Anda di halaman 1dari 15

MODUL 3

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR


LAPORAN PRAKTIKUM

Laporan ini dibuat sebagai syarat lulus mata kuliah MS3204 Mekatronika 1

Disusun oleh :
Saniy Shabrina 13111060
Darel Muhammad Kamil 13112128

Asisten :
Fariz Khairul Arifin (13111019)

FAKULTAS TEKNIK MESIN DAN DIRGANTARA


DEPARTEMEN TEKNIK MESIN
INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG
2015

ABSTRAK
Transistor merupakan salah satu komponen elektronik yang terbuat dari bahan
semikonduktor. Salah satu jenis transistor yang dipelajari adalah jenis Bipolar Junction
Transistor. Bahan semikonduktor yang umum kita jumpai sebagai komponen penyusun
BJT(Bipolar Junction Transistor) adalah N dan P dengan susunan NPN atau PNP. Setiap
BJT, memiliki karakteristik tertentu agar bisa dimanfaatkan dengan baik.
Pada laporan ini akan dibahas mengenai karakteristik kolektor dari BJT serta
menganalisis perbandingan arus kolektor dan arus base pada BJT yang digunakan pada saat
praktikum.

Kata kunci

: Bipolar Juntction Transistor, cut-off region, saturation region, active region

BAB 1. PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Bipolar Junction Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang


pengaplikasiannya sangat sering kita jumpai dalam kehidupan sehari-hari. Salah satu
manfaat dari penggunaan BJT adalah sebagai pengatur arus besar dengan menggunakan
arus yang kecil agar orang yang mengatur arus bisa terhindar terpapar arus yang besar dan
berbahaya bagi keselamatan.
Sudah selayaknya mahasiswa Teknik Mesin yang nantinya akan menjadi
insinyur, sangatlah perlu untuk memahami secara mendalam tentang karakteristik dan
kegunaan dari BJT baik dalam kehidupan sehari-hari maupun dalam dunia industri
nantinya. Pembelajaran dari ruang kelas saja masih dirasa kurang untuk memahami
tentang BJT. Oleh karena itu, perlu dilakukan praktikum mengengai BJT. Harapannya,
insinyur lulusan Teknik Mesin ITB nanti dapat menemukan masalah, menganlisis
masalah sekaligus mensolusikan permasalahan yang memiliki katian erat dengan BJT.

1.2 Tujuan

a. Membuat dan menganalisis kurva karakteristik kolektor dari Bipolar Junction


Transistor (BJT).
b. Menghitung besarnya dc berdasarkan hasil percobaan

BAB 2. DASAR TEORI


BJT terdiri dari 3 bagian semikonduktor yang terpisah oleh dua pn junctions. Tiga
daerah tersebut adalah emitter, base dan collector. Istilah Bipolar mengacu pada penggunaan
kedua holes dan elektron sebagai pembawa arus pada struktur transistor.

Gambar 2.1 Konstruksi BJT

Gambar 2.2 Jenis BJT (npn dan pnp)

.
Gambar 2.3 Keadaan kerja BJT
BJT bekerja pada keadaan forward-reverse bias
BJT berpoperasi menggunakan prinsip yang tidak berjauh berbeda dengan dioda yaitu
dengan memanfaatkan daerah deplesi. Gambar di bawah ini menggambarkan bagaimana
proses aliran elektron pada BJT.

Gambar 2.4 Gambaran aliran elektron pada BJT

Semikonduktor jenis n, memiliki densitas konduksi elektron bebas yang sangat tinggi.
Elektron bebas ini sangat mudah berdifusi melalui BE junction ke bagian p daerah base. Base
memiliki densitias holes yang kecil sebagai pembawa utama (lingkaran putih pada gambar).
Karena elektron mengalir ke arah n kolektor, maka arus akan cenderung untuk mengalir ke n
emitter.

