LABORATORIO ELECTRONICA 2(Prof.J.H.

Castellanos-2015-3)
PRACTICA 1
APLICACIN DE FUENTE DE CORRIENTE (POLARIZACION; CARGA ACTIVA)
(Utilizar arreglo de transistores CA3086)
1-Montar el diseo de la red resistiva clsica de polarizacin para ICQ= 0.4 mA, VCC = 6 V.
Verificar voltajes y corriente IC. (Polarizar para VRCVCEVRE en malla salida) completar tabla.
VRC
VCE
VRE
IC
Medido

Calculado Medido

Calculado Medido

Calculado Medida

calculada

2-Polarizar ahora el transistor utilizando fuente de corriente, para las mismas condiciones del
paso anterior, medir y anotar en tabla, comparar resultados con los obtenidos en paso anterior.
VRC
Medido

VCE

Calculado Medido

VRE

Calculado Medido

IC

Calculado Medida

calculada

3-Utilizar una carga activa, utilizando fuente de corriente, a cambio de Rc(con transistores PNP
con caractersticas similares a los del arreglo CA8086) para mismas condiciones paso 1. Medir y
anotar en tabla. (Incluido Av y comparar con la del paso 1)
4-Es sencillo lograr que la diferencia de potencial se distribuya equitativamente entre los
transistores de malla salida? Explique.
5-Comentar y concluir comparando con lo predicho por la teora.
PRACTICA 2
EL TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA, FRECUENCIA SUPERIOR DE CORTE(fH) Y
PRODUCTO GANANCIA DE CORRIENTE-ANCHO DE BANDA DEL BJT(fT)
1-Polarizar el transistor para un RB elevado, montar el diseo obtenido en configuracin EC (para
buen fT y hfe segn curvas hojas de datos) y medir la ganancia de corriente (para esto utilizar R
de monitoreo de valor pequeo) efectuando barrido de frecuencia (mnimo 20 puntos) desde 10
KHZ en adelante. (Usar uno de transistores del arreglo CA3086 o equivalente).
f

Ii

IO

medido

Ai
calculado

medido

calculado

Graficar en papel semilog, Ai -f y -f. De esta grfica obtener la fHi; contrastar con la medida para
el 70% de Ai
2-Obtener fT (producto ganancia de corriente-ancho de banda), para esto, utilizar una frecuencia
por lo menos de 2f. (Consultar cmo efectuar la medicin prctica)

fT = ______
3-Medir ahora la ganancia de voltaje y el fHV del amplificador EC. Para esta medida usar: Rb1, Rb2
(aplicando barrido de frecuencia a partir de 10 KHz, mnimo 20 puntos)
f

Vi

Vo

AV

Graficar AV-f y -f. Obtener de la grfica fHV. Contrastar con la F medida a 70% de AV;
Comparar con el fHi
4-comentar y concluir comparando con la teora.

PRACTICA 3
RESPUESTA EN FRECUENCIA (VOLTAJE) DE LAS TRES CONFIGURACIONES DEL BJT
Polarizar para las mismas condiciones de la practica 2.
Graficar en la misma hoja, las respuestas en frecuencia incluida la de la practica 2(EC).
BASE COMUN
1-Montar el circuito obtenido, verificar polarizacin, y efectuar barrido en frecuencia (mnimo 20
puntos) a partir de 10KHZ aproximadamente. Medir y anotar en tabla
f
Vi
Vo
AV
medido

calculado

Graficar AV-f y obtener fHV.

COLECTOR COMUN
2-Montar el circuito obtenido, verificar polarizacin, y efectuar barrido en frecuencia a partir de
10KHZ aproximadamente. Medir y anotar en tabla
f
Vi
Vo
AV
medido

calculado

Graficar AV-f y obtener fHV..

3-De acuerdo con los resultados obtenidos, cul de las tres configuraciones muestra la frecuencia

superior ms alta? Comentar resultado.

