Anda di halaman 1dari 2

MATERI DIVAIS ELEKTRONIKA

Samsudiat, Teknik Elektro, Universitas Indonesia


Konsep Band Model (Pita Energi)
Suatu model yang menggambarkan karakteristik konduktivitas dengan menggunakan pita energi.
Elektron selalu menempati dan bergerak pada kulit orbit masing-masing dan semakin jauh jarak kulit
dengan inti atom, maka level energi juga semakin besar.
Elektron yang berpindah dari suatu kulit menuju kulit yang lainnya akan menyerap atau melepaskan
energi sesuai dengan energi kulit atom yang ditujunya.
Pita konduksi (conduction band) adalah tempat berkumpulnya elektron yang terkonduksi.
Pita valensi (valence band) adalah tempat berkumpulnya elektron valensi.
Band gap adalah ruang di antara pita konduksi dengan pita valensi dimana pada ruang ini tidak mungkin
terdapat elektron.
Energi Fermi adalah tingkatan energi dimana kemungkinan terdapatnya elektron pada tingkatan energi
tersebut adalah bernilai 0,5.
Perbedaan Insulator, Semikonduktor, dan Konduktor berdasarkan Band Model
Pada konduktor, jarak energi antara ikatan valensi dengan ikatan konduksi (band gap) saling menutup
(tidak terdapat celah, meskipun terdapat celah, tetapi sangat kecil) sehingga memungkinkan elektron
dapat terus berpindah (overlap). Contoh : metal.
Pada insulator, jarak energi antara ikatan valensi dengan ikatan konduksi (band gap) sangat besar yaitu
sekitar 9 eV sehingga elektron sangat sulit untuk berpindah karena membutuhkan energi yang sangat
besar. Contoh : plastik.
Pada semikonduktor, jarak energi antara ikatan valensi dengan ikatan konduksi (band gap) lebih kecil
dibandingkan pada insulator yaitu sekitar 1,1 eV sehingga elektron dapat berpindah dengan beberapa
perlakuan khusus, seperti dipanaskan, diberikan medan magnet, dsb. Contoh : Silikon (Si) dan
Germanium (Ge).
Jenis-jenis Semikonduktor
Semikonduktor Intrinsik, adalah semikonduktor murni yang memiliki ikatan kovalen yang sempurna,
contoh : Si dan Ge.
Semikonduktor Ekstrinsik, adalah semikonduktor murni yang telah diberikan doping.
Jika dopan berupa atom-atom bergolongan III (contoh : Boron), maka semikonduktor bertipe p (dengan
pembawa mayoritas berupa holes) dan energi fermi lebih mendekati pita valensi karena elektron lebih
mudah untuk mengisi holes pada pita valensi. Holes merupakan pembawa muatan listrik yang bermuatan
positif dan merupakan tempat terdapatnya elektron pada orbital. Atom-atom dopan ini selanjutnya disebut
sebagai akseptor.
Jika dopan berupa atom-atom bergolongan V (contoh : Fosfor), maka semikonduktor bertipe n (dengan
pembawa mayoritas berupa elektron) dan energi fermi lebih mendekati pita konduksi karena elektron
lebih mudah untuk berpindah. Atom-atom dopan ini selanjutnya disebut sebagai donor.
Kontak pada Metal-Semikonduktor
Ohmic Contact
Ohmic contact adalah kontak yang memiliki karakateristik grafik I-V berupa linier dan memenuhi
persamaan Hukum Ohm yaitu V = I.R. Ohmic Contact dapat terjadi dengan dua kondisi, yaitu :
1. Semikonduktor tipe-n : workfunction metal lebih kecil dari workfunction semikonduktor.
Hal ini menyebabkan kondisi setelah kontak tidak terdapat barrier (penghalang) pada pita konduksi
sehingga elektron lebih mudah mengalir.
2. Semikonduktor tipe-p : workfunction metal lebih besar dari workfunction semikonduktor.
Hal ini menyebabkan kondisi setelah kontak tidak terdapat barrier (penghalang) pada pita valensi
sehingga hole lebih mudah mengalir.
Ohmic Contact dapat dibuat dengan cara sebagai berikut :

