M. Hendra S.

Ginting / Jurnal Teknologi Proses 5(2) Juli 2006: 138 141

145

Jurnal
Teknologi Proses
Media Publikasi Karya Ilmiah
Teknik Kimia

5(2) Juli 2006: 142 147

ISSN 1412-7814

Simulasi Peranti Model Sel Surya Dioda n+ (x)/p

Mara Bangun Harahap
Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Medan

Abstrak
Dalam penelitian ini dikembangkan solusi analitik transpor pembawa minoritas dalam daerah silikon
kuasi netral. Sel Surya emiter didoping tinggi, di mana kerapatan doping yang tidak uniform berperan
penting, dianalisis melalui penerapan solusi analitik melalui simulasi peranti model sel surya dioda n+
(x)/p.
Kata kunci: pendopingan tinggi, simulasi peranti, solusi analiti.

Pendahuluan
Suatu peranti photo voltaic yang
dirancang untuk keperluan memperoleh
model sel surya efisiensi tinggi dengan
memanfaatkan teknologi canggih dan untuk
memperoleh model sel surya efisiensi rendah
dengan memanfaatkan teknologi produksi
konsumsi massa, harus dapat menyerap
cahaya secara efisien dalam lapisan semikonduktor yang aktif dan memberikan daya
listrik di beban luar dengan kehilangankehilangan dalam yang minimum. Pada
dasarnya model-model sel surya telah banyak
dikembangkan para peneliti, baik model sel
surya berbahan silikon amorf maupun sel
surya berbahan silikon kristal. Dalam tulisan
ini hanya dibahas pemodelan sel surya kristal
silikon pendopingan tinggi. Model sel surya
kristal pendopingan tinggi mempunyai
efisiensi yang jauh lebih tinggi dari pada
model sel surya silikon amorf. Persoalannya
adalah: biaya memproduksi sel surya silikon
kristal jauh lebih mahal dari pada
memproduksi sel surya silikon amorf.
Namun, mengingat perkembangan teknologi
semikonduktor yang demikian cepat dan

dibantu dengan pemakaian komputer yang

juga makin canggih dalam memodel sel
surya, diharapkan masalah biaya produksi sel
surya silikon kristal secara massal dapat
ditekan.
Harahap (1992: 50 67) telah meneliti
solusi transpor pembawa minoritas material
silikon kristal yang didoping tinggi
berdasarkan pada analisis yang dilakukan
Verhoef et al (1990: 19 28). Penelitian yang
dilakukan Harahap terutama untuk melihat
efek pengikutan parameter-parameter yang
belum dimasukkan Verhoef et al dalam
analisis mereka. Harahap menyelesaikan
masalah kontinuitas pembawa minoritas dan
persamaan arus untuk daerah silikon kristal
tipe N yang didoping tinggi tak uniform.
Solusi yang diperoleh Harahap berbentuk
persamaan arus yang bebas integral dan
iterasi, sehingga sifat fisika dapat dianalisis
berdasarkan
parameter-parameter
yang
tercakup dalam persamaan. Berdasarkan
temuan itu, dalam tulisan ini dilaporkan hasil
penelitian tentang penerapan solusi analitik
tersebut melalui simulasi peranti pada model
sel surya dioda n+ (x)/p.

Mara Bangun Harahap / Jurnal Teknologi Proses 5(2) Juli 2006: 142 147

146

Perumusan masalah
Penelitian ini dibatasi pada cara
memperoleh fungsi hubungan kerapatan arus
jenuh keadaan gelap dengan ketebalan untuk
profil doping fungsi pangkat model sel surya
dioda n+ (x)/p.

Tujuan penelitian
Penelitian ini bertujuan untuk: (a)
menganalisis hubungan arus jenuh terhadap
bertambahnya ketebalan emiter model sel
surya dioda n+ (x)/p (b) melihat pengaruh S
(rekombinasi permukaan) pada keadaan (a);
dan (c) kaitan profil pungsi pangkat dengan
profil fungsi eksponen untuk c > 10.

