MAKALAH

SEMIKONDUKTOR

(disusun guna memenuhi tugas mata kuliah Pengantar Zat Padat Kelas A)

Disusun Oleh :
Nurul Fatimah
Desy Qoraima Putri

120210102008
120210102077

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

JURUSAN PENDIDIKAN MATEMATIKA DAN IPA
FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
UNIVERSITAS JEMBER
2015

SEMIKONDUKTOR
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang
berada di antara insulator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai
insulator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan
besifat sebagai konduktor. Tahanan jenis bahan semi konduktor antara sekitar 10 -2
Wm sampai dengan sekitar 109 m. Atom-atom bahan semi konduktor
membentuk krristal dengan struktur tetrahedral, dengan ikatan kovalen. Bahan
semi konduktor yang banyak dipakai dalam elektkronika adalah silikon (Si) dan
Germanium (Ge). Pada 0 Kelvin Si mempunyai lebar pita terlarang (energy gap)
0,785 eV, sedang untuk Ge 1,21 eV.
Baik Si maupun Ge mempunyai elektron valensi 4. Ada 2 jenis bahan
semikonduktor yaitu semikonduktor intrinsik (murni) dan semi konduktor
ekstrinsik (tidak murni). Untuk semikonduktor ekstrinsik ada 2 tipe yaitu tipa P
dan tipe N.
(Jumadi, 2008)
Sifat- sifat semikonduktor yaitu:
a.

Semi

konduktor

pada

umumnya

bersifat

insulator

(tidak

menghantarkan arus listrik) pada suhu mendekati 0 K.

b.

Pada suhu kamar bersifat konduktor, makin tinggi suhunya makin

bersifat konduktor.

c.

Bisa diubah konduktivitasnya.

d.

Semikonduktor memiliki resistansi.

Semikonduktor mempunyai kegunaan, diantanya:

a.

Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik

adalah sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol
dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini
disebut dopant atau dengan menyuntikkan materi lain.

b.

Dalam sirkuit terpadu modern, misalnya, polycrystalline silicon

didop-berat seringkali digunakan sebagai pengganti logam.
(Rusli, 2011)

Doping
Doping merupakan sebuah proses dari penambahan impuritas (pengotor)
ke dalam semikonduktor murni (intrinsik). Penambahan doping tersebut
dimaksudkan untuk menambah konduktivitas listrik material semikonduktor.
Perbedaan jumlah elektron elektron antara doping material (dopan) dan elektron
dalam semikonduktor murni dapat menghasilkan negatif (semikonduktor tipe n)
atau positif (semikonduktor tipe p) pembawa sifat listrik. Dopan disebut atom
akseptor apabila menerima elektron dari atom semikonduktor. Sedangkan dopan
disebut donor apabila menyumbangkan elektron ke atom semikonduktor.
Misalkan atom Si yang memiliki 4 buah elektron valensi, dua pasang elektron
tersebut akan membentuk ikatan kovalen. Untuk menghasilkan semikonduktor
tipe n, dibutuhkan atom yang memiliki lebih banyak elektron. Misal atom
phosporus (P) yang memiliki elektron valensi 5 buah. Atom P tersebut apabila di
dopingkan ke dalam semikonduktor Si akan memberikan elektron ekstra, sehingga
elektron tersebut akan membuat semikonduktor tipe n. Sedangkan untuk
menghasilkan semikonduktor tipe p, dibutuhkan atom dengan jumlah elektron
kurang dari elektron yang dimiliki semikonduktor Si. Misal atom aluminium (Al)
yang memiliki elektron valensi 3 buah. Atom Al yang didopingkan ke dalam
semikonduktor Si akan berikatan dengan 3 buah atom Al, artinya ada sebuah
elektron dari Si yang tidak berpasangan dengan Al. Maka Semikonduktor tersebut
memiliki hole yang bertindak sebagai penghasil sifat listrik. Dengan kata lain
semikonduktor menjadi bertipe p.
(Sugihartono, 2007)
A. Semikonduktor Intrinsik
Jenis bahan semi konduktor intrinsik umumnya mempunyai valensi
empat dan ikatan dalam kristalnya adalah ikatan kovalen, hal ini dapat dimengerti
karena elektron valensi pada kulit terluar dipakai bersama-sama.
Pada bahan semi konduktor intrinsik, hantaran listrik yang terjadi
disebabkan oleh mengalirnya elektron karena panas. Apabila temperatur naik,
maka akan terjadi random thermis sehingga akan ada elektron yang terbebas dari

ikatan atomnya (elektron pada kulit terluarnya). Dengan terlepasnya elektron ini,
maka terjadilah kekosongan elektron yang sering disebut hole. Hole ini
mempunyai sifat seperti partikel-pertikel yang dapat menghantarkan arus listrik
karena dapat berpindah-pindah, dan dianggap sebagai partikel yang bermuatan
positif sebesar muatan elektron. Gerakan hole ini menyebabkan gerakan elektron
yang terikat.
Sifat-sifat semi konduktor intrinsik:
a. Jumlah elektron bebas sama dengan hole
b. Hantaran arus disebabkan oleh elektron bebas dan hole
c. Arah pergerakan hole sama dengan arah polaritas medan listrik E dan
berlawanan arah dengan pergerakan elektron
d. Umur rata-ratanya adalah antara 100-1000 detik atau lebih. Umur rata-rata
dari sepasang elektron-hole (electron-hole pair) adalah jumlah waktu saat
tertutupnya pasangan elektron-hole sampai bertemunya elektron bebas
dengan hole. Adapun yang mengisi hole pada umumnya adalah elektron
yang terikat dilapisan sebelah bawahnya.
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas satu
unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Pada kristal semikonduktor Si, 1 atom Si
yang memiliki 4 elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya, perhatikan
gambar 1.

