El arreglo tomo y de los iones desempean un papel importante en la

determinacin de la microestructura y de las propiedades

material.

de un

En los distintos estados de la materia se pueden encontrar tres clases de

arreglos atmicos:

Sin orden

Orden de corto alcance

Orden de largo alcance

: Los tomos y molculas carecen de una arreglo ordenado,

por ejemplo los gases se distribuyen aleatoriamente en el espacio
disponible.

Xenn

: el arreglo espacial de los tomos se

extiende slo a los vecinos ms cercanos. Cada molcula de agua en
fase vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces
covalentes entre los tomos de hidrgeno y oxgeno. Sin embargo, las
molculas de agua no tienen una organizacin especial entre s.
Ejemplo: agua en estado vapor, vidrios cermicos (slice), polmeros.

Vapor de
agua

Silicio
amorfo

: El arreglo atmico de largo alcance

(LRO) abarca escalas de longitud mucho mayores de 100 nanmetros.
Los tomos o los iones en estos materiales forman un patrn regular y
repetitivo, semejante a una red en tres dimensiones.

Grafeno (compuesto de
carbono densamente
empaquetados)

El arreglo atmico difiere de un material a otro en forma y

dimensin, dependiendo del tamao de los tomos y del tipo de
enlace entre ellos.
En el caso de los metales, cuando estos estn en estado slido,
sus tomos se alinean de manera regular en forma de mallas
tridimensionales. Estas mallas pueden ser identificadas fcilmente
por sus propiedades qumicas, fsicas o por medio de los rayos X.

Orden de largo alcance (cristal): al solidificar el

material, los tomos se sitan segn un patrn
tridimensional repetitivo, en el cual cada tomo est
enlazado con su vecino ms prximo (>100 nm)

Sin orden (amorfo): carecen de un ordenamiento

atmico sistemtico y regular a distancias atmicas
relativamente grandes.

Diagrama molecular del

cuarzo (SiO2) en red
cristalina

Diagrama molecular del

vidrio (SiO2) en slido amorfo

Cristal

Vidrio

Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de una

nanopartcula de Hematita (Fe2O3) rodeada por una matriz
polimrica de poliestireno

: se consideran los tomos (o iones)

como esferas slidas con dimetros muy bien definidos. Las
esferas representan tomos macizos en contacto

: conjunto de tomos ordenados segn un arreglo

peridico en tres dimensiones

: disposicin tridimensional de puntos coincidentes con

las posiciones de los tomos (o centro de las esferas). Los tomos
estn ordenados en un patrn peridico, de tal modo que los
alrededores de cada punto de la red son idnticos

Un slido cristalino es un conjunto

de tomos estticos que ocupan
una posicin determinada.

: unidad de repeticin en la red (subdivisin de una red

que sigue conservando las caractersticas generales de toda la red) . Al
apilar celdas unitarias idnticas se puede construir toda la red.

Estructura cristalina cbica de cara centrada:

(a) representacin de la celda unidad mediante esferas rgida
(b) celda unidad representada mediante esferas reducidas

Representacin de la red y de la celda unitaria del

sistema cbico centrado en el cuerpo

Los parmetros de red que describen el tamao y la forma de la

celda unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas de la celda
unitaria y los ngulos entre estas.

En funcin de los parmetros de la celda unitaria: longitudes de sus

lados y ngulos que forman, se distinguen 7 sistemas cristalinos que
definen la forma geomtrica de la red:

Las unidades de la longitud se expresan en nanmetros (nm) o en

angstrom (A) donde:
1 nanmetro (nm) = 10 m = 10 cm = 10 A
1 angstrom (A) = 0.1 nm = 10 m = 10 cm

Estructura cristalina

Elemento

Hexagonal compacta

Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn

Cbica compacta

Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt

Cbica centrada en el cuerpo

Ba, Cr, Fe, W, alcalinos

Cbica-primitiva

Po

En la celda unitaria, las direcciones a lo largo de las cuales los tomos

estn en contacto continuo son direcciones de empaquetamiento
compacto. En las estructuras simples, se utiliza estas direcciones para
calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao de
la celda unitaria.
Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin con base en
los parmetros de red, y a continuacin incluyendo el nmero de
radios atmicos a lo largo de esa direccin, se puede determinar la
relacin que se desee.