Himpunan persamaan yang harus

ditentukan solusinya adalah sebagai berikut:
J(x) = Jdiff + Jdrift = - e D

Temuan penelitian diharapkan bermanfaat

sebagai: (a) informasi tentang pengembangan
perangkat lunak (program komputer)
simulasi peranti yang berguna untuk
mengganti suatu eksperimen yang mahal di
bidang teknologi sel surya, dan (b) informasi
tentang
parameter-parameter
fisis
perancangan peranti sel surya sebelum
fabrikasi dilakukan dan informasi tentang sel
surya yang dapat dioptimasi sedininya dalam
siklus pengembangan produk sel surya.

Tinjauan Pustaka
Persamaan transpor pembawa minoritas
dalam material silikon kristal doping
tinggi
Pada bagian ini diuraikan persamaan
transpor pembawa minoritas bahan silikon
kristal tipe N berdasarkan pada hasil analisis
Harahap (1992), yang menghasilkan solusi
umum untuk bahan tersebut. Asumsi yang
diajukan dalam menentukan solusi: (a)
parameter-parameter
transpor
hanya
merupakan fungsi kedalaman (x) dalam
material,
sehingga
transpor
dapat
diperlakukan dalam satu dimensi; (b)
pembahasan dalam kondisi kuasi netral dan
injeksi rendah, sehingga hanya diperlakukan
untuk pembawa minoritas saja; dan (c)
peranti yang dibahas dalam keadaan tunak.

...

(1)

1 d
p
J+ =0
e dx

(2)

E = - VT

d
1 d
ln (N) +
E G
dx
e dx

(3)

(N) = K N -k

(4)

(N) = M N -m

(5)

E G = e f VT ln [
Manfaat penelitian

dp
+e p
dx

N
]
N0

(6)
Pada persamaan (1) sampai dengan
persamaan (6) arti simbol adalah sebagai
berikut: J menyatakan kerapatan arus, yang
terdiri dari jumlah kerapatan arus difusi Jdiff
dan
kerapatan
arus
hanyut
Jdrift;
menyatakan mobilitas hole;

menyatakan waktu hidup rekombinasi hole;

D menyatakan diffusitas hole; p menyatakasn
kerapatan hole; N menyatkan kerapatan
doping; E G menyatakan sempitan sela pita
energi yang muncul; E menyatakan medan
listrik; e menyatakan besar muatan elektron;

VT =

kT
e

menyatakan voltase termal, di

mana K, k, M,m, N0 adalah konstanta

(besarnya secara lengkap dapat dilihat pada
Harahap (1992: 83-85). Penurunan dan
penentuan solusi himpunan persamaan di atas
untuk profil doping fungsi pangkat yang akan
diterapkan dlam penelitian ini dapat dilihat
pada Verhoef (1990), Verhoef dan Sinke
(1990) dan Harahap (1992).
Model sel surya dioda n+(x)/p
Pada penelitian ini model sel surya
diajukan berdasarkan hasil analisis literatur
(Penumalli, 1986; Fichner, 1988; Verhoef,
1990; Harahap, 1992; Sadovnikov &
Roulston, 1997; Sze, 2002; Harahap, 2005).
Model ini belum diwujudkan dalam