4-Colocar un C = 1 nF, en paralelo con la R en donde se mide la salida, en el ultima
configuracin (CC), obtener la nueva fHV . Explicar el resultado.
5-Concluir.
PRACTICA 4
EL FET EN ALTA FRECUENCIA
Utilizar JFET canal N. (2SK170 o equivalente)
1-Montar el circuito obtenido, verificar polarizacin
2-Efectuar barrido en frecuencia (mnimo 20 puntos), iniciando en 10KHz, medir y anotar en
tabla
f
Vi
Vo
AV

Calculado

Medido

Calculada

medida

Graficar AV-f y obtener fHV.( cuando la Av cae al 70%)

3-Medir la impedancia de entrada a fHV (indicar el mtodo aplicado) y compararla con la medida
a f = 10 KHZ. Comentar
4-Comentar y concluir comparando con la respuesta del BJT.
PRACTICA 5
AMPLIFICADOR MULTIETAPA ACOPLE DIRECTO: EL CASCODE
Utilizando arreglo CA3086 y sonda compensada para el osciloscopio.
1-Montar el circuito diseado para mismas condiciones del EC, prctica 2. Verificar correcta
polarizacin.
2-Obtener la respuesta en alta frecuencia, efectuando un barrido a partir de 10 KHz (mnimo 20
puntos) .Medir y anotar en tabla:
f
Vi
Vo1
AV1
VO2
AV2
Medido

calculado

Medido

Graficar AV-f obtener fHT:_____

3-Comparar con la frecuencia superior de corte obtenida en prctica 2.
4-Repetir paso 2 para baja frecuencia, graficar magnitud y fase contra frecuencia
5-Obtener la frecuencia superior e inferior de corte:
-utilizando el mtodo de onda cuadrada
6. Concluir, comparando con respecto a lo predicho por la teora.
PRACTICA 6
EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

calculado

Polarizacin clsica:
1-Montar el circuito obtenido, para ICQ= 0.5 mA,VCC= +/- 12V. Verificar correcta polarizacin.
2-Aplicar Vi = Vpsent a base 1, con base 2 a tierra AC. Obtener Ad.
Vi
Vo1
Vo2
Adbalanceada
Addesbalanceada
Medida

3-Aplicar entre ambas entradas

apropiada.

Vi =

Terica

Medida

terica

Vpsent. Obtener Ac y el CMRR. Anotar en tabla

Polarizacin utilizando espejo de corriente:

4-Cambiar RE por una fuente de corriente constante (utilizar espejo de corriente bsico) para las
mismas condiciones del paso 1.Repetir pasos 2 y 3. Con estos resultados comparar los CMRR.
5-Cambiar RC por una carga activa, utilizando espejo de corriente, obtener la Ad y comparar con
la obtenida en paso 2, comentar y concluir.
6-Utilizando un amplificador diferencial constitutivo de un mismo microcircuito (usar el incluido
en el circuito integrado LM 723), verificar el voltaje en c/u de los tres transistores de malla salida,
medir Ad y comparar con lo obtenido en paso 5.
PRACTICA 7
AMPLIFICADOR REALIMENTADO SERIE-SERIE (S-S)
PRACTICA 8
REALIMENTACION MULTIETAPA(S-P)
PRACTICA 9
EL TRANSISTOR EN CORTE Y SATURACION
1-disear un multivibrador astable con transistores (usar el arreglo CA3086 o equivalente) para
f0= 1KHz con DC = 50%
2-disear un divisor por 4 (con transistores) utilizando multivibrador biestable. Probar con f =
400 Hz.
3-repetir punto 2, utilizando multivibrador monoestable.
4-Comentar y concluir.
SESIONES 10 A 13
PROYECTO AMPLIFICADOR DE POTENCIA (PL 20 W) utilizando en la etapa de salida
transistores IGBT ( Vent 100mvp). Justificar la utilizacin de cada etapa (preamplificadora,
drive y potencia)