Los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo

Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo

Los tomos entran en contacto a lo largo de la diagonal de la cara del

cubo

Si consideramos que cada punto de la red coincide con un tomo, cada

tipo de celda tendr un nmero de tomos que se contarn de la
siguiente forma:
tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de tomo, ya
que ese tomo es compartido por 8 celdas que constituyen la red.
tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con de
tomo, ya ese tomo es compartido por 2 celdas que constituyen la
red.
tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1 tomo.

El nmero de coordinacin es la cantidad de tomos que tocan a

determinado tomo (cantidad de vecinos ms cercanos a un tomo
en particular).

N coordinacin CS = 6

N coordinacin BCC = 8

N coordinacin FCC = 12

Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son

esferas duran que tocan a su vecino ms cercano

Factor de empaquetamiento =

(cantidad de tomos por celda ) (volumen de tomos)

volumen de la celda unitaria

La densidad terica de un material se puede calcular con las

propiedades de su estructura cristalina.

Densidad =

(cantidad de tomos por celda ) (masa atmica)

(volumen de la celda unitaria )(N Avogadro)

Hay elementos y compuestos que pueden presentar distintas

estructuras cristalinas dependiendo de la presin y temperatura a la
que estn expuestos.

Isomorfismo: Se llaman materiales isomorfos a aquellos slidos

que teniendo el mismo sistema de cristalizacin, tienen distinta
composicin de elementos qumicos.

Polimorfismo: Capacidad de un material slido de existir en ms

de una estructura cristalina, todas ellas con la misma composicin
de elementos qumicos.

Alotropa: Cuando las sustancias polimorfas son elementos puros

y los estados que toman en diferente red espacial se denominan
estados alotrpicos.

Por ejemplo el diamante y el grafito son dos altropos del carbono:

formas puras del mismo elemento, pero que difieren en estructura.
El grafito es estable en condiciones ambientales, mientras que el
diamante se forma a presiones extremadamente elevadas.

El hierro puro se presenta en estructura cristalina BCC y FCC en el

rango de temperaturas que va desde temperatura ambiente hasta la
temperatura de fusin a 1.539 C.

La transformacin polimrfica a menudo va acompaada de

modificaciones de la densidad y de otras propiedades fsicas.
En los materiales cermicos polimrficos como la SiO2 y la ZrO2, la
transformacin puede acompaarse de un cambio de volumen, que si
no se controla de manera adecuada, produce un material frgil que se
fractura con falicidad.
Circonia (ZrO2)
T Ambiente 1.170 C

Monoclnica

1170 C 2.370 C

Tetragonal

2.370 C 2.680 C

Cbica

Se ha descrito el slido cristalino mediante la aproximacin de un cristal

ideal

Pureza composicional
Perfeccin en materiales
Pureza estructural

Las imperfecciones juegan un papel fundamental en numerosas

propiedades del material: mecnicas, pticas, elctricas, L se
encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance
(grano)
Se introducen intencionalmente para beneficiar determinadas
propiedades
Ejemplos:

- Carbono en Fe para mejorar dureza

- Cu en Ag para mejorar propiedades mecnicas
- Dopantes en semiconductores

Dimensin

Tipo de imperfeccin

Puntual: vacancias, intersticios, impurezas

Lineal: dislocaciones

Superficial: superficie del cristal, unin de grano

Volumen: poros, fisuras, fases no cristalinas

Defectos puntuales:

Defecto de vacancia (a)

Defecto intersticial (b)

Defecto sustitucional (c, d)

Son discontinuidades de la red que involucran uno o quiz varios

tomos.
Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en el
material mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por
calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante la
introduccin de impurezas; o intencionalmente a travs de las
aleaciones.

Se produce cuando falta un tomo en la estructura cristalina

Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.
Las vacancias pueden producirse durante la solidificacin como
resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de los
cristales.
En los metales se pueden introducir vacancias durante la
deformacin plstica, por enfriamiento rpido desde altas a bajas
temperaturas, o como consecuencia de daos por radiacin.
Las vacancias son importantes cuando se desean mover los tomos
en un material slido (difusin).

