DISPOSITIVOS USADOS EN

LOS CONVERTIDORES DE
POTENCIA

1. INTRODUCCION

Dispositivos Electrnicos

Sin control: Diodos

Con control de encendido: Tiristores
Con control total: Transistores

Dispositivos Pasivos

Transformadores
Bobinas
Condensadores

Diodos de Potencia

Diodos de tres capas

Mayor seccin
Problemas de velocidad
Problemas trmicos

nodo

Ctodo

p+

Tiristores (SCR)
Slo control de
encendido
Muy robustos
Baja frecuencia
Tecnologa muy madura
Ctodo

n-

p-

n+

p+

Puerta
n+
n-

Ctodo
nodo

Tipo transistor
GTO (tiristor apagado por puerta)
Transistor bipolar de potencia
Transistor MOSFET de potencia
IGBT (transistor bipolar de puerta aislada)
Otros muchos en evolucin

GTO

Transistor bipolar

Control de encendido y apagado

(difcil)
Muy robustos
Baja frecuencia (mayor que los
SCRs)
Puerta

pp+

Control de encendido y
apagado (dificultad media)
Robustos
Media frecuencia (mayor que
los SCRs y los GTOs)

Ctodo

n+

Base Emisor

n-

Ctodo
nodo

Colector

p
n- n+

MOSFET de potencia
Fcil control de encendido y
apagado
Alta frecuencia (mayor que
los otros)
Resistivo en conduccin
Puerta

Fuente

IGBT
Fcil control de encendido y
apagado
Frecuencia entre BJT y MOSFET
Casi como un BJT en
conduccin
Emisor
Puerta

n-

nn+

n+
Drenador

pp+
Colector

MARGEN DE POTENCIA (VA)

Dispositivos empleados en los

convertidores de potencia
107

SCR

106
105

GTO

104
103
102

BJT

IGBT

MOSFET

10 102 103 104 105 106 107 108

FRECUENCIA (Hz)

Montaje de los semiconductores de

potencia
Montaje 1
Radiador

Montaje 2
Tiristor

Tuerca

Transistor

Radiador

Tuerca

Montaje 3

Radiador

Press-package

2. El Diodo de Potencia

Definicin y caractersticas
Son dispositivos semiconductores
unidireccionales, fabricados en silicio( la ms
utilizada) y tambin en germanio.
Como nico medio de control encontramos
invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Adems se caracterizan porque en estado de
conduccin pueden soportar alta intensidad con
una pequea cada de tensin.

... continuacin
El diodo se puede hacer funcionar de 2
maneras:
Polarizacin directa y, Polarizacin inversa.

Su curva caracterstica responder a la siguiente

ecuacin:
I = Is [ e ^(V/VT) - 1] = Is [ e ^(qV/KT) - 1]

..Continua
ID=IS.(eV /.V 1) ...(1)
D

ID = Corriente por el diodo (Amp.)

VD = Voltaje A(+) y K(-) en Voltios.
Is = Corriente de Fuga (Corriente de saturacin
inversa)
Tpicamente (10-6 A 10-15 A).
= Coeficiente de emisin (1 Ge y 2 Si)

..Continua
VT= (KT)/q = 25.8 mV, si
q = carga del e- = 1.6022x10-19 Coulomb(C).
K = Constante de Boltzman = 1.3806x10-23 J/K
a 25 C
T = K (K = 273 + C)

Curva caracterstica

Siendo:
VRRM = tensin inversa mxima
VD = Voltaje de codo

Agrupacin de caractersticas
Caractersticas estticas
Caractersticas dinmicas
Disipacin de Potencia
Caractersticas trmicas
Caractersticas mecnicas
Proteccin contra sobreintensidades

Caractersticas Estticas
Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa)
Parmetros en conduccin
Modelo esttico

Parmetros en bloqueo

...continuacin
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en
ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser
soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez,
durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del
mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el
diodo en estado de bloqueo.

Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima
intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede
soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser
soportada cada 20 mseg, con una duracin de pico a 1 mseg, a una
determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25 C).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico
de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de
10 mseg.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando
se encuentra en el estado de conduccin.

Modelos Estticos

Caractersticas Dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso
Influencia de Trr en la conmutacin
Tiempo de recuperacin directo

Tiempo de recuperacin inverso

Caractersticas de la recuperacin inversa

Es trr = ta + tb
La corriente Inversa de recuperacin IRR
IRR = ta di/dt .
Factor de suavidad SF= tb/ta , Para efectos prcticos
Considerar el tiempo total de recuperacin trr

... continuacin
Tiempo de almacenamiento (ta): es el tiempo que transcurre desde el paso
por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
Tiempo de cada (tb): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
Tiempo de recuperacin inverso (trr): es la suma de ta y tb.
Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea
negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :
- Se limita la frecuencia de funcionamiento, pues a altas frecuencias
disminuye abruptamente el rendimiento de la rectificacin..
- Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin
inversa, que puede llegar a producir sobrecalentamiento y destruccin
del diodo.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin
rpida.
Factores de los que depende trr :
A mayor I RRM menor trr.
Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo, mayor ser la
capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.

Tiempo de recuperacin directo

... continuacin
El tiempo de recuperacin directo (tfr): es el tiempo que
transcurre entre el instante en que la tensin nodo-ctodo se
hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en
el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y
no suele producir prdidas de potencia apreciables.

Disipacin de Potencias
Potencia mxima disipable (Pmx)
Potencia media disipada (Pav)
Potencia inversa de pico repetitivo
Potencia inversa de pico no repetitivo

Caractersticas Trmicas
Temperatura de la unin
Temperatura de almacenamiento
Resistencia trmica unin contenedor
Resistencia trmica contenedor - disipador

Proteccin contra sobreintensidades

La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un
cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden
aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de
condesadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son
poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los
fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de
tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser
el fusible el que se destruya y no el diodo.

Tipos de diodos de potencia

Diodos de uso general (trr aprox. 25us)
VRM=kV. If=kA
Diodos de recuperacin rpida:
(trr aprox. De 50 ns - 5 us), VRM = 400v
Diodos Schottky (Vf=0.3V, VRM=50-100V)

El diodo Schottky
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una
unin PN, tiene una unin Metal-N.
- Poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en
sentido de la flecha)
- No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente
(VCRR)

El diodo Zener
El diodo Zener siempre se utiliza en polarizacin
inversa.
Analizando la curva del diodo zener vemos que
en el lugar donde se marca como regin
operativa.

Curva del Diodo Zener

Gracias