KATA PENGANTAR

Atas rahmat Tuhan Yang Maha Esa kami dapat menyelesaikan

makalah

pendek ini
Kami mengucapkan terima kasih terhadap segala pihak yang telah memberi
materi baik secara langsung maupun tidak langsung ,kami mengucapkan terima kasih
kepada bapak/ibu dosen teknik elektronika

yang telah membimbing kami di

UNIVERSITAS ADI BUANA SURABAYA ini.

Harapan kami terhadap alat ini mendapat banyak keritikan dari para pembaca
yang dapat membangun pengembangan ilmu kami yang lebih lanjut

Penyusun

DAFTAR ISI
Kata pengantar.................................................................................................01
Daftar isi.........................................................................................................02
BAB I
Dasar teori semi konduktor pertama...................................................................03
BAB II
Dasar teori semi konduktor kedua...........................................................................................08
BAB III
Dasarteori semi konduktor ketiga............................................................................................12
Dafar pustaka...........................................................................................................................17
Lampiran .................................................................................................................................18

BAB I
Dasar Teori Semikonduktor (1)
Oktober 07,2011
Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas dari
semikonduktor. Memang pada awal kelahirannya elektronika didefenisikan sebagai
cabang ilmu listrik yang mempelajari pergerakan muatan didalam gas ataupun
vakum. Penerapannya sendiri juga menggunakan komponen-komponen yang
utamanya memanfaat kedua medium ini, yang dikenal sebagai Vacuum Tube. Akan
tetapi sejak ditemukannya transistor, terjadi perubahan tren dimana penggunaan
semikonduktor sebagai pengganti material komponen semakin populer dikalangan
praktisi elektronika. Puncaknya adalah saat ditemukannya Rangkaian Terpadu
(Integrated Circuit) pada akhir dekade 50-an yang telah menyederhanakan berbagai
rangkaian yang sebelumnya berukuran besar menjadi sangat kecil. Selain itu
penggunaan

material

semikonduktor

juga

memberikan

fleksibilitas

dalam

penerapannya.
Material semikonduktor, seperti juga material-material lainnya terdiri atas
atom-atom yang berukuran sangat kecil. Atom-atom ini terdiri atas nukleus (inti) yang
dikelilingi oleh sejumlah elektron. Nukleus sendiri terdiri atas neutron dan proton.
Proton bermuatan positif, elektron bermuatan negatif, sedangkan neutron netral.
Elektron-elektron yang mengelilingi nukleus ini tersebar pada beberapa lapisan kulit
dengan jarak tertentu dari nukleus, dimana energinya semakin meningkat seiring
dengan meningkatnya jarak dari setiap lapisan kulit terhadap nukleus. Elektron pada
lapisan terluar disebut elektron valensi. Aktifitas kimiawi dari sebuah unsur terutama
ditentukan oleh jumlah elektron valensi ini.
Unsur-unsur pada tabel periodik telah disusun sedemikian rupa berdasarkan
jumlah elektron valensinya. Silikon (Si) dan Germanium (Ge) berada pada Grup IV
karena memiliki empat elektron valensi pada kulit terluarnya, sehingga disebut juga
3

semikonduktor dasar (elemental semiconductor). Sedangkan Gallium Arsenik(GaAs)

masing-masing berada pada Grup III dan V, sehingga dinamakan semikonduktor
gabungan (compound semiconductor).