A temperatura ambiente, la concentracin de vacancias es pequea,

pero aumenta en forma exponencial con la temperatura.
El nmero de vacancias en equilibrio a una determinada temperatura
en una red cristalina metlica puede expresarse por la siguiente
ecuacin:
nv : cantidad de vacancias por cm3

Qv

n v = n exp
RT

n : cantidad de tomos por cm3

Q : energa para producir un mol de vacancias
(cal/mol o joule/mol)
R : constante de los gases (1,987 cal/mol K;
8,31 joule/mol K)
T : temperatura en grados Kelvin

Se produce cuando se inserta un tomo en una estructura cristalina

en una posicin normalmente desocupada.
Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los sitios
intersticiales, por lo cual la regin cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.
El aumento de sitios intersticiales ocupados en la red cristalina,
produce un aumento de la resistencia de los materiales metlicos
La cantidad de tomos intersticiales en la estructura es
aproximadamente constante (an cuando cambie la temperatura)

Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo es sustituido

por otro tomo de distinta naturaleza.
Un tomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.
Estos tomos cuando son de mayor tamao, causa una reduccin
de los espacios interatmicos vecinos.
Cuando son de menor tamao, se produce una mayor distancia
interatmica entre los tomos vecinos
Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de
impurezas o adicionar de manera deliberada en la aleacin.
Una vez introducidos, la cantidad de defectos no varia con la
temperatura.

tomos de soluto en posiciones sustitucional e intersticial

Se crea cuando un
tomo idntico a los de
la red ocupa una
posicin intersticial.

Es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un in salta de

un punto normal de la red a un sitio intersticial y deja atrs una
vacancia.
Este defecto, que se presenta generalmente en cristales inicos,
tambin se puede presentar en los metales y en materiales con
enlaces covalentes.

Es un defecto exclusivo de los materiales inicos y suele

encontrarse en muchos materiales cermicos.
Cuando dos iones de carga opuesta faltan en un cristal inico, se
crea una divacante aninica-catinica que se conoce como defecto
de Schottky

Cristal inico ilustrando un defecto de Frenkel y un defecto de Schottky

DISLOCACIN. Imperfeccin lineal alrededor de la cual los tomos del cristal

estn desalineados
DE ARISTA (borde, cua, lnea)
Semiplano de tomos cuya arista (borde) termina dentro del cristal. Smbolo
HELICOIDAL
Apilacin de planos en espiral a lo largo de la lnea de dislocacin. Smbolo
MIXTAS De carcter doble: arista y helicoidal
Vector de BURGERS b.- Expresa la magnitud y direccin de la distorsin
reticular asociada a una dislocacin. Es el vector necesario para cerrar una
trayectoria alrededor de la lnea de dislocacin y volver al punto inicial
El vector de Burgers es PERPENDICULAR a la lnea de dislocacin de arista y
PARALELO a la lnea de dislocacin helicoidal

Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un

semiplano extra de tomos

La dislocacin de cua o de arista, es un defecto lineal centrado

alrededor de la lnea definida por el extremo del semiplano de
tomos extras.
La magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una
dislocacin se expresa en funcin del vector de Burgers, designado
por b.
El vector de Burgers es el vector necesario para cerrar una
trayectoria alrededor d ela lnea de dislocacin y volver al punto
inicial.
El vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin.
La dislocacin de borde presenta una regin de compresin donde
se encuentra el semiplano extra y una regin de traccin debajo del
semiplano extra de tomos.

Dislocacin de borde en dos dimensiones de un plano

compacto

Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento

de una dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en
respuesta a una tensin de cizalle aplicada.

Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga

y el de una dislocacin.
Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el
defecto y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de
deslizamiento, en el plano de deslizamiento.

Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de

Burgers a un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede
mover, rompiendo los enlaces de los tomos en un plano.
El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el
plano parcial de tomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva una distancia
atmica hacia el lado.
Si continua este proceso, la dislocacin se mueve a travs del cristal
hasta que se produce un escaln en el exterior del mismo.
El cristal se ha deformado plsticamente.

: lnea que va a lo largo del plano extra de

tomos que termina dentro del cristal.

: plano definido por la lnea de dislocacin y el

vector de deslizamiento.