Pada kristal semikonduktor instrinsik Si, sel primitifnya berbentuk kubus.

Ikatan yang terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah ikatan kovalen. Hal ini
disebabkan karena adanya pemakaian 1 buah elektron bersama oleh dua atom Si
yang berdekatan.
Menurut teori pita energi, pada T = 0 K pita valensi semikonduktor terisi
penuh elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita tersebut dipisahkan
oleh celah energi kecil, yakni dalam rentang 0,18 - 3,7 eV. Pada suhu kamar Si
dan Ge masing-masing memiliki celah energi 1,11 eV dan 0,66 eV.
Bila mendapat cukup energi, misalnya berasal dari energi panas, elektron
dapat melepaskan diri dari ikatan kovalen dan tereksitasi menyebrangi celah
energi. Elektron valensi pada atom Ge lebih mudah tereksitasi menjadi elektron
bebas daripada elektron valensi pada atom Si, karena celah energi Si lebih besar
dari pada celah energi Ge. Elektron ini bebas bergerak diantara atom. Sedangkan
tempat kekosongan elektron disebut hole. Dengan demikian dasar pita konduksi
dihuni oleh elektron, dan puncak pita valensi dihuni hole. Sekarang, kedua pita
terisi sebagian, dan daat menimbulkan arus netto bila dikenakan medan listrik.

B. Semikonduktor Ekstrinsik
Semikonduktor yang telah terkotori (tidak murni lagi) oleh atom dari jenis
lainnya dinamakan semikonduktor ekstrinsik. Proses penambahan atom pengotor
pada semikonduktor murni disebut pengotoran (doping). Dengan menambahkan
atom pengotor (impurities), struktur pita dan resistivitasnya (hambat jenis) akan
berubah.

Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat menyumbangkan elektron

maupun hole dalam pita energi. Dengan demikian, konsentrasi elektron dapat
menjadi tidak sama dengan konsentrasi hole, namun masing-masing bergantung
pada konsentrasi dan jenis bahan ketidakmurnian. Semikonduktor jenis ini terdiri
dari dua macam, yaitu tipe-N (pembawa muatan elektron) dan semikonduktor
tipe-P (pembawa muatan hole).
Penambahan bahan konduktor tersebut kepada semi konduktor murni akan
meningkatkan konduktivitas semi konduktor. Suatu bahan yang didoping dengan
elemen kolom 5 pada susunan berkala seperti P, As atau Sb.
Tabel Energi Ionisasi

Semikonduktor Tipe-n
Semikonduktor dengan konsentrasi elektron lebih besar dibandingkan konsentrasi
hole disebut semikonduktor ekstrinsik tipe-n. Semikonduktor tipe-n menggunakan
semikoduktor intrinsik dengan menambahkan atom donor yang berasal dari
kelompok V pada susunan berkala, misalnya Ar (arsenic), Sb (Antimony),
phosphorus (P). Atom campuran ini akan menempati lokasi atom intrinsik
didalam kisi Kristal semikonduktor.

Konsentrasi elektron pada Si dan Ge dapat dinaikkan dengan proses

doping unsur valensi 5. Sisa satu elektron akan menjadi electron bebas, jika
mendapatkan energi yang relatif kecil saja (disebut sebagai energi ionisasi).
Elektron ini akan menambah konsentrasi elektron pada pita konduksi. Elektron
yang meninggalkan atom pengotor yang menjadi ion disebut dengan elektron
ekstrinsik. Keberadan impuriti donor digambarkan dengan keadaan diskrit pada
energi gap pada posisi didekat pita konduksi.

Penambahan atom donor telah menambah level energi pada pita konduksi
yang berada diatas energi gap sehingga mempermudah electron untuk
menyebrang ke pita konduksi.
Pada suhu kamar sebagian besar atom donor terionisasi dan elektronnya
tereksitasi ke dalam pita konduksi. Sehingga jumlah electron bebas (elektron
intrinsik dan elektron ekstrinsik) pada semikonduktor tipe-n jauh lebih besar dari
pada jumlah hole (hole intrinsik). Oleh sebab itu, elektron di dalam
semikonduktor tipe-n disebut pembawa muatanmayoritas, dan hole disebut
sebagai pembawa muatan minoritas.

Semikonduktor Tipe-p
Semikonduktor

tipe-p,

dimana

konsentrasi

lubang

lebih

tinggi

dibandingkan elektron, dapat diperoleh dengan menambahkan atom akseptor.

Pada Si dan Ge, atomnya aseptor adalah unsur bervalensi tiga (kelompok III pada
susunan berkala) misalnya B (boron), Al (alumunium), atau Ga (galium).

Karena unsur tersebut hanya memiliki tiga elektron valensi, maka terdapat
satu kekosongan untuk membentuk ikatan kovalen dengan atom induknya. Atom
tersebut akan mengikat elektron dari pita velensi yang berpindah ke pita konduksi.
Dengan penangkapan sebuah elektron tersebut, atom akseptor akan menjadi ion
negatip. Atom akseptor akan menempati keadaan energi dalam energi gap di dekat
pita valensi.

