OKSIDASI

Pertumbuhan Lapisan Tipis

Proses Oksidasi : Pertumbuhan SiO 2
Substrat
Furnace

O2
H2O + gas carrier

Boat

Dry OX :
Si + O2 = SiO2
Wet OX :
Si + 2H2O = SiO2 + 2H2
Fungsi Lapisan OX
Isolasi
Masker Difusi
Lapisan gerbang (Gate) MOS
Dry OX :
Pertumbuhan Lambat
Biaya Mahal
Homogen (kwalitas baik)

 Fungsi Sebagai lapisan gate

Wet OX
Pertumbuhan Cepat
Biaya murah
Tidak homogen (kwalitas kurang baik)
Fungsi sebagai isolasi/masker difusi

Ketebalan Lapisan OX
4B(t + )
tox = A/2 [-1 + 1 +
A2
tox

SiO2

Substrat-Si

Thin layer (short duration) : linear

B/A = konst.linear rate

tox = B/A (t + )
B/A = R0 exp.(-Ea/kT)
Orientasi
(100)

R0 (Dry)
m/h
4,1.106

R0 (Wet)
m/h
1,07.108

(111)

7,5.106

1,8.108

Thick layer (long duration)

B = konst.parabolic rate
tox = B(t + )
R0 (dry) = 810 m2/h
R0 (wet) = 243 m2/h
Koreksi waktu proses OX ()
Wet OX :
=0
Dry OX :

= (t02 + At0)/B

Konstanta Laju Proses OX melalui grafik

(Linear : Fig.5.3.2 & Parabolik Fig.5.3.3).

Linear
o

Wet

B/A
m/h

H2O

Ea (wet) =
2,05 eV
Si(100)

Ea(dry)
= 2,0 eV

Dry
O2

Si(111)

Parabolik
o

Wet,
Ea=0,71 eV

B
m2/h

Dry,
Ea=1,24 eV