Anda di halaman 1dari 11

NAMA

: WINDA EKASARI

NIM

: 121810201013

TUGAS 6 FISIKA ZAT PADAT BAB 6 DAN TUGAS 7

PROBLEMS TUGAS 6
1. The potential of an electron in a one-dimensional lattice is of the
same type as that used in the Kroning-Penney model. Assuming
V o ab 2 / m

Prove that the energy band gap k = / a is Vob/a.

Solutions:
Diketahui :

V o ab2 /m

k = is 2 V a b/a
a

Ditanya
Jawab

: energy band = . . . ?
:

N eff =

2 Lm dE
2
dk

( )

k=k 1

2. A one-dimensional latticeof spacing a has a potential distribution

of the type as coassidered in the Kroning-Penney model. The value
of the potential is-V at each lattice point and abruptly changes to
zero at a distance of 0.1 a on either side of the lattice point.
Determine the width of the first energy gap in the eectron energy
spectrum.
Solutions:
2

2 mE
2

E=

2 2 2 2 n2 2 2 n2 c 2
=
=
2m
2 ma 2
2 mc 2 a2

( 3,14 )2 ( 0,658 1015 eVs ) ( 1 )2 ( 3 108 m/ s )

E=
2
6
2 ( 0.1 m ) .0,511 10 eV

E=

( 9,8596 ) ( 0.432964 1015 e V 2 s2 ) ( 9 10 16 m2 /s 2 )

0.02 ( 0,511 106 eV )

15

E=

37,6 10

16

e V 10 m /s
10220 eV

E=0.37 V

PROBLEM TUGAS 7

1. Diketahui :
ni=10 19 m3
17

n=10 m

Ditanya : p ...?
Dijawab :
ni 2
p=
n

10
( 19 m3)2
1017 m3
p=
10
( 38 m6)
1017 m3
p=
10

p=

2. Diketahui :

Eg Diamond = 5,51 eV
Eg Silikon = 1,16 eV
Tsilikon = 250C

Ditanya : Tdiamond?
Jawab : Tdiamond =

E g Diamond x T silikon
E g Silikon
5,51 eV x 25 0 C
1,16 eV

= 12000C
5
1
3. Diketahui: 1=4,17 10 ( . m)

2=4 104 ( .m )1
T 1 =0o C
T 1 =27o C

E g= ?

Ditanya:

(Energi Gap)

Jawab:
Untuk semikonduktor instrinsik,
=e ni

=e

2 kT
2

3 /2

CT 3 /2 exp

3/ 4
( mn mp ) exp

3 /2

( E
2 kT )
g

3/4

( mn mp )

Jika

dan

T1

dan

T2

, maka:

3 /2

( ) { (

1 2 T1
= =
2 1 T 2

dimana

exp

Eg 1
1

2k T2 T1

)}

Eg 1 1
3 T

=ln 1 + ln 1
2k T2 T1
2 2 T 2

dimana,

merupakan konstanta dimana,

2 kT
C=2 e
2

( E
2 kT )

T 1 =0+273=273 K
T 2 =27+273=300 K
1=

1
1
=
=0,24 105 . m
5
1
1 4,17 10 ( . m)

2=

1
1
4
=
=0,25 10 . m
4
1
2 4 10 ( . m)

Sehingga,
Eg
2 ( 1,38 10

23

() 2731 3001 )
1

) ( )

4 104 ( .m )
3
273
ln
+ ln
5
1
2
300
4,17 10 ( . m )

Eg
23

2,76 10

3
=ln ( 9,59 )+ ln ( 0,91 )
( 300273
)
81900
2

5,85 1023
E g=
4
3,3 10

E g=1,77 1019 J

1,77 1019
E g=
1,6 1019

19

1,1110

4. Diketahui

eV

: unsur: germanium semiknduktor tipe-n

1 1
Konduktivitas ( ) = 39 ( m ) , T= 0K

2 1 1
= 0.39 m V s

Ditanya

: n = ?