Pada semikonduktor tipe-p, atom dari golongan III dalam sistem periodik
unsur misalnya Ga, dibubuhkan kedalam kristal semikonduktor intrinsik. Oleh
karena galium termasuk golangan III dalam sistem periodik unsur, atom Ga
memiliki tiga buah elektron valensi. Akibatnya, dalam berikatan dengan atom

silikon di dalam kristal, Ga memerlukan satu elektron lagi untuk berpasangan

dengan atom Si. Oleh sebab itu atom Ga mudah menangkap elektron, sehingga
disebut akseptor. Jika ini terjadi atom akseptor menjadi kelebihan elektron
sehingga menjadi bermuatan negatif.
Dalam hal ini dikatakan atom akseptor terionkan. Ion akseptor ini mempunyai
muatan tak bebas, oleh karena tak bergerak dibawah medan listrik luar. Ion Si
yang elektronnya ditangkap oleh atom akseptor terbentuk menjadi lubang, yang
disebut lubang ekstrinsik. Jelaslah bahwa pada semikonduktor tipe-p, lubang
merupakan pembawa muatan yang utama, sehingga disebut pembawa muatan
mayoritas. Disini elektron bebas merupakan pembawa muatan minoritas.
Semikonduktor Paduan
Semikonduktor paduan (compound semiconductor) dapat diperoleh dari
unsur valensi tiga dan valensi lima (paduan III-V, misalnya GaAs atau GaSb) atau
dari unsur valensi dua dan valensi enam (paduan II-VI, misalnya ZnS). Ikatan
kimia terbentuk dengan peminjaman elektron oleh unsur dengan velensi lebih
tinggi kepada unsur dengan valensi lebih rendah (lihat gambar 1.6). Atom donor
pada semikonduktor paduan adalah unsur dengan valensi lebih tinggi
dibandingkan dengan unsur yang diganti. Atom akseptor adalah unsur dengan
valensi lebih rendah dibandingkan dengan unsur yang diganti (ditempati).

(Windartun, 2009: 2-7)

C. Sambungan P-N

Pada suhu ruang, suatu semi konduktor tipe P mempunyai pembawa

muatan dengan sebagian terbesar berupa lubang-lubang yang dihasilkan dengan
pemasukan tak-murnian,dan sebagian kecil berupa elektron-elektron bebas yang
dihasilkan oleh energy terminal.Di pihak lain,dalam semikonduktor tipe
n,sebagian terbesar dari pembawa muatan adalah elektron-elektron bebas dan
hanya mengandung lubang-lubang yang berjumlah kecil.Jika dipakai secara
terpisah,baik semikonduktor tipe n maupun semikonduktor tipe p,masing-masing
tidak lebih berguna dari sebuah penghambat (resistor) karbon.Tetapi,dengan
memasukkan tak-murnian ke dalam suatu kristal sedemikian rupa hingga
stengahnya bertipe n dan sisanya bertipe p,maka hasilnya berupa suatu penghantar
satu arah.Pembahasan berikut ini akan menjelaskan mengapa demekian halnya.
Kita tinjau suatu atom yang netral. Atom ini mempunyai elektron dan
proton yang sama jumlahnya.Misalkan bahwa ialah satu elektronnya disingkirkan.
Sebagai akibatnya,atom tersebut mempunyai satu muatan positif dan disebut ion
positif.Sebaliknya,jika suatu atom netral diberi satu elektron tambahan,atom akan
bermuatan negative dan dikenal sebagai ion negatif.

Pada menunjukkan suatu semikonduktor tipe p.Masing-masing tanda

plus merupakan lambang dari suatu lubang,sedangkan masing-masing tanda
minus yang dilingkari itu merupakan representasi suatu atom akseptor yang
mengandung lubang-lubang tersebut.Secara bersama lubang dan atom akseptor
merupakan satuan yang netral.Namun bila suatu lubang menghilang karena terjadi

rekombinasi dengan suatu elektron,maka atom akseptor bersangkutan akan

mengandung muatan negative yang berlebihan dan menjadi ion negative.Dalam
keadaan yang ditunjukkan oleh Gambar 2.1a,bahan tipe p tersebut bersifat netral
karena jumlah tanda plus sama dengan jumlah tanda minus.
Begitu pula dalam Gb.VIII telah ditunjukkan semikonduktor tipe n. Disini
tanda minus melambangkan elektron bebas, ,sedangkan tanda plus yang dilingkari
itu melambangkan atom donor yang mengandung elektron bebas dalam
orbitnya.Setiap elektron bebas bersama dengan atom donor bersangkutan
merupakan satuan yang netral. Jika salah satu elektron tersebut meninggalkan
orbitnya dari sekeliling atom donor dan pindah kepada orbit atom lain,maka atom
donor itu menjadi ion positif. Berbeda dari elektron-elektron bebas, ion-ion positif
ini tidak dapat bergerakleluasa karena terikat dalam struktur kristalnya.Dalam
GbXII, bahan tipe n itu bersifat netral karena mengandung tanda minus dan tanda
plus yang berjumlah sama.

(Robi Ramandhani, 2012)

D. Aplikasi Semikonduktor
1. Transistor
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi
semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau
tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat
akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Fungsi transistor, yaitu:
a. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier
(penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik
stabil, dan penguat sinyal radio.
b. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar
berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai
sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan
komponen-komponen lainnya.
Transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
a. Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
b. Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface
Mount, IC, dan lain-lain
c. Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET,
VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari
transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
d. Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
e. Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
f. Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF
transistor, Microwave, dan lain-lain
g. Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi,
dan lain-lain
(Rusli, 2011)
2. Dioda