Mara Bangun Harahap / Jurnal Teknologi Proses 5(2) Juli 2006: 142 147

147

eksperimen. Namun, menurut perkiraan

peneliti dengan didukung oleh penemuan
peneliti lain, model ini mempunyai
keuntungan dari segi kemudahan analisis.
Hal ini karena model ini mengandung
persamaan trasnpor yang tidak mengandung
integral lipat sehingga sifat fisisnya
transparan untuk dianalisis. Dari segi
permasalahan penelitianini, model yang
diajukan belum pernah diteliti secara tuntas,
sehingga cocok untuk diteliti lebih lanjut.
Model sel surya yang memakai profil doping
fungsi pangkat layak untuk diteliti, untuk
memperoleh gambaran luas tentang modelmodel sel surya yang memakai profil doping
fungsi pangkat.
Pada bagian ini diterapkan solusi
persamaan (1) sampai (6) untuk menentukan
arus emiter model sel surya dioda n+(x)/p
(lihat gambar 1) pada arus jenuh keadaan
gelap dan pengaruh kerapatan donor emiter
pada kerapatan minoritas hole dalam daerah
emiter. Posisi x = 0 pada batas daerah deplesi
bagian sisi emiter. Dianggap profil doping
adalah fungsi pangkat terhadap posisi.
Penurunan
dan
penentuan
solusi
himpunan persamaan (1) sampai dengan (6)
untuk syarat batas model sel surya silikon
kristal dioda n+(x)/p pendopingan tinggi
secara lengkap untuk profil doping fungsi
pangkat dan fungsi eksponen dapat dilihat
pada Verhoef (1990), Verhoef dan Sinke
(1990) dan Harahap (1992).

menyatakan mobilitas hole; menyatakan

waktu hidup rekombinasi hole; D
menyatakan diffusitas hole; p menyatakasn
kerapatan hole; N menyatkan kerapatan
doping; E G menyatakan sempitan sela pita
energi yang muncul; E menyatakan medan
listrik; e menyatakan besar muatan elektron;

VT =

kT
e

menyatakan voltase termal, di

mana K, k, M,m, N0 adalah konstanta

(besarnya secara lengkap dapat dilihat pada
Harahap (1992: 83-85). Penurunan dan
penentuan solusi himpunan persamaan di
atas untuk profil doping fungsi pangkat yang
akan diterapkan dalam penelitian ini dapat
dilihat pada Verhoef (1990), Verhoef dan
Sinke (1990), dan Harahap (1992).

Metode Penelitian
Sifat penelitian
Penelitian ini bersifat eksploratif. Dengan
demikian dalam penelitian ini tidak diajukan
hipotesis
penelitian.
Penelitian
ini
menggabungkan pendekatan fisika teoretis dan
fisika komputasional dalam pengembangan
fisika semikonduktor subbidang sel surya.
Parameter-parameter
empiris
yang
disadur dari berbagai literatur dijadikan
sebagai masukan simulasi peranti.
Variabel penelitian

logam

5.1018 cm-3

1017 cm-3
emiter
+

n (x)
basis p
W

GAMBAR 1: Model Sel Surya Silikon Kristal

Dioda n+(x)/p

Pada persamaan 1 sampai dengan

persamaan 6 arti simbol adalah sebagai
berikut: J menyatakan kerapatan arus, yang
terdiri dari jumlah kerapatan arus difusi Jdiff
dan
kerapatan
arus
hanyut
Jdrift;

Dalam penelitian ini ada tiga jenis

variabel, yakni: variabel bebas, variabel
terikat, dan variabel moderator. Variabel
bebas adalah kecepatan rekombinssi pada
permukaan belakang sel surya. Variabel
terikat adalah beda potensial rangkaian
terbuka sel surya. Variabel moderator adalah
variabel yang juga berpengaruh pada beda
potensial rangkaian terbuka sel surya, tetapi
pengaruhnya tidak langsung. Variabel
moderator berpengaruh langsung terhadap
semua
parameter-parameter
masukan
simulasi peranti. Variabel moderator dalm
penelitian ini adalah x (kedalaman dalam
bahan semi-konduktor). Semua parameterparameter yang terlibat pada setiap model
matematis dalam simulasi peranti bergantung
pada x.

Mara Bangun Harahap / Jurnal Teknologi Proses 5(2) Juli 2006: 142 147

148

Alat/teknik pengumpulan data

Prosedur penelitian

Data dikumpulkan dengan memakai

metode numerik pada simulasi peranti untuk
model sel surya yang dikemukakan dalam
penelitian ini. Masukan-masukan untuk
simulasi peranti dengan model sel surya
seperti ini adalah parameter-parameter
persamaan transpor muatan minoritas.

