SENSOR SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS ZnO:Al

UNTUK MENDETEKSI KUALITAS AIR

Ditujukan sebagai Proposal Tugas Akhir

Pembimbing :
Dr. Bebeh W. Nuryadin, M.Si
Dr. Hj. Hasniah Aliah, M.Si

Oleh
Fitri Rahayu
1127030025

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS SAINS DAN TEKNOLOGI
UIN SUNAN GUNUNG DJATI BANDUNG
2015

LEMBAR PENGESAHAN
Proposal Tugas Akhir FI-40XX
Jurusan Fisika UIN Sunan Gunung Djati Bandung

Judul Penelitian Tugas Akhir

SENSOR SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS ZnO:Al

UNTUK MENDETEKSI KUALITAS AIR

Nama Mahasiswa : Fitri Rahayu

NIM

: 1127030025

Telah diperiksa dan disetujui pada tanggal 18 Mei 2015

Dosen Pengampu Tugas Akhir,

Dr. Yudha Satya Perkasa, M.Si

Pembimbing I

Pembimbing II

Dr. Bebeh W. Nuryadin, M.Si

Dr. Hj. Hasniah Aliah, M.Si

1.

Latar Belakang
Air adalah hal yang paling penting bagi semua kehidupan di bumi dan sumber
daya berharga bagi peradaban manusia. Akses yang dapat dipercaya untuk
mendapatkan air bersih dianggap sebagai salah satu tujuan kemanusian yang
paling dasar, dan tetap menjadi tantangan global utama pada abad ke-21. (Qu, et
al., 2013)
Oleh karena itu diperlukannya alat untuk mendeteksi kualitas air. Pada penelitian
ini dilakukan studi awal untuk mendeteksi kualitas air dengan menggunakan
lapisan tipis. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang mempunyai ketebalan dari
orde angstrom hingga mikrometer.). Salah satu lapisan tipis anorganik berbasis
logam oksida yang menarik untuk diteliti adalah lapisan tipis ZnO:Al yaitu Zinc
Oxide (ZnO) yang di doping dengan atom Aluminium (Al). lapisan tipis ZnO
karena memiliki sifat fisis yang menarik diantaranya mempunyai celah pita yang
lebar, sifat anisotropinya akan menimbulkan gejala piezoelektrik, dan sifat non
stoikiometrinya menyebabkan paduan ini dapat menjadi semikonduktor tipe-n.
Selain itu ZnO memiliki perubahan konduktivitas permukaan dalam merespon
gas-gas yang diserap dan mudah difabrikasi dalam bentuk lapisan tipis melalui
sputtering. (MIN, 2003)
Aplikasi dari lapisan tipis ZnO:Al adalah liquid crystal displays (LCD), aspek
alternatif energi yaitu sel surya, aspek teknologi yang berupa sensor gas dan
lapisan oksida transparan konduktif (TCO) .Namun, pada penelitian ini , aplikasi
dari lapisan tipis ZnO:Al sebagai sensor untuk mendeteksi kulitas air dengan
membandingkan nilai resistansi masing-masing sample.
Metode yang digunakan dalam membuat lapisan tipis AZO adalah menggunakan
teknik spray pyrolysis karena mempunyai beberapa keuntungan antara lain:
metodanya sederhana, biaya pembuatan dan bahan dasarnya murah. Pada proses
menggunakan teknik ini meliputi optimisasi banyak parameter proses seperti
efek konsentrasi larutan (L, et al., 1993), jarak nozzle ke substrat (Abijhit, 2006),
kecepatan aliran udara (Abijhit, 2006) dan suhu substrat (C, 2006) yang tentunya
sangat memparuhi sifat-sifat dari film tipis.