Dijawab

n =n e n

n=

(1)

n
e n

Dengan mensubtitusikan nilai dari mobilitas dan konduktivitas

elektron dalam germanium, konsentrasi atom donor adalah:
39 ( 1 m1)
n=
( 0.39 m2 V 1 s1 ) . ( 1.6 1019 )

n=

100
m3
19
( 1.6 10 )

5. Dikethui : unsur: germanium semiknduktor tipe-n

1
1
4
Konduktivitas ( ) = 500 ( cm ) = 5 10

Ditanya :

( 1 m1 ) ; T= 0K

2 1 1
= 0.385 m V s

n
V =?

Dijawab :
Konduktivitas dari elektron di dalam suatu bahan semikonduktor
n =n e n

n=

(1)
n
e n

Dengan mensubtitusikan nilai dari mobilitas dan konduktivitas

elektron dalam germanium, konsentrasi atom donor adalah:
n=

5 104 ( 1 m1 )
( 0.385 m2 V 1 s1 ) . ( 1.6 1019 )

n=

129870.12 3
m
( 1.6 1019)

8.12 102 m3

Dengan n adalah konsentrasi atom donor, sehingga banyaknya atom

donor untuk tiap satuan volume dinyatakan oleh:
n=8.12 102 m3
n 8.12 102 m3
=
V
1m3
n
=8.1210 2
V

6.

=e ( n n + p p )

sehingga,
=e ( 2 n n )

7. Diketahui:

n = 0,39 m2/Vs
p = 0,19 m2/Vs

T = 300 K
Eg = 0,67 eV
mn* = 0,35 mo
mp* = 0,37 mo
Ditanya ni = .... ?
= ... ?

ni=n= p

maka

n p

banyak dopan=...?
Jawab :
a.

ni=2

2 kT
h2

3
2

( mn mp ) 4 exp

( E
2 kT )

34 2

( 6,63 10 )

3
2

3
31 2 4

(0,35 0,37 ( 9,1 10 ) )

exp

( 2 1,380,67
10 300 )

19

1,81 10 /m

b.

=e ni ( n + p )
1,6 1019 1,81 1019 ( 0,39+0,19 )
1,68/ m

8. Dalam semikonduktor tipe n, nilai Fermi levelnya adalah 0.5 eV

dibawah konduksi band. Jika konsentrasi dari atom donor adalah
tiga kali lipat, tentukan posisi baru dari Fermi level, yang diberikan
kT =0.03 eV

LATIHAN SOAL DARI PPT

1. Apa yang dimaksud dengan energi Fermi?
Jawab:

23

Energi Fermi EF merupakan energi maksimum yang dapat dimiliki

elektron dalam kristal pada suhu T=0.
dan semikonduktor berdasarkan teori pita energi?
Pada bahan Isolator tingkat energi Ferminya melintas daerah
energi terlarang.
Pada bahan Konduktor tingkat energi Ferminya melalui pita
konduksi, sehingga pada suhu T=0 kelvin, semua electron
states dalam pita konduksi dengan E< EF terisi.
Pada bahan Semikonduktor tingkat energinya melalui pita
velensi, daerah energi terlarang. Pada suhu T=0 kelvin, pita
konduksi di bawah terisi semua electron states-nya, sedangkan
dalam pita konduksi di atasnya semua electron states lowong.
3. Kondisi seperti apakah, dalam kristal tidak menghasilkan arus
Jawab:
Pada saat semua electron states dalam pita energi yang
diperkenankan sama sekali tidak dihuni elektron atau pada saat semua
electron states dalam pita energi yang diperkenankan terisi elektron,
artinya tidak satupun electron states yang kosong.

4. Kenapa model elektron bebas tidak dapat menjelaskan rentang

harga konduktivitas listrik zat padat yang lebar?
Jawab:
Karena pada model elektron bebas mengabaikan potensial dari gugusgugus ion dalam kristal (V=0).

5. Kenapa model Teori pita dapat menjelaskan rentang harga

konduktivitas listrik zat padat yang lebar?
Jawab:
Pada model ini potensial dari gugus-gugus ion dalam kristal tidak
sama dengan nol, tetapi potensial ini merupakan potensial periodik
yang berkaitan dengan kisi kristalnya.