Dioda adalah komponen semikonduktor yang terdiri dari penyambung PN. Dioda merupakan gabungan dari dua kata elektroda, yaitu anoda dan
katoda. Sifat lain dari dioda adalah menghantarkan arus pada tegangan
maju dan menghambat arus pada aliran tegangan balik. Selain itu, masih
banyak lagi fungsi dioda lainnya, sebagai berikut :
a. Sebagai penyearah untuk komponen dioda bridge.
b. Sebagai penstabil tegangan pada komponen dioda zener.
c. Sebagai pengaman atau sekering.
d. Sebagai pemangkas atau pembuang level sinyal yang ada di atas atau
bawah tegangan tertentu pada rangkaian clipper.
e. Sebagai penambah komponen DC didalam sinyal AC pada rangkaian
clamper.
f. Sebagai pengganda tegangan.
g. Sebagai indikator untuk rangkaian LED (Light Emiting Diode).
h. Dapat digunakan sebagai sensor panas pada aplikasi rangkaian power
amplifier.
i. Sebagai sensor cahaya pada komponen dioda photo.
j. Sebagai rangkaian VCO (Voltage Controlled Oscilator) pada
komponen dioda varactor.
Pada umumnya, dioda terbuat dari bahan silikon yang sudah dibekali
tegangan pemicu. Tegangan pemicu ini sangat diperlukan agar elektron
bisa langsung mengisi hole melalui area depletin layer. Didalam
komponen dioda tidak akan terjadi pemindahan elekrton hole dari P ke N
maupun sebaliknya. Itu di sebabkan hole dan elektron akan tertarik ke
arah kutub yang berlawanan. Bahkan lapisan depletion layer semakin
besar dan menghalangi terjadinya arus.
(Anonim, 2014 )

3. Thermistor

Termistor (thermistor) adalah komponen semikonduktor yang memiliki

tahanan (resistansi) yang dapat berubah dengan suhu/temperature.
Thermistor merupakan singkatan dari thermally sensitive resistor, yang
berarti resistor yang peka atau sensitif terhadap suhu. Ada dua jenis
termistor, yaitu: PTC (Positive Temperature Coefficient) dan NTC
(Negative Temperature Coefficient ). Termistor PTC adalah jenis termistor
yang

nilai

resistansinya

meningkat

dengan

meningkatnya

suhu.

Sedangkan, termistor NTC adalah jenis termistor yang tahanannya atau

resistansinya menurun ketika suhu meningkat. berikut ini gambar simbol
termistor. Termistor NTC adalah termistor yang pertama kali ada dan di
temukan pada tahun 1833 oleh Michael Faraday. Faraday melaporkan
perilaku dari semikonduktor sulfida perak, ia melihat resistansi dari sulfida
perak yang menurun drastis karena suhu meningkat. Namun, karena
sulitnya pembuatan termistor tersebut serta aplikasi-aplikasinya untuk
teknologi terbatas, pembuatan termistor secara komersil tidak pernah di
mulai sampai tahun 1930. Pembuatan termistor komersil baru di buat oleh
Samuel Ruben pada tahun 1930.
Termistor digunakan dalam berbagai aplikasi, dan berikut ini beberapa
aplikasi termistor yang paling populer: sensor suhu, pembatas lonjakan
arus, dan proteksi sirkuit.
(Dermanto, 2014)
4. Integrated Circuit (IC)
Integrated Circuit (IC) adalah suatu komponen elektronik yang dibuat dari
bahan semi conductor, dimana IC merupakan gabungan dari beberapa
komponen seperti Resistor, Kapasitor, Dioda dan Transistor yang telah
terintegrasi menjadi sebuah rangkaian berbentuk chip kecil, IC digunakan
untuk beberapa keperluan pembuatan peralatan elektronik agar mudah
dirangkai menjadi peralatan yang berukuran relatif kecil.
(Anonim, 2013)
5. Mikroprosessor
Mikroprosesor adalah suaru komponen yang berbentuk chip IC (Integrated
Circuit) yang terdiri dari beberapa rangkaian yaitu ALU (Arithmatic Logic

Unit, CU (Control Unit), dan Register. Mikroprosesor juga disebut sebagai

CPU (Central Prosessing Unit) dan merupakan komponen yang sangat
penting di dalam sistem komputer. Mikroprosesor berfungsi sebagai pusat
untuk memproses data di dalam sistem komputer.
Bagian terpenting dari prosesor terbagi menjadi 3 yaitu:
a. Aritcmatics Logical Unit (ALU), adalah alat yang melakukan
pelaksanaan

dasar

seperti

pelaksanaan

aritmatika

(tambahan,

pengurangan, dan semacamnya), pelaksanaan logis (AND, OR, NOT),

dan

pelaksanaan

perbandingan

(misalnya,

membandingkan

isi

sebanyak dua slot untuk kesetaraan). Pada unit inilah dilakukan "kerja"
yang nyata;
b. Control Unit (CU), merupakan suatu alat pengontrolan yang berada
dalam komputer yang memberitahukan unit masukan mengenai jenis
data, waktu pemasukan, dan tempat penyimpanan di dalam primary
storage. Control unit juga bertugas memberitahukan kepada arithmatic
logic unit mengenai operasi yang harus dilakukan, tempat data
diperoleh, dan letak hasil ditempatkan perangkat- pernagkat alat proses
beserta perlengkapan.
c. Memory Unit (MU),

merupakan

bagian

dari

processor

yang

menyimpan alamat-alamat register data yang diolah oleh ALU dan CU.
(Anis Purwanti, 2012)
6. Sel Surya
Sel surya atau sel photovoltaic, adalah sebuah alat semikonduktor yang
terdiri dari sebuah wilayah-besar dioda p-n junction, di mana, dalam
hadirnya cahaya matahari mampu menciptakan energi listrik yang
berguna. Pengubahan ini disebut efek photovoltaic. Bidang riset
berhubungan dengan sel surya dikenal sebagai photovoltaics.
Sel surya memiliki banyak aplikasi. Mereka terutama cocok untuk
digunakan bila tenaga listrik dari grid tidak tersedia, seperti di wilayah
terpencil, satelit pengorbit [bumi], kalkulator genggam, pompa air, dll. Sel
surya (dalam bentuk modul atau panel surya) dapat dipasang di atap