Atom-atom silikon yang berdiri sendiri dapat digambarkan sebagai lambang

unsur (Si) dengan empat buah garis kecil yang terpisah (Gambar 1). Saat atom-atom
ini berdampingan cukup, elektron valensinya akan berinteraksi untuk menghasilkan
kristal. Struktur akhir kristalnya sendiri adalah dalam konfigurasi thetahedral
sehingga setiap atom memiliki empat atom lainnya yang berdekatan. Elektronelektron valensi dari setiap atom akan bergabung dengan elektron valensi dari atom
didekatnya, membentuk apa yang disebut ikatan kovalen (covalent bonds) seperti
terlihat pada Gambar 2. Salah satu sifat penting dari struktur ini adalah bahwa
elektron valensi selalu tersedia pada tepi luar kristal sehingga atom-atom silikon lain
dapat terus ditambahkan untuk membentuk kristal yang lebih besar.
Pada suhu T = 0 K, setiap elektron berada pada kondisi energi terendahnya,
sehingga posisi pada tiap ikatan akan terisi penuh. Apabila sebuah medan listrik kecil
diberikan pada struktur, elektron-elektron ini tidak akan bergerak, karena mereka
akan tetap meloncat kembali pada atom individualnya. Karenanya, pada suhu 0 K
silikon akan menjadi sebuah isolator, dimana tidak ada aliran muatan didalamnya.
Saat atom-atom silikon bergabung untuk membentuk sebuah kristal, elektronelektronnya akan menempati pita energi tertentu yang diperbolehkan. Apabila suhu
ditingkatkan, elektron valensinya dapat memperoleh tambahan energi thermal.
Beberapa elektron mungkin memperoleh cukup energi thermal untuk memutuskan
4

ikatan kovalen dan keluar dari posisi awalnya. Untuk memutus ikatan kovalen ini,
elektron tersebut mesti memperoleh sejumlah energi minimum, Eg, atau sering juga
disebut energi bandgap.
Elektron yang memperoleh energi minimum ini sekarang berada pada pita
konduksi dan dikatakan menjadi elektron bebas. Elektron bebas ini didalam pita
konduksi dapat berpindah-pindah sepanjang struktur. Jumlah aliran elektron pada pita
konduksi inilah yang lalu akan menghasilkan arus.

Diagram pita energi ini dapat dilihat pada Gambar 3. Energi Ev adalah energi
maksimum dari pita energi valensi, sedangkan energi Eg adalah perbedaan antara Ec
dan Ev. Daerah antara kedua energi ini disebut sebagai forbidden bandgap. Elektronelektron tidak dapat berada pada daerah ini, tetapi mereka dapat berpindah dari pita
valensi ke pita konduksi apabila memperoleh cukup energi.
Unsur yang memiliki energi bandgap yang besar, sekitar 3-6 elektron-Volt*
(eV) adalah isolator, karena pada suhu kamar, tidak ada elektron bebas yang berada
pada pita konduksi. Sebaliknya, unsur yang mengandung elektron bebas dalam
jumlah yang sangat banyak pada suhu kamar adalah konduktor. Pada semikonduktor,
energi bandgap-nya berada pada kisaran 1 eV.
Karena muatan total dari unsur adalah netral, apabila elektron yang bermuatan
negatif memecah ikatan kovalennya dan keluar dari posisi awalnya, sebuah ruang
kosong yang bermuatan positif akan terbentuk pada posisi tersebut. Dengan
meningkatnya suhu, maka akan lebih banyak ikatan kovalen yang pecah dan lebih
banyak pula elektron bebas maupun ruang kosong positif akan terbentuk
5

Elektron valensi dengan energi thermal tertentu dan berdekatan dengan sebuah
ruang kosong dapat berpindah posisi tersebut, sehingga terlihat seperti muatan positif
yang bergerak diantara semikonduktor. Partikel bermuatan positif ini disebut hole.
Pada semikonduktor, dua jenis partikel bermuatan ini berjasa dalam menghasilkan
arus : elektron bebas yang bermuatan negatif, serta hole yang bermuatan
positif. Konsentrasi elektron dan hole adalah parameter penting dalam karakterikstik
dari sebuah unsur semikonduktor, karena mereka berpengaruh langsung terhadap
besarnya arus.
Semikonduktor Instrinsik
Semikonduktor instrinsik adalah sebuah unsur semikonduktor kristal tunggal
tanpa atom jenis lain didalamnya. Pada sebuah semikonduktor instrinsik, kepadatan
elektron dan hole adalah sama (seimbang), karena satu-satunya sumber partikel ini
adalah elektron dan hole yang terbentuk secara thermal. Untuk itu, kita menggunakan
notasi ni untuk menyatakan konsentrasi pembawa intrinsik, yakni konsentrasi dari
elektron bebas ataupun hole. Rumus untuk nilai ni ini adalah sebagai berikut :

dimana,
B adalah koefisien yang spesifik terhadap unsur semikonduktornya
Eg adalah energi bandgap (eV)
T, adalah suhu atau temperatur (K)
k, adalah konstanta Boltzman (86 X 10-6 eV/K)
e, notasi eksponensial

