Anda di halaman 1dari 9

TUGAS MATA KULIAH

SEMIKONDUKTOR

1. Menghitung jumlah elektron dan hole dalam semikonduktor


a. Jumlah elektron pada pita konduksi
Jumlah elektron pada pita konduksi dapat nyatakan dengan
n(E)= g (E)f e ( E ) dE
(a.1)
dimana, fungsi distribusi elektron dalam semikonduktor f e ( E )
1

f e (E)=
1+e

(EE F )
KT

, pada pita konduksi

E> EC

berlaku ( EEF ) >> KT sehingga

fungsi distribusi elektron menjadi,


( E EF )
KT

f e ( E )=

( E EF )

=e

(a.2)

KT

Rapat kebolehjadian elektron,


1
gn (E)= 2
2

2 mn

( )

(EEC )

1
2

(a.3)
Persamaan (a.1) dapat ditulis kembali menjadi,

1
n(E)= 2
E 2
c

1
2
E 2
c

2mn

( )

2 mn

( EEC ) e

( )

1
2

( EEC )

1
2

( E EF )
KT

( KT ) 2
( KT )

1
2

dE

( E EC EF + EC )
KT

dE

1
2
2

3
n

2m

1
2

( EF E C)

KT

( KT ) e

Ec

(EE C )
( KT )

1
2

1
2

( E EC )
KT

dE

(a.4)
Misalkan

x=

( EEC )
(KT ) ,

( EEC )=KT x
E=E C + KT x
dE
=KT
dx
dE=KT dx

Untuk

E=E C

maka x = 0 dan E = maka x =

Persamaan (a.4) akan menjadi :


1
2
2
1
2
2

2 mn

2 mn KT

1
2

( EF E C)

( KT) e

KT

x 2 ex KTdx
0

( EF EC )

KT

1
2 x

e dx

(a.5)
Dapat diselesaikan menggunakan fungsi gamma

Fungsi gamma :

(n)= x n1 ex dx ; dimana n>0


0

1
2

(n)= x ex dx
0

( n+1 )=n ( n )

( 12 )=

1
2 x

e dx=

(a.6)

Persamaan (a.5) dapat ditulis menjadi


3

2mn KT e
n(E)= 2

( EF E C)
KT

h
2 ;

2 mn KT
n(E)=2
2
h

3
2

( EF E C )

KT

dimana rapat keadaan efektif


N c =2

2 mn KT
h2

(a.7)
Nc

3
2

(a.8)
Sehingga jumlah elektron pada pita konduksi adalah :
( EF EC )
KT

n(E)=N c e

(a.9)

b. Jumlah hole pada pita valensi


Jumlah hole pada pita valensi dapat nyatakan dengan
p(E)= g( E) f p ( E ) dE

(b.1)
dimana, fungsi distribusi hole dalam semikonduktor f p ( E )
f p (E)=

1
1+ e

(E F E)
KT

, pada pita valensi

fungsi distribusi hole menjadi,

E< E v

berlaku

( E FE) >> KT sehingga

( E E F )

f p( E)=

( E EF )

KT

=e

( E F E )
KT

=e

(b.2)

KT

Rapat kebolehjadian hole,


1
g p ( E)= 2
2

2 mp

( EV E)

1
2

(b.3)
Persamaan (a.1) dapat ditulis kembali menjadi,
Ev

1
p(E)=
2
2
Ev

1
2 2

1
2
2

Misalkan

2mp

2 mp

3
p

2 m

x=

( E V E) 2 e

(EV E)

1
2

( E F E )
KT

( KT ) 2
( KT )

1
2

( KT ) e

( E F E V ) EV
KT

1
2

dE

( E V E+ EF EV )
KT

( EV E )
( KT )

1
2

1
2

dE

( EV E )
KT

dE

( EV E)
( KT) ,

( EV E ) =KT x
E=E V + KT x
dE
=KT
dx
dE=KT dx
Untuk

E=E V

maka x = 0 dan E = maka x =

Persamaan (a.4) akan menjadi :