Pada penelitian ini kami memfokuskan pada sensor semikonduktor berbasis

lapisan tipis AZO (Alumunium-dopen Zinc Oxide) untuk mendeteksi kualitas
air. Tujuan dari penelitian ini adalah mengetahui aplikasi dari lapisan tipis AZO
sebagai sensor untuk mengetahui kualitas air. Nilai resistivitas air murni
digunakan sebagai pembanding dengan air yang di ambil dari sumber lain.
2. Perumusan Masalah
Tugas akhir ini akan difokuskan pada Melakukan sintesis lapisan tipis ZnO:Al
dengan menggunakan metode spray pyrolysis serta mengetahui aplikasinya
sebagai sensor untuk mendeteksi kualitas air berdasarkan resistansinya dari
berbagai sample.
3. Tujuan
Tujuan yang ingin dicapai dari penelitian tugas akhir ini adalah pembuatan
lapisan tipis ZnO:Al yang disintesis menggunakan metode spray pyrolysis,
dengan parameter variasi jumlah lapisan deposisi dan persen mol doping
alumunium untuk aplikasinya sebagai sensor semikonduktor untuk menentukan
kualitas air.
4. Hasil
Hasil dari penelitian tugas akhir ini adalah lapisan tipis ZnO:Al dapat dijadikan
sebagai sensor semikonduktor untuk mendeteksi kandungan air minum.
5. Batasan Masalah
Batasan masalah yang ditetapkan bagi penelitian tugas akhir ini adalah :
a. Material sumber yang digunakan adalah Zn(CH3COO)2.2H2O dalam
bentuk powder dan Al(NO3)2.9H2O
b. Digunakan metode spray pyrolisis untuk mensintesis lapisan tipis
c. Pengaruh molaritas dan jumlah deposisi lapisan pada resitansi lapisan tipis
d. Pengujian resitansi menggunakan multimeter digital
e. Karakterisasi yang digunakan adalah SEM dan spektrometer UV-vis.
f. Sample air yang digunakan adalah air keran, air limbah, air kolam, air isi
ulang

6. Metodologi Penelitian
Metodologi penelitian tugas akhir ini adalah berupa penelitian eksperimental.
Adapun metode yang digunakan pada penelitian in adalah:
a. Studi literatur.
b. Pembuatan secara langsung lapisan tipis ZnO:Al dengan menggunakan
metode spray pyrolysis dan aplikasinya sebagai sensor semikonduktor untuk
menentukan kualitas air.
c. yaitu pengambilan data dengan mengamati langsung terhadap pembuatan
lapisan tipis ZnO:Al dan perbandingan resistansi air dari berbagi macam
sampel.

7. Teori Dasar

7.1. Struktur Kristal

Pada umumnya ZnO membentuk struktur kristal heksagonal wurtzite.
Struktur ini dapat digambarkan sebagai kombinasi bergantian subkisi
hexagonal-close-packed (hcp), dimana tiap subkisi terdiri dari satu jenis
atom (misal atom Zn) bergantian dengan atom jenis lain (atom O)
sepanjang sumbu c. Tiap satu subkisi meliputi empat atom per unit sel,
setiap atom Zn dikelilingi oleh empat atom O dan sebaliknya. Gambar 2.1
memperlihatkan struktur kristal wurtzite ZnO dimana atom O digambarkan
sebagai bola putih besar dan atom Zn digambarkan sebagai bola hitam yang
lebih kecil dan garis hitam menggambarkan unit sel. Parameter kisi ZnO
untuk struktur wurtzite pada temperatur 300 K adalah a = 3,2495 dan c =
5,2069 .

Gambar 1. Struktur heksagonal wurtzite ZnO

4

Selain struktur kristal wurtzite, ZnO juga dilaporkan dapat memiliki struktur
kristal kubik zincblende dan rocksalt (Jagadish dan Pearton, 2006; Dengyuan,
2005). Gambar 2.2 memperlihatkan struktur rocksalt (kiri) dan zincblende
(kanan) ZnO. Struktur kristal zinckblende ZnO stabil hanya jika ditumbuhkan
pada struktur kubik dan konstanta kisi ZnO untuk struktur rocksalt adalah a =
4,280 .

Gambar 2. Struktur rocksalt dan zincblende ZnO

7.2. Sifat Optik ZnO

Seng oksida adalah semikonduktor dengan celah pita energi langsung (direct
band gap). Nilai celah pita energi untuk ZnO monokristal adalah antara 3,1 3,3 eV pada temperatur ruangan dan 3,44 eV pada temperatur 4 K dan
untuk film ZnO polikristal adalah antara 3,28 3,30 eV (Dengyuan, 2005).
Karena memiliki celah pita energi yang lebar maka ZnO transparan
terhadap sinar tampak (400-700 nm). Indeks bias ZnO dalam bentuk film
adalah sekitar 1,93-2,0 dan untuk material ukuran besar (bulk) adalah ~2,0.
7.3. Penumbuhan Film Tipis ZnO:Al
Film tipis ZnO yang ditumbuhkan dengan berbagai metode menunjukkan
keunggulan sebagai kandidat devais elektronik baru. Banyak usaha yang
telah dilakukan olah para peneliti untuk meningkatkan keunggulan film tipis
ZnO, salah satu yang dilakukan dengan melakukan doping unsur logam
(Sayono, et al., 2007). Penelitian yang telah dilakukan oleh beberapa peneliti
diantaranya menumbuhkan film tipis ZnO dengan doping alumunium. Hal
tersebut dilakukan untuk mendapatkan film tipis dengan karakteristik yang
5