Nilai B dan E unsur dapat dilihat pada tabel dibawah ini,

Konsentrasi instrinsik ini adalah parameter penting yang sering muncul dalam
persamaan-persamaan arus-tegangan pada komponen semikonduktor.
*elektron-Volt (eV) adalah satuan energi dimana sebuah elektron dipercepat melalui
medan listrik sebesar 1 V, dan 1 eV setara 1.6e-19 Joule

BAB II
Dasar Teori Semikonduktor (2)
Oktober 07,2011
Pada bagian sebelumnya kita telah membahas mengenai semikonduktor
instrinsik, jadi sekarang kita sudah dapat melangkah lebih jauh dengan membahas
semikonduktor ekstrinsik. Pembahasan sebelumnya menjadi sangat penting karena
merupakan dasar dari pembahasan kita kali ini.
Semikonduktor Ekstrinsik
Karena konsentrasi elektron dan hole pada semikonduktor instrinsik relatif
kecil, hanya ada sedikit sekali arus yang dapat mengalir. Akan tetapi, konsentrasi ini
dapat ditingkatkan dengan menambahkan suatu unsur pengotor (impurities) dalam
jumlah tertentu. Pengotor yang dipilih adalah yang dapat masuk kedalam struktur
kristal dan menggantikan salah satu atomnya, meskipun atom pengotor tersebut
memiliki struktur atom valensi yang berbeda. Proses ini sering disebut pendadahan
(doping). Untuk silikon, pengotor yang dipilih adalah unsur yang berasal dari grup III
ataupun V pada tabel periodik.
Untuk grup V, maka unsur yang paling sering digunakan untuk maksud ini
adalah fosfor dan arsenik. Sebagai contoh, apabila atom fosfor menggantikan atom
silikon, empat elektron valensinya akan digunakan untuk membentuk ikatan kovalen
dengan atom silikon didekatnya. Sementara itu elektron valensi kelimanya akan
dengan bebas meloncat ke atom asalnya, yakni fosfor (Gambar 1). Pada suhu
ruangan, elektron ini akan memperoleh cukup energi thermal untuk memecah ikatan,
dan lalu bebas bergerak disepanjang kristal dan akan meningkatkan arus elektron
pada semikonduktor. Saat elektron ini berpindah ke pita konduksi, maka sebuah ion
fosfor bermuatan positif akan terbentuk (Gambar 2).

Dalam kasus ini, atom fosfor bertindak sebagai pengotor pemberi (donor
impurities) karena memberikan salah satu elektronnya untuk dibebaskan bergerak
disepanjang kristal. Meskipun atom fosfor yang ditinggalkan akan bermuatan positif,
tetapi atom tersebut tidak memiliki keleluasaan untuk bergerak didalam kristal dan
tidak dapat menghasilkan arus. Karena itu, saat sebuah pengotor donor ditambahkan
pada semikonduktor, sebuah elektron bebas akan terbentuk tanpa diikuti
pembentukan hole. Proses ini memperkenankan kita untuk mengatur konsentrasi
elektron bebas didalam sebuah semikonduktor. Semikonduktor yang mengandung
atom pengotor pemberi (donor) disebut semikonduktor tipe-n karena memiliki jumlah
elektron yang lebih banyak dibandung hol