Gambar 2.5 Simbol BJT


Analisis rangkaian BJT :

Gambar 2.6 Simbol rangkaian BJT


IB

: arus base dc

IE

: arus emitter dc

IC

: arus kolektor dc

VBE

: tegangan dc antara base dengan emiter

VCB

: tegangan dc antara kolektor dengan base

VCE

: tegangan dc antara kolektor dengan emiter

VBB

: tegangan supply pada base

VCC

: tegangan supply pada kolektor

Daerah kerja BJT :

Gambar 2.7 Kurva karakterisik kolektor BJT

Gambar 2.8 Daerah kerja BJT

a. Daerah saturasi :
Ketika base junction dalam keadaan bias maju dan arus pada base ditingkatkan,
arus yang ada pada kolektor juga akan meningkat dan VCE akan berkurang sebagai
dari semakin meningkatnya arus kolektor (VCE = VCC ICRC). Nilainya akan terus
berkurang sampai pada keadaan tertentu di mana nilainya akan menjadi VCE(sat)
yang besarnya 0,2 V.

Gambar 2.9 Keadaan saturasi

b. Daerah cutoff
Ketika arus yang mengalir ke base besarnya 0, maka keadaan ini disebut sebagai
cut off. Pada keadaan ini, terdapat arus yang sangat kecil ICEO akibat pembawa
panas. Besar arus tersebut dapat diabaikan, sehingga pada keadaan ini, VCE = VCC.

Gambar 2.10 Keadaan cut-off

c. Daerah aktif :
Merupakan daerah di mana BJT bekerja yang mana besar IB dan VCE melebihi
keadaan kritisnya seperti yang sudah dijelaskan sebelumnya.

Gambar 2.11 Daerah aktif suatu BJT pada IB tertentu

BAB 3. METODOLOGI
a. Alat dan Bahan
1. 2 DC Power Supply
2. Digital Multimeter
3. Breadboard
4. Transistor 2N3904
5. Resistor 2 k dan 30 k

b. Prosedur pengukuran
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar di bawah ini dengan Rb = 30 k dan
Rc = 300

2. Ukurlah nilai IB , Ic , dan VCE . Untuk pengukuran arus Ic bisa melalui


perhitungan tanpa dikur terlebih dahulu
3. Ambil data IB , dari rentang 20 A 80 A dengan rentang sebesar 20 A.
4. Pada data arus tersebut, atur VCE pada power supply dari rentang 2 V 16 V
dengan kenaikan sebesar 2 V.
5. Catat Vcc yang terukur pada mikrometer setiap rentang IB dengan merubah
VCE dari 2 V sampai 16 V.

BAB 4. DATA DAN ANALISIS

Data yang didapatkan berupa data VCC :


VCE
2V
4V
6V
8V
10 V
12 V
14 V
16 V

IB = 20 A
4.4
6.4
8.3
10.5
12.3
14.7
17.0
19.2

IB = 40 A
6.5
8.5
11
13.2
15.3
17.7
20.5
23

IB = 60 A
8.3
10.5
12.9
15.2
17.6
20.1
23.1
25.3

IB = 80 A
11.5
13.7
16.7
19.3
21.6
25.1
28.5
31.5

Untuk mencari data Icc (dengan Rc = 298 )


Icc =
VCE
(V)
2
4
6
8
10
12
14
16

IB = 20 A

IB = 40 A

IB = 60 A

IB = 80 A

0.00805369
0.00805369
0.00771812
0.00838926
0.00771812
0.0090604
0.01006711
0.01073826

0.01510067
0.01510067
0.01677852
0.01744966
0.01778523
0.01912752
0.02181208
0.02348993

0.02114094
0.02181208
0.02315436
0.02416107
0.02550336
0.02718121
0.03053691
0.03120805

0.03187919
0.03255034
0.03590604
0.03791946
0.03892617
0.04395973
0.04865772
0.05201342

Untuk mendapatkan nilai maka : = IC/IB sehingga :


VCE (V)

