STATISTIK SEMIKONDUKTOR

A. Pengertian Semikonduktor
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang
berada di antara insulator dan konduktor. Semikonduktor merupakan elemen
dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC
(integrated circuit). Disebut semi atau setengah, karena bahan ini memang bukan
konduktor murni.
Semikonduktor merupakan material zat padat yang memiliki harga
resistivitas antara 10-2109 .cm. Semikonduktor disebut juga sebagai bahan
setengah penghantar listrik. Bahan semikonduktor memegang peranan penting
dalam teknologi modern. Hampir semua komponen dalam peralatan elektronik
seperti mikroprosessor, IC-IC, dioda, laser, display, dan sebagainya adalah
menggunakan bahan semikonduktor. Setiap bahan semikonduktor memiliki
karakteristik fisis tertentu sehingga dalam aplikasinya harus merujuk pada
karakteristik fisisnya tersebut.
Sebagai contoh untuk aplikasi sensor sinar ultraviolet yang tingkat
sensitifitasnya tinggi tentu kita harus memilih bahan yang memiliki energi gap
yang cukup lebar seperti semikonduktor galium nitrida dengan energi gap sekitar
3,4 eV. Dengan energi gap adalah energi yang diperlukan oleh elektron untuk
memecahkan ikatan kovalen sehingga dapat berpindah jalur dari jalur valensi ke
jalur konduksi. Kita bisa juga menggunakan bahan silikon untuk aplikasi sensor
ultraviolet namun divais ini kurang sensitif dibandingkan bahan galium nitrida.
B. Bahan Pembuat Semikonduktor
Pada awal perkembangannya bahan semikonduktor yang pertama kali
dieksplorasi adalah germanium, namun sampai saat ini bahan semikonduktor yang
banyak diteliti untuk bahan baku pembuatan divais elektronik maupun
optoelektronik adalah silikon dengan pertimbangan bahan silikon cukup
melimpah di alam ini dan harganya relatif murah.

Selain silikon material lain yang banyak dipelajari dan diteliti adalah
material paduan dari golongan II-VI atau III-V seperti dalam tabel periodik di
bawah baik binary (paduan 2 unsur) maupun ternary (paduan 3 unsur) seperti
ZnO, GaN, AlN, InN, GaAs, GaSb, AlGaN, AlGaSb, GaNAs dan sebagainya
dimana material-material paduan tersebut masing-masing memiliki ciri khas dan
keunikan tersendiri baik dari sifat listrik maupun sifat optiknya yang aplikasinya
dapat disesuaikan dengan karakteristik fisisnya masing-masing.

Tabel 1. Unsur-unsur yang banyak digunakan sebagai bahan semikonduktor

Gambar 1. Bahan pembuat semikonduktor berbentuk wafer

C. Karakteristik Bahan Semikonduktor

1. Semikonduktor elemental terdiri atas unsur-unsur pada sistem periodik
golongan IV A seperti silikon (Si), Germanium (Ge) dan Karbon (C).
Karbon semikonduktor ditemukan dalam bentuk kristal intan.
Semikonduktor intan memiliki konduktivitas panas yang tinggi
sehingga dapat digunakan dengan efektif untuk mengurangi efek
panas pada pembuatan semikonduktor laser.
2. Semikonduktor gabungan (kompon) terdiri atas senyawa yang
dibentuk dari logam unsur periodik golongan IIB dan IIIA (valensi 2
dan 3) dengan non logam pada golongan VA dan VIA (valensi 5 dan
6) sehingga membentuk ikatan yang stabil (valensi 8). Semikonduktor
gabungan III dan V misalnya GaAs dan InP, sedangakan gabungan II
dan VI misalnya CdTe dan ZnS.
Tabel 2. Karakteristik Semikonduktor

Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik. Salah satu alasan

utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah karena konduktansinya
3

yang dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut

pendonor elektron). Sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara
terkontrol dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian.