Sedangkan untuk grup III, unsur yang paling sering digunakan adalah boron
(memiliki tiga elektron valensi). Saat sebuah atom boron menggantikan sebuah atom
silikon, ketiga elektron valensinya akan digunakan untuk membentuk ikatan kovalen
dengan tiga atom silikon didekatnya (Gambar 3). Karena pada struktur aslinya
terdapat empat ikatan kovalen pada masing-masing atom, maka akan ada satu ikatan
9

kovalen yang tidak terisi elektron. Hal ini berarti akan meninggalkan satu posisi yang
terbuka. Pada suhu kamar, elektron-elektron valensi silikon terdekat memiliki cukup
energi thermal untuk dapat berpindah ke posisi ini, dan dengan demikian akan
menghasilkan sebuah hole lainnya (Gambar 4). Atom boron dalam hal ini akan
bermuatan negatif, tetapi tidak dapat bergerak bebas didalam kristal, dan sebaliknya
menciptakan sebuah hole yang dapat meningkatkan arus hole pada semikonduktor.
Oleh karena atom boron menerima sebuah atom valensi, maka ia disebut juga sebagai
pengotor penerima (acceptor impurities). Atom penerima bertujuan untuk
menciptakan hole tanpa menciptakan elektron bebas. Proses ini, dapat dapat
digunakan untuk mengatur konsentrasi hole didalam sebuah semikonduktor.
Semikonduktor yang mengandung atom pengotor penerima (acceptor) disebut juga
semikonduktor tipe-p karena memiliki jumlah hole yang lebih banyak dibanding
elektronnya.
Material-material yang mengandung atom pengotor inilah yang disebut
semikonduktor ekstrinsik, atau semikonduktor terdadah (doped semiconductor).
Proses pendadahan (doping) ini, yang memampukan kita untuk mengatur konsentrasi
elektron bebas dan hole pada semikonduktor, menentukan tingkat konduktifitas dan
besarnya arus pada material.
Hubungan dasar diantara konsentrasi elektron bebas dan hole dari sebuah
semikonduktor pada keseimbangan thermal (thermal equilibrium) diberikan oleh
rumus,

dimana, n0 adalah konsentrasi keseimbangan thermal dari

elektron bebas, p0 adalah konsentrasi keseimbangan thermal dari hole, dan ni adalah
konsentrasi pembawa intrinsik.
Pada suhu kamar (T=300 K), setiap atom pemberi (donor) memberikan
sebuah elektron bebas kepada semikonduktor. Jika konsentrasi atom pemberi (donor)
Nd jauh lebih besar daripada konsentrasi instrinsiknya, kita dapat menganggap

10

Lalu, dari persamaan diatas, maka konsentrasi hole adalah

Dengan cara yang sama, pada suhu kamar, setiap atom penerima (acceptor)
menerima sebuah elektron valensi, dan juga menghasilkan sebuah hole pada
semikonduktor. Jika konsentrasi atom penerima (acceptor) Na jauh lebih besar
daripada konsentrasi instrinsiknya, kita dapat menganggap

sehingga dari persamaan sebelumnya, konsentrasi elektron bebas adalah

Pada sebuah semikonduktor tipe-n, elektron disebut sebagai pembawa

mayoritas (majority carrier) sedangkan hole sebagai pembawa minoritas (minority
carrier) karena jumlah elektron bebasnya jauh lebih banyak dibanding hole.
Sebaliknya, pada semikonduktor tipe-p, hole bertindak sebagai pembawa mayoritas
(majority carrier) dan elektron sebagai pembawa minoritas (minority carrier).

11

BAB III
Dasar Teori Semikonduktor (3)
Oktober 07,2011
Seperti yang telah dijelaskan sebelumnya, pergerakan partikel-partikel
bermuatan didalam semikonduktor, apakah itu elektron ataupun hole, akan
menghasilkan arus. Karena itu, partikel-partikel ini secara sederhana disebut juga
sebagai pembawa (carrier). Pergerakan partikel ini sendiri dapat terjadi karena dua
hal. Pertama adalah karena adanya medan listrik. Arus yang timbul akibat pergerakan
ini disebut juga arus drift. Kedua adalah karena adanya perbedaan (gradien)
konsentrasi pembawa (carrier), dan arus yang timbul oleh pergerakan ini disebut juga
arus difusi. Perbedaan (gradien) konsentrasi ini dapat diakibatkan oleh penyebaran
dadahan (doping) yang tidak homogen, atau dapat juga dihasilkan dengan
menyuntikkan sejumlah elektron atau hole ke suatu daerah (region) tertentu pada
semikonduktor.
Arus Drift