Tahap pertama: merancang model sel

surya, yang dipakai adalah model sel surya
yang dibagankan pada Gambar 1.

Ketelitian data yang diperoleh dengan

metode numerik diketahui melalui teori
ketidakpastian metode numerik yang dipakai.
Teknik analisis data
a. Diplot (oleh komputer) hubungan antara
kerapatan arus jenuh keadaan gelap
sebagai fungsi ketebalan metode numerik
sebagai-mana dikemukakan di atas
digunakan untuk menentukan arus dalam
keadaan gelap berdasarkan solusi numerik
yang diterapkan pada model sel surya
dalam penelitian ini.
b. Besar nilai parameter-parameter tertentu
yang diharapkan dapat menunjukkan
pengaruh pada sifat peranti diplot dalam
grafik.
c. Dianalisis hasil simulasi peranti dengan
cara membandingkannya dengan hasil
simulasi peranti yang telah ditemukan
peneliti lain (merujuk ke literatur), jika
ada referensinya. Analisis dilakukan
berdasarkan pada teori fisika yang
relevan.

Tahap
kedua:
merumuskan
solusi
persamaan transpor minoritas material
semikonduktor.
Himpunan persamaan yang harus
ditentukan solusinya adalah sebagai berikut:
J(x) = Jdiff + Jdrift = - e D
(7)

dp
+e p
dx

1 d
p
J+ =0
e dx

(8)

E = - VT
(9)

d
1 d
ln (N) +
E G
dx
e dx

(N) = K N -k

...

(10)

(N) = M N -m

(11)

E G = e f VT ln [

N
]
N0

Tahap ketiga: memasukkan parameterparameter yang akan diolah dengan program

komputer simulasi.
Tahap keempat: tampilkan dan analisis
hasil
simulasi.

149

Mara Bangun Harahap / Jurnal Teknologi Proses 5(2) Juli 2006: 142 147

GAMBAR 2: Kerapatan arus jenuh keadaan gelap sebagai fungsi ketebalan

Temuan Penelitian dan Pembahasan

Temuan penelitian

Kesimpulan dan Saran

Pada Gambar 2 diperlihatkan hasil

simulasi peranti model sel surya dioda
n+(x)/p. Pada Gambar 2 dapat dilihat plot
kerapatan arus jenuh keadaan gelap sebgai
fungsi ketebalan. Hasil ini merupakan
kerapatan arus jenuh keadaan gelap dari
bahan semikionduktor tipe n yang didoping
memakai fabrikasi proses ion implantation
yang diikuti proses thermal annealing.
Dalam penelitian ini peneliti berasumsi
bahwa profil doping fungsi pangkat dengan
C = 4,0 yang paling cocok menjelaskan profil
doping dari jangkauan kerapatan doping 1020
cm-3 s/d 1017 cm-3 (dengan ketebalan dari 0,1
m s/d 0,4 m: total 0,3 m).

Penggunaan simulasi secara akurat dalam

lingkungan
perhitungan
yang
sesuai
sebanding dengan eksperimen komputer
yang tidak mahal. Simulasi proses berkaitan
dengan semua aspek fabrikasi material
semikonductor. Luaran simulasi proses,
bersama-sama dengan terminal voltase dan
arus yang diterapkan merupakan masukan ke
program simulasi peranti, yang menentukan
karakteristik listrik peranti. Karakteristik
arus-voltase peranti kemudian digunakan
sebagai data esensial untuk mengkonstruksi
model peranti yang menyatu. Model seperti
itu dapat digunakan sebagai masukan ke
program
simulasi
rangkaian
untuk
menentukan karakteristik rangkaian listrik
yang terdiri dari antarkoneksi peranti ganda.