D. Model Ikatan Atom pada Bahan Semikonduktor

Kristal semikonduktor tersusun dari atom-atom yang letaknya saling
berdekatan dan saling berikatan satu sama lain membentuk suatu ikatan kristal
yang disebut ikatan kovalen. Sebagai ilustrasi dari model ikatan kristal tersebut, di
bawah ini digambarkan terbentuknya ikatan kristal pada bahan silikon. Pada
gambar 2.a menunjukkan ilustrasi ikatan kovalen dari atom silikon pada kondisi
temperatur nol Kelvin, untuk kasus ini setiap atom silikon menyumbangkan satu
elektron untuk tiap pasangan ikatan kovalen. Apabila kristal semikonduktor
tersebut diberi energi termal dengan kata lain temperaturnya dinaikan, maka
penambahan energi termal tersebut dapat menyebabkan putusnya ikatan kovalen,
hal ini dapat membangkitkan pasangan elektron-hole dimana elektron tersebut
dapat bebas dari keadaan valensi ke keadaan konduksi sedangkan kekosongan
yang ditinggalkan elektron akan menjadi hole seperti nampak pada gambar 2.b.

Gambar 2. Gambaran ikatan kovalen atom silikon pada kondisi (a) temperatur nol
Kelvin, (b) pada temperatur di atas nol Kelvin

E. Terbentuknya Pita Energi

Dalam pembahasan mengenai ikatan atom kita lihat bahwa dua atom akan
membentuk ikatan yang stabil jika kedua atom berjarak r0 yaitu jarak yang
memberikan energi terendah. Dua atom H misalnya, setelah membentuk H 2 yang
stabil, keduanya berada pada jarak keseimbangan r0 dimana dua elektron dengan
spin berlawanan menempati orbital 1s. Tingkat energi elektron yang berperan
dalam pembentukan ikatan akan terpecah menjadi dua, sebagaimana diperlihatkan
oleh gambar di bawah. Satu kurva akan diikuti oleh terbentuknya ikatan stabil dan
satu kurva lagi menggambarkan situasi yang tidak memungkinkan tercapainya
ikatan stabil; dalam hal terakhir ini kedua elektron yang seharusnya berperan
dalam pembentukan ikatan, memiliki spin berlawanan.

Gambar 3. Energi pada H2 sebagai fungsi jarak atom

Jika dua atom H berdekatan menyebabkan terpecahnya tingkat energi

pertama terpecah menjadi dua, maka jika ada enam atom H tingkat energi tersebut
akan terpecah menjadi enam (terjadinya banyak atom hidrogen berdekatan adalah
di sekitar titik beku; gas hidrogen membeku pada 252,7 oC). Jika ada N atom
hidrogen, maka tingkat energi s akan terpecah menjadi N. Jika N makin besar
maka perbedaan antara dua tingkat yang berdekatan akan semakin kecil dan
mendekati kontinyu. Kita katakan bahwa orbital s telah berubah menjadi pita
energi s. Terbentuknya pita energi bisa terjadi pada semua orbital. Jadi kita
memperoleh pita energi 1s, 2s, 2p, dan seterusnya, yang ditunjukkan secara
skematis pada gambar di bawah.
5

Gambar 4. Pita Energi (tanpa skala)

Peristiwa ini tentu tidak terjadi hanya pada atom H saja, akan tetapi terjadi
pula pada kumpulan sejumlah besar atom-atom yang menyusun padatan. Gejala
terbentuknya pita energi inilah yang menjadi dasar dikembangkannya teori pita
energi yang akan kita bahas berikut ini.
F. Pita Energi Semikonduktor
Pita energi adalah kelompok tingkat energi elektron dalam kristal. Pita
energi dibedakan menjadi 3, yaitu:
1. Jalur valensi
Penyebab terbentuknya jalur valensi adalah adanya ikatan atom-atom yang
membangun kristal. Pada jalur ini elektron dapat lepas dari ikatan atomnya
jika mendapat energi.
2. Jalur konduksi
Jalur konduksi adalah tempat elektron-elektron dapat bergerak bebas karena
pengaruh gaya tarik inti tidak diperhatikan lagi. Dengan demikian elektron
dapat bebas menghantarkan listrik.
3. Jalur larangan
Jalur larangan adalah jalur pemisah antara jalur valensi dengan jalur
konduksi.
Orbital-orbital elektron dalam kristal semikonduktor terbagi dalam dua
kelompok pita energi. Pita yang memiliki energi rendah dinamakan pita valensi
sedangkan pita yang memiliki energi tinggi dinamakan pita konduksi. Pita valensi
dan pita konduksi dibatasi oleh nilai-nilai energi yang tidak boleh ditempati
elektron. Daerah terlarang tersebut dinamakan celah energi. Lebar celah energi