gedung di mana mereka berhubungan dengan inverter ke grid listrik dalam

sebuah pengaturan net metering.
E. Semikonduktor Amorf
Semikonduktor

amorf

merupakan

divais

semikonduktor

yang

menggunakan bahan dalam keadaan amorf (tanpa bentuk), jadi bukan dalam
keadaan kristal. Amorf silikon mulai terkenal ketika Carlson melaporkan
ditemukannya sel surya dengan efisiensi konversi sebesar 5,5 % menggunakan
bahan ini pada tahun 1977.
Semikonduktor amorf dapat diperoleh dari bentuk selaput tipis dengan
penguapan atau dari supercooling. Apa yang terjadi jika model pita dalam zat
padat tanpa kristal yang teratur? Meskipun keadaan elektron tidak dapat
dideskrifsikan dengan baik, pendefinisian nilai k mengijinkan pita dan celah
energi masih terjadi.
Dalam semikonduktor amorf, baik elektron maupun hole dapat membawa
arus namun pembawa ditujukan untuk memperkuat sejumlah kecil struktur yang
acak. Artinya lintasan bebas menjadi terurut dari jarak antar atom rata-rata. Dekat
dengan keadaan yang sangat berbeda terjadi lokalisasi dan konduksi oleh proses
termal.
Sambungan P-N
Apa yang terjadi jika kita sambungkan dua potong semikonduktor tipe n
dan tipe p seperti gambar. 13? Pada sambungan sisi p terdapat hole bebas dan (-)
atom pengotor akseptor yang diionisasi dengan konsentrasi sama dan secara
keseluruhan bersifat netral. Pada sambungan sisi n terdapat elektron bebas dan
sejumlah atom pengotor donor yang diionisasi. Pembawa mayoritas pada sisi p
adalah hole dan pada sisi n adalah elektron Gambar 14a. Dalam keadaan
kesetimbangan termal dengan konsentrasi pembawa mayoritas kecil dibanding
pembawa minoritas. Konsentrasi hole dalam sisi p seperti berbaur memenuhi
kristal secara uniform. Elektron akan segera berdifusi dari sisi n tetapi difusi balik
listrik terjadi secara netral. Sesegera mungkin muatan kecil ditransfer oleh difusi
yang terjadi, yaitu di belakang sebelah kiri pada sisi p kelebihan atom akseptor

yang diionisasi dan pada sisi n kelebihan atom donor yang diionisasi (Gambar.
14b). Lapisan ganda pada uatan menciptakan medan listrik secara langsung dari
sisi n ke sisi p yang mencegah terjadinya difusi dan mempertahankan pemisahan
jenis pembawa muatan. Karena lapisan ganda potensial elektrostatis dalam kristal
naik pada daerah sambungan.
Potensial elektrokimia*) untuk kristal dan sambungan adalah konstan
sekalipun pada sambungan terdapat kenaikan potensial elektrosatatis. Pada
kesetimbangan termal partikel neto yang mengalir (baik hole maupun elektron)
adalah nol. Untuk arus disesuaikan dengan gradien potensial kimia dan bukan
dengan gradien potensial listrik saja. Gradien konsentrasi tepatnya akan
menghilangkan gradien potensial elektrostatis. Voltmeter megukur perbedaan
potensial elektrokimia sehingga voltmeter yang dihubungkan dengan kristal
terbaca nol.
Bahkan dalam kesetimbangan termal aliran arus elektron akan sangat
kecil

j nr

dari daerah n ke daerah p dimana elektron mengakhiri hidupnya

dengan cara rekombinasi dengan hole. Arus rekombinasi ini setimbang oleh arus
j ng

elektron yang dihasilkan secara termal dalam daerah p dan yang berdifusi

ke daerah n:
j nr ( 0 ) + j ng ( 0 ) =0
Sebaliknya elektron akan menumpuk pada salah satu sisi penghalang. Sebuah
sambungan p-n yang terbuat dari kristal tunggal yang diubah menjadi dua bagian
yang terpisah. Atom pengotor akseptor dimasukan ke dalam salah satu bagian
untuk menghasilkan daerah p dimana pembawa muatannya adalah hole. Atom
pengotor donor dimasukan ke dalam satu bagiannya lagi untuk menghasilkan
daerah n dimana pembawa muatannya adalah elektron. Tebal daerah pemisah
mungkin kurang dari 10-4 cm.

F. Pengaruh Termoelektrik Terhadap Semikonduktor

Termoelektrik adalah teknologi yang bekerja dengan mengkonversi
energi panas menjadi listrik secara langsung (generator termoelektrik), atau
sebaliknya, dari listrik menghasilkan dingin (pendingin termoelektrik). Untuk
menghasilkan listrik, material termoelektrik cukup diletakkan sedemikian rupa
dalam rangkaian yang menghubungkan sumber panas dan dingin. Dari rangkaian
itu akan dihasilkan sejumlah listrik sesuai dengan jenis bahan yang dipakai.
Efek termoelektrik dipengaruhi oleh tiga efek yg berbeda yaitu :
a) Efek seebeck
Jika 2 buah logam yang berbeda disambungkan salah satu ujungnya,
kemudian diberikan suhu yang berbeda pada sambungan, maka terjadi perbedaan
tegangan pada ujung yang satu dengan ujung yang lain. Fenomena ini pertama
kali ditemukan oleh Seebeck sehingga disebut efek Seebeck atau umumnya
dikenal dengan nama prinsip termokopel. Tegangan yang dihasilkan ini sebanding
dengan perbedaan temperatur diantara dua junction. Semakin besar perbedaan
temperatur, semakin besar tegangan di antara junction. Dari fenomena ini, kita
dapat menentukan koefisien Seeback, yaitu:
V V h otVcold
=
S = T
T h otTcold (1)

