Anda di halaman 1dari 4

(Krypton Flouride Laser)

Laser krypton fluoride adalah salah satu laser jenis excimer yang biasanya disebut dengan
laser exciplex dengan panjang gelombang pada kisaran ultraviolet yaitu 248 nanometer. Laser
Excimer itu sendiri adalah jenis khusus dari laser gas dimana energi didapat dengan mengalirkan
listrik pada media penguat yakni excimer, atau lebih tepatnya sebuah exciplex dalam desain yang
ada. Pada Exciplex / Excimer hanya bisa dengan satu atom pada exited electric state, sehingga
setelah molekul transfer energi eksitasi untuk foton, atom tidak lagi terikat satu sama lain dan
molekul akan hancur. Hal ini secara drastis akan mengurangi jumlah energi. Sebuah laser
kripton fluoride menyerap energi dari sumber, menyebabkan gas kripton bereaksi dengan gas
fluorin sehingga memproduksi krypton fluoride :
2 Kr + F2 2 KrF
Kemudian ketika mengalami emisi spontan, terjadi proses disosiasi sehingga terjadi
pemisahan menjadi :
2 KrF 2 Kr + F2
Hasilnya adalah laser exciplex yang memancarkan energi pada 248 nm, yang terletak
pada spektrum ultraviolet.
Spesifikasi
Nilai Daya

:4W

Nilai Repetisi

: 400 Hz

Pulse Energy

: 10 mJ

Range Panjang Gelombang

: 248,2 nm sampai 248,5 nm

Rasio Polarisasi

: > 90% Horisontal

Ukuran Beam

: 5 x 18 mm2

Tingkat Divergensi

: < 4mR

Spectral Bandwith

: < 2 pm

Laser ini menghasilkan 4 W dengan lebar spectral sebesar 248 nm pada 400 Hz dan
pengukuran profil spektarl pada full width at halfmaximum intensity ( FWHM ) terjadi selama
kurang dari 2,0 picometers ( pm ) dengan stabilitas panjang gelombang kurang dari 0,25 pm .
Control System

Gambar di atas menunjukkan skema system kerja pada laser. monitoring panjang
gelombang dan proses kontrol dikerjakan oleh mikroprosesor. Selain itu, di dalam wavemeter
tersebut , array fotodioda memonitor output dari etalon yang mana mikroprosesor menghitung
panjang gelombang laser dan linewidth . Sedangkan sebuah motor stepper yang terletak di modul
line memberikan feedback ke ke resonator optik sehingga wavemeter dapat memonitor energi
output, dan menyuplai feedback tersebut dengan tegangan listrik yang tinggi.
Aplikasi
Pembuatan Microchip

Proses litografi semikonduktor dimulai dari sumber cahaya dan berakhir pada teknologi
pembuatan microchip dimana proses pembuatannya dimulai dari mendesain chip, wafer
preparation and cleaning, kemudian memberikan paparan krypton fluoride dengan
panjang gelombang 248nm, etching, dan yang terakhir adalah packaging.
1. Chip Desain
Dilakukan dengan cara membuat kepadatan yang lebih tinggi, lebih cepat, dan lebih
kuat pada chip tergantung pada inovasi teknologi sumber cahaya. Untuk ukuran fitur
yang lebih kecil dalam desain chip diaktifkan oleh pengurangan sumber panjang
gelombang cahaya yang digunakan untuk pola desain pada sepotong logam chip
tersebut.
2. Wafer Preparation and Cleaning
Dalam mempersiapkan substrat wafer untuk eksposur litografi, permukaan wafer
harus dibersihkan dan dirawat untuk memastikan terjadinya kompatibilitas dengan
photoresist. Setelah bahan photoresist dilapisi dan ditempelkan ke wafer maka wafer
siap untuk langkah eksposur.
3. Exposure and Light Source
Dalam memberikan penerangan untuk langkah eksposur, sumber cahaya adalah
elemen penting dari proses ini yaitu dengan menggunakan sumber cahaya laser
Krypton Fluoride (KrF) pada panjang gelombang 248nm. Dalam paparan litograf,
foto-resist wafer yang telah terlapisi terkena pola cahaya yang diproyeksikan dari
sumber cahaya sehingga sumber cahaya tersebut menerangi photomask, yang
memungkinkan transfer pola litografi terjadi.
Dalam litografi proyeksi optik, ukuran minimum fitur dalam desain ditentukan oleh
panjang gelombang dari sumber cahaya. Semakin pendek panjang gelombangnya
maka semakin kecil ukuran yang dihasilkan.

4. Etching

Saat proses etching, pola litografi masker yang ditransfer ke photoresist dengan sinar
laser, selanjutnya ditransfer ke substrat dengan proses kimia. Proses etsa bertujuan
untuk menghilangkan materi dari daerah yang terkena oleh photoresist.
5. Process Completion and Packaging
Berikut langkah-langkah proses akhir, wafer elektrik diuji sebelum dipasang dan
dipotong menjadi chip setelah itu chip dipersiapkan untuk dikemas dan dilakukan
pengujian akhir.