didefinisikan sebagai selisih antara energi terendah dalam pita konduksi dengan
energi tertinggi dalam pita valensi, atau dapat dituliskan:
Eg = Ec Ev
Dimana:
Eg = lebar celah pita energi
Ec = energi terendah dalam pita konduksi
Ev = energi tertinggi dalam pita valensi
Aliran muatan listrik dalam bahan semikonduktor terjadi jika ada elektron
yang meloncat dari pita valensi ke pita konduksi. Dalam pita valensi, elektron
tidak dapat mengalir bebas dalam logam sehingga mudah mengalir ketika diberi
medan listrik. Dalam pita valensi, elektron tidak dapat mengalir bebas meskipun
diberikan medan listrik yang besar. Pada suhu mendekati nol Kelvin tidak ada
elektron yang sanggup meloncat dari pita valensi ke pita konduksi sehingga
semikonduktor bersifat isulator. Jika suhu dinaikkan maka ada elektron dari pita
valensi yang meloncat ke pita konduksi. Makin tinggi suhu makin banyak elektron
yang meloncat ke pita konduksi sehingga konduktivitas semikonduktor makin
besar.
Ketika elektron meloncat ke pita konduksi maka pita valensi menjadi
kekurangan elektron. Lokasi yang ditinggalkan elektron seolah berperilaku
sebagai partikel bermuatan positif. Partikel ini dinamakan hole. Dalam bahan
semikonduktor murni, jumlah elektron yang meloncat ke pita konduksi persis
sama dengan jumlah hole yang terbentuk di pita valensi. Dengan demikian, jika ne
adalah konsentrasi elektron pada pita konduksi dan nh adalah konsentrasi hole
pada pita valensi maka untuk semikonduktor murni terpenuhi:
ne = nh
Bahan

semikonduktor

untuk

aplikasi

industri

umumnya

bukan

semikonduktor murni, tetapi semikonduktor yang didop dengan atom tertentu.

Doping tersebut menyebabkan terjadinya perubahan konsentrasi elektron dan hole
yang tidak lagi memenuhi persamaan di atas. Jika atom dop-an pada
semikonduktor memberikan sumbangan elektron pada material sehingga menjadi
atom yang bermuatan positif maka dikatakan atom tersebut sebagai donor

(pemberi elektron). Sebaliknya jika atom dopan pada semikonduktor menarik

elektron dari pita valensi sehingga menjadi atom yang bermuatan negatif maka
dikatakan atom tersebut sebagai akseptor. Jika jumlah atom donor lebih banyak
dari atom akseptor maka dinamakan semikonduktor tersebut bertipe negatif.
Sebaliknya jika jumlah akseptor lebih banyak daripada jumlah atom donor maka
dinamakan semikonduktor bertipe positif.
Karena elektron adalah fermion maka distribusi elektron pada pita konduksi
memenuhi fungsi distribusi Fermi-Dirac:
1

f e ( E )=
e

[ ]

E
+1
kT

Populasi elektron pada pita konduksi adalah:

N e = f e ( E )
CB

dan jumlah hole pada pita valensi adalah:

N h= {1f e ( E ) }= f h ( E )
VB

VB

dengan:

[ ]
1
e
( E ) =1
=
[e ] e[ ]
E
kT

f h ( E ) =1f e

E
+1
kT

E
+1
kt

=
e

[ ]