Bayangkan sebuah medan listrik diberikan pada suatu semikonduktor. Medan

listrik ini akan menghasilkan gaya yang bekerja baik pada elektron bebas ataupun
hole, yang lalu akan mengalami pergerakan dan kecepatan drift. Perhatikan sebuah
semikonduktor tipe-n dengan sejumlah besar elektron bebas seperti terlihat pada
Gambar 1. Medan listrik E lalu diberikan pada semikonduktor ini pada suatu arah
tertentu sehingga menghasilkan gaya pada elektron yang karena bermuatan negatif

12

 dalam arah yang berlawanan. Elektron tersebut akan memperoleh kecepatan drift
vdn (dalam cm/s) yang besarnya

dimana n adalah konstanta mobilitas elektron dan diukur dalam cm^2/V-s. Untuk
silikon yang terdadah-rendah (low-doped) nilai n ini biasanya berkisar sekitar 1350
cm^2/V-s. Mobilitas ini dapat dipandang sebagai sebuah parameter yang
mengindikasikan

seberapa

baik

sebuah

elektron

dapat

bergerak

didalam

semikonduktor. Tanda negatif pada persamaan menandakan bahwa kecepatan drift

elektron berlawanan arah dengan medan listrik yang diberikan. Kecepatan drift ini
sendiri lalu akan menghasilkan kerapatan arus drift Jn (dalam A/cm^2), yang
besarnya adalah

dimana n adalah konsentrasi elektron, dan e adalah besar (magnitude) muatan

listriknya. Arus drift konvensional memiliki arah yang berlawanan dengan aliran
muatan negatif, yang berarti arus drift pada sebuah semikonduktor tipe-n akan
memiliki arah yang sama dengan medan listrik yang diberikan.
Selanjutnya, perhatikan sebuah semikonduktor tipe-p dengan sejumlah besar
hole seperti terlihat pada Gambar 2. Medan listrik E lalu diberikan pada suatu arah
tertentu sehingga menghasilkan gaya pada hole-hole tersebut yang karena
bermuatan positif dalam arah yang sama. Hole tersebut akan memperoleh kecepatan
drift vdp (dalam cm/s), yang besarnya adalah

dimana p adalah konstanta mobilitas proton dan -sekali lagi- diukur dalam satuan
cm^2/V-s. Untuk silikon yang terdadah-rendah (low-doped) nilai p ini biasanya
berkisar sekitar 480 cm^2/V-s, atau tidak sampai setengahnya dari nilai mobilitas
elektron up. Tanda positif pada persamaan menandakan bahwa kecepatan drift hole
13

searah dengan medan listrik yang diberikan. Kecepatan drift ini sendiri akan
menghasilkan kerapatan arus drift Jp (kembali, dalam A/cm^2), yang besarnya adalah

dimana p adalah konsentrasi hole, dan e adalah besar (magnitude) muatan listriknya.
Arus drift konvensional akan searah dengan aliran muatan positif, yang berarti arus
drift pada sebuah semikonduktor tipe-n akan memiliki arah yang sama dengan medan
listrik yang diberikan.
Karena sebuah material semikonduktor selalu mengandung baik elektron
maupun hole, kerapatan arus drift total ditentukan sebagai jumlah dari kedua
komponen arus tersebut, sehingga

dan

dimana ini sering disebut sebagai konduktifitas dari semikonduktor dan

=1/ sebagai resistifitas dari semikonduktor. Konduktifitas ini berhubungan erat
dengan konsentrasi elektron dan hole. Apabila medan listrik yang timbul dihasilkan
akibat sebuah perbedaan potensial (tegangan), maka persamaan diatas akan
menghasilkan hubungan yang linier antara arus dan tegangan, sehingga akan sesuai
dengan hukum Ohm.
Dari persamaan kita juga dapat melihat bahwa konduktifitas dapat diubah dari
semikonduktor tipe-n yang kuat dimana n>>p dengan mendadah (doping) pengotor
pemberi (donor), menjadi semikonduktor tipe-p yang kuat dimana p>>n dengan
mendadah (doping) pengotor penerima (acceptor). Kemampuan mengendalikan
konduktifitas dari sebuah semikonduktor dengan cara memilih pendadahan yang
sesuai telah memberi kita kesempatan untuk menghasilkan berbagai jenis komponen
elektronika yang tersedia saat ini.

