Dasar Semikonduktor

Amir Hamzah, ST.MT

PROGRAM STUDI S1 TEKNIK ELEKTRO

UNIVERSITAS RIAU

Pendahuluan

Komponen-komponen elektronika seperti dioda, transistor dan

Integrated Circuit terbuat dari bahan semikonduktor.
Topik bahasan:
- struktur atom
- semikonduktor, konduktor dan insulator.
- ikatan kovalen
- konduksi dalam semikonduktor.
- dioda
- bias dioda
- karakteristik tegangan-arus dioda
- model dioda

Struktur Atom

Segala sesuatu benda terbuat dari atom-atom, dan semua atom

terdiri dari elektron, proton dan neutron.

Atom

Definisi Atom
Partikel terkecil dari elemen yang tidak dapat dibagi lagi secara
kimia.
Bagian-bagian atom:

Nukleus :
- Proton (bermuatan positif)
- Neutron (tidak bermuatan)

Elektron (bermuatan negatif)

Model atom Bohr

Atom

Setiap atom memiliki jumlah elektron dan proton tertentu yang

membedakannya dari atom elemen lainnya. Contoh, atom
hidrogen memiliki satu proton dan satu elektron , atom helium
memiliki dua proton dan dua neutron dalam nukleus serta dua
elektron pada orbitnya.

Nomor Atom

Semua elemen telah diatur dalam tabel periodik, sesuai dengan

nomor atomnya.
Nomor atom adalah sama dengan jumlah proton dalam nukleus,
yang mana juga sama dengan jumlah elektron (seimbang).
Contoh: hidrogen memiliki nomor atom 1 dan helium memiliki
nomor atom 2.

Group

10

11

12

13

14

15

16

17

18

Period

1
H

2
He

3
Li

4
Be

5
B

6
C

7
N

8
O

9
F

10
Ne

11
Na

12
Mg

13
Al

14
Si

15
P

16
S

17
Cl

18
Ar

19
K

20
Ca

21
Sc

22
Ti

23
V

24
Cr

25
Mn

26
Fe

27
Co

28
Ni

29
Cu

30
Zn

31
Ga

32
Ge

33
As

34
Se

35
Br

36
Kr

37
Rb

38
Sr

39
Y

40
Zr

41
Nb

42
Mo

43
Tc

44
Ru

45
Rh

46
Pd

47
Ag

48
Cd

49
In

50
Sn

51
Sb

52
Te

53
I

54
Xe

55
Cs

56
Ba

72
Hf

73
Ta

74
W

75
Re

76
Os

77
Ir

78
Pt

79
Au

80
Hg

81
Tl

82
Pb

83
Bi

84
Po

85
At

86
Rn

87
Fr

88
Ra

**

104
Rf

105
Db

106
Sg

107
Bh

108
Hs

109
Mt

110
Ds

111
Rg

112
Uub

113
Uut

114
Uuq

115
Uup

116
Uuh

117
Uus

118
Uuo

* Lanthanides

57
La

58
Ce

59
Pr

60
Nd

61
Pm

62
Sm

63
Eu

64
Gd

65
Tb

66
Dy

67
Ho

68
Er

69
Tm

70
Yb

71
Lu

** Actinides

89
Ac

90
Th

91
Pa

92
U

93
Np

94
Pu

95
Am

96
Cm

97
Bk

98
Cf

99
Es

100
Fm

101
Md

102
No

103
Lr

Electron Shells dan Orbit

Lintasan orbit elektron memiliki jarak tertentu dari nukleus.

Elektron yang dekat dengan nukleus memiliki energi yang lebih
kecil dibanding dengan elektron yang berada pada orbit yang lebih
jauh.
Tiap jarak tertentu (orbit) dari nukleus berhubungan dengan level
energi tertentu. Dalam atom, orbit-orbit dikelompokkan dalam
pita-pita energi yang disebut dengan shells.
Shells ditandai dengan nomor 1, 2, 3 dan seterusnya. Dengan
nomor 1 adalah yang terdekat dengan nukleus. (atau dalam
referensi lain menggunakan huruf K, L, M dst).

Ilustrasi Pita Energi

Energi semakin besar pada

orbit yang lebih jauh dari
nukleus

Elektron Valensi

Elektron-elektron yang berada di orbit terjauh dari nukleus

memiliki energi yang lebih besar dan memiliki ikatan yang lebih
kecil/lemah dibanding dengan elektron yang berada pada orbit
yang dekat dengan nukleus (attraction force).
Shell yang terluar disebut dengan shell valensi, dan elektronnya
disebut dengan elektron valensi.

