Amorf Silikon (A-Si)

Febriansah Setiawan (1108110012)

Amorf Silikon (A-Si)

Istilah amorf umumnya diterapkan pada bahan non kristal

yang disiapkan oleh deposisi dari gas.
Non kristal:
*ikatan kimia dari atom hampir tidak berubah dari kristal
*kecil, Variasi teratur di sudut antara obligasi menghilangkan
struktur kisi biasa

Amorf Silikon (A-Si)

Lapisan tipis semikionduktor amorf dapat ditumbuhkan di atas
substrat dengan beberapa teknik penumbuhan, seperti : Evaporasi,
Sputtering, CVD, PECVD, dan lain-lain. Mikrostruktur lapisan yang
dihasilkan
bergantung
pada
temperatur
substrat
selama
penumbuhan. Sebagai contoh, untuk silikon : (1) pada temperatur
penumbuhan diatas 5800C, akan dihasilkan lapisan poli-kristal
dengan ukuran butir (grain size) 600-1000, sedangkan pada
temperatur penumbuhan 250 300 0C, akan diperoleh lapisan mikrokristal dengan ukuran butir sekitar 50-80 . Jika material silikon
ditumbuhkan pada temperatur substrat di bawah 250 0C, maka akan
diperoleh lapisan amor dengan ukuran butir dibawah 5 . Rendahnya
temperatur penumbuhan semikonduktor amorf, menyebabkan
material ini dapat ditumbuhkan pada berbagai jenis substrat seperti
pada bahan polimer, gelas dan lain-lain. Hal inilah yang menyebakan
material ini menarik untuk diteliti dari segi saintifiknya.

Terhidrogenasi silikon amorf

Dalam penelitian awal silikon amorf, ditetapkan bahwa

plasma disimpan silikon amorf mengandung persentase
yang signifikan dari atom hidrogen terikat ke dalam struktur
silikon amorf.
Atom-atom ditemukan menjadi penting bagi perbaikan sifat
elektronik material.
Silikon amorf umumnya dikenal sebagai "Terhidrogenasi
silikon amorf", atau-Si: H.

Struktur atom
Struktur dasar yang sama bersama oleh silikon kristal
dan amorf
Untuk silikon amorf, beberapa persen dari atom silikon
membuat ikatan kovalen dengan hanya 3 atom silikon
tetangga, obligasi elektron yang tersisa dengan atom
hidrogen
2 prinsip konfigurasi utk hidrogen:
*Encerkan: atom hidrogen tertentu adalah sekitar 1
nm jauh dari atom hidrogen lainnya
*Digugusi: ada dua atom hidrogen atau lebih di dekat
*Kepadatan atom hidrogen tergantung pada
bagaimana bahan dibuat

Pita Energi

Semikonduktor amorf mempunyai

distribusi eksponensial dari konduksi
dan pita valensi
Tidak ada prosedur tunggal untuk
mencari tepi pita
Bandgap dapat didekati dengan
menganalisis pengukuran optik
koefisien serap

Sel multijunction

Penyusunan sel untuk sel amorf

*Tdk dibutuhkan untuk pencocokan kisi,
sebagai c-Si
*Bandgaps dapat dengan mudah
disesuaikan dengan paduan
Multijunction a-Si sel berbasis memiliki
efisiensi konversi yang lebih tinggi
dibandingkan solar sel junction tunggal
Kebanyakan diproduksi secara komersial aSi sel berbasis multijunction jenis

Ada pertanyaan?

TERIMA KASIH