: Asri Sundari
NIM
: 1303025006
Semikonduktor di-dop untuk mendapatkan kristal npn dan pnp kristal ini disebut
transistor junction
Daerah n mempunyai banyak sekali elektron pita konduksi dan daerah p mempunyai
banyak sekali hole. Hal ini transistor junction sering disebut transistor bipolar
Pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau
transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja
secara berbeda.
Dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya
berdempet,
sehingga
ada tiga terminal yaitu emiter (E), kolektor (C), dan
basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan
perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor.
Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.
Rasio antara arus pada koletor dengan
arus pada basis biasanya dilambangkan
dengan atau hFE.
biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
Daerah Aktif
Daerah Breakdown : transistor tidak boleh beroperasi pada daerah ini karena
transistor akan rusak
Daerah Saturasi (jenuh)
Daerah Cut off