menguntungkan untuk aplikasi devais khususnya TCO ( (E.Saptaningrum,

2012).
Sim dkk, (2010) (U, et al., 2010) telah berhasil menumbuhkan film tipis
ZnO doping alumunium di atas substrat gelas keramik dengan rf magnetron
sputtering. Film tipis yang dihasilkan memiliki butiran dengan ukuran nano
(20-30 nm), film juga menunjukkan sensitivitas yang baik terhadap gas
hydrogen pada temperatur 40 C. Chen dkk, (2006) (Chen, et al., 2009) juga
menunjukkan bahwa film tipis ZnO di doping aluminium memiliki
sensitivitas yang tinggi untuk mendeteksi 400 ppm uap etanol pada
temperature operasi 250 C. Film tipis ZnO doping alumunium memiliki
struktur datar dan memiliki struktur hexagonal wurtzite (Aryanto &
Saptaningrum, 2012).

7.4. Metode Spray Pyrolisis

Spray pyrolysis adalah salah satu metode sintesis partikel yang banyak dikaji
secara intensif oleh sejumlah peneliti karena menjanjikan sejumlah
keunggulan metode spray pyrolysis mampu menghasilkan partikel berbentuk
bulat, tanpa aglomerasi, serta rentang waktu produksi yang sangat pendek
(dapat kurang dari satu detik). Ukuran partikel yang dihasilkan juga dapat
dikontrol dengan mudah melalui pengontrolah konsentrasi prekursor yang
digunakan maupun ukuran droplet yang dihasilkan atomizer (penghasil
droplet). Dengan menggunakan konsentrasi prekursor yang sangat kecil,
maka secara teoretis metode spray pyrolysis dapat juga digunakan untuk
mengasilkan partikel dalam orde (Nuryadin, et al., 2009).
Sintesis partikel dengan metode spray pyrolysis diawali dengan proses
penyemprotan larutan prekursor dalam bentuk droplet oleh atomizer.
Droplet yang mengandung pelarut dan material prekursor kemudian dibawa
menggunakan carrier gas ke reaktor yang telah diatur pada suhu tertentu.
Pemanasan pada suhu tinggi yang terjadi dalam reaktor tersebut
menguapkan pelarut yang diikuti dengan reaksi kimia pada suhu tinggi
(pyrolysis) untuk membetuk partikel. Partikel yang terbentuk dibawa oleh
pembawa gas dan terkumpul di substrat. Spray pyrolysis sangat potensial

digunakan untuk membuat lapisan tipis dengan ukuran mikrometer hingga

sub micrometer (Nuryadin, et al., 2009).

Gambar 3. Skema alat spray pyrolysis .(1) kompresor; (2) regulator tekanan
dan pengukur; (3) batang penyangga; (4) prekursor; (5) nozzle ; (8)
substrat; (9) pemanas.
7.5. Aplikasi Lapisan Tipis ZnO:Al
Lapisan tipis oksida logam merupakan satu jenis dari sekian banyak bahan
lapisan tipis yang telah dikembangkan menjadi sensor gas semikonduktor.
Keadaan ini dimungkinkan karena struktur dan sifat elektrik lapisan tipis
oksida dapat dikontrol dalam proses pembuatannya, sehingga dapat
merubah tingkat sensitivitasnya jika berada dalam lingkugan gas. Pada
kondisi udara normal, permukaan bahan semikonduktor terlapisi oleh suatu
lapisan yang diakibatkan oleh terserapnya oksigen. Proses ini meliputi
penyerapan fisika, yang kemudian diikuti penyerapan kimia dengan
menangkap elektron dari daerah dekat permukaan semikonduktor. Proses
terserapnya gas oksigen di atas permukaan semikonduktor (Sayono, et al.,
2007).
Bila tekanan gas semakin rendah, maka jumlah ion argon dalam tabung
plasma yang berfungsi sebagai gas sputter juga masih sedikit. Akibatnya
jumlah atom-atom target ZnO:Al ke permukaan substrat alumina masih
kecil sehingga tingkat kerapatan dan homogenitas atom pada permukaan
yang berfungsi sebagai sensor masih rendah. Oleh karena tingkat kerapatan
dan homogenitas atom pada permukaan masih rendah maka jarak antar
7

