Rancang Bangun Penguat Daya RF
Rancang Bangun Penguat Daya RF
Abstract
The RF power amplifier has been designed and realized to operate at the frequency of
100 MHz with 1000 mW of power output at 12 V supply voltage in this research. Based on this
design, it will be used to design of the RF power amplifier with large output power at desired
frequency operation. The RF power amplifier consist of three stages amplification, with first
amplifier is operated in class A, second and third amplifier are operated in fixture mode class C.
Class A amplifier is designed with using the procedure that presented by Purdie, while fixture
mode class C amplifier is designed by using of large signal transistor impedance. Realizing of the
RF power amplifier can be able to used for amplifying signal of 100 MHz. The measurement of the
RF power amplifier at 12 V supply voltage; maximal output power of 1148,15 mW; second
harmonic distortion of 0,07 %; bandwidth 8 MHz and signal power are larger then noise that
generated by the amplifier.
PENDAHULUAN
Sistem
komunikasi
radio
digunakan untuk membawa pesan atau
informasi dari suatu titik ke titik lain.
Informasi yang dibawa dalam bentuk
sinyal listrik dapat berupa pembicaraan,
musik, gambar, data ilmiah, data bisnis,
dan sebagainya. Oleh karena itu, pada
dasarnya sistem komunikasi radio terdiri
dari tiga elemen utama, yaitu informasi
yang
akan
dibawa,
pengirim
(transmitter), dan penerima (receiver).
Transmitter
dibangun
dari
beberapa komponen, yaitu osilator,
modulator, penguat daya RF (Radio
Frequency), saluran transmisi, dan
antena. Osilator digunakan sebagai
penghasil gelombang sinus frekuensi
tinggi yang digunakan sebagai frekuensi
pembawa ( f c ). Modulator digunakan
untuk memodulasi informasi yang akan
dibawa dengan frekuensi pembawa.
Penguat daya RF digunakan untuk
menguatkan daya keluaran osilator
sampai suatu nilai yang dikehendaki.
Keluaran penguat daya RF diumpankan
ke antena melalui saluran transmisi.
Daya keluaran dari suatu
pemancar ditentukan oleh penguat daya
DASAR TEORI
Komponen-Komponen Pasif
Rangkaian Penguat
Rangkaian penguat dapat terdiri
dari satu komponen aktif dan beberapa
komponen pasif. Komponen aktif dapat
berupa transistor atau IC, sedangkan
komponen pasif dari suatu rangkaian
penguat terdiri dari resistor, kapasitor,
dan induktor.
55
Rancang Bangun
Penguat Kelas A
Purdie [2 ] telah mendefinisikan
penguat kelas A sebagai suatu penguat
yang mempunyai kemampuan terbesar
dalam mereproduksi masukan dengan
distorsi yang terkecil, dengan atau tanpa
rangkaian umpan balik negatif. Namun
demikian, efisiensi penguat kelas A
adalah paling kecil dibandingkan dengan
penguat daya kelas lainnya. Rangkaian
penguat kelas A dengan umpan balik
emitor diperlihatkan pada gambar 2.1.
+VCC
C4
R5
RL
R1
VC
C3
VB
C1
VE
R2
R3a
R3b
C2
kolektor RL .
Menurut
Hejhall [5 ] ,
resistansi beban kolektor ditentukan
dengan persamaan
RL =
VCC
2 Pout
56
Berkala Fisika
Vol. 6, No. 3, Juli 2003, hal. 55 - 62
XL
XC1
R1
XC2
R2
PERANCANGAN
Perancangan Penguat Daya RF
Penguat daya RF dirancang
untuk dioperasikan pada frekuensi ( f c )
masukan
Penguat I
Kelas A
2SC2053
20 mW
Penguat II
M.C.Kelas C
2SC2053
Jaringan
Penyesuai
Impedansi
150 mW
Beban
50 Ohm
1000 mW
keluaran
Jaringan
Penyesuai
Impedansi
Penguat III
M.C.Kelas C
2SC1970
atau R1 ke R2 .
57
Rancang Bangun
L=
0,39r 2 n 2
9r + 10 p
58
Berkala Fisika
Vol. 6, No. 3, Juli 2003, hal. 55 - 62
Power
Supply
D IL U B A N G I
9 s/d 13,5 V
12 V
LM7815
D4
D1
D3
D2
C1
AC
1K
Spectrum
Analyzer
Penguat
Daya RF
Osilator
220 V
Multitester
Digital
C2
0
1000F ,50V
D a y a k e lu a r a n (m W )
4700 F , 50 V
PENGUJIAN
Skema
pengujian
yang
dilakukan ditunjukkan pada gambar 5.1.
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
9
9,5
10
10,5 11
11,5 12
12,5
13
13,5
59
Rancang Bangun
D aya K eluaran (m W )
1200
D H 2 (% )
600
400
200
93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103
Frekuensi (MHz)
0,3
0,2
0,1
0
9,5
800
0,4
1000
Kesimpulan
Berdasarkan pengujian yang
dilakukan pada penguat daya RF,
penulis mengambil kesimpulan sebagai
berikut:
1. Penguat daya RF yang dirancang
dapat digunakan untuk menguatkan
sinyal 100 MHz, karena dengan
daya masukan 0,40 mW penguat
daya RF mampu menghasilkan daya
keluaran 1000 mW.
2. Pada tegangan catu 12 V, daya
keluaran maksimal 1148,15 mW,
distorsi harmonik kedua 0,07%,
60
Berkala Fisika
Vol. 6, No. 3, Juli 2003, hal. 55 - 62
2.
3.
4.
5.
6.
Daftar Pustaka
1. Wedlock, B. D., dan Roberge, J. K.,
Elektronic
Components
and
61
Measurement,
Prentice-Hall,
Englewood Cliffs, N. J., 1969.
Purdie, I., Small Signal Amplifier,
www.electronics-tutorials.com,
2002.
Purdie, I., Emitter Degeneration,
www.electronics-tutorials.com,
2002.
Krauss, H. L., Bostian, C. W., Raab,
F. H., Teknik Radio Benda Padat,
UI-Press, Jakarta, 1990.
Hejhall,
R.,
Motorola
Semiconduktor Application Note:
Systemizing RF Power Amplifier
Design, Motorola, Inc., 1993.
Becciolini,
B.,
Motorola
Semiconduktor Application Note:
Impedance Matching Networks
Applied to RF Power Transistors,
Motorola, Inc., 1993.
Rancang Bangun
10 nF
10 nF
L4
22
10 nF
10 nF
L1
L3
L2
Q1
+ VCC
10 nF
10 nF
10K
10 nF
Q2
L2 , 3
Q3
60 pF
L3,0
60 pF
IN
OUT
20 pF
10 nF
150
3K3
60 pF
60 pF
RFC 3
RFC 2
220
60 pF
10 nF
Penguat I
Penguat II
Penguat III
Keterangan:
Q1 =2SC2053
L1 = 0,159 H
L2,3 = 0,058H
RFC2 = 0,672 H
Q2 =2SC2053
L2 = 0,068 H
L3, 0 = 0,139H
RFC3 = 0,672 H
Q3 =2SC1970
L3 = 0,066 H
62
56