Ionization
Ketika atom menyerap energi, misal: panas atau cahaya, energi
elektron akan naik. Elektron valensi menerima energi yang lebih dan
menjadi semakin lemah ikatannya terhadap nukleus dibanding
dengan elektron terdalam, sehingga elektron akan semakin mudah
meloncat (lepas).
Proses lepasnya elektron valensi disebut dengan ionization, yang
mengakibatkan atom lebih bermuatan positif atau disebut dengan
ion positif.
Contoh: sebuah atom hidrogen H. Bila atom hidrogen netral terlepas
elektron valensinya maka menjadi ion positif, dengan simbol H +.
Elektron valensi yang lepas disebut dengan elektron bebas. Ketika
elektron bebas habis energi dan jatuh ke shell terluar suatu atom
hidrogen netral, maka atom tersebut menjadi bermuatan negatif
dan disebut dengan ion negatif dengan simbol H-.

Jumlah Eletron Tiap Shell

Jumlah elektron maksimum (Ne) pada tiap shell dari atom dapat
dihitung dengan persamaan:

N e 2n 2

Dimana n adalah nomor shell.

Shell 1

Shell 2

dst

Semikonduktor, Konduktor dan Insulator.

Konduktor:
Bahan yang dapat dengan mudah mengalirkan arus listrik.
Memiliki elektron terluar/valensi kurang dari 4, sehingga mudah
lepas ikatannya.
Konduktor terbaik adalah bahan single-element (elektron valensi
satu), seperti tembaga, perak, emas dan alumunium.
Insulator:
Bahan yang tidak dapat mengalirkan arus listrik.
Elektron terluar /valensi memiliki ikatan yang kuat.
Memiliki atom terluar/valensi lebih dari 4.
Contoh: glass, mica

Semikonduktor
Bahan yang tidak konduktor dan tidak isolator tetapi bersifat
antara keduanya.
Mudah dipengaruhi oleh temperatur dan cahaya.
Kebanyakan memiliki atom terluar/valensi sama dengan 4 dengan
kekuatan rata-rata.
Contoh: silicon, germanium, carbon

Energy Bands

Perbandingan atom semikonduktor dan atom konduktor

Silicon dan Germanium

Silikon umum digunakan sebagai bahan untuk dioda, transistor, IC dll.

Germanium memiliki elektron valensi pada shell ke empat, memiliki
level energi yang lebih besar dari silikon, dan membutuhkan energi
yang sedikit untuk lepas.
Germanium lebih tidak stabil pada temperatur tinggi.

Ikatan Kovalen

Ikatan kimia dibentuk dengan satu atau lebih elektron-elektron

yang berbagi, terutama pasangan dari elektron-elektron, antara
atom-atom.
Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari
satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian,
bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron
yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik.
Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena
energi panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari
ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat
terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor
yang baik.

Ikatan Kovalen

Konduksi pada Semikonduktor

Diagram pita energi dari

sebuah unexcited atom
dalam kristal silikon. Tidak
ada elektron dalam pita
konduksi.
Kondisi ini terjadi hanya
pada temperatur absolut 00
kelvin.

Electrons dan Holes

Pembentukan pasangan elektron-hole dalam kristal silikon.

Elektron dalam pita konduksi adalah elektron bebas.

Saat elektron melompat ke pita konduksi, tempat yang

ditinggalkan elektron tersebut disebut dengan hole.
Rekombinasi terjadi bila elektron pada pita konduksi habis energi
dan jatuh ke hole di pita valensi.

Aliran Elektron dan Hole

Bila tegangan diberilan pada antara bagian silikon, maka panas

akan membangkitkan elektron-elektron bebas dalam pita konduksi,
yang bebas bergerak secara acak dalam struktur kristal.
Pergerakan elektron-elektron bebas ini disebut dengan aliran
elektron.

Aliran elektron

Aliran hole

Semikonduktor tipe N dan tipe P

Konduktivitas bahan silikon dan germanium dapat ditingkatkan

dengan mengatur penambahan impurities ke bahan semikonduktor
interinsic (pure). Proses ini disebut dengan doping.
Proses doping meningkatkan jumlah aliran pembawa (elektron atau
holes)
Dua kategori impurities adalah tipe-n dan tipe-p.

Semikonduktor tipe N

Untuk meningkatkan jumlah elektron-elektron pita konduksi dalam

silikon intrinsic, ditambahkan dengan atom impurities pentavalen,
yaitu atom dengan elektron valensi lima, seperti arsenic (As),
phosphorus (P), bismuth (Bi) dan antimony (Sb).

