2

Diagram blok ini merupakan gambaran proses

photolithography secara keseluruhan.

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

1. Substrate Cleaning

Tujuannya adalah agar wafer dalam kondisi yang

benar-benar murni tanpa mengandung pengotor
sedikitpun.
Wafer yang sudah didiamkan dalam waktu yang
cukup
lama, membutuhkan pembersihan
SUBSTRATE
SPIN COAT
PRE-BAKE
CLEANING
menggunakan
cairan
asam.
POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

2. Wafer Coating

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Tujuannya adalah agar wafer diselimuti photoresist yang seragam.

Caranya adalah dengan memutar wafer dengan kecepatan yang
konstan.

Proses Spin Coating

Before spin

After spin

PR

Wafer

PR

Chuck

Kita dapat menggunakan proses spin coating dengan

kecepatan 1000 - 6000 rpm dalam waktu 20 - 60 detik
untuk menghasilkan thin film yang seragam dengan
ketebalan 0.3 - 2.5 m.

3. Pre-Bake ( Soft-Bake )

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Tujuannya adalah menguatkan ikatan adhesi

pada photoresist
Temperatur kerjanya berkisar 90-100C

4. Expose

Tujuannya adalah untuk

menentukan photoresist yang
tidak dibutuhkan dengan cara
menyinari photoresist
menggunakan sinar UV.

5. Develop

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Proses ini adalah mengangkat bagian photoresist yang

tidak dibutuhkan menggunakan cairan tertentu sebagai
pelarutnya.
Untuk positive photoresist, bagian photoresist yang
terkena sinar UV akan terangkat setelah dilarutkan
dengan cairan tertentu.
Sedangkan untuk negative photoresist, bagian photoresist
yang tidak terkena sinar UV akan terangkat setelah
dilarutkan dengan cairan tertentu.
9

6. Post-Bake
SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Proses ini berjalan selama

30 menit dengan temperatur
kerja 100-120C

10

7. Inspection

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Tujuannya adalah agar mengetahui apakah wafer

sudah siap untuk proses selanjutnya, etching.

Apabila, ada bentuk photoresist yang tidak sesuai

dengan keinginan / mask yang digunakan, maka harus
dibuat ulang dari langkah awal.
11

8. Etch

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Proses etching dibagi 2, yaitu Dry Plasma Etch dan Wet Chemical
Etch.

Sesuai dengan namanya, dry plasma etch memanfaatkan metode

ion bombardment untuk melepaskan ikatan antar atomnya.
Sedangkan wet chemical etch menggunakan cairan kimia
tertentu untuk melarutkannya.

12

9. Strip

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Strip adalah proses terakhir dalam photolithography,

yaitu di mana photoresist dilepas seluruhnya.

Sama seperti proses etch, strip dapat dibagi menjadi

dry plasma strip dan wet chemical strip.
13

Contoh proses
Photolithography

SILICON P-N JUNCTION DIODE WITH BOTH

ELECTRICAL CONTACTS ON THE TOP SURFACE OF
THE WAFER
SiO2
Al

Cross
section
:

p-type substrate

Top
view:

14

Dimulai dari wafer p-doped silicon biasa yang

kemudian dioksidasi.

Cross
section:

SiO2

p-type substrate

Top
view:

15

Yang kita butuhkan pertama-tama adalah membuat lubang

pada SiO2 agar silicon tersebut dapat kita difusikan dopant n.

SiO2

Cross
section:

p-type substrate

Top
view:

16

Bagian penting dari proses lithography

itu sendiri adalah mask.
Mask adalah sebuah kaca yang dilapisi
dengan thin film yang tidak tembus
cahaya.
Guna dari mask ini sendiri adalah
untuk menentukan cahaya UV akan
menyinari bagian mana dari wafer.
Sehingga akan terbentuk pola yang
sesuai dengan kita inginkan.
17

Untuk contoh kali ini, berikut adalah mask yang kita gunakan

Cross
section
:

opaque
metal,e.g.,Cr
glass plate

Top
view:

18

Pertama-tama kita lapisi wafer dengan photoresist secara keseluruhan.

