Anda di halaman 1dari 35

P R ES EN TA S I D IV A IS

ELEK TR O N IK A

Darian Valerian
Martino
Rifqi Ramadhan
Restu Nugroho
Samsudiat
Suharsono Halim

BEHAVIOR OF TEMPERATURE
INSIDE PN-JUNCTION DURING
MICROPLASMA SWITCHING
M. Raska, A. Andreev, V. Holcman, and P. Kotvay
Department of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Communication,
BUT
Brno, Czech Republic

Abstrak
Pada setiap PN-Junction Defect Regions
Defect Regions disebut mikroplasma
Mikroplasma Daerah yang memiliki Breakdown Voltage yang lebih rendah
Lower Breakdown Voltage rentan akan Avalanche Breakdown mikroplasma &
lokal
Avalanche Breakdown Local Heating
Local Heating Kerusakan Junction
Kerusakan Junction Kerusakan Alat

Tujuan
Mendeterminasi perilaku suhu di dalam daerah
mikroplasma sebagai respon dari impuls noise
arus pada selang waktu tertentu

P-N JUNCTION

P-N Junction
P-N Junction adalah semikonduktor yang terbagi
atas 2 area (tipe P dan tipe N) 2 tipe doping
berbeda

Mode P-N Junction


Equilibrium

Mode P-N Junction


Forward Bias

Mode P-N Junction


Reversed Bias

Reverse Bias
Arus difusi tidak ada
Arus drift ada tetapi sangat kecil
asumsikan tidak ada arus yang mengalir

batas tegangannya disebut


Avalanche Ionization Breakdown Voltage

Avalanche Breakdown
Kondisi saat Avalanche Ionization Breakdown Voltage tercapai

Avalanche Breakdown
Kondisi pada reverse bias ketika arus secara
mendadak mengalir dalam jumlah besar dengan
arah polaritas berlawanan

disebabkan oleh Ionization Impact

Ionization Impact
semakin besar Reverse Voltage semakin besar
Depletion Zone
Depletion Zone semakin besar Energi Kinetik (EK)
elektron semakin besar
EK Elektron semakin besar menabrak keluar ion
pada ikatan kovalen Semikonduktor
elektron semakin banyak arus semakin besar

Ionization Impact

Defect Region
Pada suatu divais, terdapat daerah yang memiliki
kekurangan / cacat Defect Region (microplasma)
Mikroplasma didefinisikan sebagai :
The microplasma is specified like region with a lower
strong-field avalanche ionization breakdown voltage
than other homogenous PN Junction Region
(daerah dimana tegangan untuk menyebabkan
Avalanche Breakdown lebih rendah)

Pendahuluan Jurnal
Local Avalanche Breakdown terjadi pada

lingkungan lokal Defect Region


Breakdown ini menimbulkan microplasma noise
Microplasma sangat kecil
Arus breakdown mikroplasma besar
Akibat : Local heating junction destruction
*)Percobaan pada low-impedance circuit dengan sumber
tegangan konstan

Pendahuluan Jurnal

Model Dioda Dengan Mikroplasma


Pemodelan Haitz memodelkan dioda dengan n
mikroplasma sebagai :
1. dioda
2. dengan kapasitas C (Kapasitor)
3. n cabang pararel
4. 1 cabang 1 resistor (menggambarkan daerah mikroplasma
5. 1 cabang 1 switch (semua switch bekerja pada mode

bistable)
6. Sumber tegangan diseri pada tiap cabang
(menggambarkan tegangan ekstrapolasi pada PN
Junction)

Karakteristik Waktu Terhadap Noise Arus Mikroplasma

Perbedaan level arus (puncak arus) pada tiap

impulse ini yang diamati


Besar arus pada tiap puncak pulse bergantung

pada space duration


Space duration waktu ketika area

mikroplasma tanpa arus

Karakteristik Waktu Terhadap Noise Arus Mikroplasma


Semakin kecil Space duration semakin kecil arus
Semakin kecil Space duration semakin besar suhu
Saat switch on pada mikroplasma, suhu naik; saat

Space Duration, suhu turun


Semakin tinggi suhu, semakin besar kenaikan nilai

hambatan

Bentuk Pulsa Arus Saat Local Breakdown


Noise mikroplasma dinyatakan dalam bentuk

pulsa arus berbentuk rectangular current pulse


Noise pada umumnya memiliki lebar dan

amplitudo gelombang yang sama


Noise pada PN-Junction berubah-ubah karena

suhu internal mempengaruhi arus

Bentuk Pulsa Arus Saat Local Breakdown


*)grafik pada slide didapat dari pengukuran 500 pulsa
arus dengan interval waktu (space duration) yang
cukup lama (>120 uS) ; kemudian dirata-ratakan
**)interval lama agar mikroplasma sempat
mengalami pendinginan
***)grafik pulsa hasil rata-rata ini dapat digunakan
untuk menghitung daya listrik yang diberikan pada
area tersebut

Panas yang Dihasilkan Dalam Area Microplasma

Panas yang Dihasilkan Dalam Area Microplasma

Panas yang Dihasilkan Dalam Area Microplasma


Agar pengukuran ideal, maka temperatur awal

harus 0 K pada saat kondisi space


Pengukuran pada sebelumnya dilakukan pada

silikon berbentuk silinder dengan radius 1 mm


(menyerupai bentuk dioda Si yang diteliti)

Panas yang Dihasilkan Dalam Area Microplasma

Panas yang Dihasilkan Dalam Area Microplasma


Konversi antara temperatur dan arus dengan

besar Im bisa dinyatakan dalam


Im = a.T +b
Im : besar arus
T

: temperatur

a dan b : konstanta

Panas yang Dihasilkan Dalam Area Microplasma


Dari persamaan-persamaan sebelumnya, dapat

disubstitusikan sehingga diperoleh persamaan


yang menunukan hubungan antara amplitudo
arus (Im) yang bergantung pada temperatur Tm
didalam area mikroplasma pada selang waktu t

Konklusi
Arus puncak tiap pulse arus pada avalanche

breakdown berubah-ubah
Perubahan tersebut bergantung pada space
duration
Perubahan puncak pulse tersebut bergantung
dari perubahan temperatur didalam area
mikroplasma

Referensi
http://

www.circuitstoday.com/wp-content/uploads/2012
/12/pn_junction_characteristics.png
http://
hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/pnj
un2.html
http://cnx.org/content/m1009/latest /
http://
www.iue.tuwien.ac.at/phd/entner/img263.png
http://
www.circuitstoday.com/pn-junction-breakdown-ch
aracteristics
http://en.wikipedia.org/wiki/Voltage_reference

Anda mungkin juga menyukai