E
+1
kT

Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator pada temperatur yang

sangat rendah, namun pada temperatur ruangan bersifat sebagai konduktor. Hal ini
dapat terjadi karena dalam temperatur rendah seluruh lintasan elektron terisi
penuh oleh elektron, dan ketika dalam temperatur yang tinggi akan ada ikatanikatan yang pecah sehingga menyebabkan adanya elektron-elektron bebas.
G. Model Pita Energi Semikonduktor
Setiap atom penyusun kristal semikonduktor memiliki sejumlah elektron
valensi pada kulit terluarnya yang menempati keadaan valensi (gambar 5.b.),

keadaan elektron valensi ini memiliki tingkat energi yang besarnya Ev. Elektron
valensi ini berkontribusi pada pembentukan ikatan kovalen antara atom-atom
penyusun kristal semikonduktor. Sedangkan keadaan dimana elektron sudah
terbebas dari ikatan kovalen disebut keadaan konduksi dengan tingkat energi Ec
(gambar 5.a). Apabila kristal semikonduktor tersebut temperaturnya dinaikan
maka akan ada penambahan energi termal yang menyebabkan terputusnya ikatan
kovalen yang terbentuk. Pemutusan ikatan kovalen ini akan menghasilkan
elektron bebas yang sudah dalam keadaan konduksi dengan tingkat energi Ec.
Pada gambar 5.c. diilustrasikan keadaan elektron konduksi dimana setelah
terjadinya pemutusan ikatan kovalen, elektron valensi pada tingkat energi Ev akan
berpindah kekeadaan konduksi dengan tingkat energi Ec. Selisih antara tingkat
energi konduksi dengan tingkat energi valensi ini dinamakan energi celah pita
(energy gap) dimana energi gap tersebut merupakan energi minimal yang
dibutuhkan untuk memutuskan ikatan kovalen pada kristal semikonduktor.

Gambar 5. Model pita energi bahan semikonduktor

H.

Tipe Semikonduktor
Pada bahan semikonduktor, hole (kekosongan) dan elektron berfungsi

sebagai pembawa muatan listrik (pengantar arus). Semikonduktor dibagi dua

berdasarkan jenis muatan pembawanya, yaitu:
a. Semikonduktor

intrinsik,

adalah

semikonduktor

disisipkan atom-atom lain (atom pengotor)

b. Semikonduktor ekstrinsik, adalah semikonduktor

yang

belum

yang

sudah

dimasukkan sedikit ketidakmurnian (doping). Akibat doping ini maka

hambatan jenis semikonduktor mengalami penurunan. Semikonduktor
9

jenis ini terdiri dari dua macam, yaitu semikonduktor tipe-P (pembawa
muatan hole) dan tipe-N (pembawa muatan elektron).
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor murni yang belum
diberikan atom pengotor (impuritas). Apabila semikonduktor intrinsik ini
dipanaskan maka akan terbentuk pasangan elektron-hole dimana elektron
bermuatan negatif dan hole dapat dianggap sebagai muatan positif. Konsentrasi
elektron pada semikonduktor intrinsik sama dengan konsentrasi hole-nya yang
dirumuskan:

(e EkT )
G

2
i

n =B T

Keterangan:
EG = energi celah pita semikonduktor (eV)
B = konstanta bahan (untuk Si = 1,08x1031 K-3cm-6)
T = temperatur (K)
k = konstanta Boltzman (8,62x105 eV/K)
ni 1010 cm-3 untuk silikon pada temperatur kamar
Sedangkan pada semikonduktor ekstrinsik konsentrasi elektron dan
konsentrasi hole-nya tidak sama hal ini disebabkan oleh adanya penambahan
muatan pembawa akibat adanya atom pengotor. Sebagai contoh pemberian atom
pengotor fosfor yang memiliki elektron valensi 5. Pada semikonduktor silikon
yang bervalensi 4 akan menyebabkan adanya satu elektron yang tidak
terpasangkan untuk membentuk ikatan kovalen akibatnya elektron ekstra ini dapat
menyumbangkan pada konsentrasi elektron keseluruhan. Semikonduktor jenis ini
dinamakan semikonduktor tipe-n (negatif) karena didominasi oleh muatan
pembawa elektron seperti gambar di bawah.

10

Gambar 6. Kristal silikon yang diberi pengotor fosfor

Apabila kristal silikon diberi atom pengotor boron yang memiliki elektron
valensi 3 maka akan terbentuk ikatan kovalen yang tidak sempurna karena
terdapat satu kekosongan (hole) yang tidak terisi elektron. Sehingga dengan
demikian muatan pembawa pada kristal silikon yang telah diberi pengotor boron
akan didominasi oleh muatan positif (hole) sehingga kristal silikon akan bertipe-p
(positif) seperti gambar di bawah.