Photoresist

Cross
section:

p-type substrate

Top
view:

19

Wafer ini dipanaskan dengan temperatur 70 -90C (soft bake or prebake) untuk menguatkan ikatan adhesi pada photoresist itu sendiri.

Cross
sectio
n:

Photoresi
st
p-type substrate

Top
view:

20

Kemudian, mask yang kita miliki tadi, kita letakkan sesuai dengan
tempat yang diinginkan untuk melewatkan cahaya UV nya.

Mask

Cross
section
:

glass plate
p-type substrate

Top
view:

21

Bagian dari photoresist yang tidak tertutup oleh opaque metal

pada mask akan terkena cahaya UV.

Mask

Cross
section
:

glass plate
p-type substrate

Top
view:

22

Kemudian, dalam proses develop, bagian dari photoresist

tersebut yang terkena sinar UV dilarutkan dengan cairan kimia
sehingga terbentuklah semacam lubang pada tempat tersebut.

Cross
section
:

p-type substrate

Top
view:

23

Kemudian, wafer dipanaskan lagi dengan temperatur 120 180C. Tujuannya adalah untuk kembali menguatkan ikatan
pada photoresist tersebut.

Cross
section
:

p-type substrate

Top
view:

24

Bagian dari SiO2 yang tidak terselimuti photoresist maka

dihilangkan dengan proses etching dengan larutan kimia HF
(secara wet chemical etch) ataupun dengan dry plasma etch
(menggunakan CF4 ).

Cross
section
:

p-type substrate

Top
view:

25

Bagian photoresist sekarang sudah tidak digunakan lagi dan dapat

dihilangkan dengan menggunakan aseton (wet strip) ataupun
plasma O2 (dry strip).

Cross
section
:

window

SiO2

p-type substrate

Top
view:

26

Sekarang, kita dapat mendifusikan Fosfor, sebagai donor

dopant melewati window yang sudah dibuat sebelumnya.

window
Cross
section:

n-type

SiO2

p-type substrate

Top
view:

27

Dengan cara yang sama, kita buat window terhadap psubstratnya. Kemudian, kita sekarang akan membuat
contact pada substrat dan n-dopant yang kita gunakan.

Cross
section
:

SiO2
n

p-type substrate

Top
view:
28

Bahan contact yang kita gunakan adalah aluminium (Al). Pada awalnya,
aluminium akan tersebar secara merata pada wafer. Selanjutnya kita
tentukan 2 tempat yang akan digunakan sebagai contact kemudian
dengan proses sputtering akan membuat sedikit lubang pada
aluminium tersebut.

Cross
sectio
n:

Al
n

SiO2

p-type substrate

Top
view:
29

Dengan cara yang sama seperti sebelumnya, kita buat photoresist kita
sedemikian rupa sehingga terbentuk seperti pada gambar di bawah ini.

Cross
sectio
n:

Al
n

SiO2

p-type substrate

Top
view:

30

Bagian aluminium yang tidak terlindungi oleh photoresist kemudian

kita dapat etch, baik secara dry plasma maupun wet chemical.

Al

Cross
section
:

SiO2

p-type substrate

Top
view:

31

Yang terakhir adalah photoresist tersebut kita strip.

Al

Cross
section:

SiO2

p-type substrate

Top
view:

32

Silicon Nanowire

Carbon Nano Tube

Prosesor
berkecepatan tinggi
33

Kecepatan prosesor yang terus

bertambah dengan semakin kecilnya
lebar gate yang dapat dibuat.
Kemampuan partikel emas (Ag) yang
dapat membawa obat lewat peredaran
darah ke titik-titik penyakit tertentu
dalam tubuh.

34