1. Memberikan doping dengan konsentrasi yang tinggi sesuai tipe semikonduktor yang diinginkan.
Pemberian doping ini juga dapat menyebabkan daerah deplesi (daerah dimana tidak terdapat muatan)
semakin kecil sehingga elektron dapat melakukan tunneling (menembus pembatas).
2. Memilih bahan metal yang memiliki workfunction yang sesuai.
Blocking Contact/Rectifying Contact atau Schottky Barrier
Blocking contact adalah kontak yang memiliki karakteristik grafik I-V seperti dioda (penyearah) yaitu
berupa eksponensial. Blocking Contact dapat terjadi dengan dua kondisi, yaitu :
1. Semikonduktor tipe-n : workfunction metal lebih besar dari workfunction semikonduktor.
Hal ini menyebabkan terbentuknya barrier pada pita konduksi sehingga elektron sulit untuk mengalir
dan akan mengalir lebih cepat setelah melewati barrier.
2. Semikonduktor tipe-p : workfunction metal lebih kecil dari workfunction semikinduktor.
Hal ini menyebabkan terbentuknya barrier pada pita valensi sehingga hole sulit untuk mengalir dan
akan mengalir lebih cepat setelah melewati barrier.
PN Junction
PN Junction merupakan suatu divais yang bersifat sebagai penyearah (rectifier) yaitu akan mengalirkan arus
dalam satu arah dan menahan arus dalam arah yang berlawanan. PN Junction dapat disebut dengan dioda.
Terdapat 3 kondisi PN Junction yaitu :
1. Equilibrium (sebelum diberi sumber tegangan)
Elektron pada tipe-n akan berdifusi menuju daerah tipe-p dan hole pada tipe-p akan berdifusi menuju
daerah tipe-n sehingga terbentuk daerah persambungan dimana pada daerah ini terbebas dari muatan
mayoritas dan disebut daerah deplesi. Perpindahan elektron dan hole ini akan menimbulkan medan listrik
yang arahnya berlawanan dengan arah gerak elektron sehingga timbul arus drift dimana I drift = Idifusi dan
tegangan penghalang.
2. Forward Bias (ketika diberi tegangan positif)
Kondisi ini terjadi saat tipe-p diberikan tegangan positif yang menyebabkan hole pada tipe-p akan
menjauhi sumber tegangan dan sebaliknya juga pada tipe-n. Hal ini menyebabkan daerah deplesi semakin
kecil sehingga memungkinkan elektron dan hole untuk berdifusi dan arus akan meningkat dengan cepat.
3. Reverse Bias (ketika diberi tegangan negatif)
Kondisi ini terjadi saat tipe-p diberikan tegangan negatif yang menyebabkan hole pada tipe-p akan
mendekati sumber tegangan dan sebaliknya juga pada tipe-n. Hal ini menyebabkan menyebabkan daerah
deplesi semakin besar sehingga hampir tidak mungkin elektron dan hole berdifusi dan besar arus mendekati
0.
Transistor
Transistor (Transfer Resistor) merupakan suatu divais yang berfungsi sebagai penyambung dan pemutus
(switching) arus atau tegangan. Transistor juga dapat digunakan sebagai penguat (amplifier). Terdapat 2
jenis transistor yaitu :
1. Bipolar Device
Transistor yang memanfaatkan elektron dan hole secara bersamaan, contoh : Bipolar Junction Transistor
(BJT).
2. Unipolar Device
Transistor yang memanfaatkan salah satu jenis muatan saja (elektron atau hole), contoh : Field-Effect
Transistor (FET).
Bipolar Junction Transistor (BJT)
a. npn-transistor
b. pnp-transistor
Field-Effect Transistor (FET)
a. Junction FET (JFET)
b. Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)