14

Arus Difusi
Pada difusi, partikel akan bergerak dari daerah dengan konsentrasi yang tinggi
menuju daerah dengan konsentrasi yang rendah. Ini adalah fenomena statistikal dan
berhubungan dengan teori kinetik. Untuk menjelaskannya, baik elektron maupun hole
pada semikonduktor selalu berada pada pergerakan yang kontinyu. dengan kecepatan
rata-rata yang ditentukan oleh suhu, dan dalam arah yang acak oleh pengaruh struktur
kristal. Secara statistik, kita dapat mengasumsikan bahwa untuk setiap instan
manapun, sekitar setengah dari partikel pada daerah dengan konsentrasi tinggi akan
bergerak keluar dari daerah tersebut menuju daerah dengan konsentrasi yang lebih
rendah. Kita juga dapat mengasumsikan bahwa pada saat yang bersamaan, sekitar
setengah dari partikel dari daerah dengan konsentrasi rendah bergerak menuju daerah
dengan konsentrasi yang lebih tinggi. Bagaimanapun juga, oleh definisi, terdapat
lebih sedikit partikel pada daerah dengan konsentrasi rendah daripada yang terdapat
pada daerah dengan konsentrasi yang lebih tinggi, Karenanya, aliran partikel akan
bergerak dari daerah dengan konsentrasi tinggi menuju daerah dengan konsentrasi
yang lebih rendah. Ini adalah proses difusi yang paling dasar.

Sebagai contoh, perhatikan konsentrasi elektron yang bervariasi sebagai

sebuah fungsi jarak x, seperti yang terlihat pada Gambar 3. Difusi elektron dari
daerah dengan konsentrasi tinggi menuju daerah dengan konsentrasi yang lebih
rendah menghasilkan aliran elektron dalam arah x negatif. Karena elektron bermuatan
negatif, maka arah arus konvensionalnya akan menjadi x positif.
Kerapatan arus difusi dipandang sebagai difusi elektron dapat dinyatakan
dalam persamaan berikut

15

dimana e adalah besar (magnitude) muatan elektron, dn/dx sebagai gradien

konsentrasi elektron, dan Dn adalah koefisien difusi elektron.
Untuk hole, prinsip yang sama dapat digunakan. Pada Gambar 4, konsentrasi
hole adalah sebuah fungsi jarak. Difusi hole dari daerah dengan koefisien tinggi ke
daerah dengan koefisien yang lebih rendah akan menghasilkan aliran hole dalam arah
x negatif.
Kerapatan arus difusi dipandang sebagai difusi hole dapat dinyatakan dalam
persamaan berikut

dimana e adalah besar (magnitude) dari muatan, dp/dx sebagai gradien konsentrasi
hole, dan Dp adalah koefisien difusi hole. Perlu dicatat bahwa terjadi perubahan tanda
pada kedua persamaan arus difusi ini. Hal ini dikarenakan perbedaan dalam
penandaan muatan listrik antara muatan negatif elektron dengan muatan positif hole.
Nilai mobilitas dalam persamaan arus drift dan nilai koefisien difusi pada
persamaan arus difusi bukanlah dua kuantitas yang saling bebas. Keduanya terikat
pada hubungan Einstein, yakni (pada suhu kamar)

Kerapatan arus total adalah hasil penjumlahan komponen drift dan difusi.
Untungnya, pada banyak kasus hanya ada satu komponen yang dominan untuk setiap
waktu pada daerah semikonduktor yang diberikan

16

Daftar Pustaka :
Neamen, Donald A. Microelectronics : Circuit Analysis dan Design.
3rd ed. NY : McGraw-Hill, 2007. Neamen, Donald A. Microelectronics
: Circuit Analysis dan Design. 3rd ed. NY : McGraw-Hill, 2007.

17

LAMPIRAN

18