENG, Et. al., Journal ofNoncrystalline ,Solids, 1.98-200,(1996), 1\76.
(12). THORPE, M. F., DAN WEAlRE, D., DAN
ALLEN,R., Physical Review B,7,(1973), 3777.
(13]. JOANNOPOULOS, J. D., YNDURAIN, F.,
Physical Review, B 10,(1974), 5164.
(14]. LAUGHLIN, R. B., JOANNOPOULOS, J. D.,
Et. al., Physical Review Letters, 40,(1978),461.
(15). MARTINEZ,
E., CARDONA, MANUEL,
Physical Review B, 28, (1983),880.
[16]. YUDIARSAH, EFTA DAN SALEH, ROSARI,
Kontribusi Fisika Indonesia, 9,( 1998), 17.
(17]. KEATING, P. N., Physica/~eview,145, (1996),
637.
(18]. ALBEN, R., WEAIRE, D., SMITH, J. E., AND
BRODSKY, M. H., Physical Review B 11,(1975)
2271.
(19]. CONNELL, G. A. N., AND PAWLIK,.1. R.,
Physical Review B 13,(1976), 787
(20). BRODSKY, M. H., CARDONA, MANUEL,
DAN CUOMO, J. J., Physical Review B 16,
(1997), 3556.
(21]. SHANKS, H., FANG, C. J., LEY, L.,
CARDONA,
M., DEMOND, F. J., DAN
KALBITZER, S., Physical ,StatusSolidi B 100,
(1980) 43.

sangat dipengaruhi oleh keberadaanatom H pada

(22]. RlJBEL, H., Et. al., Physical Status Solidi B

struktur mikronya.

139, (1987),3.
(23). AGRAWAL, BAL K., Y ADAV, P. S., DAN
GHOSH, B. K., Physical Review B 39,(1989)
7876.
(24]. THORPE,M.F., Physical Review B,8, 12(1973)
5352.
(25). YNDURAIN, F;, N. SEN, PABITRA, Physical

UCAPANTERIMA KASm
Studi ini terlaksanaatasdukungan progratnURGE
daD German-Indonesia Corporation Program of the
BMBF (INT -KFA Jiilich).

ProsidingPertemuan Ilmiah SainsMateri III

Serpong,20 -21 Oktober 1998

ISSN 1410-2897

Review B 14,(1976),531.
(261. LAUGIll..IN, R.B., JOANNOPOULOS, J.D.
1978, Physical Review B ,17, 4922

Efta Yudiarsahdkk.

361