20

40

60

80

2
4
6
8
10
12
14
16

402.6845638
402.6845638
385.9060403
419.4630872
385.9060403
453.0201342
503.3557047
536.9127517

377.5168
377.5168
419.4631
436.2416
444.6309
478.1879
545.302
587.2483

352.349
363.5347
385.906
402.6846
425.0559
453.0201
508.9485
520.1342

398.4899
406.8792
448.8255
473.9933
486.5772
549.4966
608.2215
650.1678

Karakteristik hubungan antara dan IC

vs Ic
700
600
500
I base 20 A

300

I base 40 A

400

I base 60 A
200

I base 80 A

100
0
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

Ic

Dari datasheet 2N3409, menunjukkan bahwa besarnya DC Gain ( ) adalah sebagai berikut :

Besar DC gain yang ditunjukkan adalah maksimumnya 300, sedangkan jika dirata-ratakan
hasil DC Gain ( ) yang didapatkan pada saat praktikum adalah : 455.948. Nilai ini jauh
berbeda dengan datasheet yang ada, hal ini bisa dikarenakan oleh :

1. Besarnya arus dari base yang dikeluarkan


2. Material yang digunakan oleh transistor
3. Ketelitian dari alat ukur yang digunakan, seperti multimeter digital juga bisa
mempengaruhi hasil yang didapatkan berbeda dari data katalog.
Besar gain seharusnya tidak stabil di masukan dan keluaran yang berubah-ubah, karena pada
arus masukan atau operasi maju jauh lebih besar dibandingkan operasi mundur, bisa sampai
2x dari operasi mundur sehingga nilai gainnya akan berubah-ubah, dan nilai gain ini juga
dipengaruhi oleh nilai arus pada base dan arus yang dihasilkan oleh collector.
Kurva Karakteristik BJT 2N3409

Kurva Karakteristik BJT 2N3409


0.06

0.05

Ic (A)

0.04
I base = 20 A

0.03

I base = 40 A
I base = 60 A

0.02

I base = 80 A

0.01

0
0

10
Vce (V)

15

20

BAB 5. KESIMPULAN
1. Berdasarkan hasil praktikum Modul 3 (BJT) ini maka dihasilkan kurva karakteristik kolektor
pada BJT sebagai berikut :

Kurva Karakteristik BJT 2N3409


0.06
0.05

Ic (A)

0.04
I base = 20 A

0.03

I base = 40 A

0.02

I base = 60 A
I base = 80 A

0.01
0
0

10

15

20

Vce (V)

2. Besarnya nilai dc dengan arus base yang berbeda-beda dan tegangan VCE yang

berbeda-beda didapatkan hasil dc sebagai berikut :


3.
VCE (V)

20

40

60

80

2
4
6
8
10
12
14
16

402.6845638
402.6845638
385.9060403
419.4630872
385.9060403
453.0201342
503.3557047
536.9127517

377.5168
377.5168
419.4631
436.2416
444.6309
478.1879
545.302
587.2483

352.349
363.5347
385.906
402.6846
425.0559
453.0201
508.9485
520.1342

398.4899
406.8792
448.8255
473.9933
486.5772
549.4966
608.2215
650.1678

Pada IB = 20 A didapatkan rata-rata nilai dc sebesar 436.25, IB = 40 A didapatkan ratarata nilai dc sebesar 458.3, IB = 60 A didapatkan rata-rata nilai dc sebesar 426.5 dan IB =
80 A didapatkan rata-rata nilai dc sebesar 502.8, data tersebut berdasarkan dari VCE

yang berbeda-beda atau bervariasi, sehingga jika dirata-ratakan semua nilai tersebut
hasil dari dc sebesar 455.948.

DAFTAR PUSTAKA
Floyd, Thomas L. Electronic devices : electron flow version / Thomas L. Floyd. 9th
ed. Pearson, 2012

Alciatore, David G.Introduction to mechatronics and measurement systems / David G.


Alciatore.4th ed, 2012