1
2
2

2 mp

1
2

( KT) e

( E F E V )
KT

x 2 ex KTdx
0

(b.4)

1
2
2

2 mp KT

( EF E V )
KT

x 2 ex dx
0

(b.5)

Dapat diselesaikan menggunakan fungsi gamma

Fungsi gamma :

(n)= x n1 ex dx ; dimana n>0


0

1
2

(n)= x ex dx
0

( n+1 )=n ( n )

( 12 )=

1
2 x

e dx=

(b.6)

Persamaan (a.5) dapat ditulis menjadi


3

2 m p KT e
p(E)= 2
2

( E F EV )
KT

h
2 ;

2 m p KT
p(E)=2
2
h

3
2

( EV EF )

KT

dimana rapat keadaan efektif


N V =2

2 m p KT
h2

(b.7)
NV

3
2

(b.8)
Sehingga jumlah hole pada pita valensi adalah :
( EV EF )

p(E)=N V e

KT

(b.9)

2. Menghitung Energi Fermi pada semikonduktor intrinsik (n=p)


jumlah elektron pada pita konduksi
( EF EC )
KT

n(E)=N c e
(a.9)

jumlah hole pada pita valensi


( EV EF )

p(E)=N V e

KT

(b.9)
Karna jumlah elektron dan hole sama (n=p), maka
( E F EC )

Nc e

KT

( EV E F )

= NV e

KT

NC
=e
NV

( EV EF + EC EF )

NC
=e
NV

KT

2 EF +EV + EC
KT

E
E F ( V + E C ) N V
2
=
KT
NC

e
E
E F( V + EC )=KT ln

NV
NC

2
E
( V + EC )+ KT ln
2 E F =

NV
NC

Energi Fermi untuk semikonduktor intrinsik (n=p)


E
( V + EC ) KT N V
+
ln
2
2
NC
E F=

3. Menghitung Energi Fermi pada semikonduktor tak murni (ekstrinsik)


a. Tipe n
Konsentrasi pembawa dalam pita konduksi
( E F EC )

n=N c e

KT

dengan

N c =2

2 mn KT
h2

3
2

Jika semua elektron konduksi berasal dari elektron donor , maka

n sama

dengan konsentrasi elektron donor (atau konsentrasi atom donor, karena setiap atom
semikonduktor ekstrinsik hanya menyumbang satu elektron) yang dieksitasi kedalam pita
konduksi.
Sehingga, jumlah n sama dengan konsentrasi atom tak-murni
konsentrasi yang tersisa dalam pita

ED

ND

dikurangi dengan

(pita energi atom donor)

( E D EF )

n=N D N D f (E D ) N D e

KT

Dengan demikian
( E F EC )

Nc e

KT

( E D EF )

=N D e

KT

NC
=e
ND

( E D EF + EC EF )

NC
=e
ND

KT

2 E F + ED + EC
KT

E
E ( D+ E C ) N D
2 F
=
KT
NC

e
E
E F( D+ EC )=KT ln

ND
NC

2
E
( D+ EC )+ KT ln

NV
NC

2 EF =
Tingkat energi Fermi untuk semikonduktor tipe- n
E
( D+ EC ) KT N D
+
ln
2
2
NC
E F=
b. Tipe p
Konsentrasi hole pada pita valensi
( EV E F )

p=N V e

KT

N A f (E A )

, dengan

N V =2

2 mp KT
h2

aseptor dengan konsentrasi

3
2

NA

diionisasikan negatif dengan

memberikan elektron dari jalur valensi yang menaikkan jumlah hole yang sama disana.
Sehingga
( E F E A )

p=N A N A f ( E A ) N A e
Dengan demikian

KT

( EV EF )

NV e

KT

( EF EA )

=N A e

KT

NV
=e
NA

( EF + E F E A EV )

NV
=e
NA

KT

2 EF E A EV
KT

E
E F( A+ EV )=KT ln
2
Tingkat energi fermi untuk semikonduktor tipe-p
E

A+E
(
KT N V
V)
+
ln
2
2
NA
E F =

E
( D+ EC ) KT N D
+
ln

NV
NA