atom masih ada celah atau gap sehingga elektron sebagai pembawa muatan
akan sulit melewati pada daerah tersebut, ini berpengaruh terhadap
konduktivitas bahan sensor masih rendah atau nilai resistansinya masih
tinggi (Sayono, et al., 2007).
Aplikasi yang lainnya digunakan sebagai bahan lapisan oksida transparan
konduktif (TCO) untuk sel surya. Lapisan tipis ZnO yang dicampur dengan
unsur Al merupakan salah satu jenis bahan TCO. Lapisan tipis ZnO:Al telah
banyak diteliti karena aplikasinya begitu luas yaitu untuk peralatan
permukaan gelombang akustik, sensor tekan, sensor gas, foto dioda maupun
sel surya. Bahan TCO ini selain mempunyai nilai resistivitas yang rendah
dan harganya murah juga mempunyai sifat-sifat optik yang baik. Dalam
plasma hidrogen TCO juga mempunyai kesetabilan arus dan tegangan yang
tinggi, sehingga dapat ditumbuhkan dalam suhu rendah (Wirjoadi & B,
2007).Oleh karena itu pada penelitian ini lapisan tipis ZnO:Al akan
diaplikasikan untuk lapisan oksida transparan konduktif (TCO) dan
digunakan sebagai sensor pendeteksi kualitas air.
8. Jadwal Pelaksanaan
September
KEGIATAN

Oktober
4

November
8

10

11

Desember
12

13

14

15

Januari
16

17

18

19

Februari
20

Studi Litelatur
Pembuatan Proposal
Tugas Akhir
Pesrsiapan alat dan
bahan
Pembuatan lapisan
tipis serta pengukuran
resistansi
Pengujian sample
Karakterisasi
Pengolahan data
Penyusunanan
laporan tugas akhir
Penyusunan
persentasi tugas akhir
Persentasi terhadap
dosen pembimbing

9. Rancangan Anggaran
Rancangan anggaran untuk pelaksanaan penelitian tugas akhir ini adalah sebagai
berikut:
8

21

22

23

24

Pembelian alat dan bahan

Rp.

50.000

Karakterisasi

Rp.

500.000

Pencetakan laporan tugas akhir

Rp.

250.000
+

Total

Rp. 800.000,00

10. Daftar Pustaka

1. Abijhit, N. (2006). Semiconducting Metal Oxide Gas Sensor. 19-44.
2. Aryanto, D., & Saptaningrum, E. (2012). Fabrikasi dan Karakterisasi TCO Berbasis Film
Tipis Zinc-Oxide Doping (Alumunium, Gallium) sebagai Window Layers Dalam Sel Surya.
Semarang: IKIP PGRI.
3. C, R. (2006). Pembuatan Lapisan Tipis ZnO:Al pada substrat alumina untuk bahan
sensor gas. Skripsi Program Studi Elektro MekanikJurusan Teknofisika Nuklir, STTN
BATAN,.
4. Chen, K. J., Hung, F. Y., Chang, S. J., & Hu, Z. S. (2009). Microstructures, optical
and electrical properties of In-doped ZnO thin films prepared by solgel method.
Applied Surface Science. Applied Surface Science, 255(12), 6308-6312.
5. E.Saptaningrum, D. A. (2012). Fabrikasi dan Karakterisasi TCO Berbasis Film Tipis
Zinc-Oxide Doping (Alumunium, Gallium) sebagai Window Layers Dalam Sel
Surya. Semarang: IKIP PGRI.
6. MIN, Y. (2003). Properties and Sensor Performance of Zinc Oxide Thin Film.
Massachusetts Institute Of Technolgy.
7. Nuryadin, B. W., Marully, A. R., Khairuddin, Abdullah, M., & Khairurrijal. (2009).
Pengembagan Reaktor Spray Pyrolysis dan Spray Drying Untuk Sintesis Partikel
Oksida dan Partikel komposit Berbentuk Bulat dan Berukuran Mikrometer. Jurnal
Nanosains, 2(2).
8. Qu, X., Alvarez, P. J., & Li, Q. n. (2013). Applications of nanotechnology in water
and wastewater treatment. elsevier, 1.
9. Sayono, Surarso, B., & Saputra, R. (2007). Deposisi Lapisan Tipis ZnO:Al pada
Substrat Alumina Untuk Bahan Sensor Gas. Prosiding PPI - PDIPTN.
10. U, S., W, S., Moholkar, Yun.J, Moon.J.H, & J, H. (2010). Effect of dopant (Al, Ga
and In) on the characteristics of ZnO thin film prepared by RF magnetron
sputtering system. Journal of Physics and Chemistry of Solids, S463-S467.
11. Wirjoadi, & B, S. (2007). Sifat Optik Struktur Kristal dan StrukturMikro Lapisan
tipis ZnO:Al pada Substrat KacaSebagai Bahan TCO. Prosiding PPI - PDIPTN 2007
Pustek Akselerator dan Proses Bahan BATAN.