Gambar 1. Skema ilustrasi terjadinya Seebeck effect, pendingin

termoelektrik pada material semikonduktor

Gambar 2. Skema ilustrasi terjadinya Seebeck effect, generator pada

material semikonduktor
b) Efek Peltier
Penemuan Seebeck memberikan inspirasi pada Jean Charles Peltier untuk
melihat kebalikan dari fenomena tersebut. Dia mengalirkan listrik pada dua buah
logam yang direkatkan dalam sebuah rangkaian. Ketika arus listrik dialirkan,
terjadi penyerapan panas pada sambungan kedua logam tersebut dan pelepasan
panas pada sambungan yang lainnya. Pelepasan dan penyerapan panas ini saling
berbalik begitu arah arus dibalik.
Penemuan yang terjadi pada tahun 1934 ini kemudian dikenal dengan
efek Peltier.

Gambar 3. Skema ilustrasi terjadinya peltier effect pada material semikonduktor

c) Efek Thompson
Efek Thomson menyatakan bahwa terdapat penyerapan atau pelepasan
panas bolak-balik dalam penghantar homogen yang terkena perbedaan panas dan
perbedaan listrik secara simultan. Didapat bahwa gradien potensial hasil dari
perbedaan temperatur adalah positif searah dengan gradien temperatur.
Pada percobaan digunakan material semikonduktor yang saling
terhubung. Dalam semikonduktor tipen, elektron bertidak sebagai pembawa
muatan mayoritas. Sebaliknya, pada semikonduktor tipep, jumlah elektron sangat
sedikit. Ketika electron berpindah ke tingkat energi yang lebih tinggi, tempat yang
ditinggalkan electron kemudian disebut sebagai hole. Hole bertindak sebagai
pembawa muatan positif. Karena satu elektron bergerak, dia meninggalkan sebuah
hole yang kemudian akan diisi oleh elektron lain. Satu elektron berpindah untuk
mengisi hole tadi dan meninggalkan hole baru. Hal ini mengakibatkan hole
tampak bergerak ke arah yang berlawanan dengan arah elektron. Dalam
semikonduktor tipep, pembawa muatan mayoritas adalah hole.

Gambar 4. Penampang thermoelectric cooler

Anggap sebuah semikonduktor dengan suhu yang dipertahankan konstan

sementara medan listrik dapat menembusnya dengan kecepatan arus

ja

. Jika

arus hanya dibawa oleh elektron maka fluks muatan yaitu

j a =n (e ) ( e ) E=ne e E
Energi rata-rata yang ditransformasikan oleh elektron menunjukan tingkat energi
.

Fermi

( Ec ) + 2 k b T
Ec

Dimana

adalah energi pada pita konduksi. Kita menunjukan tingkat energi

Fermi karena permukaan kontak yang berbeda pada konduktor memiliki tingkat
energi yang sama. Fluks energi yang disertai fluks muatan yaitu
3
j U =n E c + k b T ( e ) E
2

Koefisien Peltier

didefinisikan oleh hubungan

j U = j a

, yaitu energi

yang dibawa setiap oleh tiap satuan muatan. Untuk elektron,

3
Ec + k b T
2
e=
e

Dan negatif karena fluks energi berlawanan arah dengan fluks muatan. Untuk hole
j q =pe h E
3
j U = p E v + k B T h E
2

Ev

Dimana

adalah energi pada pita valensi. Dan

3
h= E v + k B T /e
2

Dan positif. Persamaan diatas merupakan hasil yang sederhana dari teori
kecepatan drift; perlakuan dari persamaan transformasi Boltzmann memberikan
perbedaan yang kecil.
Kekuatan Termoelektrik absolut Q didefinisikan dari rangkaian terbuka medan
listrik yang diciptakan oleh gradien temperatur.
E=Qgrad T
Koefisien Peltier dihubungkan dengan kekuatan termoelektrik oleh
=QT

Ini merupakan hubungan Kelvin yang terkenal tentang kesetimbangan dalam

Termodinamika.
G. Konsentrasi Pembawa dalam Semikonduktor Intrinsik

Dalam semikonduktor disebut tingkat Fermi. Pada temperatur tinggi

kita bisa mendapatkan pita konduksi dari semikonduktor - kBT, dan fungsi
distribusi fermi Dirac, dapat ditulis
f e ()/k

Berlaku ketika f 1. Energi elektron di pita konduksi adalah:

K =E g+ 2 k 2 /2me
Dimana

me

adalah massa efektif elektron, maka rapat orbital di adalah

3
1
1 2 me 2
De ( )= 2
( E g ) 2
2 2

( )

Konsentrasi elektron dalam pita konduksi adalah

1 2 me
n= D e ( ) f e ( ) d = 2
2
2
E
g

Dengan hasil integral

( )

3
2

k B T

( E g )
Eg

1
2

e k T d
B

n=2

me k B T
2 2

3
2

e(

k B T ) /k B T

Ini berfungsi untuk menghitung konsentrasi keseimbangan hole p. Fungsi

fh

distribusi
dengan

f h=1

untuk hole berhubungan dengan fungsi distribusi elektron

f h=1f es

1
e

( ) /k B T

+1

fe

yaitu

1
e

( ) / k B T

+1

e ( ) /k

pada kondisi (-) kBT. Jika hole dekat pita valensi teratas berlaku sebagai
partikel dengan massa efektif mh, maka rapat orbital hole adalah:
3

1 2 mh 2
Dh ( ) =
( )2
2
2
2

( )

dengan mengukur energi positif ke atas dari pita valensi teratas didapat:
0

m k T
p= Dh ( ) f h ( ) d =2 h B 2
2

3
2 / k B T

dimana p konsentrasi hole dalam pita valensi.