: las dislocaciones de borde se simbolizan con un signo de

perpendicular, . Cuando el signo apunta hacia arriba, el plano extra
de tomos est sobre el plano de deslizamiento y la dislocacin se le
llama positiva. Cuando el signo apunta hacia abajo, T, el plano extra de
tomos est bajo el plano de deslizamiento y la dislocacin es
negativa.

Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto

aplicando tensiones de cizalladura en las regiones del cristal perfecto
que han sido separadas por un plano cortante.
Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una
regin de distorsin en forma de una rampa en espiral de tomos
distorsionados.

Formacin de una dislocacin helicoidal

La lnea de dislocacin puede presentar partes de carcter de borde y

otras de carcter de tornillo. El desorden atmico varia a lo largo de la
curva AB.

Dislocacin de tornillo

Dislocacin mixta

Observacin de dislocaciones en Ti3Al

(a) apilamiento de dislocaciones (b) red de dislocaciones

Es un mecanismo que explica la deformacin plstica de los metales, ya

que el esfuerzo aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.
La presencia de dislocaciones explica porque la resistencia de los
metales es mucho mas baja que el valor calculado a partir de la unin
metlica (rompimiento de enlaces) [103 104 ms baja que la
resistencia terica]
El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario
stos serian frgiles y no podran ser conformados (materiales
cermicos, polmeros, materiales inicos)
Se controlan las propiedades mecnicas de un metal o aleacin
interfiriendo el movimiento de las dislocaciones (un obstculo
introducido en el cristal evita que una dislocacin se deslice, a menos
que se apliquen esfuerzos mayores, por lo tanto aumenta la
resistencia).

Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos

circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de
espaciamientos atmicos, a partir del defecto.
Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas de un
defecto puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en
sus posiciones de equilibrio.
Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que
la dislocacin venza al defecto, incrementando as la resistencia y
dureza del material

Si la dislocacin en el punto A se mueve hacia la izquierda, ser

bloqueada por el defecto puntual. Si se mueve hacia la derecha,
interacta con la red perturbada cerca de la dislocacin, en el
punto B. Si se mueve an ms hacia la derecha, quedar
bloqueada por el borde de grano.

Son lmites o planos que separan un material en regiones, cada

regin tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientacin
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en
donde termina el cristal. Cada tomo en la superficie ya no tiene el
nmero adecuado de coordinacin y se interrumpe el enlazamiento
atmico
El lmite de grano, que es la superficie que separa los granos
individuales, es una zona angosta donde los tomos no tienen la
distancia correcta entre s; existen zonas de compresin y otras de
traccin.

(a) Esquema que muestra el ordenamiento de los tomos en la

formacin del borde de grano. (b) Granos y lmites de grano en una
muestra de acero inoxidable.

Material policristalino

Un mtodo para controlar las propiedades de un material es

controlar el tamao del grano, ya sea durante la solidificacin o
durante el tratamiento trmico.

En los metales, los lmites de grano se originan durante la

solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes
ncleos crecen simultneamente juntndose unos con otros .

Al reducir el tamao de grano, se aumenta la resistencia del

material, ya que no permiten el deslizamiento de las dislocaciones.

Un material con un tamao de grano grande tiene menor

resistencia y menor dureza.

En los materiales metlicos, los defectos como las dislocaciones,

defectos puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las
dislocaciones.

Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando

la cantidad y el tipo de imperfeccin
Endurecimiento por deformacin
Endurecimiento por solucin slida
Endurecimiento por tamao de grano

Los tomos vecinos a

una lnea de dislocacin
estn en compresin y/o
traccin.

Al incrementar el nmero de
dislocaciones, se aumenta la
resistencia del material

Se requieren esfuerzos
mayores para mover una
dislocacin cuando se
encuentra
con
otra
dislocacin

Metal ms resistente

El defecto puntual altera

la perfeccin de la red

Se requiere de mayor
esfuerzo para que una
dislocacin se deslice

Al introducir intencionalmente tomos sustitucionales o

intersticiales, se genera un endurecimiento por solucin slida

Los limites de grano

alteran
el
arreglo
atmico

El movimiento de las
dislocaciones se bloquea
en los bordes de grano

Al incrementar el nmero de granos o al reducir el tamao de

stos, se produce endurecimiento por tamao de grano.