BAB III

PEMBAHASAN
3.1 Data Pengamatan
B(mT)

GaN doping Mg

GaN tanpa doping

RBD,AC

RAC,BD

RBD,AC

RAC,BD

88,8

-19,03206951

-10,534394223

-11,524663715

-76,327449866

268

-15,036961141

-73,696703979

-21,386963902

-24,252878081

Tebal film = 700 nm

3.2 Pengolahan Data
Tipe Muatan Pembawa
Dengan Doping Mg
B
Data1B
-15

-16

RBD.AC

3.2.a

-17

-18

-19

80

100

120

140

160

180

200

220

240

260

280

B(mT)

Gambar 3.1 Hubungan resistansi (RBD,AC) dan

medan magnet film GaN dengan doping Mg
DENGAN DOPING Mg
12/11/2014 15:19
Linear Regression for Data1_B:
Y=A+B*X
Parameter
Value
-----------------------------------------------------------A
-21.01179
-B
0.02229
-------------------------------------------------------------

Error

R
SD
N
------------------------------------------------------------

1
0
2
------------------------------------------------------------

<0.0001

B
Data1B
-10
-20

RAC.BD

-30
-40
-50
-60
-70
-80
80

100

120

140

160

180

200

220

240

260

280

B(mT)

Gambar 3.2 Hubungan resistansi (RAC,BD)

dan medan magnet film GaN dengan doping
Mg

12/11/2014 15:24
Linear Regression for Data1_B:
Y=A+B*X

Parameter
Value
-----------------------------------------------------------A
20.76479
-B
-0.35247
-------------------------------------------------------------

Error

R
SD
N
------------------------------------------------------------1
0
2
------------------------------------------------------------

Tanpa Doping

<0.0001

B
Data1B
-10

-12

RBD.AC

-14

-16

-18

-20

-22
80

100

120

140

160

180

200

220

240

260

280

B(mT)

Gambar 3.3 Hubungan resistansi (RBD,AC) dan

medan magnet film GaN tanpa doping
12/11/2014 15:27
Linear Regression for Data1_B:
Y=A+B*X
Parameter
Value
-----------------------------------------------------------A
-6.63754
-B
-0.05504
-------------------------------------------------------------

Error

R
SD
N
------------------------------------------------------------1
0
2
------------------------------------------------------------

P
<0.0001

B
Data1B
-20
-30

RAC.BD

-40
-50
-60
-70
-80
80

100

120

140

160

180

200

220

240

260

280

B(mT)

Gambar 3.4 Hubungan resistansi (R AC,BD) dan

medan magnet film GaN tanpa doping
12/11/2014 15:31
Linear Regression for Data1_B:
Y=A+B*X
Parameter
Value
-----------------------------------------------------------A
-103.55242
-B
0.30659
-------------------------------------------------------------

Error

R
SD
N
-----------------------------------------------------------1
0
2
------------------------------------------------------------

3.2.b

<0.0001

Konsentrasi Muatan Pembawa

Konsentrasi film GaN dopping Mg

I .B
VH= x Z
d.e.n
RBD , AC

R AC , BD

RBD , AC =
n=

n1 =

BZ
d . e .n

R AC , BD=

BZ
d . e . RBD , AC

n=

BZ
d . e .n

BZ
d . e . R AB ,CD

88,8
25
n=4,17.
=7,53
10
3=
7
19
) (19,03206951) ( 7. 10 ) ( 1,6.10 ) (10,534394422)

88,8

( 7. 10 ) ( 1,6.10
7

19

n2=

268
268
26
n=1,59.
=3,25.
10
4=
7
19
( 7. 10 ) ( 1,6.10 ) (15,03696114) ( 7.10 ) ( 1,6. 10 ) (73,69670398)

na =

n 1 + n2
=1,00. 1026
2

19

nb =

n 3+ n4
=5,39.10 25
2

26

n=

(1,00+0,539). 10
26
=0,769. 10
m-3
2

Untuk konsentrasi muatan GaN tanpa doping ( RBD , AC )