Semikonduktor tipe P

Untuk meningkatkan jumlah holes dalam silikon intrinsic,

ditambahkan dengan atom impurities trivalen, yaitu atom dengan
elektron valensi tiga, seperti boron (B), indium (In), dan gallium
(Ga)

Dioda

Dioda: komponen semikonduktor dengan satu junction pn yang

mengalirkan arus pada satu arah saja.

Fungsi: dioda hanya mengalirkan pada satu arah dan memblok arus
pada arah yang berlawanan.

Tanda panah dari simbol rangkaian memperlihatkan arah arus yang

dapat mengalir.
P

Anode

Cathode

Pn junction
(a) Struktur dasar dioda

(b) Simbol skematik dioda

Formasi pn-junction

pn junctions dibentuk dengan menggabungkan bahan

semikonduktor tipe p dan tipe n.

Formasi wilayah Deplesi

Daerah-n
Kehilangan elektron bebas saat penghamburan keseberang pnjunction .
Hasil : membentuk sebuah lapisan +ve dekat junction.
Daerah-p
Kehilangan holes sebagai gabungan elektron dan holes.
Hasil: membentuk lapisan -ve dekat junction.
Dua lapisan +ve dan ve membentuk daerah deplesi.

Barrier Potential

Dalam depletion region banyak terdapat muatan positif dan

muatan negatif, yang terletak pada sisi berlawanan di junction pn.
Gaya antara muatan yang berlawanan membentuk medan gaya
yang disebut medan elektrik (lihat gambar)
Untuk memindahkan elektron-elektron melintasi barrier medan
listrik depletion region, dibutuhkan energi eksternal.
Besar tegangan yang dibutuhkan untuk dapat menggerakkan
elektron-elektron tersebut sama dengan potensial pada medan
listriknya.
Beda potensial tersebut dinamakan barrier potential.

Tegangan barrier pada junction pn bergantung pada beberapa

faktor, yaitu jenis material semikonduktor, jumlah doping, dan
temperatur.
Tipikal tegangan barrier adalah 0,7 V untuk silikon dan 0,3 V untuk
germanium pada temperatur 25 0C.

Bias Dioda

Pembahasan sebelumnya: tidak ada elektron yang bergerak

melintasi junction pn pada kondisi seimbang.
Definisi Bias secara umum: penggunaan tegangan dc untuk
memperoleh kerja tertentu pada sebuah komponen elektronika.
Terdapat dua bias:
1. forward bias
2. reverse bias

1. forward bias

Forward bias adalah kondisi yang meyebabkan arus mengalir

melalui junction pn dioda.

2. reverse bias

Reverse bias adalah kondisi yang meyebabkan arus tidak mengalir

melalui junction pn dioda.

Karakteristik Tegangan-Arus Dioda

Karakteristik V-I untuk forward bias.

Karakteristik Tegangan-Arus Dioda

Karakteristik V-I untuk forward bias.

Titik a; kondisi zero-bias
Titik b; kondisi tegangan
forward kurang dari tegangan
barrier 0,7 V.
Titik c; kondisi tegangan
forward aproksimasi sama
dengan tegangan barrier.

Karakteristik Tegangan-Arus Dioda

Karakteristik V-I untuk reverse bias.

Bila tegangan reverse diberikan
pada dioda, hanya arus reverse IR
yang sangat kecil mengalir
(diabaikan)
Bila tegangan bias dinaikkan, hingga
mencapai suatu nilai dimana disebut
VBR , arus reverse akan naik secara
cepat.

Karakteristik Tegangan-Arus Dioda

Kurva karakteristik komplit.

Karakteristik Tegangan-Arus Dioda

Efek temperatur

Model Dioda

Strutur dioda dan simbol

Hubungan forward bias

Doida di bias maju bila terminal positif tegangan sumber

dihubungkan ke anoda dan terminal negatif dihubungkan ke
katoda.

Hubungan reverse bias

Doida di bias mudur bila terminal positif tegangan sumber

dihubungkan ke katoda dan terminal negatif dihubungkan ke
anoda.

Model Dioda Ideal

Model ideal sebuah dioda adalah sebagai saklar sederhana. Bila

dioda di bias maju, maka dioda berkerja sebagai saklar tertutup
(on). Bila dioda di bias mundur, maka dioda sebagai saklar terbuka
(off). Potensial barrier, resistansi dinamik, dan arus reverse
diabaikan.

Model dioda praktis

Model praktis memasukkan tegangan barrier dalam model saklar

ideal.

Model dioda komplit

Model dioda komplit: memasukkan pengaruh tegangan barrier,

resistansi dinamis (rd) dan resistansi reverse internal (rR)

Tipikal Dioda

SEKIAN