Skala energi untuk perhitungan statistik, fungsi distribusi Fermi terlihat pada skala
yang sama, untuk sebuah temperatur kBTEg. Level fermi tergantung pada
celah pita, sebagai sebuah semikonduktor murni. Jika = , maka f = .
Kita mengalikan n dan p untuk membuktikan hubungan keseimbangan:
Eg
BT

3
k BT
np=4
m m 2 ek
2 ( e h)
2

( )

bentuk persamaan tersebut merupakan hukum aksi massa. Dimana hasil kali np
konstan pada temperatur tertentu. Jarak tingkat Fermi dari kedua ujung pita harus
k BT

sama dengan

4,6 1019 cm6

27
6
. Pada 300 K nilai np adalah 3,6 10 cm
untuk Ge dan

untuk Si, semuanya dihitung dengan

me =mh=m

Dalam semikonduktor intrinsik, jumlah elektron sama dengan jumlah hole.

k T
ni= pi =2 B 2
2

3 /2

( )

3
4

( me mh ) e

Eg
2 k BT

pembawa intrinsik tergantung pada

Eg
2kBT

, dimana Eg adalah celah energi.

Kita dapatkan
e

2 /k B T

m
= h
me

3 /2

( )

eE / k
g

Atau untuk level fermi

m
1
3
= E g + k B T ln h
2
4
me

( )

Jika
celah.

mh=me

, maka

1
= E g
2

dan tingkat Fermi berada di tengah-tenagh

Keberadaan elektron dan hole pada semikonduktor akan mempengaruhi

karakteristiklistrik pada bahan tersebut. Ada dua jenis arus listrik yang terjadi
pada semikonduktor yaitu arus hanyut (drift) dan arus difusi.
1. Arus hanyut (drift)
Ketika semikonduktor diberi medan listrik E, maka partikel-partikel
bermuatan dalam semikonduktor tersebut akan bergerak (hanyut) dengan
laju yang berbanding lurus dengan medan listriknya.
vn = -nE .......... laju hanyut elektron
vp = pE ............laju hanyut
dimana:
vn dan vp = laju dari elektron dan hole (cm/s)
n dan p = mobilitas dari elektron dan hole (cm2/V.s)
Rapat arus drift untuk elektron adalah:
jn = q n n E
Rapat arus drift untuk hole adalah:
jp = q p p E
Sehingga rapat arus total drift pada semikonduktor adalah penjumlahan dari
rapat arus drift elektron dengan rapat arus drift hole.
jT = jn + jp = q (n n + p p)E = E
Konduktivitas muatan pembawa pada semikonduktor:
= q(n n + p p)
Dan resistivitasnya = 1/
2. Arus Difusi
Arus difusi terjadi akibat adanya perbedaan konsentrasi muatan pembawa.
Arus difusi akan mengalir dari daerah yang berkonsentrasi tinggi ke daerah
yang memiliki konsentrasi rendah. Arus difusi akan sebanding dengan
gradien konsentrasi yang dirumuskan:
Arus difusi untuk hole:
p
p
j diff
=q D p
P =( +q ) D P
x
x

( )

Arus difusi untuk elektron:

n
n
j diff
=+ q Dn
n =( q ) D n
x
x

( )

Konstanta DP dan Dn adalah konstanta difusivitas dari hole dan elektron

Rapat arus total dalam semikonduktor adalah penjumlahan dari arus drift
dengan arus difusi yang dirumuskan:
Rapat arus total untuk elektron:

j Tn =q n nE+ q Dn

n
x

Rapat arus total untuk hole:

j Tp =q p pEq D p

p
x

Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena

konduktansinya yang dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa
disebut pendonor elektron).

H. Potensial Elektrostatis dari Elektron Donor dengan Elektron Akseptor

Dengan melihat bentuk pita energi sambungan p-n kita akan
lebih mudah untuk memahami sifat dasar dan mekanisme
transportasi pembawa muatan pada daerah sambungan. Gambar
7.2-a memperlihatkan diagram pita energi untuk semikonduktor
tipe-p dan tipe-n sebelum terjadi penyambungan (perhatikan
dimana posisi energi Fermi masing-masing material). Dalam
keadaan kesetimbangan termal, setelah terjadi penyambungan,
maka tingkat energi Fermi kedua material akan sama (segaris)
seperti diperlihatkan pada gambar 7.2-b.

Gambar 7.2 Diagram pita energi : a) Semikonduktor tipe-p dan tipen dan b) Setelah kedua jenis semikonduktor disambungkan.

Gambar 7.3 Karakteristik pada daerah sambungan p-n : a) Distribusi muatan

ruang,
b) Distribusi medan listrik dan c) Distribusi potensial elektrostatik.

Kita akan menghitung distribusi potensial elektrostatik pada

daerah sambungan dengan melihat distribusi muatan ruang
(gambar 7.3-a) dan menggunakan persamaan Poisson pada
0< x <d n
daerah
sebagai
(7.6
d +q N D
=
dx
0

0
0= s
Dimana dan
(biasanya ditulis
) masing-masing adalah
konstanta dielektrik relatif bahan dan dalam vakum. Dengan
mengintegralkan persamaan 7.6 diperoleh
(7.7
)
qND
=
x+C n
0
d p< x<0

dan untuk

diperoleh
(7.8
)

q N A
=
x+ C p
0
dimana

Cn

dan

Cp

adalah

konstanta

integrasi.