RBD , AC

n1=
n2 =

R AC , BD

88,8
88,8
25
n3==6,88.10
=1,04. 1
7
19
( 7. 10 ) ( 1,6.10 ) (11,524663715) ( 7. 10 ) ( 1,6.10 ) (76,327449866)
7

19

268

( 7. 10 ) ( 1,6.10
7

19

268
26
n4 ==1,12.
10
=9,87.1
7
19
) (21,386963902) ( 7.10 ) ( 1,6. 10 ) (24,252878081)

n=

n +n
n= 1 2 =9,03. 1025
2

n=
3.2.c
=

(9.03+5.45). 1025
=7.24 . 1025
2

Resistivitas

R
. d ( R BD , AC + R AC , BD )
.
. f BD , AC
ln (2)
2
R AC ,BD

n 3+ n4
=5,45.10 25
2

GaN dengan doping Mg :

m-3

6
R
2.2 10 ( RBD , AC + R AC ,BD )
.
. f BD , AC
2
R AC , BD
ln ( 2 )

Untuk B = 88,8 mT
1=

2.2 106 ( (19,03206951 ) +(10,53439422)) (

.
0,970453323 ) =4,511 105
2
ln ( 2 )
Untuk B = 268 mT

2.2 106 ( (15,036961141 )+(73,696703979) ) (

2=
.
0,815098262 )=1 ,1 4 105
2
ln ( 2 )
Sehingga,
=

1 + 2
=8,0125 105
2

Tanpa doping :
6
R
2.2 10 ( RBD , AC + R AC ,BD )
=
.
. f BD , AC
2
R AC , BD
ln ( 2 )

Untuk B = 88,8 mT

2.2 106 ( (11,524663715 ) +(76,327449866) ) (

.
0,754273847 )
2
ln ( 2 )

11105
Untuk B=268 mT
=

2.2 106 ( (21,386963902 ) +(24,252878081) ) (

.
0,998632243 )
2
ln ( 2 )

7,2 105
Sehingga,
=
3.2.d

1 + 2
=9.10 105
2

Mobilitas

1/ =e . n. n
n=

GaN dengan doping Mg ( RBD , AC

p=
p=

( 1,6. 10 ) .(1,00. 1026).7,80 105

19

( 1,6. 10

19

1
=
) .(5,39. 1025).7,80 105

p ( R BD , AC )+ p ( R AC , BD)
=
2

GaN tanpa doping ( RBD , AC

n=
n=

1
e.n.

( 1,6. 10

19

1
=
) .(9,03. 1025) . 9.10 105

GaN tanpa doping ( RBD , AC

n =

1
e. p.

GaN dengan doping Mg ( R AC , BD

p=

1
e.n.

( 1,6. 10 ) .(5,45. 1025) . 9.10 105

19

n (R BD , AC )+ n (R AC , BD)
=
2

3.3 Analisis
Berdasarkan pengolahan data di atas dapat kita analisis sebagai berikut:
Untuk tipe muatan pembawa dari GaN doping Mg dari grafik B
terhadap R tipe muatan pembawanya adalah tipe-p. sedangkan
untuk GaN tanpa doping tipe muatan pembawanya adalah tipe-n.

Untuk konsentrasi muatan pembawa dari GaN doping Mg dengan

tipe-p konsentrasi muatan pembawanya adalah

25

7,69.10

m-3.

Dan untuk GaN tanpa doping konsentrasi muatan pembawanya

25
adalah 7,24 . 10
m-3.

Untuk resistivitas GaN doping Mg resistivitasnya adalah =

7,80 105 . Dan untuk resistivitas GaN tanpa doping
5
resistivitasnya adalah = 9.10 10 .

Untuk mobilitas GaN doping Mg mobilitasnya adalah .. Dan

untuk mobilitas GaN tanpa doping mobilitasnya adalah