Gambar 7. Kristal silikon yang telah diberi atom pengotor boron

11

I. Statistik Semikonduktor
1) Bagian Intrinsik
Konsentrasi dari karier pada bagian intrinsik ditentukan oleh transisi induksi
termal interband.
2) Bagian Ekstrinsik
Seringkali kondisi intrinsik tidak memuaskan. Untuk doping biasanya tidak
dihitung, sekitar 1015 cm-3, jumlah dari pembawa oleh ketakmurnian cukup besar
untuk merubah konsentrasi intrinsik pada suhu ruangan. Kontribusi dari
ketakmurnian, pada faktanya pembawa disuplai oleh eksitasi interband. Ketika ini
maka sampel dalam bagian intrinsik.
Perbedaan dua tipe dari bagian ekstrinsik dapat dibedakan. Pertama terjadi
ketika konsentrasi donor menjadi besar dari konsentrasi penerima, ketika Nd >>
Na. Pada kasus ini konsentrasi dari elektron dievaluasi dengan sedikit membaca.
Ketika energi ionisasi donor cukup kecil, semua donor esensialnya terionisasi,
elektron masuk ke pita konduksi.
J. Tipe Arus Listrik pada Semikonduktor
Keberadaan elektron dan hole pada semikonduktor akan mempengaruhi
karakteristik listrik pada bahan tersebut. Ada dua jenis arus listrik yang terjadi
pada semikonduktor yaitu arus hanyut (drift) dan arus difusi.
1. Arus hanyut (drift)
Ketika semikonduktor diberi medan listrik E, maka partikel-partikel
bermuatan dalam semikonduktor tersebut akan bergerak (hanyut) dengan laju
yang berbanding lurus dengan medan listriknya.
vn = -nE .......... laju hanyut elektron
vp = pE ............laju hanyut
dimana:
vn dan vp = laju dari elektron dan hole (cm/s)
n dan p = mobilitas dari elektron dan hole (cm2/V.s)
Rapat arus drift untuk elektron adalah: jn = q n n E
Rapat arus drift untuk hole adalah:

jp = q p p E

Sehingga rapat arus total drift pada semikonduktor adalah penjumlahan dari
rapat arus drift elektron dengan rapat arus drift hole.
12

jT = jn + jp = q (n n + p p)E = E
Konduktivitas muatan pembawa pada semikonduktor:
= q(n n + p p)
Dan resistivitasnya = 1/
2. Arus Difusi
Arus difusi terjadi akibat adanya perbedaan konsentrasi muatan pembawa.
Arus difusi akan mengalir dari daerah yang berkonsentrasi tinggi ke daerah yang
memiliki konsentrasi rendah. Arus difusi akan sebanding dengan gradien
konsentrasi yang dirumuskan:
Arus difusi untuk hole:
p
p
j diff
=q D p
P =( +q ) D P
x
x

( )

Arus difusi untuk elektron:

n
n
j diff
=+ q Dn
n =( q ) D n
x
x

( )

Konstanta DP dan Dn adalah konstanta difusivitas dari hole dan elektron

Rapat arus total dalam semikonduktor adalah penjumlahan dari arus drift dengan
arus difusi yang dirumuskan:
Rapat arus total untuk elektron:
n
j Tn =q n nE+ q Dn
x
Rapat arus total untuk hole:
j Tp =q p pEq D p

p
x

DAFTAR PUSTAKA
Abdullah, Mikrajuddin. Pengantar Fisika Statistik. 2009. Bandung:Penerbit ITB

13

http://blog.ub.ac.id/bleng2/2012/02/26/teori-semikonduktor/
http://id.wikipedia.org/wiki/Semikonduktor
http://kambing.ui.ac.id/bebas/v12/sponsor/SponsorPendamping/Praweda/Fisika/0354%20Fis-3-7g.htm
http://listrik.jw.lt/Konduktor%20Isolator%20Dan%20Semikondu
http://www.e-dukasi.net/index.php?mod=script&cmd=Bahan%20Belajar/Materi
%20Pokok/view&id=338&uniq=3331

14