Pada

persamaan 7.7 dan 7.8 terdapat dua kondisi ekstrem, yaitu i)

=

dan

pada

x=0 , sehingga

x=d p

, sehingga :
Cn =

q N D d n
0

Cn =C p

dan

, ii)

Cp=

= 0 pada

x=d n

q N A d p
0

Maka
N D d n=N A d p

(7.9
)

Persamaan 7.9 menunjukkan bahwa jumlah muatan ruang pada

kedua sisi adalah sama. Selanjutnya kita dapat menuliskan
kembali persamaan 7.7 dan 7.8 sebagai
(7.10)
n
xd
qND
=

0
Dan

(7.11)

q N A
(x +d p )
0

Plot persamaan 7.10 dan 7.11 masing-masing akan berupa garis

lurus dan memberikan gradien positif dan negatif seperti
diperlihatkan
pada
gambar
7.3-b.
Besarnya
potensial
elektrostatis
dapat
diperoleh
dengan
mengintegrasikan
(7.12)
0<x <d n
persamaan 7.10 dan 7.11. Untuk
diperoleh
V = dx=

Dan untuk

q N D x 2
d x +C ' n
0
2 n

d p< x<0

diperoleh
(7.13)

+q N A x 2
V = dx=
d x +C ' p
0 2 p

Besarnya
C ' n=C ' p

potensial
. Pada

untuk

x=d p

x=0

adalah

sama

sehingga

Harga V=0, dan dari persamaan 7.13 diperoleh

2

( )

q N A d
0=
0
2

+C ' p

Atau
2

C ' p=

qNAd p
2 0

Untuk

0<x <d n

(7.14)

persamaan7.12 menjadi

q N d x 2
q N A d 2p
V=
d n x +
0 2
2 0

Dan untuk
V=

d p< x<0

, perCsamaan 7.13 menjadi

(7.15)

q N d x 2
q N A d2 p
+d p x +
0 2
2 0

Misalkan kita mengambil

V =V b

untuk

x=d n

, persamaan 7.14

memberikan
q N D d 2n q N A d 2p
V b=
+
2 0
2 0
Plot persamaan 7.14 7.16 diperlihatkan pada gambar 7.3-c.
Persamaan
7.16
memberikan
potensial
barier/potensial
penghalang/potensial kontak pada sambungan p-n.
Kita dapat menggambarkan kembali diagram pita energi
sambungan p-n seperti diperlihatkan pada gambar 7.4. Jelas
terlihat pada gambar bahwa dalam kesetimbangan termal,
tingkat dasar energi konduksi () dan tingkat dasar energi valensi
() pada semikonduktor tipe-p berada pada posisi lebih tinggi
dibandingkan keadaan di tipe-n

Sebesar

qVb

. Dengan kata lain, electron pada tipe-n harus

melompati energy penghalang sebesar

qVb

, agar dapat

mengalir ke tipe-p.
Ketika semikonduktor murni (intrinsik) dikotori dengan memberikan doping
atom lain, dengan elektron valensi lebih banyak satu atau kurang satu dari
elektron valensi atom semikonduktor intrinsik, maka semikonduktor tersebut
kemudian menjadi semikonduktor ekstrinsik. Ketentuan bagi atom pendoping
adalah sebagai berikut:
a. Atom Donor adalah atom pengotor yang memberikan kontribusi jumlah
elektron berlebih (jumlah elektronnya lebih banyak satu dari atom murni).
Contoh semikonduktor intrinsik silikon(Si) didoping dengan arsenic (As)

b. Atom Akseptor: adalah atom pengotor yang memberikan kontribusi jumlah hole
berlebih (jumlah elektronnya lebih sedikit satu dari atom murni). Contoh
semikonduktor intrinsik silikon(Si) didoping dengan boron (B)

(Munasir, 2004)

DAFTAR PUSTAKA

Anis Purwanti. 2013. Apa itu Mikroprosesor.

(http://anispurwanti.blogspot.com/2012/09/apa-itu-mikroprosesor.html)
diakses tanggal 22 April 2015

Anonim. 2013. Sejarah dan Definisi IC (Integrated Circuit).

(http://duniaelektonika.blogspot.com/2013/01/sejarah-dan-definisi-icintergrated.html) diakses tanggal 22 April 2015
Anonim. 2014. Fungsi Dioda. (http://komponenelektronika.biz/fungsi-dioda.html)
diakses tanggal 22 April 2015
Dermanto.
2014.
Pengertian
Termistor.
(http://trikueni-desainsistem.blogspot.com/2014/03/Pengertian-Termistor.html) diakses tanggal 22
April 2015
Jumadi.
2008.
Bahan
Semikonduktor.
(http://staff.uny.ac.id/system/files/pendidikan/Jumadi,%20M.Pd.,
%20Dr./Bahan%20Semikonduktor.pdf) diakses tanggal 22 April 2015
Robi Ramandhani, 2012. Semikonduktor. Malang: Universitas Negeri Malang.
Rusli.

2011.
Semikonduktor.
(http://www.slideshare.net/Topan_Sandi_047/semikonduktor-rusli) diakses
tanggal 22 April 2015

Sugihartono.
2007.
Semikonduktor.
(http://isugihar.blogspot.com/2007/09/semikonduktor-i.html)
diakses
tanggal 22 April 2015