Pembahasan
Gambar 2 mengungkapkan hubungan
kerapatan arus jenuh keadaan gelap sebagai
fungsi ketebalan. Berdasarkan Gambar 2
diperoleh:
a. Kerapatan arus jenuh berkurang terhadap
bertambahnya ketebalan emiter (namun
berkurangnya sangat kecil [grafik hampir
garis lurus untuk ketebalan w 0,1 m
0,4 m]).
b. Pengaruh harga s tidak muncul (grafik
untuk s = 104 cm/s dangan s 106 cm/s
berimpit).
c. Arus pada ketebalan 0,4 m 9.10-16
A/cm2 atau sekitar 10-15 A/cm2.

Harahap telah meneliti solusi transpor

pembawa minoritas material silikon kristal
yang didoping tinggi berdasarkan pada
analisis yang dilakukan Verhoef et al.
Penelitian yang dilakukan Harahap terutama
untuk melihat efek pengikutan parameterparameter yang belum dimasukkan Verhoef
et al. dalam analisis mereka. Harahap
menyelesaikan masalah kontinuitas pembawa
minoritas dan persamaan arus untuk daerah
silikon kristal tipe N yang didoping tinggi tak
uniform. Solusi yang diperoleh Harahap
berbentuk persamaan arus yang bebas
integral dan iterasi, sehingga sifat fisika
dapat dianalisis berdasarkan parameter-

Mara Bangun Harahap / Jurnal Teknologi Proses 5(2) Juli 2006: 142 147

parameter yang tercakup dalam persamaan.

Berdasarkan temuan itu, dalam tulisan ini
dilaporkan hasil penelitian tentang penerapan
solusi analitik tersebut melalui simulasi
peranti pada model sel surya dioda n+ (x)/p.

150

Daftar Pustaka

Jika model sel surya ini hendak

diwujudkan dalam sampel (penelitian
lanjutan), disarankan hal-hal berikut:
1)Hendaknya dilakukan lebih dulu penelitian
tentang efek pemantulan cahaya pada
permukaan emiter, karena penelitian ini
belum menyinggung hal ini. 2) Agar dapat
diperoleh harga VOC dalam eksperimen yang
kira-kira sama dengan harga VOC pada
penelitian ini, hendaknya difikirkan alat
pendopingan lapisan n+(x) yang benar-benar
mampu memberikan doping fungsi pangkat.

Fichner, W. 1988. Process Simulation.

Dalam S.M. Sze (ed.), VLSI
Technology
(hlm.
422-465).
Singapore:
McGraw-Hill
International Editions.
Harahap, M.B. 1992. Solusi Analitik
Transpor
Pembawa
Minoritas
Silikon Kristal yang Didoping Tak
Uniform dan Aplikasinya pada
Peranti Sel Surya. Tesis S2 di ITB
Bandung. Tidak Dipublikasikan.
Harahap, M.B. 2005. Simulasi Peranti Model
Basis Sel Surya P+-N-N+ (X)
Pendopingan Tinggi. Sistem Teknik
Industri.
6(5),
43-48.

Penumalli, B.R. 1986. Physical Models and

Numerical Methods for VLSI. Dalam
W.L. Eng (ed.), Process Simulation
and Devices Modeling, (hlm. 1-30).
North Holland: Elsevier Science
Publishers B.V.
Sadovnikov, A.D. & Roulston, D.J. 1997. A
New Numerical Method for QuasiThree Dimensional Small-signal
Simulation of Silicon Bipolar
Transistors. Solid State Electronics.
41(1): 33-40.

Sze, S.M. 2002. Semiconductor Devices

Physics and Technology. Singapore:
John Wiley & Sons, Inc.
Verhoef, L.A. 1990. Silicon Solar Cell
(modelling,
processing
and
characterization). Ph.D. Thesis
(State University of Utreecht,
Netherlands). Tidak Dipublikasikan.
Verhoef, L.A. & Sinke, W.C. 1990. Minority
Carrier Transport in Non Uniformly
Doped. IEEE Trans Electron Devices.
37(1): 210-217.